本發(fā)明涉及一種電子裝置封裝和一種封裝電子裝置的方法。
背景技術(shù):
隨著照明和顯示技術(shù)的發(fā)展,已在薄型化和平坦化的趨勢(shì)中開(kāi)發(fā)照明裝置和顯示器。柔性照明裝置和顯示器(例如可折疊顯示器)由于其柔性、易于載運(yùn)、符合安全標(biāo)準(zhǔn)以及在消費(fèi)品中的廣泛應(yīng)用已逐漸變?yōu)橄乱淮a(chǎn)品。如塑料襯底的柔性襯底可具有較大熱膨脹系數(shù)和對(duì)于熱、濕氣、氧氣和化學(xué)品的不充分抗性。柔性襯底可用以固持電子裝置和/或充當(dāng)蓋板以在電子裝置上進(jìn)行封裝方法。由于柔性襯底可能不有效地阻擋濕氣滲透和氧氣的透過(guò),濕氣滲透和氧氣擴(kuò)散可能加速柔性襯底上的電子裝置的老化過(guò)程。電子裝置的使用期限可能縮短,且進(jìn)而無(wú)法滿足市場(chǎng)需要。
但是,有機(jī)發(fā)光裝置對(duì)濕氣和氧氣敏感。一旦有機(jī)發(fā)光裝置接觸濕氣和/或氧氣,可能出現(xiàn)陰極氧化和有機(jī)化合物剝離的現(xiàn)象,導(dǎo)致劣化的質(zhì)量,以及裝置使用期限的減少。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),有機(jī)發(fā)光裝置的濕氣和氧氣屏障特性可能是迫切需要解決且尚未解決的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例,提供包含襯底、基底膜、第一密封件、電子裝置以及第二密封件的電子裝置封裝。第一密封件配置于襯底與基底膜之間且通過(guò)基底膜部分暴露。電子裝置形成于基底膜上。配置于電子裝置上的第二密封件包含吸收劑。第二密封件的一部分粘附到通過(guò)基底膜暴露的第一密封件的一部分。第一密封件和第二密封件包封基底膜和電子裝置。第一密封件和第二密封件的主體材料相同。
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供一種封裝電子裝置的方法,且所述方法包含:經(jīng)由襯底與基底膜之間的第一密封件將基底膜粘附到襯底;在基底膜上形成電子裝置,其中第一密封件通過(guò)基底膜部分暴露;在電子裝置和第一密 封件上提供第二密封件,其中第二密封件包含分布于其中的吸收劑;將第二密封件的一部分粘附到通過(guò)基底膜暴露的第一密封件的一部分,第一密封件和第二密封件包封基底膜和電子裝置,其中第一密封件和第二密封件的主體材料相同。
下文詳細(xì)描述帶有附圖的若干示例性實(shí)施例以進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明。
附圖說(shuō)明
包含附圖是為了更深入理解本發(fā)明,附圖結(jié)合在本說(shuō)明書(shū)中并且構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分。圖式說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例,并且連同所述描述一起用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。
圖1為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的電子裝置封裝的示意性截面圖。
圖2為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的電子裝置封裝的示意性截面圖。
圖3為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的電子裝置封裝的示意性截面圖。
圖4a到圖4c為說(shuō)明用于封裝根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的電子裝置封裝方法的示意性截面圖。
圖5a到圖5c為說(shuō)明用于封裝根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的電子裝置封裝方法的示意性截面圖。
圖6a到圖6c為說(shuō)明用于封裝根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的電子裝置封裝方法的示意性截面圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)將詳細(xì)參考本發(fā)明的實(shí)施例,其實(shí)例在附圖中得以說(shuō)明。只要可能,相同的參考標(biāo)號(hào)在圖式和描述中用于指代相同或相似部分。
圖1為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的電子裝置封裝100的示意性截面圖。參看圖1,電子裝置封裝100可包含襯底110、基底膜130、第一密封件120、電子裝置140以及第二密封件150。第一密封件120配置于襯底110與基底膜130之間且通過(guò)基底膜130部分暴露。襯底110與基底膜130通過(guò)其間的第一密封件120粘附。電子裝置140可形成于基底膜130上。 第二密封件150可包含吸收劑(未示出),且第二密封件150配置于電子裝置140上。第二密封件150的一部分粘附到通過(guò)基底膜130暴露的第一密封件120的一部分。第一密封件120和第二密封件150包封基底膜130和電子裝置140。在一些實(shí)施例中,電子裝置封裝100可更包含配置于第二密封件150上的電路板160。電路板160包含多個(gè)嵌入第二密封件150中的導(dǎo)電元件161,且多個(gè)導(dǎo)電元件161電連接到電子裝置140。換句話說(shuō),電路板160可經(jīng)由多個(gè)嵌入第二密封件150中的導(dǎo)電元件161電連接到電子裝置140。
在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中,襯底110可為柔性襯底或剛性襯底(例如玻璃襯底),柔性襯底的材料可為聚乙烯(pe)、聚碳酸亞乙脂(pec)、聚萘二甲酸乙二酯(pen)、聚醚砜(pes)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚碳酸酯(pc)、聚酰亞胺(pi)、薄玻璃或金屬箔。襯底110可為具有光提取功能的光學(xué)膜。
第一密封件120的主體材料可包含丙烯酸類樹(shù)脂、環(huán)氧類樹(shù)脂、聚酰亞胺(pi)、聚乙烯(pe)、聚丙烯(pp)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(pet)、聚氯乙烯(pvc)以及聚苯乙烯(ps),但不限于此?;啄?30可為柔性膜,可包含聚乙烯(pe)、聚碳酸亞乙酯(pec)、聚萘二甲酸乙二酯(pen)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚碳酸酯(pc)、聚酰亞胺(pi)、薄玻璃或金屬箔。第一密封件120的折射率可等于或大于襯底110的折射率。舉例來(lái)說(shuō),襯底110的折射率若在1.6到1.7范圍內(nèi),第一密封件120的折射率大體上等于或大于1.6或1.7。在一些實(shí)施例中,第一密封件120可包含分布于其中的光散射粒子(例如al2o3粒子、聚苯乙烯粒子或其組合)。舉例來(lái)說(shuō),光散射粒子的粒徑在30納米到70納米范圍內(nèi),光散射粒子與第一密封件120的摻雜比可小于70重量%。
基底膜130配置于第一密封件120的表面上且可略微地小于襯底110和第一密封件120。第一密封件120的表面可通過(guò)基底膜130部分暴露。換句話說(shuō),第一密封件120的表面可通過(guò)基底膜130部分覆蓋而使第一密封件120表面的邊緣暴露出來(lái)。
另外,電子裝置140可例如為顯示器(例如有源型顯示器或無(wú)源型顯示器)或照明裝置。有源型顯示器例如為有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(am-oled)。無(wú)源型顯示器例如為無(wú)源矩陣有機(jī)發(fā)光裝置(pm-oled)。
參看圖1,在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中,電子裝置140可包含第一電極 層141、發(fā)光層143以及第二電極層142。發(fā)光層143配置于第一電極層141與第二電極層142之間。電子裝置140可形成于基底膜130上且具有與基底膜130類似的尺寸。第一密封件120的表面也可通過(guò)電子裝置140部分暴露。在一些實(shí)施例中,電子裝置140的第一電極層141為陽(yáng)極層,電子裝置140的第二電極層142為陰極層,且電子裝置140的發(fā)光層143為至少包含電致發(fā)光層的有機(jī)功能層。為了增強(qiáng)發(fā)光層143的性能,電子注入層(eil)可形成于第二電極層142(即陰極層)與電致發(fā)光層之間,電子傳輸層(etl)和/或空穴注入層(hil)和/或空穴傳輸層(htl)可形成于第一電極層141(即陽(yáng)極層)與電致發(fā)光層之間。
在一些實(shí)施例中,第二密封件150的水氣穿透率(wvtr)在60攝氏度和90%的相對(duì)濕度下持續(xù)1000小時(shí)小于10-4克/平方米·天。在1000小時(shí)之后,第二密封件150的水氣穿透率(wvtr)在60攝氏度和90%的相對(duì)濕度下為約6克/平方米·天。換句話說(shuō),在60攝氏度和90%的相對(duì)濕度的情況下,第二密封件150能夠阻擋水氣至少1000小時(shí)(即第二密封件150的阻擋水氣的滯后時(shí)間大于1000小時(shí))。第二密封件150具有與第一密封件120相同的主體材料且可更包含多種吸收劑以吸收濕氣和氧氣。吸收劑可包含聚丙烯酸鈉、聚丙烯腈鈉、聚丙烯酰胺、cao、bao、sro、al2o3、sio2、sio、沸石或其組合。參看圖1,在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中,第二密封件150配置于電子裝置140上且第二密封件150的一部分粘附到通過(guò)基底膜130暴露的第一密封件120的一部分。由于第二密封件150具有與第一密封件120相同的主體材料,第二密封件150和第一密封件120的粘附足以減少或阻擋濕氣和氧氣的滲透。第二密封件150和第一密封件120可完全地包封和恰當(dāng)?shù)乇Wo(hù)基底膜130和電子裝置140。
由于第二密封件150為柔性的且比電子裝置140和基底膜130的組合為厚,第二密封件150的邊緣部分可沿電子裝置140和基底膜130的側(cè)壁延伸且與通過(guò)基底膜130暴露的第一密封件120的所述部分粘附。另外,由于第二密封件150和第一密封件120具有相同的主體材料,可提供第二密封件150和第一密封件120的良好粘附。電子裝置140和基底膜130經(jīng)第二密封件150和第一密封件120包封和保護(hù)。在此實(shí)施例中,第二密封件150的邊緣部分可充當(dāng)側(cè)壁屏障結(jié)構(gòu)且圍繞電子裝置140和基底膜130的側(cè)壁。第二密封件150的邊緣部分(即側(cè)壁屏障結(jié)構(gòu))的寬度w例如小于或大體上等于 2毫米。
電路板160可為柔性印刷電路板(fpc)、fr-4印刷電路板或fr-5印刷電路板。電路板160可包含多個(gè)導(dǎo)電元件161,如導(dǎo)電膏或?qū)щ娭?。電路?60配置于第二密封件150上且導(dǎo)電元件161嵌入第二密封件150中。另外,導(dǎo)電元件161可包含多個(gè)第一導(dǎo)電元件161a和多個(gè)第二導(dǎo)電元件161b。第一導(dǎo)電元件161a電連接到電子裝置140的第一電極層141,而第二導(dǎo)電元件161b電連接到電子裝置140的第二電極層142。
圖2為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的電子裝置封裝100a的示意性截面圖。圖3為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的電子裝置封裝100b的示意性截面圖。
參看圖2,電子裝置封裝100a可更包含至少一個(gè)形成于基底膜130的至少一個(gè)表面上的阻擋層131。舉例來(lái)說(shuō),阻擋層131形成于基底膜130的第一表面(例如頂表面)上且第一表面在電子裝置140與基底膜130之間。在本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例中,阻擋層131形成于基底膜130的第二表面(例如底表面)上且第二表面位在基底膜130與襯底110之間。參看圖3,兩個(gè)阻擋層131分別形成于基底膜130的兩個(gè)相對(duì)表面(即第一表面和第二表面)上。基底膜130配置于兩個(gè)阻擋層131之間。阻擋層131的使用可在不顯著增加電子裝置封裝100b的整體厚度的情況下幫助阻擋濕氣和氧氣。阻擋層131的使用取決于實(shí)際設(shè)計(jì)要求,本發(fā)明不限于此。阻擋層131的材料可為氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)或其組合。在一些實(shí)施例中,阻擋層131的水氣穿透率(wvtr)小于10-4克/平方米·天,舉例來(lái)說(shuō),在60攝氏度和相對(duì)濕度的90%下持續(xù)1000小時(shí)。舉例來(lái)說(shuō),阻擋層131的水氣穿透率(wvtr)可為10-5克/平方米·天、10-6克/平方米·天或甚至更小。
圖4a到圖4c為說(shuō)明用于封裝根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例的電子裝置封裝方法的示意性截面圖。
參看圖4a,在襯底110與基底膜130之間提供第一密封件120以使得基底膜130和襯底110彼此粘附。襯底110和基底膜130分別與第一密封件120的兩個(gè)相對(duì)表面粘附。參看圖4b,電子裝置140形成于基底膜130上。在示例性實(shí)施例中,電子裝置140可包含第一電極層141、發(fā)光層143以及第二電極層142。發(fā)光層143配置于第一電極層141與第二電極層142之間。在示例性實(shí)施例中,電子裝置140可在室溫下沉積在基底膜130上。在示例 性實(shí)施例中,基底膜130小于襯底110和第一密封件120。第一密封件120通過(guò)基底膜130和電子裝置140部分暴露。
參看圖4c,第二密封件150形成于電子裝置140和第一密封件120上。第二密封件150可包含分布于其中的吸收劑。在示例性實(shí)施例中,可在于電子裝置140和第一密封件120上形成第二密封件150之后,將吸收劑摻雜于第二密封件150的主體材料中。在另一示例性實(shí)施例中,可在于電子裝置140和第一密封件120上形成第二密封件150之前,將吸收劑與第二密封件150的主體材料預(yù)混合。第二密封件150的主體材料與第一密封件120的主體材料相同。吸收劑與第二密封件150的主體材料的摻雜/預(yù)混合比例如為5重量%至20重量%。第二密封件150可比電子裝置140和基底膜130的組合厚,圍繞電子裝置140的第二密封件150的邊緣部分可沿電子裝置140和基底膜130的側(cè)壁延伸且與通過(guò)基底膜130暴露的第一密封件120的所述部分粘附。另外,由于第二密封件150和第一密封件120具有相同主體材料,因此可提供第一密封件120和第二密封件150的良好粘附。第二密封件150和第一密封件120包封和保護(hù)電子裝置140和基底膜130。
此外,參看圖4c,在于電子裝置140和第一密封件120上形成第二密封件150的步驟之前,封裝方法可更包含提供包含多個(gè)導(dǎo)電元件161的電路板160。電路板160與第二密封件150粘附且導(dǎo)電元件161嵌入第二密封件150中。接著,電路板160經(jīng)由第二密封件150層合到電子裝置140上,而嵌入第二密封件150中的導(dǎo)電元件161電連接到電子裝置140。換句話說(shuō),電路板160可經(jīng)由多個(gè)嵌入第二密封件150中的導(dǎo)電元件161電連接到電子裝置140。
圖5a到圖5c為說(shuō)明用于封裝根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的電子裝置封裝100a的法的示意性截面圖。圖6a到圖6c為說(shuō)明用于封裝根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的電子裝置封裝100b方法的示意性截面圖。圖5a到圖5c和圖6a到圖6c描繪的封裝方法與圖4a到圖4c的那些類似,且圖5a到圖5c和圖6a到圖6c描繪的封裝方法可更包含在經(jīng)由第一密封件120將基底膜130粘附到襯底110的步驟之前或之后,在基底膜130的至少一個(gè)表面上形成至少一個(gè)阻擋層131。
參看圖5a,阻擋層131例如在經(jīng)由第一密封件120與襯底110粘附之前形成于基底膜130的第一表面(例如頂表面)上?;啄?30的第一表面 在電子裝置140與基底膜130之間?;啄?30和襯底110通過(guò)其間的第一密封件120粘附。在另一示例性實(shí)施例中,阻擋層131形成于基底膜130的第二表面(例如底表面)上且第二表面在基底膜130與襯底110之間。阻擋層131和襯底110通過(guò)其間的第一密封件120粘附。另外,參看圖6a,兩個(gè)阻擋層131分別形成于基底膜130的兩個(gè)相對(duì)表面(即第一表面和第二表面)上。換句話說(shuō),基底膜130配置于兩個(gè)阻擋層131之間。因此,阻擋層131形成于基底膜130的第二表面上且襯底110通過(guò)其間的第一密封件120粘附。阻擋層131的使用可在不顯著增加電子裝置封裝100b的整體厚度的情況下幫助阻擋濕氣和氧氣。阻擋層131的使用取決于實(shí)際設(shè)計(jì)要求,本發(fā)明不限于此。
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供用于封裝電子裝置的包封結(jié)構(gòu)。第二密封件和第一密封件具有相同的主體材料,包封結(jié)構(gòu)可提供阻擋濕氣和氧氣的能力。本發(fā)明的上述示例性實(shí)施例中所述的電子裝置封裝和其封裝方法可增強(qiáng)電子裝置的可靠性和使用期限。
在不脫離本發(fā)明的范圍或精神的情況下可對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)作出各種修改和變化。考慮到前述內(nèi)容,本發(fā)明涵蓋落入以下權(quán)利要求書(shū)和其等效物的范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和變化。
元件符號(hào)說(shuō)明
100、100a、100b:電子裝置封裝
110:襯底
120:第一密封件
130:基底膜
131:阻擋層
140:電子裝置
141:第一電極層
142:第二電極層
143:發(fā)光層
150:第二密封件
160:電路板
161:導(dǎo)電元件
161a:第一導(dǎo)電元件
161b:第二導(dǎo)電元件
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