一種用于燒制陶瓷的氣窯的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及陶瓷制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種用于燒制陶瓷的氣窯。
【背景技術(shù)】
[0002]在陶瓷制備過程中經(jīng)常需要使用氣窯對上釉后的陶瓷進(jìn)行燒制處理,在高溫下形成陶瓷制品?,F(xiàn)有技術(shù)中的氣窯結(jié)構(gòu)主要包括爐體外殼,設(shè)置在外殼內(nèi)的高溫耐火層內(nèi)襯,設(shè)置在外殼內(nèi)壁上的爐蓖,在爐蓖頂部上設(shè)置支架,支架上開設(shè)篩孔,爐蓖與支架、外殼底部的內(nèi)表面三者之間圍成燃燒室,燃燒室側(cè)壁上設(shè)置噴煤嘴,噴煤嘴穿設(shè)在爐體側(cè)壁上,用于將外界的煤氣通入燃燒室內(nèi),以及在外殼的頂部上開設(shè)出氣口。
[0003]上述的氣窯在對陶瓷進(jìn)行燒制時(shí),首先將待燒制的陶瓷放置在支架上,外界的燃?xì)饨?jīng)噴嘴進(jìn)入燃燒室進(jìn)行燃燒,燃燒產(chǎn)生的熱量經(jīng)篩孔與待燒制的陶瓷接觸,對陶瓷進(jìn)行高溫?zé)?,隨著外界燃?xì)獠粩嗟卦谌紵覂?nèi)燃燒,燃?xì)庑纬傻臒崃烤湍軌驅(qū)ι嫌院蟮奶沾蛇M(jìn)行燒制,之后氣體經(jīng)出氣口排出。
[0004]但是,上述的氣窯在對上釉后的陶瓷制品燒制時(shí),燃?xì)饨?jīng)噴嘴進(jìn)入燃燒室內(nèi),由于燃燒室內(nèi)的氧氣含量有限,燃?xì)饽軌虺浞秩紵牧肯鄬苌?,要使得窯體內(nèi)達(dá)到陶瓷燒制的高溫環(huán)境需要通入足夠多的燃?xì)?,不可避免地燃燒不充分的氣體直接排向大氣,會(huì)對外界環(huán)境造成一定的污染,同時(shí),需要的燃?xì)饬慷?,能耗高,陶瓷燒制的成本也相對高?br>【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]因此,本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)氣窯中燃?xì)獾娜紵实偷娜毕?,從而提供一種能夠提高燃?xì)馊紵实臍飧G。
[0006]為此,本實(shí)用新型提供的一種用于燒制陶瓷的氣窯,包括
[0007]窯體,沿豎直方向設(shè)置,具有空腔,頂部具有出氣口,以及進(jìn)料口;
[0008]支架,沿水平方向設(shè)置在所述窯體的空腔內(nèi),具有供氣體穿過的若干個(gè)通孔;
[0009]爐蓖,設(shè)置在所述窯體側(cè)壁的內(nèi)表面上,頂部抵靠在所述支架的底部上,底部抵靠在所述窯體的底部內(nèi)表面上;與所述支架、窯體底部的內(nèi)表面三者之間圍成燃燒室;
[0010]燃?xì)鈧},用于儲放燃?xì)猓?br>[0011]氧氣倉,用于儲放氧氣;
[0012]噴嘴,至少兩個(gè),其中,一個(gè)用于噴燃?xì)獾牡谝粐娮?,穿設(shè)在所述窯體的側(cè)壁上,一端通過第一管路連接于所述燃?xì)鈧},伸入所述燃燒室內(nèi);另一個(gè)用于噴氧氣的第二噴嘴,穿設(shè)在所述窯體的側(cè)壁上,一端通過第二管路連接于所述氧氣倉,另一端伸入所述燃燒室內(nèi);以及
[0013]控制器,用于控制第一管路內(nèi)燃?xì)獾妮斔土?,?或第二管路內(nèi)氧氣的輸送量。
[0014]上述的用于燒制陶瓷的氣窯,所述第一噴嘴與第二噴嘴設(shè)置在窯體側(cè)壁的同一豎直面上,且兩個(gè)噴嘴的出口相對設(shè)置。
[0015]上述的用于燒制陶瓷的氣窯,所述第一噴嘴與所述第二噴嘴分別設(shè)置在所述窯體側(cè)壁的兩個(gè)豎直面上,且兩個(gè)噴嘴的出口相對設(shè)置。
[0016]上述的用于燒制陶瓷的氣窯,所述第一噴嘴出口的直徑大于第二噴嘴出口的直徑。
[0017]上述的用于燒制陶瓷的氣窯,所述進(jìn)料口開設(shè)在窯體的側(cè)壁或頂部上;還包括蓋體,密封設(shè)置在所述進(jìn)料口上。
[0018]上述的用于燒制陶瓷的氣窯,還包括高溫耐火層,所述高溫耐火層設(shè)置在所述窯體側(cè)壁的內(nèi)表面上與所述爐蓖之間,且所述支架穿過所述高溫耐火層設(shè)置在所述窯體的側(cè)壁上。
[0019]上述的用于燒制陶瓷的氣窯,還包括保溫層,所述保溫層套設(shè)在所述窯體的側(cè)壁的外表面上。
[0020]本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案,具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0021]1.本實(shí)用新型提供的用于燒制陶瓷的氣窯,包括窯體,窯體具有空腔,頂部具有出氣口,以及進(jìn)料口;沿水平方向設(shè)置在窯體的空腔內(nèi)的支架,支架具有供氣體穿過的若干個(gè)通孔;設(shè)置在窯體側(cè)壁的內(nèi)表面上的爐蓖,爐蓖頂部抵靠在支架的底部上,底部抵靠在窯體的底部內(nèi)表面上;與所述支架、窯體底部的內(nèi)表面三者之間圍成燃燒室;用于儲放燃?xì)獾娜細(xì)鈧},用于儲放氧氣的氧氣倉,至少兩個(gè)噴嘴,一個(gè)用于噴燃?xì)獾牡谝粐娮?,穿設(shè)在所述窯體的側(cè)壁上,一端通過第一管路連接于所述燃?xì)鈧},伸入所述燃燒室內(nèi);另一個(gè)用于噴氧氣的第二噴嘴,穿設(shè)在所述窯體的側(cè)壁上,一端通過第二管路連接于氧氣倉,另一端伸入燃燒室內(nèi);以及用于控制第一管路內(nèi)燃?xì)獾妮斔土浚?第二管路內(nèi)氧氣的輸送量。
[0022]上述的用于燒制陶瓷的氣窯,通過設(shè)置氧氣倉和第二噴嘴將外界的氧氣輸送至燃燒室內(nèi),增加燃燒室內(nèi)氧氣的含量,使得第一噴嘴噴出的燃?xì)饽軌蛟谌紵覂?nèi)充分地燃燒,提高燃?xì)獾娜紵剩瑥亩岣呷細(xì)馓峁┑臒崃?,加快陶瓷的燒制效率;同時(shí),采用控制器來控制第一管路內(nèi)燃?xì)夂偷诙苈穬?nèi)氧氣的輸送量,以形成最佳的燃?xì)馀c氧氣的配比,不會(huì)造成任一氣體的過多,在燃?xì)獬浞秩紵那疤嵯?,使用的氧氣量最少?br>[0023]2.本實(shí)用新型提供的用于燒制陶瓷的氣窯,進(jìn)一步地第一噴嘴與第二噴嘴設(shè)置在窯體側(cè)壁的同一豎直面上,且兩個(gè)噴嘴的出口相對設(shè)置,使得第一噴嘴噴出的燃?xì)饬ⅠR與第二噴嘴噴出的氧氣接觸,在燃燒室內(nèi)燃燒,加快燃?xì)獾娜紵俣?,提高窯體內(nèi)升到所需高溫的速度,進(jìn)而提高窯體內(nèi)陶瓷被燒制的效率。
【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本實(shí)用新型【具體實(shí)施方式】或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對【具體實(shí)施方式】或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施方式,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為實(shí)施例1中提供的用于燒制陶瓷的氣窯的一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0026]圖中附圖標(biāo)記說明:1-窯體;11-出氣口;2-支架;3-爐蓖;4-燃?xì)鈧};5_第一噴嘴;6-燃燒室;7-氧氣倉;8-第二噴嘴;9-高溫耐火層。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面將結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0028]此外,下面所描述的本實(shí)用新型不同實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互結(jié)合。
[0029]實(shí)施例1
[0030]如圖1所示,本實(shí)施例提供一種用于燒制陶瓷的氣窯,包括
[0031]窯體I,沿豎直方向設(shè)置,具有空腔,頂部具有出氣口11,以及進(jìn)料口;
[0032]支架2,沿水平方向設(shè)置在窯體I的空腔內(nèi),具有供氣體穿過的若干個(gè)通孔;
[0033]爐蓖3,設(shè)置在窯體I側(cè)壁的內(nèi)表面上,頂部抵靠在支架2的底部上,底部抵靠在窯體I的底部內(nèi)表面上;與支架2、窯體I底部的內(nèi)表面三者之間圍成燃燒室6;
[0034]燃?xì)鈧}4,用于儲放燃?xì)猓?br>[0035]氧氣倉7,用于儲放氧氣;
[0036]噴嘴,至少兩個(gè),其中,一個(gè)用于噴燃?xì)獾牡谝粐娮?,穿設(shè)在窯體I的側(cè)壁上,一端通過第一管路連接于燃?xì)鈧}4,伸入燃燒室6內(nèi);另一個(gè)用于噴氧氣的第二噴嘴8,穿設(shè)在窯體I的側(cè)壁上,一端通過第二管路連接于氧氣倉7,另一端伸入燃燒室6內(nèi);以及
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