專利名稱：可交聯的取代芴化合物和基于其的共軛低聚物或聚合物的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及新的可交聯的芴化合物及它們的制備方法。本發(fā)明還涉及這種化合物的低聚物和聚合物，所述的化合物包括其交聯衍生物，以及由這種化合物、低聚物或聚合物制備的薄膜和涂層，制備這種薄膜和涂層的方法，以及包含一層或多層的這種聚合物薄膜的電子器件，特別是場致發(fā)光器件。
背景技術：
美國專利6，605，373,6, 362，310,6, 255，449,6, 255，447,6, 169，163,5, 962，631
和相關專利公開某些可交聯的取代芴化合物，以及來自于它們的低聚物和聚合物。 Macromolecular Rapid Communi r,a.ti on 21, 583-589 (2000)描述了含有含可交聯的氧雜環(huán)丁燒基的可交聯空穴傳輸材料的芳基胺的合成。Macromolecular Rapid Communication 20,224-228(1999)描述了含有可交聯的氧雜環(huán)丁烷基的三芳基胺小分子的合成，可以將所述的三芳基胺小分子旋涂并且交聯成薄膜。上面的參考文獻，在所公開的交聯聚合物的范圍內，缺少共軛聚合物骨架，并且只具有受限的電荷傳輸能力。在WO 2004/072123中，公開了用于有機發(fā)光顯示器中的含芴二基的化合物。相關的化合物還公開于美國專利6，559，256和于2004年3月18日公開的USA 2004/0054152中。顯示技術的最新進展得到用于場致發(fā)光器件如發(fā)光二極管(LED)的改進化合物和制造技術。對于大部分可見光譜，現在可以得到高亮度的材料，包括發(fā)藍光的化合物。最近，已經發(fā)現通過將電荷傳輸層結合在活性或發(fā)光層與陽極之間的多層LED中，可以得到多層LED的活性或發(fā)光層的提高的壽命和效率。這種層也可以稱作空穴注入層和/或空穴傳輸層，其目的在于改善空穴向發(fā)光層的注入并且在陽極和發(fā)光層之間提供緩沖層。在其它應用中，已經表明這種在空穴傳輸層和發(fā)光層之間的中間層提供改善的器件效率和壽命。本發(fā)明涉及新化合物，該化合物用于多層LED的空穴傳輸層和中間層，以及其它電子器件如場效應晶體管(FET)、光電池，并且甚至用于集成電路或印刷電路板。

發(fā)明內容
在一個方面，本發(fā)明提供一種可交聯的化合物，其含有一種或多種下式的芴二
權利要求
1.一種可交聯的組合物，其包含具有經驗式Ia的低聚物或聚合物
2.一種下式的可交聯低聚物或聚合物(
3.根據權利要求2的可交聯低聚物或聚合物，其具有下面的結構，或
4. 一種對應于下式的交聯聚合物
全文摘要
本發(fā)明公開了可交聯的取代芴化合物；由這種可交聯的化合物制備的低聚物和聚合物；薄膜和涂層；以及包含這種薄膜的多層電子器件。
文檔編號C07C25/24GK102585172SQ20121003464
公開日2012年7月18日 申請日期2004年10月25日 優(yōu)先權日2003年11月17日
發(fā)明者M·因巴斯卡格, 余旺林 申請人:住友化學株式會社