專利名稱：雜環(huán)化合物和包括該化合物的有機發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由通式I或通式2表示的雜環(huán)化合物以及包括該雜環(huán)化合物的有機發(fā)
光裝置。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光裝置(OLED)為自發(fā)光裝置，具有如寬視角、優(yōu)異的對比度、快速反應(yīng)、高亮度、優(yōu)異的驅(qū)動電壓特性等優(yōu)點，并具有提供彩色圖像的能力。常規(guī)OLED具有包括基板，和依次堆疊在基板上的陽極、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)和陰極的結(jié)構(gòu)。在此情況下，HTL、EML和ETL是有機化合物形成的有機薄膜。具有上述結(jié)構(gòu)的常規(guī)OLED的工作原理如下。當(dāng)在陽極和陰極之間施加電壓時，由陽極注入的空穴通過HTL向EML遷移，且由陰極注入的電子通過ETL向EML遷移?？昭ê碗娮釉贓ML中再結(jié)合以產(chǎn)生激子。當(dāng)激子從激發(fā)態(tài)降至基態(tài)時，發(fā)出光。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于有機發(fā)光裝置的新雜環(huán)化合物，該有機發(fā)光裝置具有低電壓、高亮度、高效率和長壽命。本發(fā)明提供一種包括該雜環(huán)化合物的有機發(fā)光裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種由以下通式I或通式2表示的雜環(huán)化合物通式I
權(quán)利要求
1.一種由以下通式I或通式2表示的雜環(huán)化合物 通式I
2.如權(quán)利要求I所述的雜環(huán)化合物，其中R1至R17各自獨立地為氫原子、重氫原子、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、取代或未取代的戊基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的聯(lián)苯基、取代或未取代的聯(lián)三苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的苯氧基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的吡喃基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的二嗪基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的苯并噁唑基、取代或未取代的戊搭烯基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的奧基、取代或未取代的庚搭烯基、取代或未取代的引達省基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的葩基、取代或未取代的菲啶基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的熒蒽基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的B基、取代或未取代的并四苯基、取代或未取代的茜基、取代或未取代的茈基、取代或未取代的二苯并菲基、取代或未取代的并六苯基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的咪唑啉基、取代或未取代的吡唑基、取代或未取代的咪唑并吡啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的咪唑并嘧啶基、取代或未取代的噠嗪基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的吲嗪基、取代或未取代的異吲嗪基、取代或未取代的吡啶并吲嗪基、取代或未取代的吲唑基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的嘌呤基、取代或未取代的苯并喹啉基、取代或未取代的2，3-二氮雜萘基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的喹喔啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的噌啉基、取代或未取代的吩嗪基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并呋喃基、 取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的噻唑基、取代或未取代的異噻唑基、取代或未取代的苯并噻唑基、取代或未取代的噁唑基、取代或未取代的異噁唑基、取代或未取代的噁二唑基、取代或未取代的三唑基、或取代或未取代的四唑基。
3.如權(quán)利要求I所述的雜環(huán)化合物，其中R1至R17各自獨立地選自由氫原子、重氫原子、鹵素原子、取代或未取代的甲基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的丁基、以及由以下通式2A至2P表示的基組成的組中 通式2A 通式2B
4.如權(quán)利要求I所述的雜環(huán)化合物，其中R1至R17各自獨立地選自由氫原子、重氫原子、鹵素原子、取代或未取代的甲基、取代或未取代的丙基、取代或未取代的叔丁基、由以下式3A至3U表示的基組成的組中
5.如權(quán)利要求I所述的雜環(huán)化合物，其中Ar1和Ar2各自獨立地為取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺芴基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的獲基、取代或未取代的茈基、取代或未取代的噁二唑基中的一種。
6.如權(quán)利要求I所述的雜環(huán)化合物,其中Ar1和Ar2各自獨立地為由以下通式4Α至4G表不的基中的一種
7.如權(quán)利要求I所述的雜環(huán)化合物，其中Ar1和Ar2各自獨立地為由以下通式5Α至50表不的基中的一種
8.如權(quán)利要求I所述的雜環(huán)化合物，其中A和B各自獨立地為-O-、-S-、-C(=O) -> -S ( = O) - (O = ) S ( = O)-、以及由通式6A至6Z表示的基中的一種 通式6A 通式6B
9.如權(quán)利要求8所述的雜環(huán)化合物，其中A和B各自獨立地為-O-、-S-、-C(=0)-、-S( = 0)-、-(0 = )S( = O)-、以及由以下式7A至7AE表示的基中的一種 式7A 式7B
10.如權(quán)利要求I所述的雜環(huán)化合物，其中由通式I或通式2表示的所述雜環(huán)化合物包含至少一種由以下式3、7、14、18、22、38、55、64和85表示的化合物
11.一種有機發(fā)光裝置，包括第一電極； 與所述第一電極相對布置的第二電極；以及 插入在所述第一電極和所述第二電極之間的有機層，其中所述有機層包括至少一個層和至少一種由如權(quán)利要求I至10中任意一項所述的由通式I和通式2表示的雜環(huán)化合物。
12.如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光裝置，其中所述有機層包括發(fā)光層、空穴注入層、空穴傳輸層和具有空穴注入和空穴傳輸能力的空穴注入和傳輸層中至少一個層，且所述發(fā)光層、所述空穴注入層、所述空穴傳輸層和所述空穴注入和傳輸層中至少一個層包含至少一種所述由通式I和通式2表示的雜環(huán)化合物。
13.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光裝置，其中所述有機層包括含有主體和摻雜劑的發(fā)光層，且所述雜環(huán)化合物為所述發(fā)光層的突光主體、磷光主體或突光摻雜劑。
14.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光裝置，其中所述有機層包括含有主體和摻雜劑的發(fā)光層，且所述發(fā)光層進一步包含磷光摻雜劑。
15.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光裝置，其中所述空穴注入層、所述空穴傳輸層以及所述空穴注入和傳輸層中至少一個層除了所述雜環(huán)化合物以外進一步包含電荷產(chǎn)生材料。
16.如權(quán)利要求15所述的有機發(fā)光裝置，其中所述電荷產(chǎn)生材料為P-型摻雜劑。
17.如權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光裝置，其中所述有機層進一步包括電子傳輸層，且所述電子傳輸層包含電子傳輸有機化合物和含金屬的材料。
18.如權(quán)利要求17所述的有機發(fā)光裝置，其中所述含金屬的材料包括鋰復(fù)合物。
19.如權(quán)利要求11所述的有機發(fā)光裝置，其中采用濕法工藝形成所述有機層中至少一個層。
全文摘要
一種由以下通式1或通式2表示的雜環(huán)化合物，以及包括該雜環(huán)化合物的有機發(fā)光裝置。該有機發(fā)光裝置可包括含有該雜環(huán)化合物的有機層，從而可具有低驅(qū)動電壓、高發(fā)光效率和長壽命的特性。通式1，通式2，其中，R1至R12、Ar1、Ar2、A、B、a和b如說明書中描述。
文檔編號C07D407/06GK102911112SQ201210018188
公開日2013年2月6日 申請日期2012年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月3日
發(fā)明者金榮國, 黃晳煥, 鄭惠珍, 林珍娛, 韓相鉉, 趙世珍, 李鐘赫 申請人:三星顯示有限公司