一種離子液體化學鍍銅的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種離子液體化學鍍銅的方法。具體而言，涉及包含化學鍍銅的離子 液體配制和印制板的孔金屬化。
【背景技術(shù)】
[0002] 化學鍍銅因為經(jīng)濟、簡單而成為表面處理的主要技術(shù)之一?；瘜W鍍銅在化學鍍中 占有十分重要的地位，目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于非金屬電鍍的底層、印制板的孔金屬化和電子 儀器的電磁屏蔽層等各個方面。印制板孔金屬化技術(shù)是印制板制造技術(shù)的關(guān)鍵之一，化學 鍍銅可以顯著縮短加工周期，降低生產(chǎn)成本，金屬化孔可靠性強，銅孔內(nèi)鍍層厚度非常均 勻且不存在應(yīng)力。用此種工藝方法很容易做出高精度的印制板。
[0003] 化學鍍銅溶液種類繁多，鍍液一般由銅鹽、還原劑、配位體、穩(wěn)定劑和其他添加劑 組成。其中還原劑一般為甲醛、次磷酸鈉和硼氫化鈉為還原劑。其中常見的還原劑為甲醛， 然而甲醛具有揮發(fā)性和毒性，對人體和周圍的環(huán)境均有嚴重影響。常見的方法是用次磷酸 鈉來代替甲醛，主要是用檸檬酸鈉作為絡(luò)合劑，但是其鍍銅速度低。
[0004] 根據(jù)現(xiàn)有文獻報道，化學鍍銅溶液中的甲醛對生態(tài)環(huán)境有危害，并且有致癌的潛 在危險，同時化學鍍銅溶液中的絡(luò)合劑(如H)TA等)不易進行生物降解，廢水處理困難，除此 之外，化學鍍銅溶液的穩(wěn)定性較差，操作稍有不慎就會出現(xiàn)溶液分解，需對其進行嚴格的監(jiān) 控和維護，成本極高。因此尋找一種高效、環(huán)保的方法進行化學鍍銅成為了研究的熱點。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明旨在改善上述問題，提出了一種以簡單、綠色環(huán)保的離子液體作為鍍?nèi)芤?的離子液體化學鍍銅的方法。
[0006] 本發(fā)明所述方法所采用的技術(shù)方案是：該方法包括以下步驟： (1) 作為化學鍍?nèi)芤旱碾x子液體的配制； (2) 對印制電路板進行預處理，然后將電路板置于步驟（1)制得的化學鍍?nèi)芤褐?，?50~80°C之間進行化學鍍銅。
[0007] 進一步地，所述步驟（1)的具體步驟為： a、 按摩爾比為1:2取氯化膽堿和尿素放入燒杯中，置于控溫磁力攪拌器上保持恒溫 60°C加熱，磁力攪拌0? 5小時； b、 待燒杯中形成均勻透明溶液后，將氯化銅、配位劑、還原劑和催化劑依次分別加入離 子液體中，每次加入一種試劑之前溶液均要均勻透明，保溫60°C磁力攪拌1小時，其中，按 質(zhì)量份數(shù)計，當步驟（1)獲得的透明溶液為100份時，所述氯化銅為1~3份，配位劑為2~ 6份，還原劑為3~7份，催化劑為0. 1~0. 4份。
[0008] 進一步地，所述氯化銅的濃度為5g/L~15g/L。
[0009] 進一步地，所述配位劑為酒石酸鈉，其濃度為10g/L~30g/L。
[0010] 進一步地，所述還原劑為次磷酸鈉，其濃度為15g/L~35g/L。
[0011] 更進一步地，所述催化劑是鎳、鈷、鐵的金屬鹽，濃度為0. 5g/L~2g/L。
[0012] 本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明采用離子液體作為化學鍍銅的溶液，而離子液體具 有易降解，揮發(fā)性小，通過改變離子種類即可調(diào)節(jié)離子液體的溶解性等特點，在化學鍍銅 中，利用離子液體來作為化學鍍銅的溶液能夠極大地降低溶液的揮發(fā)性，減少對人體的傷 害及對環(huán)境的污染，同時，使用過后的離子液體容易降解，不會對環(huán)境造成污染，離子液體 無味、不易燃、易與產(chǎn)物分離、易回收、可反復循環(huán)利用，是一種簡單、綠色環(huán)保的溶液，由其 制得的印制板質(zhì)量穩(wěn)定，且印制質(zhì)量好，孔金屬化均勻。
【具體實施方式】
[0013] 下面根據(jù)發(fā)明方法通過具體實施例來詳細說明。以下實施實例只是為了更好地將 本發(fā)明技術(shù)原理闡釋清楚，并不代表本發(fā)明只限制使用該實施實例。
[0014] 實施例一： 按摩爾比為1:2取氯化膽堿和尿素放入燒杯中，置于控溫磁力攪拌器上保持恒溫60°C 加熱，磁力攪拌0. 5小時。待燒杯中形成均勻透明溶液后，將氯化銅5g/L、配位劑10g/L、還 原劑15g/L和催化劑0. 5g/L依次分別加入離子液體中，每次加入試劑之前溶液均要均勻透 明，保溫60°C磁力攪拌1小時。將預處理過的印制電路板放入配制好的溶液中進行化學鍍 銅實驗，實驗溫度為50°C。
[0015] 實施例二： 按摩爾比為1:2取氯化膽堿和尿素放入燒杯中，置于控溫磁力攪拌器上保持恒溫60°C 加熱，磁力攪拌0. 5小時。待燒杯中形成均勻透明溶液后，將氯化銅8g/L、配位劑15g/L、還 原劑20g/L和催化劑lg/L依次分別加入離子液體中，每次加入試劑之前溶液均要均勻透 明，保溫60°C磁力攪拌1小時。將預處理過的印制電路板放入配制好的溶液中進行化學鍍 銅實驗，實驗溫度為60°C。
[0016] 實施例三： 按摩爾比為1:2取氯化膽堿和尿素放入燒杯中，置于控溫磁力攪拌器上保持恒溫60°C 加熱，磁力攪拌0. 5小時。待燒杯中形成均勻透明溶液后，將氯化銅12g/L、配位劑20g/L、 還原劑30g/L和催化劑1. 5g/L依次分別加入離子液體中，每次加入試劑之前溶液均要均勻 透明，保溫60°C磁力攪拌1小時。將預處理過的印制電路板放入配制好的溶液中進行化學 鍍銅實驗，實驗溫度為70°C。
[0017] 實施例四： 按摩爾比為1:2取氯化膽堿和尿素放入燒杯中，置于控溫磁力攪拌器上保持恒溫60°C 加熱，磁力攪拌0. 5小時。待燒杯中形成均勻透明溶液后，將氯化銅15g/L、配位劑30g/L、 還原劑35g/L和催化劑2g/L依次分別加入離子液體中，每次加入試劑之前溶液均要均勻透 明，保溫60°C磁力攪拌1小時。將預處理過的印制電路板放入配制好的溶液中進行化學鍍 銅實驗，實驗溫度為60°C。
[0018] 經(jīng)過實驗，上述實施例獲得的測試性能指標如表1所示。
[0019] 表 1
由表1可知，本發(fā)明采用離子液體作為化學鍍銅的溶液，其鍍銅時間短，無揮發(fā)性氣味 產(chǎn)生，溶液體系和鍍銅后的印制板體系均具有穩(wěn)定的性能表現(xiàn)，在后續(xù)的溶液處理中，其極 易降解，不會對環(huán)境造成任何的污染，也保證了人體免受傷害，其是一種全新的鍍銅方法。
[0020] 上述實例對本發(fā)明做了詳細的說明，但并不意味著本發(fā)明僅僅局限于這四種實 例。在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的情況下，對其進行改進和變形在本發(fā)明權(quán)利要求和技術(shù)之 內(nèi)，也應(yīng)屬于本發(fā)明的保護范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種離子液體化學鍍銅的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟： (1) 作為化學鍍?nèi)芤旱碾x子液體的配制； (2) 對印制電路板進行預處理，然后將電路板置于步驟（1)制得的化學鍍?nèi)芤褐?，?50~80°C之間進行化學鍍銅。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種離子液體化學鍍銅的方法，其特征在于，所述步驟（1)的 具體步驟為： a、 按摩爾比為1:2取氯化膽堿和尿素放入燒杯中，置于控溫磁力攪拌器上保持恒溫 60°C加熱，磁力攪拌0? 5小時； b、 待燒杯中形成均勻透明溶液后，將氯化銅、配位劑、還原劑和催化劑依次分別加入離 子液體中，每次加入一種試劑之前溶液均要均勻透明，保溫60°C磁力攪拌1小時，其中，按 質(zhì)量份數(shù)計，當步驟（1)獲得的透明溶液為100份時，所述氯化銅為1~3份，配位劑為2~ 6份，還原劑為3~7份，催化劑為0. 1~0. 4份。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種離子液體化學鍍銅的方法，其特征在于：所述氯化銅的 濃度為5g/L~15g/L。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種離子液體化學鍍銅的方法，其特征在于：所述配位劑為 酒石酸鈉，其濃度為l〇g/L~30g/L。5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種離子液體化學鍍銅的方法，其特征在于：所述還原劑為 次磷酸鈉，其濃度為15g/L~35g/L。6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種離子液體化學鍍銅的方法，其特征在于：所述催化劑是 鎳、鈷、鐵的金屬鹽，濃度為0. 5g/L~2g/L。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種以簡單、綠色環(huán)保的離子液體作為鍍?nèi)芤旱碾x子液體化學鍍銅的方法。該方法包括：（1）作為化學鍍?nèi)芤旱碾x子液體的配制；（2）對印制電路板進行預處理，然后將電路板置于步驟（1）制得的化學鍍?nèi)芤褐?，?0～80°之間進行化學鍍銅；本發(fā)明利用離子液體來作為化學鍍銅的溶液能夠極大地降低溶液的揮發(fā)性，減少對人體的傷害及對環(huán)境的污染，同時，使用過后的離子液體容易降解，不會對環(huán)境造成污染，離子液體無味、不易燃、易與產(chǎn)物分離、易回收、可反復循環(huán)利用。本發(fā)明可用于電路板印制領(lǐng)域。
【IPC分類】H05K3/42, C23C18/40
【公開號】CN105063582
【申請?zhí)枴緾N201510437116
【發(fā)明人】何波, 林均秀, 胡文成, 徐玉珊
【申請人】珠海元盛電子科技股份有限公司
【公開日】2015年11月18日
【申請日】2015年7月23日