技術(shù)特征：
1.一種在基板上沉積金屬氧化物膜的方法，包括：(a)使基板表面暴露于金屬前體及鹵化物前體，藉以在所述基板表面上提供金屬鹵化物膜，其中所述金屬前體包括第二族金屬，且其中所述鹵化物前體選自F2、C12、Br2或I2；隨后(b)使含有所述金屬鹵化物膜的基板表面暴露于氧化劑；及(c)隨后使所述基板表面受熱或暴露于等離子體以在所述基板上提供金屬氧化物膜。2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在每個(gè)暴露步驟之后流入凈化氣體。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(a)、步驟(b)或步驟(c)重復(fù)一次或更多次。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬前體是選自于鍶前體、鈣前體及鎂前體之中。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬前體包括：Sr(thd)2(雙(四甲基庚二酮酸)鍶)(bis(tetramethylheptanedionate)strontium)、Sr(methd)2(雙(甲氧基乙氧基四甲基庚二酮酸)鍶)(bis(methoxyethoxytetramethylheptanedionate)strontium)及Sr(dpm)2(雙(二新戊?；淄?鍶)(bis(dipivaloylmethanate)strontium)、Ca(C11H19O2)2(雙(四甲基庚二酮酸)鈣)、C10H2F12O4Ca(六氟戊二酮酸鈣)、C6H14O4Ca(甲氧基乙醇鈣)、Mg(C5H5)2(雙(環(huán)戊二烯基)鎂(II))、C20H30Mg(雙(五甲基環(huán)戊二烯)鎂)或上述化合物的組合物。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化劑包括以下物質(zhì)的其中一者或更多者：H2O、H2O2、O2、O3、N2O、NOx、硝酸鹽類(nitrates)、醇類(alcohols)、羧酸類(carboxylicacids)、CO、CO2及HCOH。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物膜具有達(dá)約的厚度。8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板受熱。9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板暴露于等離子體。10.一種在基板上沉積氧化鍶膜的方法，所述方法包括：(a)使基板表面暴露在鍶前體及鹵化物前體的交替脈沖下，藉以在所述基板表面上提供鹵化鍶膜，且其中所述鹵化物前體選自F2、Cl2、Br2或I2；隨后(b)使包含鹵化鍶膜的所述基板表面暴露于氧化劑；及(c)使所述基板表面受熱或暴露于等離子體下，藉以在所述基板表面上提供氧化鍶膜。11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述鍶前體包括Sr(thd)2(雙(四甲基庚二酮)鍶)、Sr(methd)2(雙(甲氧基乙氧基四甲基庚二酮)鍶)或Sr(dpm)2(雙(二叔戊?；淄?鍶)。12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述氧化劑包括以下物質(zhì)的其中一者或更多者：H2O、H2O2、O2、O3、N2O、NOx、硝酸鹽類、醇類、羧酸類、CO、CO2及HCOH。13.如權(quán)利要求10所述的方法，進(jìn)一步包括在每個(gè)暴露步驟之后流入凈化氣體。14.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，步驟(a)、步驟(b)或步驟(c)重復(fù)一次或更多次。15.一種在基板上沉積不含碳酸鍶的氧化鍶金屬膜的方法，該方法包括：(a)在處理腔室內(nèi)安置基板；(b)執(zhí)行沉積工藝，所述沉積工藝包括：(i)在能于所述基板上形成一部分單層的條件下使鍶前驅(qū)物氣體及Cl2氣體流到所述腔室內(nèi)的所述基板的至少一部分處，所述部分單層包含末端具有氯的鍶；(ii)流入凈化氣體；(iii)在能于所述基板上形成一部分單層的條件下使水蒸氣流至所述腔室內(nèi)的所述基板，所述部分單層包含SrO2或Sr(OH)2；及(iv)流入凈化氣體；(c)使所述基板受熱或暴露于等離子體，所述基板上具有所述含SrO2或Sr(OH)2的薄膜，(i)流入凈化氣體；及(d)重復(fù)步驟(b)和步驟(c)；其中，所述沉積工藝是選自化學(xué)氣相沉積及原子層沉積或上述沉積工藝的組合。16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，在步驟(c)中，所述基板受熱。17.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述鍶前體包括Sr(thd)2(雙(四甲基庚二酮)鍶)、Sr(methd)2(雙(甲氧基乙氧基四甲基庚二酮)鍶)或Sr(dpm)2(雙(二叔戊?；淄?鍶)。18.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述金屬氧化物膜具有達(dá)約的厚度。