掩模板、顯示基板及其制備方法、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種掩模板，采用所述掩模板制備顯示基板的方法，根據(jù)所述制備顯示基板的方法制備的顯示基板，包括所述顯示基板的顯示面板，包括所述顯示面板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]掩模板用于進(jìn)行曝光，進(jìn)行構(gòu)圖工藝。在顯示面板的制備過程中，需要使用掩模板進(jìn)行多次曝光工藝，以制備顯示面板中的薄膜晶體管、像素電極、黑矩陣、彩色濾光片等結(jié)構(gòu)。
[0003]現(xiàn)有的掩模板如圖1所示，其包括透明基板10和形成在透明基板10下側(cè)表面的掩膜圖案11。形成掩模圖案11的材料具體可以為金屬鉻，其附著在透明基板10的下側(cè)表面，形成不透光的區(qū)域。在進(jìn)行曝光工藝時(shí)，光源在透明基板10的上側(cè)，其向下方照射光線，所示光線透過掩模圖案11未覆蓋的區(qū)域，從掩模圖案11所在一側(cè)射出，照射在產(chǎn)品上。
[0004]在制備彩膜基板時(shí)，需要采用多個(gè)具有上述結(jié)構(gòu)的掩模板在透明基板上依次形成黑矩陣、紅色濾光片、綠色濾光片和藍(lán)色濾光片的圖形(形成紅色濾光片、綠色濾光片和藍(lán)色濾光片的圖形的順序可以任意調(diào)整)，所述黑矩陣、紅色濾光片、綠色濾光片和藍(lán)色濾光片的圖形的厚度大致維持不變。而為了避免漏光，所形成的紅色濾光片、綠色濾光片和藍(lán)色濾光片圖形的邊緣均會(huì)與黑矩陣圖形的邊緣重疊，這樣會(huì)造成該重疊處的厚度高于紅色濾光片、綠色濾光片和藍(lán)色濾光片圖形，也高于黑矩陣的圖形，從而在將黑矩陣、紅色濾光片、綠色濾光片和藍(lán)色濾光片制備完成后，產(chǎn)品的表面存在段差，而為了消除該段差，需要在之后形成一個(gè)平坦化層，來消除該段差，使彩膜基板的表面平坦。
[0005]根據(jù)上述方法制備的彩膜基板，其平坦化層不僅會(huì)導(dǎo)致彩膜基板的透光率降低，而且，為了消除段差而增加該制備平坦化層的工序也會(huì)使彩膜基板的制備成本大幅增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種掩模板、顯示基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置，其可以減小顯示基板表面的段差，改善其平整度，并且再起平整度滿足要求時(shí)，可以省去制備單獨(dú)的平坦化層的工序，從而降低成本，提高生產(chǎn)效率。
[0007]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種掩模板，其包括透明基板和形成在透明基板上的掩模圖案；所述掩模圖案的邊緣為漸變透光區(qū)，沿遠(yuǎn)離邊緣的方向，所述漸變透光區(qū)的透光率逐步減小；所述漸變透光區(qū)內(nèi)側(cè)為不透光區(qū)和/或半透光區(qū)。
[0008]其中，所述掩模圖案內(nèi)填充遮光粒子，通過所述遮光粒子使所述漸變透光區(qū)的透光率呈漸變變化，以及使所述不透光區(qū)和/或半透光區(qū)具有相應(yīng)的透光率。
[0009]其中，所述遮光粒子在所述掩模圖案內(nèi)的分布密度相同；沿遠(yuǎn)離掩模圖案的邊緣的方向，所述漸變透光區(qū)的厚度逐步增大。
[0010]其中，所述漸變透光區(qū)的厚度相同；且沿遠(yuǎn)離掩模圖案的邊緣的方向，所述漸變透光區(qū)內(nèi)遮光粒子的密度逐步增大。
[0011]其中，所述遮光粒子為鉻離子。
[0012]其中，所述掩模圖案位于所述透明基板的上方。
[0013]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種制備顯示基板的方法，其包括:
[0014]1)采用上述掩模板，在透明基板上形成邊緣厚度小于內(nèi)側(cè)厚度第一層圖案；
[0015]2)在所述第一層圖案上依次形成后續(xù)各層圖案。
[0016]其中，所述顯示基板為彩膜基板；
[0017]所述步驟1)中，所述第一層圖案為黑矩陣圖形；
[0018]所述步驟2)中，后續(xù)各層圖案包括紅色、綠色和藍(lán)色濾光片的圖形。
[0019]其中，在所述步驟2)中，形成紅色、綠色和藍(lán)色濾光片中的至少一種圖形時(shí)，采用上述掩模板。
[0020]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示基板，所述顯示基板根據(jù)上述制備顯示基板的方法制備。
[0021]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示面板，其包括上述顯示基板。
[0022]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，其包括上述顯示面板。
[0023]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0024]本發(fā)明提供的掩模板，其掩模圖案的邊緣具有漸變透光區(qū)，且沿遠(yuǎn)離掩模圖案的邊緣的方向，所述漸變透光區(qū)的透光率呈梯度遞減；在進(jìn)行曝光工藝時(shí)，根據(jù)所述漸變透光區(qū)的透光率的梯度漸變，顯影后留存的光刻膠圖形的邊緣呈現(xiàn)相應(yīng)的梯度漸變，使根據(jù)所述掩模板進(jìn)行光刻工藝所形成的圖形的邊緣呈梯度漸變，這樣在制備彩膜基板等的過程中，可以減小各層圖形相接重疊處的高度，減小所形成的多層圖形之間的段差，改善彩膜基板等的平整度；在彩膜基板等的平整度滿足要求時(shí)，就無需制備單獨(dú)的平坦化層，與現(xiàn)有技術(shù)相比，就減少了一道工序，從而可以降低成本，并提高生產(chǎn)效率。
[0025]本發(fā)明提供的制備顯示基板的方法，其采用本發(fā)明提供的上述掩模板制備第一層圖案，可以降低第一層圖案與后續(xù)各層圖案之間的交疊處的厚度，減小所制備的彩膜基板等表面的段差，改善其平整度；并在平整度滿足要求時(shí)，省去制備單獨(dú)的平坦化層的工序，從而降低成本，并提尚生廣效率。
[0026]本發(fā)明提供的顯示基板采用本發(fā)明提供的制備顯示基板的方法制備，本發(fā)明提供的顯示面板包括所述顯示基板，本發(fā)明提供的顯示裝置包括所述顯示面板，該顯示基板、顯示面板和顯示裝置均可以降低第一層圖案與后續(xù)各層圖案之間的交疊處的厚度，減小所制備的彩膜基板等表面的段差，改善其平整度；并在平整度滿足要求時(shí)，省去制備單獨(dú)的平坦化層的工序，從而降低成本，并提高生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0027]附圖是用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實(shí)施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0028]圖1為現(xiàn)有的掩模板的示意圖；
[0029]圖2為本發(fā)明實(shí)施方式提供的掩模板的示意圖；
[0030]圖3為根據(jù)圖2所示的掩模板進(jìn)行光刻工藝時(shí)曝光和顯影后的示意圖；
[0031]圖4為根據(jù)圖2所示的掩模板進(jìn)行光刻工藝時(shí)刻蝕完成后的示意圖；
[0032]圖5為根據(jù)圖2所示的掩模板制備的彩膜基板的示意圖；
[0033]圖6為圖2所不掩模板的第一種結(jié)構(gòu)的不意圖；
[0034]圖7為圖2所示掩模板的另一種結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0035]其中，附圖標(biāo)記:
[0036]10:透明基板；11:掩模圖案；12:光刻膠；13:黑矩陣；110:漸變透光區(qū)；111:不透光區(qū)。
【具體實(shí)施方式】
[0037]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實(shí)施方式】?jī)H用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0038]本發(fā)明首先提供一種掩模板的實(shí)施方式。圖2為本發(fā)明實(shí)施方式提供的掩模板的示意圖。如圖2所示，在本實(shí)施方式中，所述掩模板包括透明基板10和形成在透明基板10上的掩模圖案11 ;所述掩模圖案11的邊緣為漸變透光區(qū)110，沿遠(yuǎn)離邊緣的方向，所述漸變透光區(qū)110的透光率逐步減小；所述漸變透光區(qū)內(nèi)側(cè)為不透光區(qū)111。
[0039]具體地，所述掩模圖案11內(nèi)填充遮光粒子，通過所述遮光粒子使所述漸變透光區(qū)110的透光率呈漸變變化，以及使所述不透光區(qū)111具有相應(yīng)的透光率。所述遮光粒子具體可以為鉻離子。
[0040]曝光工藝的原理是:光刻膠(以負(fù)性光刻膠為例)中的光起始劑吸收光子的能量，并依據(jù)所吸收的光子的能量與單體結(jié)合，以及使多個(gè)單體結(jié)合在一起(光子的數(shù)量與結(jié)合在一起的單體的數(shù)量成正比)，形成聚合物而變性，從而在顯影之后，使光刻膠12形成與掩模圖案11相對(duì)應(yīng)的圖形。在本實(shí)施方式中，由于漸變透光區(qū)110的透光率呈漸變變化，在進(jìn)行曝光工藝時(shí)，如圖3所示，透過漸變透光區(qū)110的光強(qiáng)也會(huì)呈相應(yīng)漸變，即穿過漸變透光區(qū)110不同區(qū)域所形成的光子的數(shù)量不同。因此，在漸變透光區(qū)110對(duì)應(yīng)的光刻膠12區(qū)域，發(fā)生聚合的單體的數(shù)量也會(huì)呈梯度漸變，表現(xiàn)在:顯影之后，留存的光刻膠12圖形的邊緣厚度呈現(xiàn)梯度漸變。具體地，在漸變透光區(qū)110的靠近掩模圖案11邊緣的區(qū)域，其透光率高，光穿過而形成的光子的數(shù)量多，因此，其對(duì)應(yīng)的光刻膠12區(qū)域內(nèi)發(fā)生聚合的單體的數(shù)量多，表現(xiàn)在:顯影之后，留存的光刻膠12圖形的厚度大(圖3中以負(fù)性光刻膠為例)。而在漸變透光區(qū)110的遠(yuǎn)離掩模圖案11邊緣的區(qū)域，即靠近不透光區(qū)111的區(qū)域，其透光率低，光穿過而形成的光子的數(shù)量少，因此，其對(duì)應(yīng)的光刻膠12區(qū)域內(nèi)發(fā)生聚合的單體的數(shù)量少，表現(xiàn)在:顯影之后，留存的光刻膠12圖形的厚度小。
[0041]根據(jù)上述可知，在本實(shí)施方式中，在掩模圖案11邊緣設(shè)置漸變透光區(qū)110，可以使顯影之后，留存的光刻膠12圖形的邊緣厚度呈現(xiàn)梯度漸變，如圖3所示；在此情況下，經(jīng)過刻蝕工藝之后，最終所獲得的圖形的邊緣也會(huì)呈現(xiàn)梯度漸變，如圖4中所示的等腰梯形的腰部位置。
[0042]以制備彩膜基板的光刻工藝為例，首先采用上述掩模板在透明基板上形成黑矩陣的圖形，所形成的黑矩陣的圖形的邊緣呈現(xiàn)梯度變化，其圖形可以如圖4所示的等腰梯形。之后，形成后續(xù)的紅色濾光片R (或者是綠色濾光片G或藍(lán)色濾光片B)的圖形，且紅色濾光片R的邊緣和已形成的黑矩陣13圖形的邊緣具有重疊區(qū)域，如圖5所示。從圖5可以看出，由于所述黑矩陣13的圖形的邊緣呈現(xiàn)梯度漸變，紅色濾光片R和黑矩陣13的邊緣的重疊區(qū)域的高度會(huì)小于現(xiàn)有技術(shù)中紅色濾光片R和黑矩陣的圖形的邊緣的厚度大致不變時(shí)二者重疊區(qū)域的高度。類似地，在形成綠色濾光片G和藍(lán)色濾光片B之后，其與黑矩陣13之間所形成的交疊區(qū)域的高度也會(huì)相比現(xiàn)有技術(shù)中更小。從而，在所制備的彩膜基板中，各圖形之間的段差較小，平坦度較高；而在所述段差足夠小、所述平坦度足以滿足要求時(shí)，就可以不再制備平坦化層，這樣與現(xiàn)有技術(shù)相比，就減小了