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一種Al4Cu9單晶顆粒的制備方法與流程

文檔序號:11269960閱讀:778來源:國知局
一種Al4Cu9單晶顆粒的制備方法與流程

本發(fā)明屬于金屬材料技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種單晶顆粒的制備方法。



背景技術(shù):

科技日新月異的當(dāng)今社會(huì)發(fā)現(xiàn)與合成的材料數(shù)不勝數(shù)。al-cu合金是一種典型的合金體系,具有很多的合金相比如al2cu、alcu3以及al4cu9等等,性能優(yōu)良,應(yīng)用廣泛。材料的應(yīng)用由其性能來決定,而結(jié)構(gòu)決定性能,當(dāng)我們需要認(rèn)識(shí)一種材料時(shí)不僅需要做性能測試,還應(yīng)該從結(jié)構(gòu)入手。而測量一種材料的結(jié)構(gòu),單晶將提供極大的幫助?,F(xiàn)有制備單晶的方法很多,但是都比較復(fù)雜繁瑣。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

為了簡單方便制備單晶,本發(fā)明目的提供一種工藝簡單、生成單晶顆粒質(zhì)量較好的al4cu9單晶顆粒的制備方法。本發(fā)明主要是對純利用高壓法制備al4cu9單晶均勻混合之后利用高壓法制備al4cu9單晶。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下:

(1)al4cu9單晶的化學(xué)成分的原子配比為:al28-31%,cu69-72%;

(2)將高純的al粉和cu粉混合均勻,用粉末壓片機(jī)施加2-3mpa壓力并保持約180s,制得預(yù)制塊體;

(3)將石墨爐管狀爐體兩端用氮化硼片外封,石墨爐中套裝氮化硼坩堝,坩堝兩端用氮化硼片內(nèi)封,同時(shí)石墨爐兩端用石墨片作為包裹及導(dǎo)電,然后將上述管狀石墨爐體、氮化硼坩堝、氮化硼片、葉臘石片以及石墨片連同六面頂壓機(jī)使用的葉臘石方塊以及導(dǎo)電鋼圈放于溫度為180℃的烘干箱中烘干3小時(shí)備用;

(4)將步驟(2)中制備的預(yù)制塊體放入步驟(3)預(yù)烘干的氮化硼坩堝中,將氮化硼坩堝、管狀石墨爐、石墨片、氮化硼片按順序組裝后置于六面頂壓機(jī)中,壓力設(shè)置為3-5gpa,峰值溫度控制在1100℃-1150℃,保溫30min;溫度降至800℃-950℃時(shí)保溫1-2h。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn):

工藝簡單,操作方法確實(shí)可行,不需要復(fù)雜的設(shè)備,同時(shí)不需要對原材料過多的處理就可以直接使用原材料來合成單晶相,生成單晶顆粒質(zhì)量較好,并且可以滿足多種單晶相成分的制備。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例1制備的al4cu9單晶顆粒的eds圖。

圖2為本發(fā)明實(shí)施例1制備的al4cu9單晶顆粒的sem圖。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例2制備的al4cu9單晶顆粒的sem圖。

圖4為本發(fā)明實(shí)施例3制備的al4cu9單晶顆粒的sem圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1

(1)按原子配比(al:cu=30:70)稱取0.56422g高純的al粉和3.00850gcu粉,將兩種粉末混合均勻后裝入內(nèi)徑φ9.6mm的硬質(zhì)合金模具中,用粉末壓片機(jī)加壓3mpa并保持180s,獲得直徑φ9.6mm高10mm的預(yù)制塊體;

(2)石墨爐為高16.6mm外徑φ14mm內(nèi)徑φ12mm管狀爐體,兩端用φ12mm厚3.3mm氮化硼片密封,石墨爐中套裝氮化硼坩堝,坩堝高10mm外徑φ12mm內(nèi)徑φ9.6mm,兩端用直徑φ9.6mm厚1.2mm氮化硼片密封,同時(shí)石墨爐兩端包裹及導(dǎo)電用石墨片規(guī)格為直徑φ14厚1.6mm,將石墨爐、氮化硼坩堝、氮化硼片、連同六面頂壓機(jī)使用的葉臘石方塊以及導(dǎo)電鋼圈放于溫度為180℃的烘干箱中烘干3小時(shí)備用;

(3)將步驟(1)制備的預(yù)制塊體放入步驟(2)中預(yù)烘干的氮化硼坩堝中,將氮化硼坩堝、管狀石墨爐、石墨片、氮化硼片按順序組裝后置于六面頂壓機(jī)中,壓力設(shè)置為5gpa,峰值溫度控制在1150℃,保溫30min;溫度降至950℃時(shí)保溫2h。然后直接斷開電流停止加熱;

(4)取出塊體并進(jìn)行表面清潔,獲得含al4cu9單晶顆粒的塊體。

對al4cu9單晶顆粒塊體進(jìn)行eds測試,確定成分,如圖1所示,從spot2成分可知合成了al30.89cu69.11,其原子比與al4cu9相符,由此可判斷al4cu9單晶相制備成功。

然后進(jìn)行單晶衍射測試,確定al4cu9單晶結(jié)構(gòu),如圖2所示。

實(shí)施例2

(1)按原子配比(al:cu=28:72)稱取0.50738g高純的al粉和3.09259gcu粉,將兩種粉末混合均勻后裝入內(nèi)徑φ9.6mm的硬質(zhì)合金模具中,用粉末壓片機(jī)加壓3mpa并保持180s,獲得直徑φ9.6mm高10mm的預(yù)制塊體;

(2)石墨爐為高16.6mm外徑φ14mm內(nèi)徑φ12mm管狀爐體,兩端用φ12mm厚3.3mm氮化硼片密封,石墨爐中套裝氮化硼坩堝,坩堝高10mm外徑φ12mm內(nèi)徑φ9.6mm,兩端用直徑φ9.6mm厚1.2mm氮化硼片密封,同時(shí)石墨爐兩端包裹及導(dǎo)電用石墨片規(guī)格為直徑φ14厚1.6mm。將石墨爐、氮化硼坩堝、氮化硼片、連同六面頂壓機(jī)使用的葉臘石方塊以及導(dǎo)電鋼圈放于溫度為180℃的烘干箱中烘干3小時(shí)備用;

(3)將步驟(1)制備的預(yù)制塊體放入步驟(2)中預(yù)烘干的氮化硼坩堝中,將氮化硼坩堝、管狀石墨爐、石墨片、氮化硼片按順序組裝后置于六面頂壓機(jī)中,壓力設(shè)置為4gpa,峰值溫度控制在1100℃,保溫30min;溫度降至800℃時(shí)保溫2h,然后直接斷開電流停止加熱;

(4)取出塊體并進(jìn)行表面清潔,獲得含al4cu9單晶顆粒的塊體。

如圖3所示,對al4cu9單晶顆粒的塊體進(jìn)行sem測試,發(fā)現(xiàn)與實(shí)施例1樣品相同的組織,可知也成功制備出al4cu9單晶顆粒。

實(shí)施例3

(1)按原子配比(al:cu=31:69)稱取0.55768g高純的al粉和2.94231gcu粉,將兩種粉末混合均勻后裝入內(nèi)徑φ9.6mm的硬質(zhì)合金模具中,用粉末壓片機(jī)加壓3mpa并保持180s,獲得直徑φ9.6mm高10mm的預(yù)制塊體;

(2)石墨爐為高16.6mm外徑φ14mm內(nèi)徑φ12mm管狀爐體,兩端用φ12mm厚3.3mm氮化硼片密封,石墨爐中套裝氮化硼坩堝,坩堝高10mm外徑φ12mm內(nèi)徑φ9.6mm,兩端用直徑φ9.6mm厚1.2mm氮化硼片密封,同時(shí)石墨爐兩端包裹及導(dǎo)電用石墨片規(guī)格為直徑φ14厚1.6mm,將石墨爐、氮化硼坩堝、氮化硼片、連同六面頂壓機(jī)使用的葉臘石方塊以及導(dǎo)電鋼圈放于溫度為180℃的烘干箱中烘干3小時(shí)備用。

(3)將步驟(1)制備的預(yù)制塊體放入步驟(2)中預(yù)烘干的氮化硼坩堝中,將氮化硼坩堝、管狀石墨爐、石墨片、氮化硼片按順序組裝后置于六面頂壓機(jī)中,壓力設(shè)置為3gpa,峰值溫度控制在1150℃,保溫30min;溫度降至900℃時(shí)保溫1h,然后直接斷開電流停止加熱;

(4)取出塊體并進(jìn)行表面清潔,獲得含al4cu9單晶顆粒的塊體。

如圖4所示,對al4cu9單晶顆粒的塊體進(jìn)行sem測試,組織形貌與例1和例2相同,由此可知例3也制備出了al4cu9單晶顆粒。



技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
一種Al4Cu9單晶顆粒的制備方法,Al4Cu9單晶的化學(xué)成分的原子配比為:Al?28?31%,Cu?69?72%;其制備方法主要是將高純Al粉與Cu粉混合均勻后放入硬質(zhì)合金模具中,利用粉末壓片機(jī)施加3MPa壓力并保持約180s來獲得預(yù)制塊體;將制得的預(yù)制塊體放入氮化硼坩堝中,將氮化硼坩堝、管狀石墨爐、石墨片、氮化硼片按順序組裝后置于六面頂壓機(jī)中,壓力設(shè)置在3?5GPa之間,峰值溫度控制在1100℃?1150℃,保溫30min;溫度降至800℃?950℃時(shí)保溫1?2h。本發(fā)明具有工藝簡單,操作方法確實(shí)可行,實(shí)驗(yàn)設(shè)備較為常見等優(yōu)點(diǎn),生成單晶質(zhì)量較好。

技術(shù)研發(fā)人員:范長增;陳智銀
受保護(hù)的技術(shù)使用者:燕山大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:2017.07.27
技術(shù)公布日:2017.09.22
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