環(huán)己二烯富勒烯衍生物的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及新型富勒締衍生物，其制備方法和其中使用的離析物或中間體，包含 它們的混合物和配制劑，富勒締衍生物、混合物和配制劑作為有機(jī)半導(dǎo)體在有機(jī)電子(0E) 器件，尤其是有機(jī)光生伏打(0PV)器件和有機(jī)光檢測(cè)器(0PD)中或用于它們的制備的用途， W及包含或者由運(yùn)些富勒締衍生物、組合物或配制劑制備的〇E、〇pv和oro器件。
[0002] 發(fā)明背景
[0003] 近年來(lái)，開(kāi)發(fā)了有機(jī)半導(dǎo)(OSC)材料W生產(chǎn)更加通用、更低成本的電子器件。運(yùn)類 材料可用于寬范圍的器件或設(shè)備中，僅舉幾個(gè)例子，包括有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)、有機(jī)發(fā) 光二極管(OLED)、有機(jī)光檢測(cè)器(OPD)、有機(jī)光生伏打(OPV)電池、傳感器、存儲(chǔ)元件和邏輯 電路。有機(jī)半導(dǎo)材料通常W薄層，例如50-300nm厚的形式存在于電子器件中。
[0004] OPV或oro器件中的光敏層通常包含至少兩種材料，P-型半導(dǎo)體如聚合物、低聚物 或指定分子單元，和η-型半導(dǎo)體，例如富勒締衍生物、石墨締、金屬氧化物或量子點(diǎn)。近年來(lái) 已制得了許多Ρ-型半導(dǎo)體，主要是聚合物，來(lái)增強(qiáng)OPV器件的性能。比較而言，η-型半導(dǎo)體的 開(kāi)發(fā)僅限于少數(shù)選擇的候選物。
[0005] 作為PCBM-C6G富勒締的有希望的備選物的新型η-型半導(dǎo)體是有限的。圖1顯示一些 已知的富勒締衍生物，包括W02008/018931和W02010/087655中所述富勒締1和相應(yīng)的多種 加合物，US 8,217,260中所述富勒締2和相應(yīng)的多種加合物，肝2012-094829中所述富勒締 3，W02009/008323和JP 2011-98906中所述富勒締4, W及肝2011-181719中所述富勒締5和 相應(yīng)的多種加合物。然而，運(yùn)些富勒締衍生物的物理性能，例如溶解度、光穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性 限制了它們?cè)谏虡I(yè)應(yīng)用中的使用。
[0006] 因此，仍需要容易合成，尤其是通過(guò)適于大量生產(chǎn)的方法合成，顯示出良好的結(jié)構(gòu) 組織和成膜性能，顯示出良好的電子性能，尤其是高電荷載流子遷移率，良好的加工性，尤 其是在有機(jī)溶劑中的高溶解度W及高光和熱穩(wěn)定性的富勒締衍生物。
[0007] 本發(fā)明的目的是提供富勒締衍生物，所述富勒締衍生物提供上述有利性能中的一 種或多種。本發(fā)明的另一目的是擴(kuò)大技術(shù)人員可得到的η-型OSC材料庫(kù)。本發(fā)明的其它目的 由技術(shù)人員從W下詳細(xì)描述中立即獲悉。
[000引本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)W上目的中的一個(gè)或多個(gè)可通過(guò)提供如下文所公開(kāi)和要求 的環(huán)己二締富勒締實(shí)現(xiàn)。
[0009] 令人驚訝地發(fā)現(xiàn)運(yùn)些，證明了運(yùn)些環(huán)己二締富勒締與現(xiàn)有技術(shù)公開(kāi)的富勒締相比 具有如上文所述改進(jìn)性能中的一種或多種，尤其是對(duì)用于oPV/oro應(yīng)用中而言。
[0010] 取代的環(huán)己二締富勒締已被推薦用于醫(yī)學(xué)應(yīng)用，參見(jiàn)例如S.Durdagi等人， Bioorg .Med.畑em. 2008，16，9957-9974和Periya等人，Tetrahedron Letters 2004，45， 8311-8313。
[0011] 取代的環(huán)己二締富勒締還用于基礎(chǔ)研究，參見(jiàn)例如Liou等人，J.Chem.Soc.， 化 em.Commun. 1995,1603-1604, An等人，J.Org.畑em. 1995,60,6353-6361，Cos SU等人， J.Org.Qiem. 1996,61，153-158，Hsiao等人，J. Am.Qiem. Soc. 1998，120，12232-12236，Qian 等人，J .Am.化 em. Soc . 2000，122，8333-8334，Inoue等人，Synlett 2000,1178-1180， I wamatsu 等人，Org.Lett.2002,4,1217-1220,和 Vida等人，Macromol. Rapid Commun.2007，28，1345-1 ：M9。
[0012] KR 1128833 B1描述了包含在無(wú)機(jī)半導(dǎo)體中的富勒締衍生物和染料的有機(jī)/無(wú)機(jī) 混雜太陽(yáng)能電池，其中富勒締衍生物，包括一種單取代環(huán)己二締富勒締實(shí)例，包含簇酸基 團(tuán)、酢基團(tuán)、憐酸基團(tuán)、娃氧烷基團(tuán)和橫酸基團(tuán)中的至少一種。然而，運(yùn)類基團(tuán)具有缺點(diǎn)：它 們可充當(dāng)0PV器件構(gòu)型中的電荷捕集器并釋放對(duì)0PV器件的性能和壽命有害的酸性質(zhì)子化 +)。
[0013] 直至目前，未建議下文所公開(kāi)和主張的單取代或多取代環(huán)己二締富勒締作為潛在 候選物W代替0PV或oro器件的光活性層中的PCBM型富勒締，或者用作0FET或0L抓器件中的 P-型或η-型半導(dǎo)體。
[0014] 例女日，如Vida等人，Macromol. Rapid Commun. 2007，28，1345-1349中所公開(kāi)的用未 取代嚷吩環(huán)官能化的環(huán)己二締富勒締所報(bào)告的數(shù)據(jù)未標(biāo)明運(yùn)些富勒締衍生物可能是0PV/ 0PD應(yīng)用的有意義候選物，因?yàn)闆](méi)有報(bào)告關(guān)于該用途的相關(guān)信息如電子遷移率、能級(jí)(特別 是LUM0能級(jí))和固態(tài)形態(tài)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0015] 本發(fā)明設(shè)及式I化合物，包括其異構(gòu)體：
[0016]
[0017] 其中；
[0018] Cn為包含η個(gè)碳原子且任選具有捕集在內(nèi)部的一個(gè)或多個(gè)原子的富勒締，
[0019] Adduct為W任何連接方式附加在富勒締 Cn上的次級(jí)加合物，或者次級(jí)加合物的組 合，
[0020] m為0, > 1的整數(shù)或者>0的非整數(shù)，
[002U 0為Μ的整數(shù)，
[00剖 r1、R2、R3、R4相互獨(dú)立地表示Η、面素、CN、R日或R 6，
[0023] R5表示飽和或不飽和、非芳族碳環(huán)或雜環(huán)基團(tuán)，或者芳基、雜芳基、芳氧基或雜芳 氧基，其中上述基團(tuán)各自具有3-20個(gè)環(huán)原子，為單環(huán)或多環(huán)的，任選包含稠合環(huán)，且任選被 一個(gè)或多個(gè)面原子或CN基團(tuán)，或者被一個(gè)或多個(gè)相同或不同的基團(tuán)R 6取代，
[0024] R6表示具有1-30個(gè)C原子的烷基，其為直鏈、支化或環(huán)狀的，且其中一個(gè)或多個(gè)C此 基團(tuán)任選被-〇-、-S-、_C( =0)-、_C( = S)-、_C( =0)-〇-、-〇_C( =o)-、_nrl、-c( =0)_Ν護(hù)-、- N 護(hù)-c (=ο) -、-s i rOroo-、-cf2-、-chro=croo-、-cyi=切 2-或-c Ξ c- w ο和/或 s 原子不直接相 互連接的方式替代，且其中一個(gè)或多個(gè)Η原子任選被F、C1、Br、I或CN替代，
[0025] γ?和Υ2相互獨(dú)立地表示H、F、C1或CN，
[00%]護(hù)和R?相互獨(dú)立地表示Η或者具有1-40個(gè)C原子的任選取代的碳基或控基，
[0027] 其中r1、R2、R3和R4中的至少一個(gè)表示被一個(gè)或多個(gè)如上文所定義的烷基R 6取代的 r5,其具有至少3個(gè)C原子和/或其中至少一個(gè)C出基團(tuán)被-o-、-s-、-c(=o)-、-c(=s)-、-c( = 0) -0-、-0-C ( = 0) -、-NR°-、-Si 護(hù)R?-、-CF2-、-CH護(hù)=CR°°-、-Cyi = Cy 2-或-C Ξ C-替代。
[0028] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)及式I化合物作為電子受體或η-型半導(dǎo)體的用途。
[0029] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)及式I化合物作為電子受體或η-型組分在半導(dǎo)材料、有機(jī)電子器 件或有機(jī)電子器件的部件中的用途。
[0030] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)及包含兩種或更多種富勒締衍生物的混合物，其中一種或多種為 式I化合物。
[0031] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)及一種混合物，該混合物包含一種或多種式I化合物，優(yōu)選作為電 子受體或η-型組分，且進(jìn)一步包含一種或多種半導(dǎo)化合物，其優(yōu)選具有電子給體或Ρ-型性 能。
[0032] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)及一種混合物，該混合物包含一種或多種式I化合物和一種或多 種Ρ-型有機(jī)半導(dǎo)體化合物，優(yōu)選選自共輛有機(jī)聚合物。
[0033] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)及一種混合物，該混合物包含一種或多種式I化合物和一種或多 種化合物，所述化合物選自具有W下性能中的一種或多種的化合物:半導(dǎo)、電荷傳輸、空穴 傳輸、電子傳輸、空穴阻擋、電子阻擋、導(dǎo)電、光電導(dǎo)和發(fā)光性能。
[0034] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)及式I化合物或者包含I化合物的混合物作為半導(dǎo)、電荷傳輸、導(dǎo) 電、光電導(dǎo)、熱電或發(fā)光材料，或者在光學(xué)、光電、電子、電致發(fā)光、光致發(fā)光或熱電器件中， 或者在該類器件的部件中，或者在包含該類器件或部件的裝置中的用途。
[0035] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)及半導(dǎo)、電荷傳輸、導(dǎo)電、光電導(dǎo)、熱電或發(fā)光材料，其包含式I化 合物或者如上文和下文所述包含它的混合物。
[0036] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)及一種配制劑，該配制劑包含一種或多種式I化合物或者如上文 和下文所述包含它的混合物或材料，且進(jìn)一步包含一種或多種溶劑，優(yōu)選選自有機(jī)溶劑。
[0037] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)及光學(xué)、光電、電子、電致發(fā)光、光致發(fā)光或熱電器件，或其部件， 或者包含它的裝置，其使用如上文和下文所述配制劑制備。
[0038] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)及光學(xué)、光電、電子、電致發(fā)光、光致發(fā)光或熱電器件，或其部件， 或者包含它的裝置，其包含式I化合物，或者如上文和下文所述包含它的混合物或材料。
[0039] 光學(xué)、光電、電子、電致發(fā)光、光致發(fā)光和熱電器件包括但不限于有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體 管(0FET)、有機(jī)薄膜晶體管(0TFT)、有機(jī)發(fā)光二極管(化抓）、有機(jī)發(fā)光晶體管(0LET)、有機(jī) 光生伏打器件(0PV)、有機(jī)光檢測(cè)器(0PD)、有機(jī)太陽(yáng)能電池、激光二極管、肖特基二極管、光 電導(dǎo)體、光檢測(cè)器和熱電器件。
[0040] W上器件的部件包括但不限于電荷注入層、電荷傳輸層、夾層、平面化層、抗靜電 膜、聚合物電解質(zhì)膜(ΡΕΜ)、導(dǎo)電基底和導(dǎo)電圖案。
[0041] 包含運(yùn)類器件或部件的裝置包括但不限于集成電路(1C)、射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽或 者包含它們的安全標(biāo)識(shí)或安全器件、平板顯示器或其背光、電子照相器件、電子照相記錄器 件、有機(jī)儲(chǔ)存器件、傳感器器件、生物傳感器和生物忍片。
[0042] 另外，本發(fā)明化合物、混合物或材料可在電池中和在用于檢測(cè)和識(shí)別DNA序列的部 件或器件中用作電極材料。
[0043] 本發(fā)明進(jìn)一步設(shè)及本體異質(zhì)結(jié)，其包含或者由混合物形成，所述混合物包含一種 或多種式I化合物和一種或多種選自共輛有機(jī)聚合物的P-型有機(jī)半導(dǎo)體化合物。本發(fā)明進(jìn) 一步設(shè)及包含該本體異質(zhì)結(jié)的本體異質(zhì)結(jié)(B町)0PV器件或者倒裝B町0PV器件。
[0044] 術(shù)語(yǔ)和定義
[0045] 如本文所用，術(shù)語(yǔ)"富勒締"應(yīng)當(dāng)理解意指包含偶數(shù)個(gè)碳原子的化合物，所述碳原 子形成具有包含6元環(huán)和5元環(huán)的表面的籠狀稠合環(huán)，通常具有12個(gè)5元環(huán)且其余為6元環(huán)， 任選具有捕集在內(nèi)部的一個(gè)或多個(gè)原子。富勒締的表面還可包含雜原子如B或N。
[0046] 如本文所用，術(shù)語(yǔ)"內(nèi)嵌(endohe化曰1)富勒締"應(yīng)當(dāng)理解意指具有捕集在內(nèi)部的一 個(gè)或多個(gè)原子的富勒締。
[0047] 如本文所用，術(shù)語(yǔ)"金屬富勒締(metallo化llerene)"應(yīng)當(dāng)理解意指其中捕集在內(nèi) 部的原子選自金屬原子的內(nèi)嵌富勒締。
[0048] 如本文所用，術(shù)語(yǔ)"碳基富勒締"應(yīng)當(dāng)理解意指不具有任何捕集在內(nèi)部的原子且其 中表面僅包含碳原子的富勒締。
[0049] 如本文所用，術(shù)語(yǔ)"聚合物"應(yīng)當(dāng)理解意指具有相對(duì)高分子量的分子，其結(jié)構(gòu)主要 包含實(shí)際或概念上衍生自具有相對(duì)低分子量的分子的單元的多次重復(fù)(Pure Appl.Chem.， 1996,68,2291)。術(shù)語(yǔ)"低聚物"應(yīng)當(dāng)理解意指具有中等分子量的分子，其結(jié)構(gòu)主要包含實(shí)際 上或概念上衍生自具有較低相對(duì)分子量的分子的單元的較少重復(fù)（Pure Appl.Chem.， 1996，68，2291)。在如本發(fā)明中所用的優(yōu)選含義內(nèi)，聚合物應(yīng)當(dāng)理解意指具有> 1，即至少2 個(gè)重復(fù)單元，優(yōu)選含5個(gè)重復(fù)單元的化合物，低聚物應(yīng)當(dāng)理解意指具有>1且<10,優(yōu)選<5 個(gè)重復(fù)單元的化合物。
[0050] 另外，如本文所用，術(shù)語(yǔ)"聚合物"應(yīng)當(dāng)理解意指包括一類或多類獨(dú)特重復(fù)單元(分 子的最小結(jié)構(gòu)單元)的骨架(也稱為"主鏈"）的分子，且包括通常已知的術(shù)語(yǔ)"低聚物"、"共 聚物"、"均聚物"等。另外，應(yīng)當(dāng)理解術(shù)語(yǔ)聚合物除聚合物本身外，包含來(lái)自伴隨該聚合物合 成的引發(fā)劑、催化劑和其它元素的殘基，其中運(yùn)類殘基應(yīng)當(dāng)理解為未共價(jià)含在聚合物上。另 夕h盡管通常在聚合后提純方法期間除去，運(yùn)類殘基和其它元素通常與聚合物混合或共混 合，W致它們?cè)谌萜髦g或者在溶劑或分散介質(zhì)之間轉(zhuǎn)移時(shí)通常留在聚合物中。
[0051] 如本文所用，在顯示聚合物或重復(fù)單元的式中，星號(hào)（"*")應(yīng)當(dāng)理解意指與相鄰 單元或聚合物骨架的端基的化學(xué)連接。在環(huán)如苯或嚷吩環(huán)中，星號(hào)（*)應(yīng)當(dāng)理解意指與相 鄰環(huán)稠合的C原子。
[0052] 如本文所用，術(shù)語(yǔ)"重復(fù)單元"和"單體單元"互換地使用，且應(yīng)當(dāng)理解意指為最小 結(jié)構(gòu)單元的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元(CRU)，其重復(fù)構(gòu)成規(guī)則的大分子、規(guī)則的低聚物分子、規(guī)則的嵌 段或規(guī)則的鏈(Pure Appl.化em.，1996,68,2291)。如本文中進(jìn)一步使用，術(shù)語(yǔ)"單元"應(yīng)當(dāng) 理解意指本身可W為重復(fù)單元或者可與其它單元一起形成結(jié)構(gòu)重復(fù)單元的結(jié)構(gòu)單元。
[0053] 如本文所用，"端基"應(yīng)當(dāng)理解意指終止聚合物骨架的基團(tuán)。表述"在骨架的末端位 置上"應(yīng)當(dāng)理解意指在一側(cè)與運(yùn)樣的端基相連并在另一側(cè)上與另一重復(fù)單元相連的二價(jià)單 元或重復(fù)單元。端基包括封端基團(tuán)或者連接在不參與聚合反應(yīng)的形成聚合物骨架的單體上 的反應(yīng)性基團(tuán)，例如具有如下文所定義的R5或R6的含義的基團(tuán)。
[0054] 如本文所用，術(shù)語(yǔ)"封端基團(tuán)"應(yīng)當(dāng)理解意指連接在聚合物骨架的端基上或者替代 端基的基團(tuán)。封端基團(tuán)可通過(guò)封端方法引入聚合物中。封端可例如通過(guò)聚合物骨架的端基 與單官能化合物Γ封端劑"）如烷基-或芳基面化物、烷基-或芳基錫燒或者烷基-或芳基棚 酸鹽反應(yīng)而進(jìn)行。封端劑可例如在聚合反應(yīng)W后加入。或者，封端劑可在聚合反應(yīng)W前或期 間就地加入反應(yīng)混合物中。封端劑的就地添加也可用于終止聚合反應(yīng)，因此控制所形成的 聚合物的分子量。典型的封端基團(tuán)為例如H、苯基和低級(jí)烷基。
[0055] 如本文所用術(shù)語(yǔ)"小分子"意指通常不包含反應(yīng)性基團(tuán)的單體化合物，反應(yīng)性基團(tuán) 為可通過(guò)其反應(yīng)形成聚合物的那些，且其被指定W單體形式使用。與其不同，除非另外指 出，術(shù)語(yǔ)"單體"意指帶有一個(gè)或多個(gè)反應(yīng)性官能團(tuán)的單體化合物，所述反應(yīng)性官能團(tuán)為可 通過(guò)其反應(yīng)形成聚合物的那些。
[0056] 如本文所用術(shù)語(yǔ)"給體"或"給"和"受體"或"受"分別應(yīng)當(dāng)理解意指電子給體或電 子受體。"電子給體"應(yīng)當(dāng)理解意指將電子供給另一化合物或化合物的另一原子基團(tuán)的化學(xué) 主體。"電子受體"應(yīng)當(dāng)理解意指接收從另一化合物或化合物的另一原子基團(tuán)轉(zhuǎn)移給它的電 子的化學(xué)主體。還參見(jiàn)International Union of Pure and Applied Chemistry， Compendium of Qiemical Technology,Gold Book,Version 2.3.2,2012年8月19日，第477 和480頁(yè)。
[0057] 如本文所用術(shù)語(yǔ)"η型"或"η-型半導(dǎo)體"應(yīng)當(dāng)理解意指其中導(dǎo)電電子密度超過(guò)可移 動(dòng)空穴密度的外質(zhì)半導(dǎo)體，術(shù)語(yǔ)"Ρ型"或"Ρ型半導(dǎo)體"應(yīng)當(dāng)理解意指其中可移動(dòng)空穴密度超 過(guò)導(dǎo)電電子密度的外質(zhì)半導(dǎo)體（也參見(jiàn)J.T'hewlisiConcise Dictionary of Physics， Pergamon Press，0xford，1973)。
[0058] 如本文所用術(shù)語(yǔ)"離去基團(tuán)"意指從被認(rèn)為是參與指定反應(yīng)的分子的殘余部分或 主要部分的那部分中的原子上脫離的原子或基團(tuán)（帶電或不帶電）（還參見(jiàn)Pure Appl.Qiem.，1994,66，11：34)。
[0059] 如本文所用術(shù)語(yǔ)"共輛"應(yīng)當(dāng)理解意指主要包含具有sp2-雜化(或還任選sp-雜化） 的C原子且運(yùn)些C原子還可被雜原子替代的化合物(例如聚合物）。在最簡(jiǎn)單的情況下，運(yùn)例 如為具有交替C-C單鍵和雙(或Ξ)鍵的化合物，還包括具有諸如1,4-亞苯基的芳族單元的 化合物。就運(yùn)點(diǎn)而言，術(shù)語(yǔ)"主要"應(yīng)當(dāng)理解意指具有可導(dǎo)致共輛中斷的天然（自發(fā))存在的 缺陷或由于設(shè)計(jì)而包括在內(nèi)的缺陷的化合物仍被認(rèn)為是共輛化合物。
[0060] 如本文所用，除非另外指出，分子量作為數(shù)均分子量Μη或重均分子量Mw給出，其通 過(guò)凝膠滲透色譜法(GPC)在洗脫溶劑如四氨巧喃、Ξ氯甲燒(TCM、氯仿）、氯苯或1，2,4-Ξ氯 苯中相對(duì)于聚苯乙締標(biāo)準(zhǔn)測(cè)定。除非另外指出，1，2,4-Ξ氯苯用作溶劑。聚合度，也稱為重 復(fù)單元的總數(shù)η應(yīng)當(dāng)理解意指作為η = Μη/Μυ給出的數(shù)均聚合度，其中Μη為數(shù)均分子量，且Mu 為單個(gè)重復(fù)單元的分子量，參見(jiàn)1.]^.6.〔0?^6，？〇15〇116'3:化6111131：巧&?1173；[。3(^10(161·]! Materials，Blackie，Glasgow，1991。
[0061] 如本文所用術(shù)語(yǔ)"碳基"應(yīng)當(dāng)理解意指任何包含至少一個(gè)碳原子的單價(jià)或多價(jià)有 機(jī)基團(tuán)結(jié)構(gòu)部分，其不具有任何非碳原子(例如-c = c-)，或者所述碳原子任選與至少一個(gè) 非碳原子如N、0、S、P、B、Si、Se、As、Te或Ge組合(例如幾基等）。術(shù)語(yǔ)"控基"應(yīng)當(dāng)理解意指還 包含一個(gè)或多個(gè)Η原子且任選包含一個(gè)或多個(gè)雜原子如N、0、S、P、B、Si、Se、As、Te或Ge的碳 基。
[0062] 如本文所用術(shù)語(yǔ)"雜原子"應(yīng)當(dāng)理解意指有機(jī)化合物中不為Η或C原子的原子，優(yōu)選 應(yīng)當(dāng)理解意指N、0、S、P、B、Si、Se、As、Te或Ge。
[0063] 包含由3或更多C原子的鏈的碳基或控基可W為直鏈、支化和/或環(huán)狀，并且可包括 螺連接環(huán)和/或稠合環(huán)。
[0064] 優(yōu)選的碳基和控基包括各自任選被取代且具有1-40，優(yōu)選1-25，非常優(yōu)選1-18個(gè)C 原子的烷基、烷氧基、烷基幾基、烷氧基幾基、烷基幾氧基和烷氧基幾氧基，此外包括具有6-40,優(yōu)選6-25個(gè)C原子的任選被取代的芳基或芳氧基，此外包括各自任選被取代且具有6-40，優(yōu)選7-40個(gè)C原子的烷基芳氧基、芳基幾基、芳氧基幾基、芳基幾氧基和芳氧基幾氧基， 其中所有運(yùn)些基團(tuán)任選包含一個(gè)或多個(gè)雜原子，所述雜原子優(yōu)選選自B、N、0、S、P、Si、Se、 As、Te和Ge。
[0(?5] 進(jìn)一步優(yōu)選的碳基和巧基包括例如：Ci-Cw烷基、Ci-C4日氣烷基、Ci-C4日烷氧基或氧 雜烷基、C2-C40鏈締基、C2-C40烘基、C3-C40締丙基、C4-C40 ^締基、C4-C40多締基、C2-C40酬基團(tuán)、 〇2-。0醋基團(tuán)、〔6_。8芳基、〔6_。0烷基芳基、〔6_。0芳基烷基、。-。0環(huán)烷基、。-。0環(huán)締基等。 在前述基團(tuán)中，分別優(yōu)選C廣C20烷基、&-C20氣烷基、C2-C20鏈締基、C2-C20烘基、C3-C20締丙基、 C4-C20二締基、C2-C20酬基團(tuán)、C2-C20醋基團(tuán)、Cs-Cu芳基和C4-C20多締基。
[0066] 還包括具有碳原子的基團(tuán)與具有雜原子的基團(tuán)的組合，例如被甲娃烷基，優(yōu)選Ξ 烷基甲娃烷基取代的烘基，優(yōu)選乙烘基。
[0067] 碳基或控基可W為無(wú)環(huán)或環(huán)狀基團(tuán)。如果碳基或控基為無(wú)環(huán)基團(tuán)，則它可W為直 鏈或支化的。
[0068] 如果碳基或控基為環(huán)狀基團(tuán)，則它可W為非芳族碳環(huán)或雜環(huán)基團(tuán)，或者芳基或雜 芳基。
[0069] 如上文和下文所提及的非芳族碳環(huán)基團(tuán)為飽和或不飽和的且優(yōu)選具有4-30個(gè)環(huán)C 原子。如上文和下文所提及的非芳族雜環(huán)基團(tuán)優(yōu)選具有4-30個(gè)環(huán)C原子，其中一個(gè)或多個(gè)C 環(huán)原子任選被優(yōu)選選自N、0、S、Si和Se的雜原子或者被-S(0)-或-S(0)2-基團(tuán)替代。非芳族 碳環(huán)和雜環(huán)基團(tuán)為單環(huán)或多環(huán)的，也可包含稠合環(huán)，優(yōu)選包含1、2、3或4個(gè)稠合或未稠合環(huán)， 且任選被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)L取代，其中：
[0070] L選自面素、-cn、-nc、-nco、-ncs、-ocn、-scn、-c(=o)nrV°、-c(=o)x°、-c(=o) RO、-畑2、-NRDrDd、-SH、-SRD、-so 抽、-SO2RD、-OH、-NO2、-CF3、-SFs、任選被取代的甲娃烷基或者 具有1-40個(gè)C原子且任選被取代且任選包含一個(gè)或多個(gè)雜原子的碳基或控基，優(yōu)選的是具 有1-20個(gè)C原子且任選氣化的烷基、烷氧基、硫烷基、烷基幾基、烷氧基幾基或烷氧基幾氧 基，且護(hù)、3^心<^具有上文或下文給出的含義。
[0071