的交流電(AC)電源880。非磁控管電極811彼此并且與并有空腔804的主體802互相電絕緣。以與使圖1中所示的等離子體源100的磁控管組件106彼此并且與主體102互相電絕緣相同的方式，非磁控管電極811可彼此并且與主體802互相電絕緣。
[0056]在圖8中所示的實(shí)施方案中，磁控管組件806連接至AC電源880的輸出線圈882的中心抽頭884，而非磁控管電極811連接至AC電源880的輸出線圈882的末端抽頭886。在此實(shí)施方案中，非磁控管電極811可經(jīng)歷由相鄰磁控管組件806產(chǎn)生的一定的磁性增強(qiáng)。
[0057]示例性實(shí)施方案
實(shí)施例1包括一種等離子體源，所述等離子體源包括:其中形成空腔的主體；和設(shè)置于空腔內(nèi)的至少兩個(gè)自含式磁控管組件；其中磁控管組件彼此并且與主體互相電絕緣。
[0058]實(shí)施例2包括實(shí)施例1所述的等離子體源，其中磁控管組件包括閉合漂移磁控管組件。
[0059]實(shí)施例3包括實(shí)施例1-2中任一者所述的等離子體源，其中磁控管組件中的每一者包括至少一個(gè)電極、至少一個(gè)磁體以及冷卻子系統(tǒng)。
[0060]實(shí)施例4包括實(shí)施例3所述的等離子體源，其中磁控管組件中的至少一者包括與電極和磁體中的至少一者連接的核心。
[0061]實(shí)施例5包括實(shí)施例4所述的等離子體源，其中磁控管組件中的至少一者中的冷卻子系統(tǒng)包括形成于核心中的至少一個(gè)通道。
[0062]實(shí)施例6包括實(shí)施例4-5中任一者所述的等離子體源，其中磁控管組件中的至少一者中的冷卻子系統(tǒng)包括在磁控管組件中所包括的至少一個(gè)電極的目標(biāo)部分中形成的至少一個(gè)通道。
[0063]實(shí)施例7包括實(shí)施例1-6中任一者所述的等離子體源，其進(jìn)一步包括用于在等離子體源內(nèi)分配加工氣體的歧管或?qū)Ч堋?br>[0064]實(shí)施例8包括實(shí)施例7所述的等離子體源，其中用于分配加工氣體的歧管或?qū)Ч馨ǘ绻堋?br>[0065]實(shí)施例9包括實(shí)施例1-8中任一者所述的等離子體源，其進(jìn)一步包括用于分配前體氣體的歧管或?qū)Ч堋?br>[0066]實(shí)施例10包括實(shí)施例1-9中任一者所述的等離子體源，其中至少一個(gè)電源連接于磁控管組件之間，使得磁控管組件中的相應(yīng)電極被交替加偏壓以具有彼此相反的極性。
[0067]實(shí)施例11包括實(shí)施例10所述的等離子體源，其中至少一個(gè)電源包括交流電電源和雙極性脈沖電源中的至少一種。
[0068]實(shí)施例12包括實(shí)施例1-11中任一者所述的等離子體源，其中等離子體源被配置成使得等離子體源的主體處于浮動(dòng)電位或接地電位中的一種。
[0069]實(shí)施例13包括實(shí)施例1-12中任一者所述的等離子體源，其中等離子體源被配置成使得等離子體源的主體被加偏壓至特定非接地電位。
[0070]實(shí)施例14包括實(shí)施例1-13中任一者所述的等離子體源，其中磁控管組件包括平面磁控管。
[0071]實(shí)施例15包括一種獲取等離子體的方法，其包括:向形成于等離子體源的主體內(nèi)的空腔中供應(yīng)加工氣體，所述等離子體源包括設(shè)置于空腔內(nèi)的至少兩個(gè)自含式磁控管組件，其中磁控管組件彼此并且與主體互相電絕緣；對(duì)磁控管組件中的相應(yīng)電極交替加偏壓以使其具有彼此相反的極性；以及將等離子體大體上朝向基底導(dǎo)引。
[0072]實(shí)施例16包括實(shí)施例15所述的方法，其進(jìn)一步包括將一定量的前體氣體導(dǎo)引至在基底附近的等尚子體中。
[0073]實(shí)施例17包括實(shí)施例15-16中任一者所述的方法，其中磁控管組件包括閉合漂移磁控管組件。
[0074]實(shí)施例18包括實(shí)施例15-17中任一者所述的方法，其中供應(yīng)加工氣體包括使用二元歧管供應(yīng)加工氣體。
[0075]實(shí)施例19包括實(shí)施例15-18中任一者所述的方法，其中供應(yīng)前體氣體包括使用二元歧管供應(yīng)前體氣體。
[0076]實(shí)施例20包括一種等離子體源，所述等離子體源包括:其中形成空腔的主體；設(shè)置于空腔內(nèi)的至少一個(gè)自含式磁控管組件；設(shè)置于空腔內(nèi)的至少兩個(gè)非磁控管電極；以及具有輸出線圈的交流電(AC)電源；其中至少兩個(gè)非磁控管電極彼此并且與并有空腔的主體互相電絕緣；并且其中磁控管組件連接至AC電源的輸出線圈的中心抽頭，并且非磁控管電極連接至AC電源的輸出線圈的末端抽頭。
[0077]已描述了許多實(shí)施方案。盡管如此，應(yīng)了解在不背離所要求的發(fā)明的精神和范圍情況下，可對(duì)所描述的實(shí)施方案作出各種修改。另外，以上所描述的實(shí)施方案的單個(gè)特征的組合被認(rèn)為在此所公開的本發(fā)明的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種等離子體源，其包括: 其中形成空腔的主體；和 設(shè)置于所述空腔內(nèi)的至少兩個(gè)自含式磁控管組件； 其中所述磁控管組件彼此并且與所述主體互相電絕緣。2.如權(quán)利要求1所述的等離子體源，其中所述磁控管組件包括閉合漂移磁控管組件。3.如權(quán)利要求1所述的等離子體源，其中所述磁控管組件中的每一者包括至少一個(gè)電極、至少一個(gè)磁體以及冷卻子系統(tǒng)。4.如權(quán)利要求3所述的等離子體源，其中所述磁控管組件中的至少一者包括與所述電極和所述磁體中的至少一者連接的核心。5.如權(quán)利要求4所述的等離子體源，其中所述磁控管組件中的至少一者中的冷卻子系統(tǒng)包括形成于所述核心中的至少一個(gè)通道。6.如權(quán)利要求4所述的等離子體源，其中所述磁控管組件中的至少一者中的冷卻子系統(tǒng)包括在所述磁控管組件中所包括的至少一個(gè)電極的目標(biāo)部分中形成的至少一個(gè)通道。7.如權(quán)利要求1所述的等離子體源，其進(jìn)一步包括用于在所述等離子體源內(nèi)分配加工氣體的歧管或?qū)Ч堋?.如權(quán)利要求7所述的等離子體源，其中所述用于分配加工氣體的歧管或?qū)Ч馨ǘ绻堋?.如權(quán)利要求1所述的等離子體源，其進(jìn)一步包括用于分配前體氣體的歧管或?qū)Ч堋?0.如權(quán)利要求1所述的等離子體源，其中至少一個(gè)電源連接于所述磁控管組件之間，使得所述磁控管組件中的相應(yīng)電極被交替加偏壓以具有彼此相反的極性。11.如權(quán)利要求10所述的等離子體源，其中所述至少一個(gè)電源包括交流電電源和雙極性脈沖電源中的至少一種。12.如權(quán)利要求1所述的等離子體源，其中等離子體源被配置成使得所述等離子體源的所述主體處于浮動(dòng)電位或接地電位中的一種。13.如權(quán)利要求1所述的等離子體源，其中等離子體源被配置成使得所述等離子體源的所述主體被加偏壓至特定的非接地電位。14.如權(quán)利要求1所述的等離子體源，其中所述磁控管組件包括平面磁控管。15.—種獲取等離子體的方法，其包括: 向等離子體源的主體內(nèi)所形成的空腔中供應(yīng)加工氣體，所述等離子體源包括設(shè)置于所述空腔內(nèi)的至少兩個(gè)自含式磁控管組件，其中所述磁控管組件彼此并且與所述主體互相電絕緣； 對(duì)所述磁控管組件中的相應(yīng)電極交替加偏壓，以使其具有彼此相反的極性；以及 將所述等離子體大體上向基底導(dǎo)引。16.如權(quán)利要求15所述的方法，其進(jìn)一步包括將一定量的前體氣體導(dǎo)引至在所述基底附近的所述等離子體中。17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述磁控管組件包括閉合漂移磁控管組件。18.如權(quán)利要求15所述的方法，其中供應(yīng)所述加工氣體包括使用二元歧管供應(yīng)所述加工氣體。19.如權(quán)利要求15所述的方法，其中供應(yīng)所述前體氣體包括使用二元歧管供應(yīng)所述前體氣體。20.一種等離子體源，其包括: 其中形成空腔的主體； 設(shè)置于所述空腔內(nèi)的至少一個(gè)自含式磁控管組件； 設(shè)置于所述空腔內(nèi)的至少兩個(gè)非磁控管電極；以及 具有輸出線圈的交流電(AC)電源； 其中所述至少兩個(gè)非磁控管電極彼此并且與并有所述空腔的所述主體互相電絕緣；并且 其中所述磁控管組件連接至所述AC電源的所述輸出線圈的中心抽頭，并且所述非磁控管電極連接至所述AC電源的所述輸出線圈的末端抽頭。
【專利摘要】一個(gè)實(shí)施方案是關(guān)于一種等離子體源，所述等離子體源包括其中形成空腔的主體和設(shè)置于所述空腔內(nèi)的至少兩個(gè)自含式磁控管組件。所述磁控管組件彼此并且與所述主體互相電絕緣。在此類實(shí)施方案的一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述自含式磁控管組件包括閉合漂移磁控管組件。公開了其它實(shí)施方案。
【IPC分類】C23C16/50, C23C16/513
【公開號(hào)】CN105008585
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380068267
【發(fā)明人】D.T.克羅利, P.L.摩斯, W.A.小梅雷迪思, J.R.格爾曼, M.L.尼亞爾
【申請(qǐng)人】零件噴涂公司
【公開日】2015年10月28日
【申請(qǐng)日】2013年12月23日
【公告號(hào)】EP2938752A1, US20140184073, WO2014105819A1