專利名稱：用于探測內(nèi)燃機(jī)的進(jìn)氣管中的壓力和溫度的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于探測內(nèi)燃機(jī)的進(jìn)氣管中的壓力和溫度的裝置， 其中在一個(gè)公共的外殼中布置壓力傳感器和溫度傳感器，和在外殼的外 部設(shè)置有溫度傳感器的信號的評估處理機(jī)構(gòu)。
背景技術(shù)：
開頭所述類型的裝置例如由DE19731420A1已知。該文獻(xiàn)描述一種 這樣的裝置，其中在一個(gè)公共的外殼中布置一個(gè)溫度傳感器和一個(gè)壓力 傳感器，該壓力傳感器與一個(gè)評估處理電路一起在最大程度上扭曲下地 固定在一個(gè)支架上。所述裝置的特征在于，在非常簡單的制造下可以實(shí) 現(xiàn)非常精確的壓力測量。這是通過使外殼具有至少兩個(gè)相互分開的室而 實(shí)現(xiàn)的。其中一個(gè)室通過管接頭與進(jìn)氣管連接并且相對于環(huán)境被密封， 從而形成一個(gè)壓力室，在該壓力室中布置壓力傳感器。
通過在這種裝置中為了探測壓力和溫度，通過形成溫度傳感器的無 源部件，例如熱敏電阻或NTC電阻，實(shí)施溫度測量。該無源部件經(jīng)電 纜束直接地與一個(gè)可以設(shè)置在控制裝置中的評估處理電路連接。對溫度 傳感器的信號的評估處理不在公共的外殼中實(shí)施。通過這種布線方式去 干擾是該評估處理電路的任務(wù)。
如果在溫度傳感器和評估處理電路之間的連接部分即電纜束或傳 感器上的電磁負(fù)載或輻射增大，則可能導(dǎo)致溫度傳感器的信號受到影 響。這不會(huì)被評估處理電路識別出來，因此該信號盡管具有問題但是仍 然被認(rèn)為是溫度傳感器的有效信號。由此的后果是，基于溫度傳感器的 該信號或溫度的其它參數(shù)受到不利的影響。

發(fā)明內(nèi)容
與此相應(yīng)地，按照本發(fā)明的用于探測內(nèi)燃機(jī)的進(jìn)氣管中的壓力和溫 度的具有在權(quán)利要求l中所述特征的裝置具有的優(yōu)點(diǎn)在于，溫度傳感器 防干擾地集成在該裝置中。在此情況下設(shè)有EMV保護(hù)電路，該保護(hù)電 路集成在外殼中和/或布置在外殼上和與溫度傳感器電連接。按照本發(fā)明的裝置可以有利地應(yīng)用于內(nèi)燃機(jī)的進(jìn)氣管中。通過進(jìn)氣管保證將空腔供 給到內(nèi)燃機(jī)中。這是指在內(nèi)燃機(jī)的進(jìn)氣側(cè)的壓力和溫度可以通過該裝置 確定。由此該裝置可以設(shè)置進(jìn)氣管上的任何位置上。例如可以:探測直接 位于內(nèi)燃機(jī)進(jìn)氣口前和/或位于連接在內(nèi)燃機(jī)進(jìn)氣管上的增壓器之后的 壓力和溫度。但是本發(fā)明的裝置可以使用在對于組合地探測壓力和溫度 有利的所有的地方上。按照本發(fā)明規(guī)定，在外殼的外部實(shí)施對溫度傳感 器的信號的評估處理。這意味著沒有為溫度傳感器在公共的外殼中設(shè)置 自己的評估處理電路，而是規(guī)定將溫度傳感器的信號從外殼中引出和 才在那里進(jìn)行信號的評估處理。為了使從溫度傳感器到評估處理電路的 路途中對信號的干擾最小化和盡可能地完全防止，設(shè)有EMV保護(hù)電路。
該EMV保護(hù)電路集成在外殼中，由此位于公共的外殼內(nèi)部，和/或布 置在外殼上。這意味著EMV保護(hù)電路也可以布置在外殼的外部和例如 與外殼的一個(gè)外表面連接。為了保證去干擾，EMV保護(hù)電路與溫度傳 感器電連接。由此按照本發(fā)明設(shè)置的EMV保護(hù)電路與溫度傳感器的外 部電路是相獨(dú)立的和可以按照現(xiàn)有的設(shè)計(jì)方案簡單地集成。
本發(fā)明的一個(gè)擴(kuò)展方案規(guī)定，EMV保護(hù)電路由去干擾電容器構(gòu)成。 干擾電容器是一種用于保證溫度傳感器的信號去干擾的簡單但是非常 有效的可能性。它能夠一方面成本有利地和另一方面簡單地按照現(xiàn)有的 設(shè)計(jì)方案進(jìn)行集成。
本發(fā)明的一個(gè)擴(kuò)展方案規(guī)定，EMV保護(hù)電路直接地與溫度傳感器 的至少一個(gè)電接頭連接。亦即，在溫度傳感器的至少一個(gè)電接頭和EMV 保護(hù)電路之間除了電導(dǎo)體之外沒有設(shè)置任何其它的部件。此時(shí)有利的是 將EMV保護(hù)電路設(shè)置在溫度傳感器的附近并且將溫度傳感器和EMV 保護(hù)電路之間的信號路程保持得盡可能小。這樣溫度傳感器的去干擾如 此地實(shí)施，使得外部的作用對溫度傳感器的信號幾乎不會(huì)產(chǎn)生影響或沒 有任何影響。如果設(shè)置與溫度相關(guān)聯(lián)的電阻的形式的溫度傳感器和去干 擾電容器形式的EMV保護(hù)電路，那么有利的是，溫度傳感器和EMV 保護(hù)電路的兩個(gè)接頭分別相互連接起來，EMV保護(hù)電路由此與溫度傳 感器并聯(lián)連接。
本發(fā)明的一個(gè)擴(kuò)展方案規(guī)定，EMV保護(hù)電路:故放置在外殼上和/或 在內(nèi)部或外部固定在外殼上。這意味著，EMV保護(hù)電路可以通過合適 的固定機(jī)構(gòu)與外殼連接，但是也可能的是，僅僅將EMV保護(hù)電路置于外殼上，而不先進(jìn)行固定，即不在EMV保護(hù)電路和公共的外殼之間進(jìn) 行直接的連接。例如可以規(guī)定，將EMV保護(hù)電路形狀配合地或摩擦力 配合地保持在外殼上。例如可以通過粘接劑或通過熔化進(jìn)行固定。
本發(fā)明的一個(gè)擴(kuò)展方案規(guī)定，EMV保護(hù)電路配置有尤其是由澆注 材料構(gòu)成的保護(hù)層，該保護(hù)層尤其是被環(huán)繞澆注而成。EMV保護(hù)電路 可以通過保護(hù)層保護(hù)而不受外界的影響。但是也可以規(guī)定，借助于保護(hù) 層固定EMV保護(hù)電路。這尤其是可以在僅僅將EMV保護(hù)電路放置在外 殼上的情況下這樣規(guī)定。在這種情況下保護(hù)層不僅負(fù)責(zé)固定而且負(fù)責(zé)防 止外部影響?？梢砸?guī)定，保護(hù)層僅僅在一側(cè)上遮蓋住EMV保護(hù)電路。 當(dāng)保護(hù)層用于在外殼上的固定時(shí)可以是這種情況。但是可能的是對EMV 保護(hù)電路進(jìn)行環(huán)繞的澆注，從而EMV保護(hù)電路^L保護(hù)層完全地包圍。 作為澆注材料可以規(guī)定例如粘接劑或備選地采用環(huán)氧樹脂。
本發(fā)明的一個(gè)擴(kuò)展方案規(guī)定，去干擾電容器是SMD去千擾電容器。 SMD去干擾電容器沒有任何金屬絲接頭，而是通過連接面直接地安置在 表面上。由此可以采用壁通常的電容器小很多的結(jié)構(gòu)形式。SMD去干擾 電容器可以被或者焊接或者粕接。
本發(fā)明的一個(gè)擴(kuò)展方案規(guī)定，溫度傳感器通過EMV保護(hù)電路與壓 力傳感器電連接。這意味著，溫度傳感器的至少一個(gè)電接頭通過EMV 保護(hù)電路與壓力傳感器的至少一個(gè)電接頭電連接。例如可以規(guī)定，溫度 傳感器的一個(gè)接地接頭通過EMV保護(hù)電路與壓力傳感器的一個(gè)正極的 接頭連接。以這樣的方式，類似于EMV保護(hù)電路與溫度傳感器的直接 連接，可以防止干擾溫度傳感器的信號。尤其是這樣將突然的電壓下降 或上升從信號中過濾出來。此時(shí)要注意的是，溫度傳感器的信號不會(huì)通 過EMV保護(hù)電路對壓力傳感器的信號施加任何影響或反向地施加影 響。
本發(fā)明的一個(gè)擴(kuò)展方案規(guī)定，溫度傳感器的信號和/或壓力傳感器的 信號通過扁平插接觸頭從外殼中引出。這樣，裝置可以簡單地更換或連 接地構(gòu)造。扁平插接觸頭形成具有基本上矩形橫截面的電連接。通過扁 平插接觸頭可以建立用于通常壓力和溫度的裝置與連接元件例如套筒 或耦聯(lián)器的可靠的連接。
本發(fā)明的一個(gè)擴(kuò)展方案規(guī)定，設(shè)有連接線路，該連接線路建立在溫 度傳感器和/或壓力傳感器和扁平插接觸頭之間的電連接，其中EMV保護(hù)電路被設(shè)置在尤其是粘接在連接線路上，從而通過EMV保護(hù)電路形 成相鄰的連接線路的電連接。此時(shí)連接線路可以構(gòu)造成所謂的引線框， 即具有一定的機(jī)械穩(wěn)定性的導(dǎo)體條(Leiterbahn)。備選地，導(dǎo)體條也可 以設(shè)置在載體材料上。當(dāng)使用引線框時(shí)，載體材料不是必需的，因?yàn)橐?線框的抗彎曲強(qiáng)度足夠用于在溫度傳感器和/或壓力傳感器和扁平插接 觸頭之間建立可靠的電連接。EMV保護(hù)電路這樣地設(shè)置在連接線路上， 使得在相鄰的連接線路之間形成電連接。此時(shí)連接線路不必是直接相鄰 的，例如也可以規(guī)定，在其之間存在另外的連接線路的連接線路被相 互間連接。如果連接線路以引線框形式構(gòu)造，那么優(yōu)選在連接線路和引 線框之間建立粘接連接。這優(yōu)選在EMV保護(hù)電路作為SMD去干擾電容 器構(gòu)造時(shí)進(jìn)行。作為備選的固定方式，EMV保護(hù)電路也可以焊接，尤 其是焊接在引線框上。
本發(fā)明的一個(gè)擴(kuò)展方案規(guī)定，壓力傳感器配置有至少一個(gè)另外的 EMV保護(hù)電路或同 一 個(gè)EMV保護(hù)電路。由此規(guī)定使得壓力傳感器的信 號也去干擾。為此目的，可以設(shè)置至少一個(gè)另外的EMV保護(hù)電路，例 如通過將另外的去干擾電容器尤其是SMD去干擾電容器安置到連接線 路上尤其是引線框上。但是也可以規(guī)定，壓力傳感器的信號通過為溫度 傳感器的信號去干擾所使用的同 一個(gè)EMV保護(hù)電路進(jìn)行去干擾。
EMV保護(hù)電路可以有利地這樣設(shè)計(jì)，使得溫度傳感器的信號在公 共的外殼內(nèi)進(jìn)行加工和如果溫度傳感器的該信號是有效的，那么僅僅為 了在外殼的外部進(jìn)行評估處理而被進(jìn)一步輸送。這種實(shí)施方式由此是一 種主動(dòng)的EMV保護(hù)電路。也可以規(guī)定，壓力傳感器的信號已經(jīng)在公共 的外殼中進(jìn)行評估處理。


本發(fā)明以下參照在附圖中示出的實(shí)施例詳細(xì)描述，但不是對本發(fā)明 的限制。
圖1顯示了在一個(gè)第一電路變型方案中用于探測壓力和溫度的裝置 的一個(gè)外殼的從下方看的外部視圖，其中包括壓力傳感器和EMV保護(hù) 電路，
圖2顯示了在第一電路變型方案中溫度傳感器和EMV保護(hù)電路的一個(gè)透—見圖，
圖3顯示了在一個(gè)笫二電路變型方案中溫度傳感器和EMV保護(hù)電 路的一個(gè)透一見圖。
具體實(shí)施例方式
圖1顯示了一個(gè)用于探測一個(gè)沒有示出內(nèi)燃機(jī)的也沒有示出的進(jìn)氣 管中的壓力和溫度的裝置1。裝置1具有外殼2，在外殼中包含一個(gè)沒 有示出的壓力傳感器，溫度傳感器3和EMV保護(hù)電路4，該EMV保護(hù) 電路在此處由去干擾電容器5形成。裝置1可以經(jīng)插接裝置6與沒有示 出的套筒或耦聯(lián)器連接。此時(shí)至少一個(gè)定位凸起7用于在插接裝置6和 套筒或耦聯(lián)器之間的牢固連接。去千擾電容器5在第一實(shí)施例中設(shè)置在 外殼1的凹槽8中和用合適的機(jī)構(gòu)保持在其中。例如可以設(shè)置卡鎖連接 或夾持連接。備選地，去干擾電容器5還配有保護(hù)層，該保護(hù)層尤其可 以由澆注材^F構(gòu)成，用該澆注材沖牛澆注到凹槽8中。通過該澆注材4+將 去干擾電容器5牢靠地保持在凹槽8中。此外干擾電容器通過保護(hù)層或 澆注材料保護(hù)而不受外部的影響。外殼2具有開口9，通過該開口溫度 傳感器3可以與環(huán)境產(chǎn)生流體接觸。尤其是具有通過開口 9的介質(zhì)流。 干擾電容器5具有電接頭10,干擾電容器可以通過該電接頭與連接線路 11連接，該連接線路在此處實(shí)施成引線框12。這種連接優(yōu)選通過^tf焊 產(chǎn)生。有利的是，凹槽8也包括干擾電容器5的電接頭IO和其與引線 框12的接觸部位13。通過澆注上澆注材料，由此也可以保護(hù)電接頭10 以及接觸部位13。備選地還可以的是，電接頭IO或接觸部位13被保護(hù) 層包圍，但是它們不在凹槽8的區(qū)域中。溫度傳感器3通過電接頭14 也與引線框12連接。這在圖1中看不見。溫度傳感器3例如可以通過 一個(gè)無源部件15,尤其是通過熱敏電阻16形成。
圖2示出了裝置1的外殼2的點(diǎn)劃線視圖以及溫度傳感器3、去干 擾電容器5和引線框12的透視圖。在該視圖中可以看見扁平插接觸頭 17,它們布置在插接裝置6中并且通過該觸頭可以與套筒或耦聯(lián)器建立 連接。圖中示出了連接線路11或引線框12具有與扁平插接觸頭17的 電連接或構(gòu)成該扁平插接觸頭。這意味著，扁平插接觸頭17是引線框 12的一部分。扁平插接觸頭17中或引線框12中的兩個(gè)在接觸包圍上與 去干擾電容器5和溫度傳感器3處于電連接。此時(shí)溫度傳感器3的一個(gè)接頭借助于連接線路14設(shè)置在引線框的上側(cè)面上，而去干擾電容器5 借助于連接線路10連接在引線框的下側(cè)面上。溫度傳感器3和去干擾 電容器5在接觸部位13處與引線框12的連接有利地通過焊接進(jìn)行。還 可以看見，三個(gè)另外的引線框12形成用于沒有示出的壓力傳感器的連 接部位18。該連接部位構(gòu)造成插接連接部位19。亦即，壓力傳感器可 以通過插接連接與該插接連接部位形成電連接。該三個(gè)連接到插接連接 部位19上的引線框12具有兩個(gè)另外的EMV保護(hù)線路20。通過該另外 的EMV保護(hù)線路20也可以將干擾從壓力傳感器的信號中過濾出去。該 另外的EMV保護(hù)線路20也構(gòu)造成去干擾電容器5,但是具有特殊的結(jié) 構(gòu)形式(SMD去干擾電容器21 ) 。 SMD去干擾電容器21分別形成相 鄰的引線框12的電連接。優(yōu)選地，SMD去干擾電容器21粘接在引線框 12上。在圖2中還可以看見， 一個(gè)引線框12，與溫度傳感器3接觸的 連接引線框22也與用于壓力傳感器的插接連接部位19連接。這樣例如 可以形成一個(gè)共同點(diǎn)電流電源或 一個(gè)共同點(diǎn)接地。
圖3示出了另一個(gè)變型方案，其中可以進(jìn)行溫度傳感器的信號的去 干擾。在此處保護(hù)電路也作為SMD去干擾電容器21設(shè)置。通過該電容 器在兩個(gè)相鄰的引線框12之間形成電連接，其中一個(gè)引線框12分配 給溫度傳感器3，而第二個(gè)引線框可以通過插接連接部位19與壓力傳感 器連接。這意味著，可以通過設(shè)置另一個(gè)SMD去干擾電容器21實(shí)現(xiàn)溫 度傳感器3的去干擾。如已所述的，SMD去干擾電容器21已經(jīng)被設(shè)置 用于壓力傳感器的信號的去干擾，由此用于溫度傳感器的信號的去干擾 的一個(gè)另外的SMD去干擾電容器21對于裝置1而言僅僅是一個(gè)非常小 的附加的制造費(fèi)用。
權(quán)利要求
1.用于探測內(nèi)燃機(jī)的進(jìn)氣管中的壓力和溫度的裝置(1)，其中在一個(gè)公共的外殼(2)中布置壓力傳感器和溫度傳感器(3)，和在該外殼(2)的外部設(shè)置有溫度傳感器(3)的信號的評估處理機(jī)構(gòu)，其特征在于，設(shè)有EMV保護(hù)電路(4)，該保護(hù)電路集成在外殼(2)中和/或布置在外殼(2)上，和與溫度傳感器(3)電連接。
2. 按照權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，EMV保護(hù)電路(4) 由去干擾電容器(5)構(gòu)成。
3. 按照權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，EMV保護(hù)電路(4) 直接地與溫度傳感器(3)的至少一個(gè)電接頭(14)連接。
4. 按照權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，EMV保護(hù)電路(4) 被放置在外殼(2)上和/或在內(nèi)部或外部固定在外殼(2)上。
5. 按照權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，EMV保護(hù)電路(4) 配置有保護(hù)層。
6. 按照權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，去干擾電容器(5) 是SMD去干擾電容器(21)。
7. 按照前述權(quán)利要求1至6中之一所述的裝置，其特征在于，溫度 傳感器(3)通過EMV保護(hù)電路(4)與壓力傳感器電連接。
8. 按照前述權(quán)利要求1至6中之一所述的裝置，其特征在于，溫度 傳感器(3)的信號和/或壓力傳感器的信號通過扁平插接觸頭(17)從 外殼(2)中引出。
9. 按照前述權(quán)利要求1至6中之一所述的裝置，其特征在于設(shè)有連 接線路(11),該連接線路建立在溫度傳感器(3)和/或壓力傳感器和 扁平插接觸頭(17)之間的電連接，其中EMV保護(hù)電路(4)被設(shè)置在 連接線路(11 )上，從而通過EMV保護(hù)電路(4)形成相鄰的連接線路(11)的電連接。
10. 按照前述權(quán)利要求1至6中之一所述的裝置，其特征在于，壓 力傳感器配置有至少一個(gè)另外的EMV保護(hù)電路(20)或同一個(gè)EMV 保護(hù)電路。
11. 按照權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，該保護(hù)層由澆注材 料構(gòu)成。
12. 按照權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，EMV保護(hù)電路(4)用該保護(hù)層環(huán)繞澆注。
13.按照權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于EMV保護(hù)電路(4)被粘接在連接線路(11)上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于探測內(nèi)燃機(jī)的進(jìn)氣管中的壓力和溫度的裝置(1)，其中在一個(gè)公共的外殼(2)中布置壓力傳感器和溫度傳感器(3)，和在該外殼(2)的外部設(shè)置有溫度傳感器(3)的信號的評估處理機(jī)構(gòu)。其中設(shè)有EMV保護(hù)電路(4)，該保護(hù)電路集成在外殼(2)中和/或布置在外殼(2)上，和與溫度傳感器(3)電連接。
文檔編號G01K13/02GK101614603SQ20091015049
公開日2009年12月30日 申請日期2009年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月26日
發(fā)明者J·格鮑爾, M·哈比比, M·萊因哈德 申請人:羅伯特.博世有限公司