專(zhuān)利名稱(chēng)：非選擇性氧化物蝕刻濕清潔組合物及使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
總體上，本發(fā)明涉及相對(duì)于經(jīng)摻雜含硅材料來(lái)選擇性去除無(wú)摻雜含硅材料的組合 物。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造中使用各種含硅薄膜，例如，熱氧化物(ThOx)、CVD-TE0S、硼磷硅酸 鹽玻璃(BPSG)、硼硅酸鹽玻璃(BSG)、旋涂式介電質(zhì)(SOD)及磷硅酸鹽玻璃(PSG)。兩種最 常見(jiàn)類(lèi)型為T(mén)hOx及BPSG。熱氧化物通常由純二氧化硅組成且在需要絕緣層時(shí)使用。例如， 通常使用熱氧化硅的薄“閘極”層來(lái)使導(dǎo)電層相互分離。BPSG層包括摻雜有硼及磷的氧化 硅。這些層用于“吸除”原本會(huì)移動(dòng)進(jìn)入底層并對(duì)層材料的電性質(zhì)產(chǎn)生不利影響從而導(dǎo)致 器件可靠性降格的堿金屬離子污染物。這些含硅材料形成于基板表面上的若干圖案化層中，且將其設(shè)計(jì)為具有漸增的高 縱橫比率及小尺寸。在制造期間，須在不損壞圖案化材料的情況下將蝕刻后或灰化后的殘 余物從圖案化表面上去除。例如，在去除接觸孔底部的殘余物(主要為T(mén)hOx)時(shí)要求最小 程度地蝕刻密度較低的經(jīng)摻雜含硅氧化物。不利的是，先前技術(shù)中設(shè)計(jì)用于選擇性蝕刻和 /或去除蝕刻后或灰化后殘余物的去除組合物及方法傾向于去除經(jīng)摻雜含硅材料(例如， BPSG)超過(guò)除去無(wú)摻雜含硅材料(例如，ThOx)。此產(chǎn)生關(guān)鍵尺寸已被不利改變的圖案。本公開(kāi)著重于研發(fā)用于經(jīng)摻雜氧化物及無(wú)摻雜氧化物的具有獨(dú)特蝕刻選擇性、低 蝕刻速率及侵蝕性清潔能力的“液體接觸清潔劑”。

發(fā)明內(nèi)容
一般來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及以大于或?qū)嵸|(zhì)上等于經(jīng)摻雜含硅材料的去除速率的速率來(lái) 去除無(wú)摻雜含硅材料的組合物。在較優(yōu)選的實(shí)施方案中公開(kāi)了從微電子器件表面去除蝕刻 后和/或灰化后殘余物的組合物及方法，且相對(duì)于也存在于該器件上的無(wú)摻雜含硅材料， 這些組合物及方法并不過(guò)度蝕刻經(jīng)摻雜含硅材料。在一方面中闡述濕清潔組合物，該組合物包含至少一種氟化物源、至少一種二醇 溶劑、至少一種螯合劑及至少一種聚合物物質(zhì)，其中該組合物實(shí)質(zhì)上不含所添加的水。在另一方面中闡述濕清潔組合物，該組合物包含至少一種氟化物源、至少一種二 醇溶劑、至少一種螯合劑、至少一種聚合物物質(zhì)及至少一種長(zhǎng)鏈烷基季銨化合物，其中該組 合物實(shí)質(zhì)上不含所添加的水。在又一方面中闡述濕清潔組合物，該組合物包含氟化銨、乙二醇、亞氨基二乙酸及 聚乙烯亞胺聚合物。在再一方面中闡述濕清潔組合物，該組合物包含氟化銨、乙二醇、亞氨基二乙酸、 聚乙烯亞胺聚合物及長(zhǎng)鏈烷基季銨化合物。另一方面涉及相對(duì)于經(jīng)摻雜含硅材料選擇性去除無(wú)摻雜含硅材料的方法，該方法 包括在接觸條件下使上面具有無(wú)摻雜含硅材料及經(jīng)摻雜含硅材料的微電子器件與濕清潔組合物接觸，其中該濕清潔組合物包含至少一種氟化物源、至少一種二醇溶劑、至少一種螯 合劑及至少一種聚合物物質(zhì)，其中該組合物實(shí)質(zhì)上不含水。組合物可進(jìn)一步包含至少一種 長(zhǎng)鏈烷基季銨化合物。又一方面涉及從微電子器件去除蝕刻后和/或灰化后的殘余物的方法，該方法包 括在接觸條件下使上面具有蝕刻后和/或灰化后的殘余物的微電子器件與濕清潔組合物 接觸，其中該濕清潔組合物包含至少一種氟化物源、至少一種二醇溶劑、至少一種螯合劑及 至少一種聚合物物質(zhì)，且其中存在于該器件上的無(wú)摻雜含硅材料的蝕刻速率大于或?qū)嵸|(zhì)上 等于存在于該器件上的經(jīng)摻雜含硅材料的蝕刻速率，且其中該組合物實(shí)質(zhì)上不含水。該組 合物可進(jìn)一步包含至少一種長(zhǎng)鏈烷基季銨化合物。在另一方面中闡述套包(kit)，其中該套包在一個(gè)或多個(gè)容器中包含一種或多種 形成組合物的下列試劑，其中該組合物包含至少一種氟化物源、至少一種二醇溶劑、至少一 種螯合劑及至少一種聚合物物質(zhì)，其中該套包適于形成適用于去除蝕刻后殘余物、灰化后 殘余物、經(jīng)摻雜含硅材料、無(wú)摻雜含硅材料及其組合的組合物。根據(jù)公開(kāi)內(nèi)容及權(quán)利要求書(shū)可更全面地了解其它方面、特征及優(yōu)點(diǎn)。


圖1展示在45°C下使用制劑B處理4分鐘的堆棧的C/S SEM圖像，該堆棧由約 500 A的PE-CVD SiN基層及由4 KA TEOS及4.5 KA PSG制得的“壁”組成。圖2展示與圖1相似且使用制劑B實(shí)施清潔(45°C /4分鐘)的堆棧的C/S SEM圖像。圖3展示與圖1相似且使用稀HF實(shí)施清潔(45°C /4分鐘)堆棧的C/SSEM圖像。詳細(xì)描述和及其優(yōu)選實(shí)施方案一般來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及從微電子器件中去除蝕刻后和/或灰化后的殘余物的濕清 潔組合物及方法，其中存在于該器件上的無(wú)摻雜含硅材料的蝕刻速率大于或?qū)嵸|(zhì)上等于也 存在于該器件上的經(jīng)摻雜含硅材料的蝕刻速率。較優(yōu)選地，該濕清潔組合物對(duì)接觸輪廓或 圖案的關(guān)鍵尺寸影響最小并與硅及金屬相容，且處理后的接觸表面是疏水或親水的穩(wěn)定表為便于提及，“微電子器件”對(duì)應(yīng)于經(jīng)制造用于微電子、集成電路或計(jì)算機(jī)芯片應(yīng) 用中的半導(dǎo)體基板、太陽(yáng)能電池(光電伏打電池)、平板顯示器及微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)。應(yīng)理 解，術(shù)語(yǔ)“微電子器件”、“微電子基板”及“微電子器件結(jié)構(gòu)”并非意欲以任何方式予以限制 且包括任何最終將成為微電子器件或微電子組件的基板或結(jié)構(gòu)。微電子器件可為圖案化 的、經(jīng)覆蓋的、對(duì)照和/或測(cè)試器件。本文所用的“約”意欲對(duì)應(yīng)于所述值士5%。 本文所用的“無(wú)摻雜含硅材料”或“較高密度介電材料”對(duì)應(yīng)于實(shí)質(zhì)上不含諸如以 下的“摻雜劑”的硅酸鹽材料硼、二氟化硼、磷、砷、鎵、銻、碳、氮及銦。無(wú)摻雜含硅材料的實(shí) 施例包括但不限于熱氧化物、高密度等離子體沉積氧化物及TE0S，不論沉積方式如何?！敖?jīng) 摻雜含硅材料”或“較低密度介電材料”對(duì)應(yīng)于包含“摻雜劑”的氧化硅材料，這些摻雜劑 包括但不限于BSG、PSG、BPSG、FSG (氟硅酸鹽玻璃)、SiCOH、SiON, SiCON、摻雜碳的氧化物 (⑶0)及SOD。應(yīng)了解，介電材料可進(jìn)一步包含鍺。
本文所用的“SOD”及旋涂玻璃(SOG)是同義詞。本文所定義的“實(shí)質(zhì)上不含”對(duì)應(yīng)于，以該組合物總重量計(jì)，小于組合物的約2重 量％、更優(yōu)選小于1重量％、且最優(yōu)選小于0. 1重量％。本文所定義的“所添加的水”對(duì)應(yīng)于由本發(fā)明組合物的使用者或制造者所添加的 水。所添加的水并不對(duì)應(yīng)于通常見(jiàn)于市售化學(xué)物質(zhì)(混合到一起以形成本發(fā)明組合物)中 的水、或吸濕水。本文所定義的“實(shí)質(zhì)上等于”對(duì)應(yīng)于經(jīng)摻雜含硅材料的蝕刻速率(以A min·1計(jì)) 與無(wú)摻雜含硅材料的蝕刻速率相同或?yàn)闊o(wú)摻雜含硅材料的蝕刻速率士40%。。組合物可體現(xiàn)為眾多種具體制劑，如下文中更全面闡述的。在所有這些組合物中，組合物的具體組分以包括零下限在內(nèi)的重量百分比范圍來(lái) 論述，因而應(yīng)理解，在組合物的各具體實(shí)施方案中可存在或不存在這些組分，且在存在這些 組分的情況下，以使用這些組分的組合物的總重量計(jì)，這些組分可以低至0. 001重量％的 濃度存在。在一方面中闡述濕清潔組合物，其包括至少一種氟化物源、至少一種有機(jī)溶劑、至 少一種螯合劑及至少一種聚合物物質(zhì)、由其組成或?qū)嵸|(zhì)上由其組成，其中該組合物實(shí)質(zhì)上 不含所添加的水。在較優(yōu)選的實(shí)施方案中闡述濕清潔組合物，其包括至少一種氟化物源、至 少一種二醇溶劑、至少一種螯合劑及至少一種聚合物物質(zhì)、由其組成或?qū)嵸|(zhì)上由其組成，其 中該組合物實(shí)質(zhì)上不含所添加的水。至少一種氟化物源可包括選自以下的物質(zhì)二氟化氙；五甲基二亞乙基三銨三氟 化物；二氟化銨；三乙胺三氫氟酸鹽；烷基氟化氫銨(NRH3F),其中每個(gè)R獨(dú)立地選自氫及 C1-C4烷基(例如，甲基、乙基、丙基、丁基)；二烷基氟化氫銨(NR2H2F),其中每個(gè)R獨(dú)立地選 自氫及C1-C4烷基；三烷基氟化氫銨(NR3HF)，其中每個(gè)R獨(dú)立地選自氫及C1-C4烷基；三烷 基銨三氫氟酸鹽(NR3:3HF)，其中每個(gè)R獨(dú)立地選自氫及C1-C4烷基；式R4NF的氟化銨，其中 每個(gè)R獨(dú)立地選自氫、C1-C4烷基及C1-C4烷醇(例如，甲醇、乙醇、丙醇、丁醇)，例如，氟化 銨、四甲基氟化銨、氟化三乙醇銨、氟化四乙基銨；及其組合。至少一種二醇溶劑可包括選自以下的二醇溶劑乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙
二醇、丙三醇、甘油單酯、甘油二酯、二醇醚及其組合，其中二醇醚包括選自以下的物質(zhì)二 乙二醇單甲醚、三乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、三乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇 單丁醚、二乙二醇單丁醚(即，丁基卡必醇)、三乙二醇單丁醚、乙二醇單己醚、二乙二醇單 己醚、乙二醇戊醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、三丙二醇甲醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇 乙醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚(DPGPE)、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇 正丁醚、三丙二醇正丁醚、丙二醇戊醚及其組合。至少一種螯合劑可包括β-二酮酸酯化合物，例如，乙酰丙酮、1，1，1-三氟_2， 4_戊二酮及1，1，1，5，5，5_六氟-2，4-戊二酮；羧酸鹽，例如，甲酸鹽及乙酸鹽及其它長(zhǎng)鏈 羧酸鹽；胺及氨基酸，例如，甘氨酸、絲氨酸、脯氨酸、亮氨酸、丙氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、 谷氨酰胺、纈氨酸及賴(lài)氨酸；選自以下的多元酸亞氨基二乙酸(IDA)、丙二酸、草酸、琥珀 酸、硼酸、次氮基三乙酸、蘋(píng)果酸、檸檬酸、乙酸、馬來(lái)酸、2，4_戊二酮、苯扎氯銨、1-咪唑；及 其組合。其它螯合劑包含膦酸、膦酸衍生物(例如，羥基亞乙基二膦酸(HEDP)U-羥基乙 烷-1，1-二膦酸、次氮基-三(亞甲基膦酸)、依替膦酸(etidronic acid))、乙二胺、乙二胺四乙酸(EDTA)及(1，2-亞環(huán)己基二次氮基)四乙酸(⑶TA)、尿酸、四乙二醇二甲醚、五 甲基二亞乙基三胺(PMDETA) ,1,3,5-三嗪-2，4，6-三硫醇三鈉鹽溶液、1，3，5-三嗪-2，4， 6-三硫醇三銨鹽溶液、二乙基二硫代氨基甲酸鈉、被一個(gè)烷基(R2 =己基、辛基、癸基或十二 烷基)及一個(gè)低聚醚(R1 (CH2CH2O)2，其中R1 =乙基或丁基)二取代的二硫代氨基甲酸鹽 (R1(CH2CH2O)2NR2CS2Na)、硫酸銨、單乙醇胺(MEA)、Dequest 2000、Dequest 2010、Dequest 2060s、二亞乙基三胺五乙酸、丙二胺四乙酸、2-羥基吡啶-1-氧化物、乙二胺二琥珀酸、三 磷酸五鈉及其彼此的組合或其與上文所定義的β-二酮酸酯化合物、羧酸酯、胺及氨基酸 或多元酸的組合。盡管不希望受限于理論，但人們認(rèn)為可添加至少一種聚合物物質(zhì)以獲得較優(yōu)選的 表面覆蓋，從而改善薄膜的表面保護(hù)且增強(qiáng)對(duì)薄膜蝕刻速率的控制。較優(yōu)選地，聚合物物質(zhì) 為陽(yáng)離子型表面活性劑且可包括至少一種聚丙烯亞胺樹(shù)枝狀聚合物(例如，聚丙烯亞胺四 胺樹(shù)枝狀聚合物、聚丙烯亞胺八胺樹(shù)枝狀聚合物、聚丙烯亞胺十六胺樹(shù)枝狀聚合物、聚丙烯 亞胺三十二胺樹(shù)枝狀聚合物、聚丙烯亞胺六十四烷胺樹(shù)枝狀聚合物)、聚乙烯胺、聚胺、聚酰 亞胺_胺(polyimidamine)、聚乙基亞胺、聚酰胺-胺(polyamidamine)、聚四級(jí)胺、聚乙烯 基酰胺、聚丙烯酰胺、線性或支化的聚乙烯亞胺及可包括上述均聚物或由其組成的共聚物， 其中這些共聚物可為陽(yáng)離子型或非陽(yáng)離子型。當(dāng)聚合物物質(zhì)包括聚乙烯亞胺時(shí)，其可選自 聚乙烯亞胺、乙二胺-乙烯亞胺共聚物、羥基化聚乙烯亞胺、改性聚乙烯亞胺及其組合。聚 合物物質(zhì)的實(shí)施例包含Lupasol (BASF)及Epomin (Nippon Shokubai)。較優(yōu)選地，濕清潔組合物的pH介于約4至約9、較優(yōu)選約5至約9之間。在一實(shí)施方案中，所述組合物可進(jìn)一步包含至少一種胺、由其組成或?qū)嵸|(zhì)上由其 組成，該至少一種胺包括但不限于二環(huán)己胺、五甲基二亞乙基三胺、二甘醇胺、吡啶、2-乙基 吡啶、2-甲氧基吡啶及其衍生物(例如3-甲氧基吡啶)、2_甲基吡啶、吡啶衍生物、二甲基 吡啶、哌啶、哌嗪、三乙胺、三乙醇胺、乙胺、甲胺、異丁胺、叔丁胺、三丁胺、二丙胺、二甲胺、 單乙醇胺、吡咯、異惡唑、1，2，4_三唑、聯(lián)吡啶、嘧啶、卩比嗪、噠嗪、喹啉、異喹啉、B引哚、咪唑、 1-甲基咪唑、二異丙胺、二異丁胺、苯胺、苯胺衍生物或其組合。在一實(shí)施方案中，濕清潔組合物以所提供重量百分比的比率包含下列組分
權(quán)利要求
1.一種濕清潔組合物，其包含至少一種氟化物源、至少一種二醇溶劑、至少一種螯合劑 及至少一種聚合物物質(zhì)，其中該組合物基本上不含所添加的水。
2.如權(quán)利要求1的組合物，其中該至少一種氟化物源包括選自以下的物質(zhì)二氟化氙； 五甲基二亞乙基三銨三氟化物；二氟化銨；三乙胺三氫氟酸鹽；烷基氟化氫銨(NRH3F),其 中每個(gè)R獨(dú)立地選自氫及C1-C4烷基；二烷基氟化氫銨(NR2H2F)，其中每個(gè)R獨(dú)立地選自氫 及C1-C4烷基；三烷基氟化氫銨(NR3HF)，其中每個(gè)R獨(dú)立地選自氫及C1-C4烷基；三烷基銨 三氫氟酸鹽(NR3 3HF)，其中每個(gè)R獨(dú)立地選自氫及C1-C4烷基；式R4NF的氟化銨，其中每個(gè) R獨(dú)立地選自氫、C1-C4烷基及C1-C4烷醇；及其組合。
3.如權(quán)利要求1的組合物，其中該至少一種氟化物源包括氟化銨。
4.如權(quán)利要求1的組合物，其中該至少一種二醇溶劑包括選自以下的二醇溶劑乙二 醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、丙三醇、甘油單酯、甘油二酯、二醇醚及其組合。
5.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物，其中該二醇醚包括選自以下的物質(zhì)二乙二醇 單甲醚、三乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、三乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁 醚、二乙二醇單丁醚(即，丁基卡必醇)、三乙二醇單丁醚、乙二醇單己醚、二乙二醇單己醚、 乙二醇戊醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、三丙二醇甲醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇乙醚、 丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚(DPGPE)、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇正丁 醚、三丙二醇正丁醚、丙二醇戊醚及其組合。
6.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物，其中該至少一種二醇溶劑包括乙二醇。
7.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物，其中該至少一種螯合劑包括多元酸。
8.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物，其中該至少一種螯合劑包括選自以下的物質(zhì) 乙酰丙酮、1，1，1-三氟-2，4-戊二酮、1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二酮、甲酸鹽、乙酸鹽、 甘氨酸、絲氨酸、脯氨酸、亮氨酸、丙氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、谷氨酰胺、纈氨酸、賴(lài)氨酸、 亞氨基二乙酸(IDA)、丙二酸、草酸、琥珀酸、硼酸、次氮基三乙酸、蘋(píng)果酸、檸檬酸、乙酸、馬 來(lái)酸、2，4_戊二酮、苯扎氯銨、1-咪唑、膦酸、羥基亞乙基二膦酸(HEDP)U-羥基乙烷-1， 1-二膦酸、次氮基-三(亞甲基膦酸)、依替膦酸、乙二胺、乙二胺四乙酸(EDTA)、(1，2_亞 環(huán)己基二次氮基)四乙酸(⑶TA)、尿酸、四乙二醇二甲醚、五甲基二亞乙基三胺(PMDETA)、 1,3,5-三嗪-2，4，6-三硫醇三鈉鹽溶液、1，3，5-三嗪-2，4，6-三硫醇三銨鹽溶液、二乙基 二硫代氨基甲酸鈉、二取代的二硫代氨基甲酸鹽、硫酸銨、單乙醇胺(MEA)、Dequest 2000、 Dequest 2010、Dequest2060s、二亞乙基三胺五乙酸、丙二胺四乙酸、2_羥基吡啶氧化 物、乙二胺二琥珀酸、三磷酸五鈉及其組合。
9.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物，其中該至少一種螯合劑包括亞氨基二乙酸。
10.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物，其中該至少一種聚合物物質(zhì)為陽(yáng)離子型表面 活性劑。
11.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物，其中該至少一種聚合物物質(zhì)包括至少一種選 自以下的物質(zhì)聚丙烯亞胺樹(shù)枝狀聚合物、聚乙烯胺、聚胺、聚酰亞胺-胺、聚乙基亞胺、聚 丁二烯、聚酰胺-胺、聚四級(jí)胺、聚乙烯基酰胺、聚丙烯酰胺、線性聚乙烯亞胺、支化聚乙烯 亞胺及包括上述這些均聚物的共聚物。
12.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物，其中該聚乙烯亞胺包括選自以下的物質(zhì)聚 乙烯亞胺、乙二胺_乙烯亞胺共聚物、羥基化聚乙烯亞胺、改性聚乙烯亞胺及其組合。
13.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物，其中該聚合物物質(zhì)包括聚乙烯亞胺。
14.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物，其進(jìn)一步包含至少一種長(zhǎng)鏈烷基季銨化合物。
15.如權(quán)利要求14的組合物，其中該長(zhǎng)鏈烷基季銨化合物包括選自以下的物質(zhì)三辛?；谆@陽(yáng)離子、三辛基甲基銨陽(yáng)離子、鯨蠟基三甲基銨陽(yáng)離子、十二烷基三甲基銨陽(yáng)離 子、十六烷基三甲基銨陽(yáng)離子、二辛基二甲基銨陽(yáng)離子、聚(烯丙基二甲基銨)陽(yáng)離子及其 混合物。
16.如權(quán)利要求1的組合物，其包括氟化銨、乙二醇、亞氨基二乙酸及聚乙烯亞胺聚合物。
17.如權(quán)利要求14的組合物，其包括氟化銨、乙二醇、亞氨基二乙酸、聚乙烯亞胺聚合 物及長(zhǎng)鏈烷基季銨化合物。
18.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物，其中該組合物實(shí)質(zhì)上不含所添加的HF。
19.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物，其中該組合物進(jìn)一步包括選自以下的殘余物 材料經(jīng)摻雜含硅材料；無(wú)摻雜含硅材料；蝕刻后殘余物；灰化后殘余物；及其組合。
20.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物，其中該組合物進(jìn)一步包括選自以下的殘余物 材料熱氧化物(ThOx)、TEOS、硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、磷硅酸鹽玻璃(PSG)、氟硅酸鹽玻璃 (FSG)、旋涂式介電質(zhì)(SOD)及其組合。
21.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物，其中pH介于約4至約9之間。
22.—種相對(duì)于經(jīng)摻雜含硅材料選擇性去除無(wú)摻雜含硅材料的方法，該方法包括在接 觸條件下使上面具有無(wú)摻雜含硅材料及經(jīng)摻雜含硅材料的微電子器件與濕清潔組合物接 觸，其中該濕清潔組合物包含至少一種氟化物源、至少一種二醇溶劑、至少一種螯合劑及至 少一種聚合物物質(zhì)，其中該組合物基本上不含水。
23.一種從微電子器件去除蝕刻后和/或灰化后殘余物的方法，該方法包括在接觸條 件下使上面具有蝕刻后和/或灰化后殘余物的微電子器件與濕清潔組合物接觸，其中該濕 清潔組合物包含至少一種氟化物源、至少一種二醇溶劑、至少一種螯合劑及至少一種聚合 物物質(zhì)，且其中存在于該器件上的無(wú)摻雜含硅材料的蝕刻速率大于或?qū)嵸|(zhì)上等于存在于該 器件上的經(jīng)摻雜含硅材料的蝕刻速率，且其中該組合物基本上不含水。
24.如權(quán)利要求22或23的方法，其中該至少一種氟化物源包括選自以下的物質(zhì) 二氟化氙；五甲基二亞乙基三銨三氟化物；二氟化銨；三乙胺三氫氟酸鹽；烷基氟化氫銨 (NRH3F)，其中每個(gè)R獨(dú)立地選自氫及C1-C4烷基；二烷基氟化氫銨(NR2H2F)，其中每個(gè)R獨(dú)立 地選自氫及C1-C4烷基；三烷基氟化氫銨(NR3HF)，其中每個(gè)R獨(dú)立地選自氫及C1-C4烷基； 三烷基銨三氫氟酸鹽(NR3:3HF)，其中每個(gè)R獨(dú)立地選自氫及C1-C4烷基；式R4NF的氟化銨， 其中每個(gè)R獨(dú)立地選自氫、C1-C4烷基及C1-C4烷醇；及其組合。
25.如權(quán)利要求22-24中任一項(xiàng)的方法，其中該至少一種二醇溶劑包括選自以下的二 醇溶劑乙二醇、丙二醇、二乙二醇、二丙二醇、二乙二醇單甲醚、三乙二醇單甲醚、二乙二 醇單乙醚、三乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單丁醚(即，丁基卡必 醇)、三乙二醇單丁醚、乙二醇單己醚、二乙二醇單己醚、乙二醇戊醚、丙二醇甲醚、二丙二 醇甲醚、三丙二醇甲醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇乙醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚 (DPGPE)、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇正丁醚、三丙二醇正丁醚、丙二醇戊醚 及其組合。
26.如權(quán)利要求22-25中任一項(xiàng)的方法，其中該至少一種螯合劑包括選自以下的物質(zhì) 乙酰丙酮、1，1，1-三氟-2，4-戊二酮、1，1，1，5，5，5-六氟-2，4-戊二酮、甲酸鹽、乙酸鹽、 甘氨酸、絲氨酸、脯氨酸、亮氨酸、丙氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、谷氨酰胺、纈氨酸、賴(lài)氨酸、 亞氨基二乙酸(IDA)、丙二酸、草酸、琥珀酸、硼酸、次氮基三乙酸、蘋(píng)果酸、檸檬酸、乙酸、馬 來(lái)酸、2，4_戊二酮、苯扎氯銨、1-咪唑、膦酸、羥基亞乙基二膦酸(HEDP)U-羥基乙烷-1， 1-二膦酸、次氮基-三(亞甲基膦酸)、依替膦酸、乙二胺、乙二胺四乙酸(EDTA)、(1，2_亞 環(huán)己基二次氮基)四乙酸(⑶TA)、尿酸、四乙二醇二甲醚、五甲基二亞乙基三胺(PMDETA)、 1,3,5-三嗪-2，4，6-三硫醇三鈉鹽溶液、1，3，5-三嗪-2，4，6-三硫醇三銨鹽溶液、二乙基 二硫代氨基甲酸鈉、二取代的二硫代氨基甲酸鹽、硫酸銨、單乙醇胺(MEA)、Dequest 2000、 Dequest 2010、Dequest2060s、二亞乙基三胺五乙酸、丙二胺四乙酸、2_羥基吡啶氧化 物、乙二胺二琥珀酸、三磷酸五鈉及其組合。
27.如權(quán)利要求22-26中任一項(xiàng)的方法，其中該至少一種聚合物物質(zhì)包括至少一種選 自以下的物質(zhì)聚丙烯亞胺樹(shù)枝狀聚合物、聚乙烯胺、聚胺、聚酰亞胺-胺、聚乙基亞胺、聚 丁二烯、聚酰胺-胺、聚四級(jí)胺、聚乙烯基酰胺、聚丙烯酰胺、線性聚乙烯亞胺、支化聚乙烯 亞胺及上述這些均聚物的共聚物。
28.如權(quán)利要求22-27中任一項(xiàng)的方法，其中這些接觸條件包括介于約30秒至約10 分鐘之間的時(shí)間；介于約20°C至約60°C之間的溫度；及其組合。
29.如權(quán)利要求22-28中任一項(xiàng)的方法，其中該無(wú)摻雜含硅材料包括熱氧化物，且其中 該熱氧化物的蝕刻速率介于約1 A min·1至約20 AmirT1之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及以大于或等于去除經(jīng)摻雜含硅材料的速率的速率從微電子器件中去除無(wú)摻雜含硅材料的組合物及方法。
文檔編號(hào)C09K13/08GK102007196SQ200980113539
公開(kāi)日2011年4月6日 申請(qǐng)日期2009年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月7日
發(fā)明者埃馬努埃爾·庫(kù)珀, 大衛(wèi)·明塞克, 布利塔尼·瑟爾, 張鵬, 普雷爾那·森塔利亞, 梅利莎·A·彼特魯斯卡, 特雷斯·昆廷·赫德 申請(qǐng)人:高級(jí)技術(shù)材料公司