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一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備用雙通道控溫裝置的制作方法

文檔序號:11061891閱讀:764來源:國知局
一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備用雙通道控溫裝置的制造方法

本發(fā)明涉及一種控溫裝置,尤其是一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備用雙通道控溫裝置,屬于半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。



背景技術(shù):

半導(dǎo)體設(shè)備在進(jìn)行沉積反應(yīng)時往往需要使晶圓及腔室加熱或維持在沉積反應(yīng)所需要的溫度,所以加熱盤必需具備加熱結(jié)構(gòu)以滿足給晶圓預(yù)熱的目的。大多數(shù)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備,在沉積過程中還會有等離子體參與沉積反應(yīng),因等離子體能量的釋放以及化學(xué)氣體間反應(yīng)的能量釋放,加熱盤及晶圓的溫度會隨著射頻及工藝時間的增加溫度會不斷的上升,如果在進(jìn)行相同溫度下的工藝,需要等待加熱盤降到相同的溫度后才能進(jìn)行,這樣會耗費(fèi)大量的時間,設(shè)備的產(chǎn)能相對比較低。如果晶圓和加熱盤的溫度升溫過快,晶圓和加熱盤的溫度會超出薄膜所需承受的溫度,致使薄膜失敗。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

為了解決現(xiàn)有半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備熱交換效率及產(chǎn)能較低,晶圓溫度不夠均勻致使薄膜失敗的技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種能夠自動調(diào)節(jié)加熱盤溫度的雙通道控溫裝置。

為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備用雙通道控溫裝置,包括加熱盤上盤體和加熱盤下盤體,兩者焊接 在一起并通過加熱盤上盤體下端的陶瓷柱和加熱盤下盤體下端的陶瓷柱安裝螺母定位。所述加熱盤上盤體的下表面開有內(nèi)媒介通道孔和外媒介通道,內(nèi)媒介通道孔和外媒介通道有相同的入口和出口,分別為上盤面媒介入口和上盤面媒介出口;所述加熱盤上盤體的下表面開有一個熱電偶孔;所述加熱盤上盤體的下表面設(shè)有有陶瓷柱孔。在加熱盤下盤體上與上盤面媒介入口和上盤盤面媒介出口對應(yīng)位置分別開有下盤面媒介出口、下盤面媒介入口;在與熱電偶孔位置對應(yīng)的加熱盤下盤體上開有熱電偶安裝螺紋孔;與陶瓷柱孔對應(yīng)的加熱盤下盤體上開有螺紋孔。

本發(fā)明采用雙通道控溫,解決了工藝過程中加熱盤溫升過快降溫慢的問題,而且能夠自動調(diào)節(jié)加熱盤溫度的系統(tǒng),來保證加熱盤的溫度。應(yīng)用本發(fā)明通過循環(huán)媒介的自動控溫,可以實(shí)現(xiàn)加熱盤溫度的自動調(diào)節(jié),能夠精確的控制加熱盤的溫度。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的爆炸圖。

圖2是加熱盤上盤面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是加熱盤下盤面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中:1、加熱盤上盤體;2、陶瓷柱;3、加熱盤下盤體;4、陶瓷柱安裝螺母;5、螺紋孔;6、陶瓷柱孔;7、內(nèi)媒介通道孔;8、外媒介通道;9、上盤面媒介入口;10、熱電偶孔;11、上盤面媒介出口;12、下盤面媒介入口;13、熱電偶安裝螺紋孔;14、下盤面媒介出口。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清晰、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖1-圖3所示:一種半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備用雙通道控溫裝置,包括加熱盤上盤體1和加熱盤下盤體3,兩者焊接在一起并通過加熱盤上盤體1下端的陶瓷柱2和加熱盤下盤體3下端的陶瓷柱安裝螺母4定位。所述加熱盤上盤體1的下表面開有內(nèi)媒介通道孔7和外媒介通道8,內(nèi)媒介通道孔7和外媒介通道8有相同的入口和出口,分別為上盤面媒介入口9和上盤面媒介出口11;所述加熱盤上盤體3的下表面開有一個熱電偶孔10;所述加熱盤上盤體3的下表面設(shè)有有陶瓷柱孔6。在加熱盤下盤體3上與上盤面媒介入口9和上盤盤面媒介出口11對應(yīng)位置分別開有下盤面媒介出口14、下盤面媒介入口12;在與熱電偶孔10位置對應(yīng)的加熱盤下盤體3上開有熱電偶安裝螺紋孔13;與陶瓷柱孔2對應(yīng)的加熱盤下盤體3上開有螺紋孔5。

加熱盤下盤體3的柱狀結(jié)構(gòu)15內(nèi)部開有相應(yīng)的媒介通道及熱電偶安裝孔。將加熱盤上盤體1的下盤面與加熱盤下盤體3的上盤面采用真空釬焊進(jìn)行焊接;然后將陶瓷柱2安裝在陶瓷柱孔6內(nèi),通過陶瓷柱安裝螺母4對陶瓷柱2進(jìn)行固定,完成整個控溫裝置的加工。

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