基板處理裝置、掩模設置方法、膜形成裝置及膜形成方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及基板處理裝置、掩模的設置方法、膜形成裝置以及膜形成方法，特別涉及包含具有規(guī)定的開口圖案的掩模的基板處理裝置、掩模的設置方法、膜形成裝置以及膜形成方法。
【背景技術】
[0002]以往，公知有包含具有規(guī)定的開口圖案的掩模的基板處理裝置(例如，參照專利文獻I)。
[0003]在上述專利文獻I中，公開了如下的電噴霧(electro-spray)裝置(基板處理裝置)，所述電噴霧裝置具有:噴嘴，其在對有機EL器件用的溶液材料施加電壓的狀態(tài)(溶液材料帶電的狀態(tài))下進行噴霧；基板，在該基板上堆積從噴嘴噴霧的溶液材料而形成有機發(fā)光層等有機EL器件用的薄膜；以及掩模，其配置在基板的上方并具有規(guī)定的開口圖案。在該電噴霧裝置中，因施加給溶液材料的電壓與基板側之間的電位差(電場)，溶液材料從噴嘴被噴霧至下方(基板側)，并且經(jīng)由掩模的開口部堆積在基板上，由此形成規(guī)定形狀的薄膜。
[0004]并且，以往已知在基板的下方配置掩模并且在掩模的下方配置噴嘴的電噴霧裝置。在該電噴霧裝置中，溶液材料從噴嘴被噴霧至上方(基板側)，由此經(jīng)由掩模在基板上形成規(guī)定形狀的薄膜。
[0005]現(xiàn)有技術文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:日本特開2011-175921號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明要解決的課題
[0009]然而，在溶液材料從噴嘴被噴霧至上方(基板側)的電噴霧裝置中，由于掩模配置在基板的下方，因此存在掩模因自重而向下方撓曲這樣的不良情況。另外，基板也因自重向下方撓曲，另一方面，一般而言由于掩模的撓曲量比基板的撓曲量大，因此會在基板與掩模之間產(chǎn)生間隙。因此，溶液材料會繞入基板與掩模之間的間隙，因此存在掩模的開口圖案的轉(zhuǎn)印性變差這樣的問題點。
[0010]本發(fā)明是為了解決上述這樣的課題而完成的，本發(fā)明的一個目的在于提供一種基板處理裝置、掩模的設置方法、膜形成裝置以及膜形成方法，能夠抑制因在基板與掩模之間產(chǎn)生間隙而引起掩模的開口圖案的轉(zhuǎn)印性變差的情況。
[0011]用于解決課題的手段
[0012]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第I方面的基板處理裝置基板處理裝置具有掩模，掩模配置在基板的附近且具有規(guī)定的開口圖案，掩模構成為:在掩模的端部附近被支承的狀態(tài)下，掩模向下方的第I撓曲變形量成為基板向下方的第2撓曲變形量以下的大小。
[0013]在該第I方面的基板處理裝置中，如上所述在掩模的端部附近被支承的狀態(tài)下，以使掩模向下方的第I撓曲變形量成為基板向下方的第2撓曲變形量以下的大小的方式構成掩模，由此以掩模與基板緊貼的方式使掩模相對于基板相對地移動，能夠使掩模從具有第I撓曲變形量的狀態(tài)變?yōu)榫哂械?撓曲變形量的狀態(tài)，因此能夠在掩模與基板之間不存在間隙的狀態(tài)下緊貼掩模與基板。其結果為，能夠抑制在基板與掩模之間產(chǎn)生間隙而引起掩模的開口圖案的轉(zhuǎn)印性變差的情況。
[0014]在上述第I方面的基板處理裝置中，優(yōu)選基板處理裝置還具有吸附臺，吸附臺具有吸附部，該吸附部對基板的與掩模相反側的表面進行吸附，吸附臺的吸附部構成為:在使基板以具有第2撓曲變形量的方式撓曲的狀態(tài)下吸附并維持基板。如果以這種方式構成，則即使在基板未撓曲的情況下，也能夠利用吸附臺的吸附部使基板成為以具有第2撓曲變形量的方式撓曲的狀態(tài)，因此能夠容易地使掩模向下方的第I撓曲變形量成為基板向下方的第2撓曲變形量以下的大小。
[0015]在該情況下，優(yōu)選吸附臺的吸附部的表面具有與基板的第2撓曲變形量對應的撓曲形狀。如果以這種方式構成，則只需使基板吸附在吸附部的表面，就能夠容易地使基板成為以具有第2撓曲變形量的方式進行撓曲的狀態(tài)。
[0016]在上述第I方面基板處理裝置中，優(yōu)選掩模以如下的方式構成:當掩模在掩模的端部附近被支承的狀態(tài)下以與基板緊貼的方式相對于基板相對地移動時，伴隨著掩模對基板的緊貼狀態(tài)的推進，掩模從具有第I撓曲變形量的狀態(tài)變化到具有第2撓曲變形量的狀態(tài)。如果以這種方式構成，通過使掩模相對于基板相對地移動，從而能夠容易地使具有第I撓曲變形量的狀態(tài)的掩模變化為具有第2撓曲變形量的狀態(tài)。
[0017]本發(fā)明的第2方面的掩模的設置方法具有如下步驟:對掩模的端部附近進行支承，使具有規(guī)定的開口圖案的掩模向下方的第I撓曲變形量成為基板向下方的第2撓曲變形量以下的大小；以及在對掩模的端部附近進行支承的狀態(tài)下使掩模以與基板緊貼的方式相對于基板相對地移動，使掩模從具有第I撓曲變形量的狀態(tài)變化到具有第2撓曲變形量的狀態(tài)。
[0018]在該第2方面的掩模的設置方法中，如上所述具有如下步驟:對具有規(guī)定的開口圖案的掩模的端部附近進行支承，使所述掩模向下方的第I撓曲變形量成為基板向下方的第2撓曲變形量以下的大小，由此，通過在對掩模的端部附近進行支承的狀態(tài)下以與基板緊貼的方式使掩模相對于基板相對地移動，使掩模從具有第I撓曲變形量的狀態(tài)變化到具有第2撓曲變形量的狀態(tài)，由此能夠在掩模與基板之間不存在間隙的狀態(tài)下緊貼掩模與基板。其結果為，能夠提供一種掩模的設置方法，能夠抑制因在基板與掩模之間形成間隙而引起掩模的開口圖案的轉(zhuǎn)印性變差的情況。
[0019]本發(fā)明的第3方面的膜形成裝置具有:噴嘴，其在對溶液材料施加了規(guī)定的電壓的狀態(tài)下進行噴霧而在位于上方的撓曲變形后的基板上堆積薄膜；以及掩模，其配置在噴嘴與基板之間且配置在基板的附近，并具有規(guī)定的開口圖案，掩模構成為:在掩模的端部附近被支承的狀態(tài)下，掩模向下方的第I撓曲變形量成為基板向下方的第2撓曲變形量以下的大小。
[0020]在該第3方面的膜形成裝置中，如上所述，在對掩模的端部附近進行支承的狀態(tài)下，以使掩模向下方的第I撓曲變形量成為基板向下方的第2撓曲變形量以下的大小的方式構成掩模，由此以掩模與基板緊貼的方式使掩模相對于基板相對地移動，由此能夠使掩模從具有第I撓曲變形量的狀態(tài)變?yōu)榫哂械?撓曲變形量的狀態(tài)，因此能夠在掩模與基板之間不存在間隙的狀態(tài)下緊貼掩模與基板。其結果為，能夠提供一種膜形成裝置，能夠抑制因在基板與掩模之間形成間隙而引起掩模的開口圖案的轉(zhuǎn)印性變差的情況。
[0021]本發(fā)明的第4方面的膜形成裝置具有對撓曲變形后的狀態(tài)的基板涂布涂布液的噴嘴，噴嘴構成為:按照沿著基板的撓曲變形后的形狀的軌跡、以與基板之間的間隔相互大致相等的方式相對于基板相對地移動而進行涂布動作。
[0022]在該第4方面的膜形成裝置中，如上所述，通過將噴嘴構成為按照沿著基板的撓曲變形后的形狀的軌跡、以與基板之間的間隔相互大致相等的方式相對于基板相對地移動而進行涂布動作，從而即使在基板未撓曲的狀態(tài)的情況下，由于能夠一邊將基板上被涂布涂布液的涂布位置與噴嘴之間的距離保持恒定，一邊使噴嘴相對于基板相對地移動而進行涂布動作，因此能夠?qū)寰鶆虻赝坎纪坎家骸?br>[0023]在上述第4方面的膜形成裝置中，優(yōu)選噴嘴構成為:該噴嘴一邊按照沿著基板的撓曲變形后的形狀的軌跡、以相對于基板大致垂直的方式改變角度，一邊相對于基板相對地移動。如果以這種方式構成，不僅將噴嘴相對于基板的距離保持恒定，而且能夠一邊將噴嘴相對于基板上被涂布涂布液的涂布位置的表面的角度保持為大致垂直，一邊使噴嘴相對于基板相對地移動而進行涂布動作，因此能夠更有效、更均勻地對基板涂布涂布液。
[0024]在上述第4方面的膜形成裝置中，優(yōu)選膜形成裝置還具有包含吸附部的吸附臺，吸附部對基板的與被涂布涂布液的一側相反側的表面進行吸附，并且該吸附部將基板維持為規(guī)定的撓曲變形形狀，噴嘴構成為:在基板被吸附臺的吸附部吸附的狀態(tài)下，該噴嘴按照沿著基板的撓曲變形形狀的軌跡相對于吸附臺相對地移動而進行涂布動作。如果以這種方式構成，由于能夠一邊使基板吸附于吸附臺的吸附部的表面來維持基板的撓曲形狀，一邊進行涂布動作，因此能夠容易地使噴嘴按照沿著基板被維持的撓曲變形形狀的軌跡相對于吸附臺相對地移動。由此，由于能夠一邊容易地將基板上被涂布涂布液的涂布位置與噴嘴之間的距離保持恒定，一邊進行涂布動作，因此能夠容易地對基板均勻地涂布涂布液。
[0025]在該情況下，優(yōu)選吸附臺的吸附部的表面具有與基板的規(guī)定的撓曲變形形狀對應的撓曲形狀，噴嘴構成為:在基板被吸附于吸附臺的吸附部的狀態(tài)下，該噴嘴按照沿著撓曲形狀的軌跡相對于吸附臺相對地移動而進行涂布動作。如果以這種方式構成，由于能夠利用吸附臺的吸附部的表面容易地將基板維持規(guī)定的撓曲變形形狀，因此通過使噴嘴按照沿著吸附臺的吸附部的撓曲形狀的軌跡相對于吸附臺相對地移動，能夠容易地將噴嘴與基板上被涂布涂布液的涂布位