單片集成電路貯存壽命特征檢測方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子器件檢測技術(shù)，特別是涉及一種單片集成電路貯存壽命特征檢測方法。
【背景技術(shù)】
[0002]貯存壽命是武器裝備的重要質(zhì)量特性，對于具有長期儲存、一次使用特點(diǎn)的導(dǎo)彈而言，一般需要經(jīng)歷一個8-10年的貯存時間，而我國的生產(chǎn)研制單位往往沒有給出它的貯存壽命，因此不能得知導(dǎo)彈還能貯存的時間。對于對外引進(jìn)的導(dǎo)彈，當(dāng)陸續(xù)到達(dá)規(guī)定壽命時，導(dǎo)彈的延壽修理工作將進(jìn)入一個階段性的高峰期。因此，根據(jù)貯存壽命對武器裝備進(jìn)行延壽修理，對有限條件下最大程度發(fā)揮裝備作戰(zhàn)效能、恢復(fù)戰(zhàn)備能力、節(jié)約軍費(fèi)開支起到重大作用。
[0003]隨著高科技的發(fā)展，電子零部件已成為導(dǎo)彈的核心部分，電子元器件又是構(gòu)成電子零部件的基礎(chǔ)。因此可以通過對電子元器件和電子零部件的壽命特征進(jìn)行檢測，得到導(dǎo)彈的貯存壽命。
[0004]目前，對于電子元器件進(jìn)行檢測的方法包括失效分析和破壞性物理分析(Destructive Physical Analysis,簡稱DPA)，失效分析是對電子元器件失效機(jī)理和原因的診斷，DPA是為驗(yàn)證電子元器件的設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、材料、制造的質(zhì)量和工藝情況是否滿足預(yù)計(jì)用途或有關(guān)規(guī)范的要求，以及是否滿足元器件規(guī)定的可靠性和保障性，對元器件樣品進(jìn)行解剖，以及在解剖前后進(jìn)行一系列檢驗(yàn)和分析的全過程。但是失效分析只針對已經(jīng)失效的電子元器件進(jìn)行研究分析，DPA只針對功能未失效的電子元器件進(jìn)行檢測，均不能實(shí)現(xiàn)對單片集成電路的貯存壽命特征的檢測。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要針對上述問題，提供一種單片集成電路貯存壽命特征檢測方法。
[0006]—種單片集成電路貯存壽命特征檢測方法，包括如下步驟:
[0007]對單片集成電路進(jìn)行外觀質(zhì)量檢查，并根據(jù)檢查結(jié)果得到外檢合格品和外檢失效品;
[0008]對所述外檢合格品進(jìn)行電參數(shù)測量，并根據(jù)測量結(jié)果得到終檢合格品和終檢失效品;
[0009]對所述終檢合格品進(jìn)行可靠性特征分析，得到預(yù)測貯存壽命。
[0010]上述的一種集成電路貯存壽命特征檢測方法，通過對單片集成電路進(jìn)行外觀質(zhì)量檢查和電參數(shù)測量，選出功能未失效的合格品，并通過對合格品進(jìn)行可靠性特征分析，得到集成電路的預(yù)測貯存壽命，從而可以估測導(dǎo)彈的貯存壽命，解決了對單片集成電路的貯存壽命特征的檢測的問題。
【附圖說明】
[0011]圖1為本發(fā)明單片集成電路貯存壽命特征檢測方法的較佳實(shí)施例流程圖；
[0012]圖2為圖1所示對單片集成電路進(jìn)行外觀質(zhì)量檢查，并根據(jù)檢查結(jié)果得到外檢合格品和外檢失效品的步驟的具體流程圖；
[0013]圖3為圖1所示對外檢合格品進(jìn)行電參數(shù)測量，并根據(jù)測量結(jié)果得到終檢合格品和終檢失效品的步驟的具體流程圖；
[0014]圖4為圖1所示對終檢合格品進(jìn)行可靠性特征分析，得到預(yù)測貯存壽命的步驟的具體流程圖；
[0015]圖5為本發(fā)明單片集成電路貯存壽命特征檢測方法的另一實(shí)施例的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]參考圖1，本發(fā)明單片集成電路貯存壽命特征檢測方法的較佳實(shí)施例中，包括步驟S410、步驟S430和步驟S450。
[0017]S410:對單片集成電路進(jìn)行外觀質(zhì)量檢查，并根據(jù)檢查結(jié)果得到外檢合格品和外檢失效品。
[0018]其中一實(shí)施例中，參考圖2，步驟S410包括步驟S411-步驟S413。
[0019]S411:對單片集成電路進(jìn)行目檢，觀察單片集成電路的外殼和管腳。
[0020]S412:對單片集成電路進(jìn)行鏡檢，觀察單片集成電路的外殼和管腳。
[0021]S413:根據(jù)目檢和鏡檢結(jié)果得到外檢合格品和外檢失效品。
[0022]具體地，鏡檢采用的倍數(shù)為10倍。
[0023]首先通過外部檢查查看單片集電路的外殼和管腳是否有損壞或斷裂，將單片集成電路分為外檢合格品和外檢失效品，排除了外部因素對質(zhì)量檢測的影響，提高效率。同時，外部檢測通過目檢和鏡檢的結(jié)合，提高了外部檢測的準(zhǔn)確性。
[0024]S430:對外檢合格品進(jìn)行電參數(shù)測量，并根據(jù)測量結(jié)果得到終檢合格品和終檢失效品。
[0025]其中一實(shí)施例中，參考圖3，步驟S430包括步驟S431和步驟S432。
[0026]S431:對外檢合格品進(jìn)行初測，根據(jù)初測結(jié)果得到初測合格品和初測失效品。
[0027]S432:對初測失效品進(jìn)行復(fù)測，根據(jù)復(fù)測結(jié)果得到終檢合格品和終檢失效品。終檢合格品包括初測結(jié)果中得到的初測合格品和復(fù)測結(jié)果中未失效的單片集成電路。
[0028]對外檢合格品進(jìn)行電參數(shù)測量的過程中，對于初測不合格的單片集成電路，進(jìn)行復(fù)測，以確定初測結(jié)果，若復(fù)測與初測結(jié)果一致，則表示初測沒有失誤；否則，表示初測失誤，可多次對該集成電路進(jìn)行測量以確定結(jié)果，提高了測量的準(zhǔn)確性。
[0029]電參數(shù)測量包括對電壓、電流、電容、電阻和/或功率等參數(shù)數(shù)據(jù)的測量。在對單片集成電路進(jìn)行電參數(shù)測量的過程中，若發(fā)現(xiàn)不合格的單片集成電路，繼續(xù)電參數(shù)測量，直到完成該單片集成電路的所有電參數(shù)檢測。通過電參數(shù)測量，可以將步驟S410中選出的外檢合格品分為終檢合格品和終檢失效品。
[0030]S450:對終檢合格品進(jìn)行可靠性特征分析，得到預(yù)測貯存壽命。
[0031]其中一實(shí)施例中，參考圖4，步驟S450包括步驟S451-步驟S454。
[0032]S451:隨機(jī)選取預(yù)定數(shù)量的各型號的終檢合格品。
[0033]具體地，預(yù)定數(shù)量為5，即每種型號的終檢合格品各選5只作為樣品。
[0034]S452:對選取的終檢合格品進(jìn)行質(zhì)量和可靠性測量。
[0035]具體地，根據(jù)第一檢測標(biāo)準(zhǔn)對終檢合格品進(jìn)行質(zhì)量和可靠性測量。更具體地，第一檢測標(biāo)準(zhǔn)為國家軍用標(biāo)準(zhǔn)-微電子器件試用方法和程序:GJB548A。GJB548A為對電子元器件的性能試驗(yàn)，包括環(huán)境試驗(yàn)、機(jī)械試驗(yàn)、電學(xué)試驗(yàn)和試驗(yàn)程序。通過使用國家標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行可靠性特征分析，檢測結(jié)果更為可靠準(zhǔn)確。
[0036]S453:對選取的終檢合格品進(jìn)行破壞性物理分析。
[0037]具體地，根據(jù)第二檢測標(biāo)準(zhǔn)對終檢合格品進(jìn)行破壞性物理分析。更具體地，第二檢測標(biāo)準(zhǔn)為國家軍用標(biāo)準(zhǔn)-軍用電子元器件破壞性物理分析和方法:GJB4027。同理，通過使用國家標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行可靠性特征分析，檢測結(jié)果更為可靠準(zhǔn)確。
[0038]其中一實(shí)施例中，破壞性物理分析包括對終檢合格品的背景材料、基本結(jié)構(gòu)信息、檢測項(xiàng)目、檢測方法和程序、缺陷判據(jù)、數(shù)據(jù)記錄和環(huán)境要求中的至少一種進(jìn)行分析。
[0039]終檢合格品的背景材料，包括生產(chǎn)單位、生產(chǎn)批號、生產(chǎn)日期、生產(chǎn)線矢量保證體系、產(chǎn)品質(zhì)量保證等級或可靠性等級、結(jié)構(gòu)類型、產(chǎn)品型號、封裝形式、工藝結(jié)構(gòu)特征、使用單位、抽樣方式、抽樣數(shù)量和歷史記載的失效模式和缺陷情況等。
[0040]基本結(jié)構(gòu)信息，包括結(jié)構(gòu)圖、各組成的相對位置、關(guān)鍵尺寸及相應(yīng)的材料和工藝。
[0041]檢測項(xiàng)目，按照所屬的電子元器件類別進(jìn)行選擇。具體地，檢測項(xiàng)目包括外部目檢、密封性檢查、內(nèi)部目檢、射線檢查和顯微檢查中的至少一種。
[0042]檢測方法和程序，按照所選定的檢測項(xiàng)目，以獲得最多有用信息為原則選擇合適的檢測方法和程序。
[0043]缺陷判據(jù)，對電子元器件缺陷的評定要有相應(yīng)的描述和照片。
[0044]數(shù)據(jù)記錄，每一批進(jìn)行破壞性物理分析的電子元器件都有一個獨(dú)立的編號，記錄每個元器件的檢測數(shù)據(jù)或相關(guān)照片。
[0045]環(huán)境要求，在規(guī)定的溫宿、濕度和防靜電的潔凈區(qū)進(jìn)行破壞性物理分析。
[0046]S454:根據(jù)質(zhì)量和可靠性測量的結(jié)果以及破壞性物理分析的結(jié)果，得到預(yù)測貯存壽命O
[0047]通過對外觀檢查和電參數(shù)測量均合格的終檢合格產(chǎn)品進(jìn)行電子