專利名稱：具有高的濕蝕刻速率的硅氧烷樹脂型抗反射涂料組合物的制作方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明一般性地涉及用于制造半導體器件的抗反射涂料的領(lǐng)域。更具體地說，它涉及由染色的硅氧烷樹脂形成的抗反射涂料。
光刻蝕法是半導體制造領(lǐng)域中的已知技術(shù)。在典型的光刻蝕法中，半導體晶片用阻擋層，即，抗反射涂層(ARC)涂布。此后，在ARC層上涂布光刻膠層。然后使光刻膠/ARC/半導體晶片接近電磁輻射(EM)源，通常是具有大約150nm到大約300nm波長的紫外線(UV)，在EM源和光刻膠/ARC/半導體晶片之間插入掩模。掩模一般對所用的EM的波長不透過，但具有限定了所要賦予光刻膠層的所需圖案的透明區(qū)域。
當光源發(fā)射EM時，掩模使EM曝露于光刻膠層特定的和使用者規(guī)定的區(qū)域。正性光刻膠和負性光刻膠是已知的。在正性光刻膠中，曝露于UV的光刻膠區(qū)域，以及其下的ARC層的區(qū)域?qū)⒃诤罄m(xù)顯影步驟過程中損失。在負性光刻膠中，未曝露于UV的光刻膠區(qū)域，以及其下的ARC層的區(qū)域?qū)⒃诤罄m(xù)顯影步驟過程中損失。
不管光刻蝕法的細節(jié)如何，ARC層理想地具有幾種性能。一種性能是相對高的消光系數(shù)，即，相對強的吸收所用的EM波長的能力，而不是將EM向上反射到光刻膠層。第二種性能是相對低的抗液體剝離劑(stripping agent)(比如稀氫氟酸)性，以便在光刻蝕之后更快和更容易地去除，并將剝離劑對晶片上的低-k介電材料的破壞程度減到最小。
發(fā)明概述在一個實施方案中，本發(fā)明涉及包含具有通式(HSiO3/2)a(SiO4/2)b(HSiX3/2)c(SiX4/2)d的染色的硅氧烷樹脂的組合物，其中各X獨立地是-O-、-OH、或-O-(CH2)m-Zn，前提是至少一個X是-O-(CH2)m-Zn，其中Zn是含有n個芳環(huán)的多環(huán)芳烴部分，各m獨立地是1到大約5的整數(shù)，和各n獨立地是1到大約6的整數(shù)；0＜a＜1，0＜b＜1，0＜c＜1，0＜d＜1，和a+b+c+d＝1。
在另一個實施方案中，本發(fā)明涉及制備硅氧烷樹脂組合物的方法，包括使三烷氧基硅烷、四烷氧基硅烷和水在水解催化劑存在下反應，從而形成具有HSiO3/2、SiO4/2、(HSiX3/2)和SiX’4/2單元的硅氧烷樹脂，其中X’獨立地是-O-或-OH，并且基本上沒有硅-碳鍵；和使該硅氧烷樹脂與具有通式HO-(CH2)m-Zn的化合物反應，其中各m獨立地是1到大約5的整數(shù)，和各n獨立地是1到大約6的整數(shù)，從而形成硅氧烷樹脂組合物。該方法可以按序的步驟或單一的步驟進行。
在又一個實施方案中，本發(fā)明涉及在基材上制備抗反射涂層的方法，包括將組合物涂布于基材上，形成涂布的基材，其中該組合物包括具有通式(HSiO3/2)a(SiO4/2)b(HSiX3/2)c(SiX4/2)d的硅氧烷樹脂，其中各X獨立地是-O-、-OH、或-O-(CH2)m-Zn，前提是至少一個X是-O-(CH2)m-Zn，其中Zn是含有n個芳環(huán)的多環(huán)芳烴部分，各m獨立地是1到大約5的整數(shù)，和各n獨立地是1到大約6的整數(shù)；0＜a＜1，0＜b＜1，0＜c＜1，0＜d＜1，和a+b+c+d＝1；和固化該涂布的基材，從而在基材上形成抗反射的涂層。
在再一個實施方案中，本發(fā)明涉及半導體晶片，其根據(jù)上述在基材上制備抗反射涂層的方法制備。
本發(fā)明染色的硅氧烷樹脂組合物提供了對于波長為大約150nm到大約300nm的UV具有相對高的消光系數(shù)，并具有相對低的抗液體剝離劑(比如稀氫氟酸)性，即，高的濕蝕刻速率的ARC層。
示例性實施方案的說明在一個實施方案中，本發(fā)明涉及包括具有以下通式的硅氧烷樹脂的組合物(HSiO3/2)a(SiO4/2)b(HSiX3/2)c(SiX4/2)d，其中各X獨立地是-O-、-OH、或-O-(CH2)m-Zn，前提是至少一個X是-O-(CH2)m-Zn，其中Zn是含有n個芳環(huán)的多環(huán)芳烴部分，各m獨立地是1到大約5的整數(shù)，和各n獨立地是1到大約6的整數(shù)；0＜a＜1，0＜b＜1，0＜c＜1，0＜d＜1，和a+b+c+d＝1。
該HSiO3/2和SiO4/2單元是技術(shù)人員所公知的。通常，少量的“SiO4/2”單元包括一個或多個硅烷醇(Si-OH)部分，即，一些SiO4/2單元可以具有化學式比如HO-SiO3/2、(HO)2SiO2/2等，而仍保持在術(shù)語“SiO4/2單元”的范圍內(nèi)。
這里定義的HSiX3/2單元是指包括一個或多個下列結(jié)構(gòu)的單元。為了方便起見，在以下各結(jié)構(gòu)中僅僅示出了三個非氫硅化合價中的一個；未示出的兩個化合價可以選自以下任何一種結(jié)構(gòu)。在其中X是-O-的一種結(jié)構(gòu)中，HSiX3/2單元將包括Si-O-，它是指X部分的氧鍵接于樹脂的另一單元的硅原子上。在其中X是-OH的另一結(jié)構(gòu)中，HSiX3/2單元將包括Si-OH，它可以被稱為硅烷醇部分。在其中X是-O-(CH2)m-Zn的第三種結(jié)構(gòu)中，該HSiX3/2單元將包括Si-O-(CH2)m-Zn。
這里定義的SiX4/2是指包括一種或多種以下結(jié)構(gòu)的單元。為了方便起見，在以下各結(jié)構(gòu)中僅僅示出了四個硅化合價中的一個；未示出的三個硅化合價可以選自以下結(jié)構(gòu)的任何一種，前提是至少一個X是-O-(CH2)m-Zn。在其中X是-O-的一種結(jié)構(gòu)中，SiX4/2單元將包括Si-O-，它是指X部分的氧鍵接于樹脂的另一單元的硅原子上。在其中X是-OH的另一結(jié)構(gòu)中，SiX4/2單元將包括Si-OH，它可以被稱為硅烷醇部分。在其中X是-O-(CH2)m-Zn的第三種結(jié)構(gòu)中，SiX4/2單元將包括Si-O-(CH2)m-Zn。
本文所使用的術(shù)語“Zn”是指包括n個芳環(huán)的取代或未取代的多環(huán)芳烴部分，其中n是1到大約6；例如，尤其是苯基、萘基、菲基、蒽基、基、芘基或蒄基部分。在一個實施方案中，X獨立地是-O-、-OH、或-O-(CH2)m-Z3，前提是至少一個X是-O-(CH2)m-Z3。在一個實施方案中，-(CH2)m-Z3是9-蒽亞甲基部分(即，m＝1)。
樹脂的各個單元的比例可以改變，前提是各自的摩爾分數(shù)是0-1(即，0＜a＜1，0＜b＜1，0＜c＜1，0＜d＜1)和摩爾分數(shù)的總和是1。在一個實施方案中，該摩爾分數(shù)具有0.3≤a≤0.7、0.3≤b≤0.7、以及0＜(c+d)≤0.6的值。
該組合物可以進一步包括有機溶劑。示例性溶劑包括，但不限于，尤其是2-乙氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、和丙二醇單醚。該組合物可以包括大約80wt％到大約99wt％的溶劑。該組合物可以進一步包括可用于涂料應用或可以使用該組合物的其它應用的附加組分。在一個實施方案中，該組合物進一步包括水。該組合物可以包括大約0wt％到大約15wt％的水。在另一個實施方案中，該組合物進一步包括非揮發(fā)性的酸，比如硫酸(H2SO4)，其可以促進薄膜在適度低溫下的固化。該組合物可以包括大約0ppm(總組合物的重量百萬分率)到大約500ppm的酸。
在一個實施方案中，本發(fā)明涉及制備硅氧烷樹脂組合物的方法，包括(i)使三烷氧基硅烷、四烷氧基硅烷和水在水解催化劑存在下反應，從而形成具有HSiO3/2、SiO4/2、HSiX’3/2和SiX’4/2單元的第一硅氧烷樹脂，其中X’獨立地是-O-或-OH，并且基本上沒有硅-碳鍵；和(ii)使第一硅氧烷樹脂與具有通式HO-(CH2)m-Zn的化合物反應，其中各m獨立地是1到大約5的整數(shù)，和各n獨立地是1到大約6的整數(shù)，從而形成硅氧烷樹脂組合物。
在反應步驟(i)中，三烷氧基硅烷、四烷氧基硅烷和水可以在水解催化劑的存在下反應，形成第一硅氧烷樹脂。
本文所使用的“三烷氧基硅烷”是具有通式HSiR3的化合物，其中各R獨立地是C1-C6-烷氧基部分。示例性的烷氧基部分包括，但不限于，尤其是甲氧基、正丙氧基和正丁氧基部分。在一個實施方案中，三烷氧基硅烷是三乙氧基硅烷(HSi(OCH2CH3)3)。
本文所使用的“四烷氧基硅烷”是具有通式SiR4的化合物，其中各R獨立地是如上所述的C1-C6烷氧基部分。在一個實施方案中，四烷氧基硅烷是四乙氧基硅烷(Si(OCH2CH3)4)。
三烷氧基硅烷∶四烷氧基硅烷的重量比可以是0∶1到1∶0。三烷氧基硅烷∶四烷氧基硅烷的重量比越高，第一硅氧烷樹脂中的HSiO3/2與SiO4/2單元的摩爾分數(shù)比越高。三烷氧基硅烷和四烷氧基硅烷可以統(tǒng)稱為“烷氧基硅烷”。
在反應(i)中的水量可以是大約2摩爾份/摩爾份的烷氧基硅烷到大約15摩爾份/摩爾份的烷氧基硅烷。在一個實施方案中，水的量是大約3摩爾份/摩爾份的烷氧基硅烷到大約5摩爾份/摩爾份的烷氧基硅烷。雖然不受理論制約，在反應(i)中包括水據(jù)信導致了硅烷醇(Si-OH)部分的形成。據(jù)信有一些、但通常不是全部的硅烷醇部分與其它硅烷醇部分(Si-OH+HO-Si)經(jīng)歷了縮合反應，從而形成了氧化硅鍵(Si-O-Si)和水(H2O)。剩余的硅烷醇部分有待縮合，因此潛在地可與醇部分進行反應。
一般而言，烷氧基硅烷不溶于水，或者少量溶于水。鑒于此，反應(i)可以在有機溶液中進行，這是指，烷氧基硅烷可以溶于有機溶劑，在這些有機溶劑中，它們是相對高度可溶或混溶的。在一個實施方案中，有機溶劑是2-乙氧基乙醇。在另一個實施方案中，有機溶劑是1-甲氧基-2-丙醇。有機溶劑可以足夠溶解反應混合物的其它組分的任何量存在。在一個實施方案中，有機溶劑∶烷氧基硅烷的重量比是至少大約10∶1。在另一個實施方案中，有機溶劑以反應混合物的總重量的大約70％到大約99％的量存在。
或者，反應(i)可以在水溶液中的懸浮液，或者在水溶液中的乳液中進行，其中在后一種技術(shù)中，可以使用適當?shù)谋砻婊钚詣┗蛑軇﹣硎雇檠趸柰樵谒芤褐兄辽傧鄬Ω叨鹊乜扇堋?br> 反應步驟(i)的溫度不是嚴格要求的，只要它是可以形成第一硅氧烷樹脂的溫度。
反應步驟(i)的持續(xù)時間不是嚴格要求的，只要它足以使反應進行到所需的完全度。
反應步驟(i)可以在促進反應的催化劑(“水解催化劑”)的存在下進行。該催化劑可以是堿或酸。在一個實施方案中，反應步驟(i)可以在無機酸的存在下進行。有用的無機酸包括，但不限于，尤其是HCl、HF、HBr、HNO3和H2SO4。在一個實施方案中，該催化劑是HCl。HCl或其它揮發(fā)性酸的益處是在反應(i)完成之后通過汽提(stripping)可以容易地從組合物中除去揮發(fā)性酸。催化劑的量可以取決于其性質(zhì)。例如，當該催化劑是HCl時，可以使用反應混合物總重量的0.05-1wt％的HCl。
第一硅氧烷樹脂基本上沒有硅-碳鍵，即，鍵接于硅原子上的所有原子中低于約5mol％是碳。然而，少數(shù)硅-碳鍵可以由于反應的結(jié)果，比如由于低水平的副反應，或由于存在具有硅-碳鍵的反應物的污染物而形成。
在反應步驟(ii)中，第一硅氧烷樹脂可以與具有通式HO-(CH2)m-Zn的化合物反應，其中各m獨立地是1到大約5的整數(shù)，和各n獨立地是1到大約6的整數(shù)，從而形成硅氧烷樹脂組合物。
具有通式HO-(CH2)m-Zn的化合物在本領(lǐng)域中是已知的，并常常具有染料的性能，這意味著它們在電磁(EM)輻射的一個或多個波長下，比如在EM光譜的紫外線區(qū)域內(nèi)的波長下，具有相對高的消光系數(shù)。相對高的消光系數(shù)導致了EM輻射在該一個或多個波長下相對高的吸光度和相對低的透射率。在一個實施方案中，具有通式HO-(CH2)m-Zn的化合物是9-蒽甲醇。在另一個實施方案中，該化合物是羥芐基醇。在又一個實施方案中，該化合物是芐氧基芐醇。
反應步驟(ii)可以通過將具有通式HO-(CH2)m-Zn的化合物加入到含有該第一硅氧烷樹脂的溶液、懸浮液或乳液中來進行。任選地，化合物，比如水或非揮發(fā)性無機酸，比如H2SO4，可以在反應步驟(ii)之前或之后添加。在一個實施方案中，水的量是大約0到大約15重量份/100重量份的總組合物。在一個實施方案中，非揮發(fā)性無機酸的量是大約0到大約500重量份，基于每百萬重量份的總組合物。
化合物HO-(CH2)m-Zn可以從大約1重量份化合物1重量份第一硅氧烷樹脂到大約1重量份化合物10重量份第一硅氧烷樹脂的量存在。
反應步驟(ii)的溫度不是嚴格要求的，只要它是具有通式HO-(CH2)m-Zn的化合物可以與第一硅氧烷樹脂的硅烷醇部分起反應的溫度。在一個實施方案中，反應步驟(ii)可以在大約25℃到大約反應組分(樹脂，具有通式HO-(CH2)m-Zn的化合物，如果有的溶劑，或者如果有的水，還有其在第二反應混合物中的存在可能是理想的其它化合物)的沸點溫度下進行。
反應步驟(ii)的持續(xù)時間不是嚴格要求的，只要它足以使具有通式HO-(CH2)m-Zn的化合物與第一硅氧烷樹脂的硅烷醇部分的反應進行到所需的完全度。在一個實施方案中，反應步驟(ii)的持續(xù)時間可以是大約10分鐘到大約60分鐘。
反應步驟(ii)可以在促進具有通式HO-(CH2)m-Zn的化合物與第一硅氧烷樹脂的硅烷醇部分之間的反應的催化劑存在下進行。該催化劑可以是堿或酸。在一個實施方案中，反應步驟(ii)可以在無機酸的存在下進行。
作為反應步驟(ii)的結(jié)果，第一硅氧烷樹脂被-O-(CH2)m-Zn部分而取代。因為該部分具有染料的性能，所以產(chǎn)物可以被稱為“染色的硅氧烷樹脂”。
反應步驟(i)和(ii)可以按序或同時進行。在同時進行的情況下，烷氧基硅烷、水和具有通式HO-(CH2)m-Zn的化合物在水解催化劑存在下反應，形成染色的硅氧烷樹脂。
在另一個實施方案中，本發(fā)明涉及在基材上制備抗反射涂層的方法，包括將組合物涂布于基材上，形成涂布的基材，其中該組合物包括具有通式(HSiO3/2)a(SiO4/2)b(HSiX3/2)c(SiX4/2)d的硅氧烷樹脂，其中各X獨立地是-O-、-OH、或-O-(CH2)m-Zn，前提是至少一個X是-O-(CH2)m-Zn，其中Zn是含有n個芳環(huán)的多環(huán)芳烴部分，各m獨立地是1到大約5的整數(shù)，和各n獨立地是1到大約6的整數(shù)；0＜a＜1，0＜b＜1，0＜c＜1，0＜d＜1，和a+b+c+d＝1；和固化該涂布的基材，從而在基材上形成抗反射的涂層。
在涂布步驟中，該組合物如上所述。-O-(CH2)m-Zn在硅氧烷樹脂中的存在賦予了硅氧烷樹脂以抗反射的性能?；目梢允切枰迷摻M合物的硅氧烷樹脂涂布的任何材料。在一個實施方案中，該基材是半導體晶片，比如硅片。通常，該晶片可以包括至少一個半導體層和多個包括各種導電性、半導性或絕緣材料的其它層。
涂布可以通過任何適當?shù)募夹g(shù)來進行。在一個實施方案中，該涂布可以通過涂敷來進行。通常，涂布包括旋轉(zhuǎn)基材，比如在大約2000RPM下，和將溶液加入到旋轉(zhuǎn)基材的表面上。
對涂布的基材進行固化，從而在基材上形成抗反射的涂層。固化通常包括將涂布的基材加熱到足夠的溫度，并持續(xù)足夠的時間，以導致固化。在一個實施方案中，涂布的基材可以在大約50℃到大約300℃下加熱大約0.1分鐘到大約60分鐘的時間。在另一個實施方案中，涂布的基材可以在大約150℃到大約275℃下加熱大約1分鐘到大約5分鐘的時間。
為了防止涂布的組合物的染色硅氧烷樹脂在固化過程中與氧或碳反應，該固化步驟可以在惰性氣氛下進行。本文所使用的“惰性氣氛”是基本上缺乏含氧氣體和含碳氣體的氣體或氣體混合物。惰性氣氛可以包括氮氣、稀有氣體或它們的混合物。在一個實施方案中，惰性氣氛主要由氮氣與如果有的其它組分(工業(yè)級或研究級氮氣的典型污染物)組成。
一旦固化，包括抗反射涂層的基材可以在進一步的基材加工步驟(比如光刻蝕)中使用。
以下實施例用來說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方案。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，在以下實施例中公開的技術(shù)代表了在本發(fā)明的實施中起效良好的由發(fā)明人所發(fā)現(xiàn)的技術(shù)，因此可以被認為構(gòu)成了其優(yōu)選實施方式。然而，根據(jù)本發(fā)明的公開內(nèi)容，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在所公開的特定實施方案中可以做出許多改變，并且還能獲得相同或類似的結(jié)果。
實施例1通過在玻璃容器中以表1所示用量合并組分(A)2-乙氧基乙醇、(B)8.4％HCl/H2O溶液、(C)三乙氧基硅烷、(D)四乙氧基硅烷和(E)甲基三甲氧基硅烷來制備硅氧烷樹脂樣品1-1到1-11。所得溶液在回流下加熱10分鐘。根據(jù)表1添加(F)10％硫酸水溶液。在減壓和70℃下汽提出反應產(chǎn)物中的揮發(fā)物，直到固體含量為2.64％為止。
表1 硅氧烷樹脂樣品的制備
實施例2通過根據(jù)表2將1.42重量份的9-蒽甲醇、100重量份的樹脂溶液和11.4重量份的水混合，并將該混合物在回流下加熱40分鐘來制備染色的硅氧烷樹脂樣品2-1到2-6。用0.2μm過濾器過濾產(chǎn)物，在2000RPM下在硅片上旋涂，使用Rapid Thermal Processor在氮氣中在200℃下固化3分鐘。使用Woolam Elliposometer測試固化涂層的消光系數(shù)，并通過用0.2％的HF水溶液處理薄膜2分鐘，用水沖洗和然后用2-乙氧基乙醇溶劑沖洗，以及測試蝕刻之前和之后的厚度來測試HF蝕刻速率。結(jié)果在表2中總結(jié)。實施例2-1到2-6證明，有機溶劑中的基本不含Si-C鍵的染色硅氧烷樹脂形成了在熱固化之后可保持其光學性能并具有高HF蝕刻速率的薄膜。
表2 基本上不含Si-C鍵的染色硅氧烷樹脂樣品的制備和表征(K是消光系數(shù))
對比例3通過將1.42重量份的9-蒽甲醇、100重量份的表3所示的具有大量Si-C鍵的樹脂溶液和11.4重量份的水混合，并將該混合物在回流下加熱40分鐘來制備染色的硅氧烷樹脂樣品C3-1到C3-5。用0.2μm過濾器過濾產(chǎn)物，在2000RPM下在硅片上旋涂，使用Rapid ThermalProcessor在氮氣中在200℃下固化3分鐘。使用WoolamElliposometer測試固化涂層的消光系數(shù)，并通過用0.2％的HF水溶液處理薄膜2分鐘，用水沖洗和然后用2-乙氧基乙醇溶劑沖洗，以及測試蝕刻之前和之后的厚度來測試HF蝕刻速率。結(jié)果在表3中總結(jié)。對比例C3-1到C3-5證明，含有大量Si-C鍵的硅氧烷樹脂型組合物產(chǎn)生了具有低HF蝕刻速率的薄膜。
表3 具有大量Si-C鍵的染色硅氧烷樹脂樣品的制備和表征(K是消光系數(shù))
按照本發(fā)明的公開內(nèi)容，不用過多實驗就能夠制備這里所公開和要求保護的所有組合物和實施這里所公開和要求保護的方法。雖然根據(jù)優(yōu)選實施方案描述了本發(fā)明的組合物和方法，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，在不偏離本發(fā)明的原理、精神和范圍的情況下，可以對本文所述的組合物和方法以及所述方法的步驟或步驟的順序做出改變。更具體地說，顯而易見的是，化學上相關(guān)的某些試劑可以替代這里所述的試劑，同時可獲得相同或類似的結(jié)果。對本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見的是，所有這些類似的替代和改變被認為是在由所附權(quán)利要求定義的本發(fā)明的精神、范圍和原理之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.組合物，包含具有通式(HSiO3/2)a(SiO4/2)b(HSiX3/2)c(SiX4/2)d的硅氧烷樹脂，其中各X獨立地是-O-、-OH、或-O-(CH2)m-Zn，前提是至少一個X是-O-(CH2)m-Zn，其中Zn是含有n個芳環(huán)的多環(huán)芳烴部分，各m獨立地是1到大約5的整數(shù)，Z是芳族部分，和各n獨立地是1到大約6的整數(shù)；0＜a＜1，0＜b＜1，0＜c＜1，0＜d＜1，和a+b+c+d＝1。
2.權(quán)利要求1的組合物，其中0.3≤a≤0.7，0.3≤b≤0.7，和0＜(c+d)≤0.6。
3.權(quán)利要求1的組合物，其中各X獨立地是-O-、-OH、或-O-(CH2)-Z3，前提是至少一個X是-O-(CH2)m-Z3。
4.權(quán)利要求3的組合物，其中-(CH2)m-Z3是9-蒽亞甲基部分。
5.權(quán)利要求1的組合物，進一步包括有機溶劑。
6.權(quán)利要求5的組合物，其中該有機溶劑是2-乙氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、或丙二醇單醚。
7.制備染色的硅氧烷樹脂組合物的方法，包括(i)使三烷氧基硅烷、四烷氧基硅烷和水在水解催化劑存在下反應，從而形成具有HSiO3/2、SiO4/2、HSiX’3/2和SiX’4/2單元的第一硅氧烷樹脂，其中X’獨立地是-O-或-OH，并且基本上沒有硅-碳鍵；和(ii)使第一硅氧烷樹脂與具有通式HO-(CH2)m-Zn的化合物反應，其中各m獨立地是1到大約5的整數(shù)，Z是芳族部分，和各n獨立地是1到大約6的整數(shù)，從而形成染色的硅氧烷樹脂組合物。
8.權(quán)利要求7的方法，其中水解催化劑是堿或酸。
9.權(quán)利要求8的方法，其中水解催化劑是無機酸。
10.權(quán)利要求7的方法，其中反應步驟(ii)在大約25℃到大約反應組分的沸點溫度下進行大約10分鐘到大約60分鐘。
11.權(quán)利要求7的方法，其中反應步驟(ii)在無機酸的存在下進行。
12.權(quán)利要求7的方法，其中反應步驟(i)和(ii)同時進行。
13.染色的硅氧烷樹脂組合物，其通過權(quán)利要求7的方法制備。
14.在基材上制備抗反射涂層的方法，包括(i)將組合物涂布于基材上，形成涂布的基材，其中該組合物包括具有通式(HSiO3/2)a(SiO4/2)b(HSiX3/2)c(SiX4/2)d的硅氧烷樹脂，其中各X獨立地是-O-、-OH、或-O-(CH2)m-Zn，前提是至少一個X是-O-(CH2)m-Zn，其中Zn是含有n個芳環(huán)的多環(huán)芳烴部分，各m獨立地是1到大約5的整數(shù)，Z是芳族部分，和各n獨立地是1到大約6的整數(shù)；0＜a＜1，0＜b＜1，0＜c＜1，0＜d＜1，和a+b+c+d＝1；和(ii)固化該涂布的基材，從而在基材上形成抗反射的涂層。
15.權(quán)利要求14的方法，其中固化步驟(ii)包括在大約50℃到大約300℃下將涂布的基材加熱大約0.1分鐘到大約60分鐘的時間。
16.權(quán)利要求15的方法，其中固化步驟(ii)包括在大約150℃到大約275℃下將涂布的基材加熱大約1分鐘到大約5分鐘的時間。
17.權(quán)利要求15的方法，其中固化步驟(ii)在惰性氣氛下進行。
18.權(quán)利要求17的方法，其中該惰性氣氛主要由氮氣組成。
19.半導體晶片，其根據(jù)權(quán)利要求14的方法制備。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種組合物，其包括具有通式(HSiO
文檔編號C08L83/04GK1780874SQ200480011376
公開日2006年5月31日 申請日期2004年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月23日
發(fā)明者B·鐘, E·S·莫耶 申請人:陶氏康寧公司