專利名稱：具有可前移的清掃器的電化學(xué)機(jī)械加工的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體集成電路技術(shù)，更具體來說，涉及用于電處理或電化學(xué)加工工件的設(shè)備。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件如集成電路(IC)一般包括一個(gè)半導(dǎo)體基片，通常是硅基片，以及多個(gè)由絕緣材料層分隔的導(dǎo)電材料層。導(dǎo)電材料層或互連(interconnects)構(gòu)成集成電路的布線網(wǎng)絡(luò)。在布線網(wǎng)絡(luò)中的每個(gè)導(dǎo)體層借助絕緣層也稱中間介質(zhì)層與相鄰導(dǎo)體層絕緣。在硅集成電路中常用的一種介質(zhì)材料是二氧化硅，不過現(xiàn)在也有一種傾向，用低k介質(zhì)材料如有機(jī)的、無機(jī)的、紡制的(spin-on)和化學(xué)汽相淀積的介質(zhì)材料來替代IC結(jié)構(gòu)中的至少一些標(biāo)準(zhǔn)密度二氧化硅材料。傳統(tǒng)上，IC互聯(lián)是通過金屬化工藝將導(dǎo)體如銅填入介質(zhì)中間層上蝕刻的特征或凹部內(nèi)而形成的。由于銅的電阻低，具有良好的電遷移(electromigration)性質(zhì)，因而銅日益成為互連應(yīng)用的優(yōu)選導(dǎo)體。銅金屬化過程的優(yōu)選方法是電鍍法。在集成電路中，多層互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)相對(duì)于基片表面橫向延伸。在順序的各層中形成的互聯(lián)可以采用通路(vias)或觸點(diǎn)的特征來電連接起來。在典型的互連制造工藝中，首先在半導(dǎo)體基片上形成一絕緣層，然后進(jìn)行制圖案和蝕刻加工以便在絕緣層中形成特征或凹部如溝、道及墊(pads)等。然后，鍍銅，使銅填充所有特征。在這樣的電鍍過程中，將晶片放在晶片載體上，在電解液弄濕晶片表面及電極時(shí)，在晶片表面上相對(duì)于電極施加陰極(-)電壓。
一旦電鍍結(jié)束時(shí)，就進(jìn)行材料去除步驟，例如，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)加工步驟，以便從工件頂面(也稱為場(chǎng)域)去除過量的銅層(也稱銅過載)，只留下在特征內(nèi)的銅。然后進(jìn)行一個(gè)附加的材料去除步驟，以便去除在場(chǎng)域上的其它導(dǎo)電層如阻擋/膠層。這種方式的制造形成了在特征內(nèi)的物理的彼此電絕緣的銅沉積。也可使用其它的蝕刻技術(shù)，存在著能夠在一個(gè)步驟中從場(chǎng)域除去銅及阻擋/膠層的傳統(tǒng)方法。一種具體類型的CMP設(shè)備公開在題為“帶有可加載殼體的相反線性拋光器”的美國第6,103,628號(hào)中，該設(shè)備可以有效地工作。
通過采用能夠在工件表面形成平面導(dǎo)電材料薄層的平面沉積方法及平面去除方法可以減少或克服傳統(tǒng)的材料去除技術(shù)的負(fù)面作用。這些平面沉積和去除方法也已應(yīng)用在IC封裝中采用的穿過保護(hù)層方法(thru-resist processes)中。在這些應(yīng)用中，電鍍?cè)诒Ｗo(hù)層中敞開的孔中在每個(gè)孔或開口的底部上暴露的種晶薄膜(seed film)上進(jìn)行。
一種技術(shù)被統(tǒng)稱為電化學(xué)機(jī)械方法(ECMPR)，該術(shù)語用來包括電化學(xué)機(jī)械沉積(ECMD)方法以及ECME，也稱為電化學(xué)機(jī)械拋光。應(yīng)當(dāng)注意的是，ECMD和ECME方法一般被稱為電化學(xué)機(jī)械方法，這是由于它涉及電化學(xué)方法和機(jī)械作用。
在ECMPR方法的一個(gè)方面中，在工作表面和工作表面影響裝置(WSID)之間存在物理接觸或緊密接近或相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，在電處理過程的至少一部分中采用了WSID，例如掩模、墊片或清掃器(sweeper)。各種平面沉積和平面蝕刻方法及設(shè)備的描述可在下述專利和未審定的申請(qǐng)中找到，所有這些專利和未審定的申請(qǐng)都是由本發(fā)明的受讓人共同擁有的。題為“電化學(xué)機(jī)械沉積的方法和設(shè)備”的美國專利第6,176,992號(hào)，題為“利用外部影響在工件頂面和空腔表面上布置添加劑之間形成差別的電鍍方法和設(shè)備”，在2001年12月18日提交的美國申請(qǐng)第09/740,701號(hào)；以及題為“用于控制在工件預(yù)定部分上的沉積的電鍍方法和設(shè)備”、在9月20日提交的美國專利申請(qǐng)第09/961,193號(hào)。這些方法可按照平面方式在工作空腔部之內(nèi)和之上沉積金屬。如果需要，與其尺寸無關(guān)，它們也具有在特征上借助過量金屬產(chǎn)生新的結(jié)構(gòu)的能力。
在ECMD方法中，工件的表面被電解液潤濕，并相對(duì)于陽極而形成陰極，陽極也被電解液潤濕。這樣一般就在工件的特征內(nèi)形成導(dǎo)電材料沉積，在工件頂面形成一個(gè)薄層。在ECMD過程中，在工件表面和WSID之間相對(duì)運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致工件表面的清掃(sweeping)時(shí)，晶片表面被推靠在WSID的表面上或與該表面密切接近，或者反之，象在上述專利申請(qǐng)中描述的那樣，由于這種清掃作用而實(shí)現(xiàn)了平面沉積。
在ECME方法中，工件表面被電解液或蝕刻溶液潤濕，但是所施加電壓的極性逆反，因而使工件表面相對(duì)于電極而形成陽極。如果未施加電壓差，蝕刻是化學(xué)蝕刻，可以在工件和WSID之間有物理接觸或緊密靠近時(shí)進(jìn)行?；瘜W(xué)蝕刻可以采用工藝溶液或蝕刻溶液進(jìn)行。
首先使用ECMD技術(shù)沉積一平面層，然后在相同的電解液中逆反所施加的電壓在平面薄膜上利用ECME技術(shù)，這樣可以得到很薄的平面沉積?；蛘?，ECME步驟也可以在單獨(dú)的機(jī)器和不同的電解液中進(jìn)行。實(shí)際上，ECME技術(shù)可以繼續(xù)，直至在場(chǎng)域上的全部金屬被除去。應(yīng)當(dāng)注意的是，由于基本上平面的蝕刻可以采用也可以不采用WSID實(shí)現(xiàn)，因而在電蝕刻或蝕刻過程中可以使用也可以不使用WSID。
圖1A是用于加工晶片的典型的傳統(tǒng)ECMPR系統(tǒng)100的示意圖。在圖1A中，其上具有開口104的WSID 102緊密靠近待加工的工件或晶片106設(shè)置。WSID 102被支承板108支承，該支承板上具有穿孔100或開口。晶片106是鍍有導(dǎo)電材料，最好是銅或銅合金的硅晶片。晶片106被晶片支架111固定，以便使晶片的前表面112靠在WSID 102的頂面113上。開口104被設(shè)計(jì)成可保證來自電解液的銅均勻沉積在前表面112上，如箭頭114所示，或者可保證從前表面112的均勻電蝕刻。穿孔110可以或者也可以不與開口104的圖案嚴(yán)格匹配。一般來說，開口104被設(shè)計(jì)以便均勻沉積，而穿孔110則使電場(chǎng)和電解液基本不受阻礙地通至WSID102。因此，每單位面積的支承板108的穿孔面積等于或大于每單位面積的WSID 102的開口面積。WSID 102面對(duì)晶片前表面112的頂面113用作清掃器，而WSID 102本身形成向著前表面112的適當(dāng)?shù)碾娊庖毫骱碗妶?chǎng)流，以便全面均勻地沉積或蝕刻。這種ECMPR系統(tǒng)100也包括一個(gè)浸在電解液114中的電極116。電解液114與電極116和晶片106通過WSID 102上的開口104流體連通。
電極116一般是用于銅沉積的銅件。它也可以是例如用鍍Ti的Pt制成的惰性電極。一種典型的銅電解液可以是帶有工業(yè)中常用的添加劑如加速劑、抑制劑、均勻劑、氯化物等的硫酸銅溶液。在平面沉積技術(shù)如ECMD中，由于整平(levelling)由工藝自動(dòng)實(shí)現(xiàn)，因而均勻劑并不是很必要的。但是，為了使其它工藝效果如間隙填充等最佳化，可以添加均勻劑。當(dāng)在電極116和晶片前表面112之間形成電勢(shì)時(shí)，WSID 102的頂面113清掃晶片的前表面112。為了平面薄膜如銅的沉積，使晶片102的前表面與電極116比較更為陰極(負(fù))，而使電極116成為陽極。為了在同一個(gè)ECMPR系統(tǒng)中進(jìn)行電蝕刻，要使晶片表面比電極更為陽極。為了進(jìn)行化學(xué)蝕刻，化學(xué)蝕刻或蝕刻，在晶片和電極間之間不施加勢(shì)差。
如圖1B所示，WSID 102的結(jié)構(gòu)可以具有一個(gè)頂層120、一個(gè)中間層122和一個(gè)底層124。頂層120最好由研磨材料制成，研磨材料例如可以是3M公司供應(yīng)的固定研磨薄膜類的、或者是CMP應(yīng)用中使用的所謂墊材料(pad material)，如Rodel供應(yīng)的聚合物IC-1000材料。頂層120的厚度一般可以在0.05-2mm的范圍內(nèi)。中間層122是頂層120的安裝層，在中間層122和底層124中形成孔。中間層122一般由硬塑料如聚碳酸酯制成，厚度范圍為1-3mm。底層124用作整個(gè)結(jié)構(gòu)的壓縮層。底層由聚合物泡沫材料如聚氨酯或聚丙烯制成。被轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人的美國專利第6,413,403號(hào)和第6,413,388號(hào)公開了WSID的各種實(shí)例。另外，題為“掩模板設(shè)計(jì)”、2001年9月20日提交的美國專利申請(qǐng)第09/960,236號(hào)公開了WSID的各種實(shí)施例。另外，題為“低力電化學(xué)機(jī)械沉積方法和設(shè)備”、2002年5月23日提交的美國專利申請(qǐng)10/155,828號(hào)公開了一種WSID結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)具有在高度可壓縮層上的撓性的和磨損頂層。這兩個(gè)申請(qǐng)都轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人。WSID被放置在一個(gè)多孔支承板上，該支承板可以是也可以不是WSID的一個(gè)整體部分。在這種具體的結(jié)構(gòu)中，電解液通過可壓縮層的開口或開口孔及撓性層中的開口流動(dòng)。
但是，為此目的，雖然這些技術(shù)有助于在工件和晶片上得到平面金屬沉積或新的金屬結(jié)構(gòu)，但是仍需要進(jìn)一步發(fā)展高生產(chǎn)能力的方法和設(shè)備，以便更均勻沉積，有更高的產(chǎn)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供利用工藝溶液進(jìn)行工件表面電化學(xué)機(jī)械加工的設(shè)備。本發(fā)明的設(shè)備包括一個(gè)接觸工藝溶液的電極；一個(gè)帶狀工件表面影響裝置，它在供應(yīng)結(jié)構(gòu)和接納結(jié)構(gòu)之間延伸并安裝在其上。工件表面影響裝置的一個(gè)加工部分靠近工件表面設(shè)置。工藝溶液能夠流過該加工部分并流向工件表面。在電極和工件表面之間在加工過程中可維持一個(gè)電位差。一個(gè)機(jī)構(gòu)在溶液穿過工件表面影響裝置流動(dòng)時(shí)移動(dòng)工件表面影響裝置。
另外，本發(fā)明提供一種電化學(xué)機(jī)械加工工件表面的方法。該方法包括提供具有通道圖案(channel pattern)的工件表面影響裝置的步驟。工件表面影響裝置在一個(gè)供應(yīng)卷軸和一個(gè)接納卷軸之間延伸并安裝。工件靠近工件表面影響裝置的第一加工部分設(shè)置。工藝溶液穿過工件表面影響裝置的第一加工部分的通道流向工件表面。在電化學(xué)機(jī)械加工過程中，當(dāng)工件表面影響裝置的第一加工部分和工件表面之間形成相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，工件表面被電化學(xué)機(jī)械加工。在加工過程中，在電極和工件之間保持電位差。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種帶狀WSID設(shè)計(jì)，它有助于更均勻地提供金屬層。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種帶狀WSID設(shè)計(jì)，它具有在帶狀WSID的多個(gè)加工部分中成組的開口或通道。
本發(fā)明在電化學(xué)機(jī)械加工設(shè)備中使用帶狀WSID，單獨(dú)地或組合地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述和其它目的。


圖1A是傳統(tǒng)的ECMPR系統(tǒng)的示意圖；
圖1B是工件表面影響裝置的示意圖；圖2A是基片表面形成有特征的表面區(qū)域的示意圖；圖2B是圖2A所示基片的示意圖，其中銅已沉積在基片表面上；圖3是采用帶狀工件表面影響裝置的ECMPR系統(tǒng)的示意圖；圖4A是工件表面影響裝置的加工部分的示意圖；圖4B是另一工件表面影響裝置的加工部分的表面的示意圖；圖5是工件表面影響裝置的示意圖，該工件表面影響裝置帶有加工部分，這些加工部分具有相同的通道圖案，其中這些加工部分不間隔開來；圖6是工件表面影響裝置的示意圖，該工件表面影響裝置帶有加工部分，這些加工部分具有相同的通道圖案，其中這些加工部分被分隔開來；圖7是工件表面影響裝置的示意圖，該工件表面影響裝置帶有加工部分，這些加工部分具有不同的通道圖案；圖8是在圖3所示ECMPR系統(tǒng)中電接觸位置的示意圖；圖9是本發(fā)明的帶狀工件表面影響裝置的調(diào)節(jié)裝置的示意圖；圖10A-12是帶狀工件表面影響裝置系統(tǒng)的示意圖；圖13A-13C是替代的帶狀支承裝置的示意圖；圖14A-14B是復(fù)式工件表面影響裝置系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在利用制造集成電路中應(yīng)用的互連的實(shí)例來描述優(yōu)選實(shí)施例。但是，應(yīng)當(dāng)注意的是，對(duì)于許多不同的應(yīng)用如封裝、平板顯示、磁頭等來說，本發(fā)明可應(yīng)用于帶有各種電鍍材料如Au、Ag、Ni、Pt、Pd、Fe、Sn、Cr、Pb、Zn、Co及其彼此或與其它物質(zhì)的合金的工件。在下面提供的各實(shí)施例中，被電鍍的實(shí)際材料是銅，但顯然也可使用其它物質(zhì)。
另外，優(yōu)選實(shí)施例是針對(duì)沉積平面層來描述的。如在上述關(guān)于ECMPR的專利和申請(qǐng)中所描述的那樣，也可能需要電蝕刻，化學(xué)蝕刻和其加工的其它新穎結(jié)構(gòu)也能夠利用本發(fā)明取得。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，利用本發(fā)明的帶狀WSID結(jié)構(gòu)，通過ECMD加工，在晶片表面上形成一個(gè)平面導(dǎo)電層。使用如前述申請(qǐng)中公開的低力電化學(xué)機(jī)械蝕刻(ECME)也可以形成其它結(jié)構(gòu)。
圖2A-2B表示使用本發(fā)明加工的典型基片200的表面區(qū)域的細(xì)部結(jié)構(gòu)?；?00包括在工件204上形成的圖案層200，最好是一個(gè)絕緣層。該絕緣層可以由絕緣材料如二氧化硅構(gòu)成，使用依據(jù)金屬互連設(shè)計(jì)規(guī)則的公知的制圖案(patterning)和蝕刻技術(shù)形成。在這個(gè)實(shí)施例中，絕緣層202可以由空穴或間隙，即，由場(chǎng)域210彼此分開的第一空穴206和第二空穴208構(gòu)成。在這個(gè)實(shí)施例中，空穴的形成可以使第一空穴206是一個(gè)通路(via)，而第二空穴208可以是一個(gè)構(gòu)槽，在其底部包括一個(gè)第二通路。頂面210也稱為場(chǎng)域。阻擋層或膠層217的一個(gè)或多個(gè)薄層具有如Ta、TaN、Ti、TiN或WN的材料，這種薄層覆蓋空穴及頂面。一個(gè)銅的薄膜218作為種晶層(seed layer)覆蓋在阻擋層的頂部，以便其后電鍍銅層。銅種層提供了一個(gè)基礎(chǔ)層，在基礎(chǔ)層上可以促進(jìn)其后的沉積層的成核和生長。現(xiàn)在參閱圖2B，使用本發(fā)明，一個(gè)平面銅層220可以沉積在空穴206，208，209內(nèi)及場(chǎng)域210上。下面描述采用本發(fā)明進(jìn)行的沉積加工及其它加工。
圖3表示ECMPR系統(tǒng)300的一個(gè)實(shí)施例，它包括一個(gè)本發(fā)明的帶狀WSID組件301和一個(gè)承載頭302。帶狀WSID組件301包括一個(gè)WSID帶303，該WSID帶有一個(gè)上表面或加工表面和一個(gè)后表面，以及一組輥308、WSID帶可由撓性材料制成，最好具有研磨加工表面以進(jìn)行清掃動(dòng)作。帶狀WSID可以具有多個(gè)開口314或通道，使工藝溶液如電鍍電解液或電蝕刻溶液可在電極317和工件320或晶片的前表面318之間流動(dòng)，如箭頭316所示。為了清晰起見，在圖中未畫出容納工藝溶液的容器或空腔。晶片的前表面318可以包括圖2A-2B所示的典型的基片。下文將講到，帶303的加工表面也可以包括抬升的表面以便進(jìn)行清掃動(dòng)作(見圖4B)。帶狀WSID 303在輥308上借助移動(dòng)機(jī)構(gòu)(未畫出)以單向或雙向直線方式移動(dòng)。在電蝕刻或電沉積加工過程中，帶狀WSID可以緊密接近晶片的前表面移動(dòng)。在電蝕刻或電鍍過程中，帶狀WSID可在晶片的前表面上移動(dòng)以清掃前表面、移動(dòng)機(jī)構(gòu)也適當(dāng)張緊帶狀WSID 303，以便保證在ECMPR過程中與工件表面的接觸。帶狀WSID 303的后表面306被放置在一個(gè)板309的頂面307上。板309可以由一層或多層構(gòu)成。在這個(gè)實(shí)施例中，板309由上層322和下層324構(gòu)成。上層322可用可壓縮材料制成。下層324是支承層，由剛性材料制成，以便使它能夠支承可壓縮層。在可壓縮層中的開口310A和在剛性層中的開口310B使工藝溶液可以穿過板303流動(dòng)。另外，可壓縮層322可具有開口310，或也可以用多孔材料制成，使工藝溶液可通過其開口孔流動(dòng)。帶狀WSID在板的頂面被張緊，從而使板309的頂面307可以與帶狀WSID的覆蓋頂面307的底面部分充分接觸。如果需要，當(dāng)工藝溶液316穿過板和帶狀WSID 303流動(dòng)時(shí)，象帶狀WSID在上層上移動(dòng)那樣，帶狀WSID的底面在板的上表面上滑動(dòng)。
帶狀WSID可用聚合物膜如在CMP加工中常用的、可從3M公司得到的固定研磨膜制成。帶狀WSID的撓性材料是薄的，具有0.2-2mm范圍的厚度。帶狀WSID也可以具有復(fù)合結(jié)構(gòu)，具有多個(gè)薄層。帶狀WSID可以具有相對(duì)較平的表面如含有0.05-0.5微米的研磨顆粒的研磨膜(例如可從Buchler或3M公司得到)，或者具有平頂?shù)男≈睆街蝈F形柱，如在3M公司供應(yīng)的固定研磨墊中所采用的那些。帶狀WSID的表面最好是具有研磨性能的，以便有效地清掃工件表面。
板的上層是用泡沫或凝膠材料制成的，在施加的力的作用下易被壓縮，但是，一旦除去力就恢復(fù)其原來的形狀。板的上層可以具有1-5mm范圍內(nèi)的厚度。這種材料的實(shí)例可以是聚氨酯、聚丙烯、橡膠、EVA及它們的混合物等。板的下層是多孔板，或者它具有許多開口，使電解液和電場(chǎng)可自由流向基片表面。下層100c本身可以是電極。
在加工過程中，晶片320被承載頭保持與帶狀WSID緊密接近，因而使穿過板309和帶狀WSID的工藝溶液潤濕晶片的前表面。如圖4A中的分解圖所示，晶片320在帶狀WSID 303的加工表面的預(yù)定區(qū)域321或加工區(qū)域上被加工。當(dāng)帶在板的上表面307上被張緊時(shí)，可壓縮層向上推動(dòng)帶。另外，如果晶片320與加工表面接觸，可壓縮層推靠晶片的上表面。通過前移帶狀WSID，使加工區(qū)域321被更新，在儲(chǔ)存卷軸312上滾動(dòng)用過的加工區(qū)域，從供應(yīng)卷軸拉動(dòng)新的加工區(qū)域，從而使得用過的加工區(qū)域被新的加工區(qū)域替代。在加工了大約20-100個(gè)晶片之后，或者在WSID的同一區(qū)域的大量使用開始以負(fù)面方式影響加工效果之前，可以實(shí)施帶的前移。由于這個(gè)特征，帶狀WSID 303可以縮短制造停頓時(shí)間，提高系統(tǒng)的產(chǎn)量?；蛘撸部梢詾榱嗣總€(gè)被加工的晶片，使WSID分度或逐漸前移一個(gè)小量，例如在1-5mm的范圍內(nèi)。在加工過程中，晶片承載器304可在帶狀WSID 303之上或上方側(cè)向移動(dòng)晶片，并繞晶片承載器的轉(zhuǎn)動(dòng)軸線z轉(zhuǎn)動(dòng)。如上所述，本發(fā)明的帶狀WSID也可在晶片被承載頭移動(dòng)時(shí)側(cè)向移動(dòng)。在另一個(gè)實(shí)施例中，帶可以為環(huán)形或由輥轉(zhuǎn)動(dòng)的連續(xù)帶，輥替代了儲(chǔ)存和供應(yīng)卷軸。帶繞輥設(shè)置并被張緊。在這個(gè)實(shí)施例中的輥被一個(gè)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)轉(zhuǎn)動(dòng)，輥的轉(zhuǎn)動(dòng)使帶相對(duì)于正被加工的晶片表面直線移動(dòng)。
也如圖4A所示，帶狀WSID的寬度最好小于被加工晶片的直徑。下文將要講到，帶的這個(gè)特征可以在晶片的前表面和電源(未畫出)之間形成電接觸。對(duì)于化學(xué)蝕刻加工來說，WSID的寬度可以等于或大于晶片的直徑，這是由于無需形成電接觸的緣故，帶狀WSID可以是單層的，或是由多層組成的復(fù)合層。如果帶包括一層以上，那么，這些層可以是也可以不是相當(dāng)尺寸的。但是，復(fù)合層的總厚度一般為0.5-2mm。如圖4B的立體圖所示，WSID 500可以具有抬升表面502，該表面小于WSID 500的頂面504。在這個(gè)實(shí)施例中，清掃作用是由抬升表面502進(jìn)行的。抬升表面502最好含有研磨層。
圖3的典型的ECMPR系統(tǒng)300能夠進(jìn)行平面或非平面的電鍍，以及平面或非平面的電蝕刻。在這方面，如果選擇非平面加工方法，則使晶片的前表面接近帶狀WSID 303的加工表面，但并不與其接觸，因而可以進(jìn)行非平面的金屬沉積。另外，如果選擇平面加工方法，則在帶狀WSID和晶片前表面間形成相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，晶片前表面接觸加工表面。當(dāng)通過帶中的開口供應(yīng)工藝溶液時(shí)，或者帶被側(cè)向移動(dòng)，或者晶片被轉(zhuǎn)動(dòng)及側(cè)向移動(dòng)，或者帶式WSID和晶片都被移動(dòng)，同時(shí)前表面接觸加工表面。在晶片和電極之間施加的電勢(shì)的作用下，并且在工藝溶液穿過帶狀WSID 303向上流動(dòng)時(shí)，金屬如銅根據(jù)在晶片表面和電極之間施加的極性被電鍍?cè)诰氨砻嫔匣驈木氨砻姹晃g刻掉。
圖5至7表示各種帶狀的WSID加工區(qū)域設(shè)計(jì)。按照本發(fā)明的原理，帶狀WSID可以具有各種成組的開口或通道圖案，它們一般為沿帶狀WSID的連續(xù)圖案或沿帶狀WSID重復(fù)的一個(gè)以上的圖案。如圖5所示，在一個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)帶狀WSID 330可以具有通道332，所述通道被形成為沿帶狀WSID 330延伸的連續(xù)圖案。在這個(gè)具體設(shè)計(jì)中，通道332被形成為平行的槽縫，不過通道也可以被形成為各種幾何形狀的孔或其它開口，或者各種徑向的結(jié)構(gòu)。在這個(gè)實(shí)施例中，取決于加工要求和晶片尺寸，多個(gè)加工區(qū)域334可以按照端部對(duì)端部的方式延伸。帶狀WSID 330可以在板上側(cè)向移動(dòng)以進(jìn)行機(jī)械清掃動(dòng)作。在相同加工區(qū)域上進(jìn)行一定數(shù)量的晶片加工之后，帶狀WSID被前移以取得新的加工區(qū)域?；蛘撸瑤б部稍诩庸み^程中在特定方向上進(jìn)行增量式移動(dòng)。這樣使一個(gè)增量的新的帶狀WSID部分被按照連續(xù)的方式移入加工區(qū)域。
如圖6中另一實(shí)施例所示，帶狀WSID 336可以具有通道338，這些通道在加工區(qū)域338中被分組，彼此分開。在每次使用之后，加工區(qū)域被前移，以便用新的加工區(qū)域取代。使用這種帶，側(cè)向移動(dòng)主要是在加工過程中由晶片支架提供的。
雖然帶狀WSID可以具有沿帶狀WSID延伸的單一通道圖案，如圖5和6所示的那些，但是帶狀WSID也可以包括多個(gè)開口或通道圖案。如圖7所示，帶狀WSID 340可以具有多個(gè)加工區(qū)域342A-342D，這些加工區(qū)域包括具有不同尺寸和形狀的通道344，以及在加工區(qū)域上具有用于清掃作用的抬升表面。例如，加工區(qū)域342A包括通道344，所述通道被形成為圓孔，而加工區(qū)域342B則包括被形成為槽縫的通道344。加工區(qū)域342C包括具有徑向圖案的通道344，而加工區(qū)域342D則包括被形成為矩形孔的通道344。在每個(gè)加工區(qū)域342A-342D中的通道344也可在尺寸和形狀上有所不同，它們?cè)谠撎囟ǖ募庸^(qū)域中的分布情形也有所不同。每個(gè)加工區(qū)域通過前移或后退帶狀WSID而使這個(gè)特定的加工區(qū)域重復(fù)用于ECMD或ECME或化學(xué)蝕刻加工的目的。通過使通道具有特定的形狀和分布，可以控制銅層的形狀。通過采用特定的加工區(qū)域，可以使銅層的厚度剖面均勻，也可將厚度剖面改為需要的剖面。例如，在一種典型的操作程序中，可首先在加工區(qū)域342A上對(duì)晶片進(jìn)行ECMD加工，以便沉積平面的銅層。其后，可在加工區(qū)域342B上對(duì)同一晶片進(jìn)行ECME加工或化學(xué)機(jī)械蝕刻，以便再使平面銅層被蝕刻。在這個(gè)實(shí)施例中，加工區(qū)域342A可以具有適于進(jìn)行均勻沉積的ECMD加工的通道圖案，加工區(qū)域342B可以具有一種圖案，該圖案適于進(jìn)行ECME或CME或化學(xué)蝕刻加工，產(chǎn)生均勻的材料蝕刻或去除。
在ECMPR過程中，在晶片前表面和電極317之間形成電勢(shì)。如圖8的系統(tǒng)300的側(cè)視圖所示，晶片320的前表面通過在晶片前表面318的周邊區(qū)域352上接觸并滑動(dòng)的觸頭350連接于電源(未畫出)。這種觸頭的實(shí)例在題為“用于在基片上電沉積帶有最小除外邊緣的均勻膜的方法和設(shè)備”、2001年1月17日提交的美國專利申請(qǐng)第09/760,757號(hào)及題為“用于為電處理加工提供電觸頭的方法和系統(tǒng)”、2001年10月26日提交的美國臨時(shí)申請(qǐng)第60/348,758號(hào)中描述，上述兩文件由本發(fā)明的受讓人共同擁有。
在涉及與晶片前表面緊密接近及一般是與其接觸的WSID的加工步驟中，在前表面上的金屬小顆?；蚋鞣N來源的非導(dǎo)體顆粒可能附著在WSID材料上。存在這些顆粒的原因可以是，它們剛剛從基片被物理剝除，或由于電鍍?nèi)芤旱倪^濾不良而來自電鍍?nèi)芤?。使用本發(fā)明的調(diào)節(jié)裝置可以清除這些顆粒。如圖9所示，承載頭302可以包括一個(gè)帶有刷子362的調(diào)理裝置360。如圖所示，刷子362圍繞承載頭302的周邊設(shè)置。刷子362將顆粒掃除而使WSID 303得到調(diào)理。在這個(gè)實(shí)施例中，在工件320上的ECMPR加工，無論是否ECMD或ECME，在同一加工中都可能同時(shí)出現(xiàn)WSID 303的調(diào)理。在這個(gè)特定的情形中，為了調(diào)理整個(gè)WSID 303，承載頭302或WSID 303的側(cè)向運(yùn)動(dòng)量最好應(yīng)等于或大于承載頭302的半徑，從而使承載頭罩可有效地被清潔?；蛘撸{(diào)理刷子并不是安裝在承載頭上，而是使用適當(dāng)?shù)难b置設(shè)置在由承載頭側(cè)向運(yùn)動(dòng)掃描的區(qū)域的端部以外，這樣帶就可被移動(dòng)以保證加工區(qū)域的整個(gè)長度被調(diào)理刷子刷到。
圖10A-12表示帶狀WSID的各種實(shí)施例。圖10A表示在ECMPR系統(tǒng)402中的帶狀WSID 400。如圖10B中詳細(xì)表示的那樣，帶狀WSID 400由雙層構(gòu)成，具有一個(gè)頂層404和一個(gè)安裝在頂層上的底層406。頂層404可以是研磨層或是一個(gè)含有磨料的層。底層406是一個(gè)薄的可壓縮層。通道408被形成得穿過帶400，以便使工藝溶液407可在電極408和晶片412的前表面410之間流過。現(xiàn)在參閱圖10A，在使用中，帶402的可壓縮層被放置在系統(tǒng)402的一個(gè)板414上。在這個(gè)實(shí)施例中的該板最好用剛性材料制成。該板包括通道416，以便使工藝溶液可穿過板流動(dòng)。在加工過程中，由系統(tǒng)的剛性的板支承的帶的可壓縮層將帶推向晶片。在這個(gè)實(shí)施例中，除了前述實(shí)施例之外，可壓縮層是帶狀WSID的一個(gè)整體部分。在這個(gè)實(shí)例和前述實(shí)例中，可壓縮層和板414之間的界面最好是低摩擦界面。對(duì)于上一實(shí)施例所述的帶來說，頂層一般為0.2-2mm厚，底層一般為1-5mm厚，這兩層膠合在一起，通道的尺寸可使流體從中流過。
圖11A表示在ECMPR系統(tǒng)422中的帶狀WSID 420。如圖11B所詳示，帶狀WSID 420由一個(gè)單層構(gòu)成，該層可以是研磨層或含有磨料的層。通道424被形成得穿過帶420，以便使工藝溶液426可在電極428和晶片432的前表面430之間流過?，F(xiàn)在參閱圖11A，在使用中，帶302被放置在一個(gè)輥系統(tǒng)434上，該輥系統(tǒng)具有多個(gè)設(shè)置在框架438上的輥436。該框架浸在工藝溶液中，使工藝溶液可以通過輥系統(tǒng)。輥沿帶的寬度并排設(shè)置，在加工過程中晶片接觸帶時(shí)，輥能夠上、下移動(dòng)。在加工過程中，輥系統(tǒng)將帶推靠在晶片上，起到前述實(shí)施例中可壓縮層的作用。輥表面最好含有可壓縮材料，以便在晶片表面和帶表面形成接觸。
圖12表示ECMPR系統(tǒng)442中的帶狀WSID 440。帶狀WSID 440由一個(gè)單層構(gòu)成，該層可以是研磨層或含有磨料的層。通道444被形成得穿過帶440，以便使工藝溶液能夠在電極428和晶片432的前表面之間流過。工藝溶液被容納在一個(gè)容器(未畫出)內(nèi)。在加工過程中，帶被支承在容器側(cè)壁頂端450上。此外，工藝溶液的流動(dòng)壓力將帶推靠在晶片上，同時(shí)提供附加支承。溶液壓力的作用就象前述實(shí)施例中的可壓縮層。
圖13A-13C表示各種用于支承參閱圖12所描述的實(shí)施例中的帶440的附加機(jī)構(gòu)。如圖13A所示，帶狀WSID 440也可以由多個(gè)中空球452支承，所述中空球設(shè)置在帶440下面，在工藝溶液上浮動(dòng)，同時(shí)受到工藝容器的壁頂部450的限制。這些球可注入氣體如空氣或更輕的氣體。除了溶液的壓力以外，球452增加了對(duì)帶的附加的可壓縮支承。
在圖13B中，使用可浮動(dòng)層454可實(shí)現(xiàn)相同效果，所述可浮動(dòng)層設(shè)置在帶440下面，具有通道456，以便使工藝溶液446可穿過它流動(dòng)。可浮動(dòng)層454可以由海綿狀材料如聚氨酯制成。可浮動(dòng)層內(nèi)也可具有氣囊(未畫出)。另外，如圖13C所示，可浮動(dòng)層454和球452為了相同目的而設(shè)置在帶440下面。
圖14A和14B表示變式WSID系統(tǒng)600，它包括一個(gè)第一帶狀WSID 602和一個(gè)與第一帶狀WSID相鄰設(shè)置的第二帶狀WSID 604。如果需要，系統(tǒng)600可以具有兩個(gè)以上的帶狀WSID，系統(tǒng)600在加工過程中可在帶602和604上加工晶片606。帶602，604可以具有圖5和6中所示的重復(fù)的通道圖案。所述帶也可具有為不同厚度分布而設(shè)計(jì)的不同的通道圖案。例如，加工的第一步驟可以在第一帶602上按照產(chǎn)生邊緣厚的沉積剖面的方式，使用ECMD完成。然后，可使用帶604進(jìn)行ECME步驟，以便減小總沉積厚度。帶604的圖案可使更多材料從邊緣部分被蝕刻，以便產(chǎn)生均勻的厚度剖面。如果需要，加工也可在第一帶上繼續(xù)，反之亦然。
雖然上面已描述各種優(yōu)選實(shí)施例，但是，本專業(yè)技術(shù)人員顯然懂得，也可對(duì)實(shí)施例進(jìn)行許多改變而并不在本質(zhì)上背離本發(fā)明的新穎技術(shù)及優(yōu)點(diǎn)。
權(quán)利要求
1.一種利用溶液對(duì)工件表面進(jìn)行電化學(xué)機(jī)械加工的設(shè)備，它包括一個(gè)接觸溶液的電極；一個(gè)在供應(yīng)結(jié)構(gòu)和接納結(jié)構(gòu)之間延伸并安裝在其上的工件表面影響裝置，所述工件表面影響裝置的一部分設(shè)置得接近工件表面，其中溶液通過工件表面影響裝置的所述部分中的開口流向工件表面，在電極和工件表面之間維持一個(gè)勢(shì)差；以及一個(gè)用于在溶液穿過工件表面影響裝置的所述部分時(shí)直線移動(dòng)工件表面影響裝置的所述部分的機(jī)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于所述工件表面影響裝置被形成為一個(gè)帶。
3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于所述開口是通道。
4.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于所述工件表面影響裝置包括一個(gè)具有頂面和底面的撓性層，其中頂面面對(duì)工件表面。
5.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于撓性層的頂面包括磨料顆粒。
6.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于還包括一個(gè)支承所述工件表面影響裝置的支承結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于所述工件表面影響裝置包括一個(gè)設(shè)置在撓性層的底面下面的可壓縮層。
8.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于工件表面影響裝置的所述部分被設(shè)置成在電化學(xué)機(jī)械加工中的至少一些的過程中接觸工件的基本平面的導(dǎo)電前表面。
9.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于所述支承結(jié)構(gòu)是一個(gè)支承層。
10.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于還包括一個(gè)支承工件表面影響裝置的支承裝置。
11.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其特征在于所述支承裝置是在工件表面影響裝置下面施加的溶液壓力。
12.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其特征在于所述可壓縮層安裝在所述撓性層的底部，從而使所述可縮層能夠在支承結(jié)構(gòu)上移動(dòng)。
13.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其特征在于所述可壓縮層安裝在支承結(jié)構(gòu)的頂面上，從而使所述撓性層可在可壓縮層上移動(dòng)。
14.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于工件表面影響裝置的所述部分借助移動(dòng)機(jī)構(gòu)以雙向直線方式移動(dòng)。
15.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于工件表面影響裝置的所述部分借助移動(dòng)機(jī)構(gòu)以單向直線方式移動(dòng)。
16.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于當(dāng)加工多個(gè)工件時(shí)，工件表面影響裝置的所述部分借助移動(dòng)機(jī)構(gòu)在加工間隔之間被前移，從而使工件表面影響裝置的另一部分接近工件表面。
17.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其特征在于所述部分和所述另一部分具有相同的通道圖案。
18.如權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其特征在于所述部分和所述另一部分具有不同的通道圖案。
19.如權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其特征在于在第一加工間隔中在所述部分上加工第一批多個(gè)工件，然后在第二加工間隔中在所述另一部分上加工第二批多個(gè)工件。
20.如權(quán)利要求18所述的設(shè)備，其特征在于在第一加工間隔中在所述部分上加工第一批多個(gè)工件，然后，在第二加工間隔中，在所述另一部分上加工第二批多個(gè)工件。
21.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于工件表面影響裝置的所述部分在加工過程中被移動(dòng)機(jī)構(gòu)連續(xù)前移，以便使工件表面影響裝置的一個(gè)未用過的部分接近工件表面，其中所述未用過的部分小于所述部分。
22.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于所述供應(yīng)結(jié)構(gòu)是一個(gè)用于儲(chǔ)存工件表面影響裝置的未用過部分的供應(yīng)卷軸，所述接納結(jié)構(gòu)是用于儲(chǔ)存工件表面影響裝置的用過部分的接納卷軸。
23.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于所施加的勢(shì)差用于電鍍。
24.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于所施加的勢(shì)差用于電拋光。
25.一種利用第一溶液和第二溶液對(duì)工件表面進(jìn)行電化學(xué)機(jī)械加工的設(shè)備，它包括一個(gè)接觸溶液的電極；在一個(gè)第一供應(yīng)結(jié)構(gòu)和一個(gè)第一接納結(jié)構(gòu)之間延伸且安裝在其上的一個(gè)第一工件表面影響裝置；在一個(gè)第二供應(yīng)結(jié)構(gòu)和一個(gè)第二接納結(jié)構(gòu)之間延伸且安裝在其上的一個(gè)第二工件表面影響裝置；一個(gè)用于移動(dòng)第一工件表面影響裝置的第一部分的第一機(jī)構(gòu)；一個(gè)用于移動(dòng)第二工件表面影響裝置的第一部分的第二機(jī)構(gòu)；用于使第一溶液和第二溶液分別穿過第一和第二工件表面影響裝置的第一部分流動(dòng)的裝置，其中當(dāng)?shù)谝缓偷诙芤悍謩e穿過所述工件表面影響裝置的第一部分流向工件表面時(shí)，工件表面在第一和第二工件表面影響裝置上被電化學(xué)機(jī)械加工，其中在電極和工件表面之間能夠維持勢(shì)差。
26.如權(quán)利要求25所述的設(shè)備，其特征在于，所述用于流動(dòng)的裝置使彼此不同的第一和第二溶液流動(dòng)。
27.如權(quán)利要求25所述的設(shè)備，其特征在于所述用于流動(dòng)的裝置使彼此相同的第一和第二溶液流動(dòng)。
28.一種用于電化學(xué)機(jī)械加工工件表面的方法，該方法包括以下步驟提供在一供應(yīng)結(jié)構(gòu)和一接納結(jié)構(gòu)之間延伸并裝在其上的一個(gè)工件表面影響裝置；將工件表面放置得緊密接近工件表面影響裝置的具有通道圖案的第一加工部分；使溶液穿過工件表面影響裝置的第一加工部分流向工件表面；當(dāng)在一接觸溶液的電極和工件之間施加勢(shì)差時(shí)，電化學(xué)機(jī)械加工工件表面；以及在電化學(xué)機(jī)械加工過程中，在工件表面上直線移動(dòng)工件表面影響裝置的第一加工部分。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于一個(gè)移動(dòng)機(jī)構(gòu)以雙向直線方式移動(dòng)工件表面影響裝置。
30.如權(quán)利要求28所述的設(shè)備，其特征在于一個(gè)移動(dòng)機(jī)構(gòu)以單向直線方式移動(dòng)工件表面影響裝置。
31.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于還包括在加工間隔之間前移工件表面影響裝置的第一加工部分，使工件表面影響裝置的一個(gè)第二加工部分接近工件表面。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，其特征在于所述第一和第二加工部分具有相同的通道圖案。
33.如權(quán)利要求31所述的方法，其特征在于所述第一和第二加工部分具有不同的通道圖案。
34.如權(quán)利要求31所述的方法，其特征在于還包括在第一加工間隔中在第一加工部分上加工第一批多個(gè)工件，然后，在第二加工間隔中在第二加工部分上加工第二批多個(gè)工件。
35.如權(quán)利要求34所述的工藝，其特征在于在第一加工部分上進(jìn)行的加工是電化學(xué)機(jī)械沉積。
36.如權(quán)利要求35所述的工藝，其特征在于在第二加工部分上進(jìn)行的加工是電化學(xué)機(jī)械拋光。
37.如權(quán)利要求34所述的工藝，其特征在于在第一和第二加工部分上進(jìn)行的加工是電化學(xué)機(jī)械沉積。
38.如權(quán)利要求34所述的工藝，其特征在于在第一和第二加工部分上進(jìn)行的加工是電化學(xué)機(jī)械拋光。
39.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于還包括在第一加工間隔中在第一加工部分上加工第一批多個(gè)工件，然后，在第二加工間隔中在第二加工部分上加工第二批多個(gè)工件。
40.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于在第一加工部分上進(jìn)行的加工是電化學(xué)機(jī)械沉積。
41.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于在第二加工部分上進(jìn)行的加工是電化學(xué)機(jī)械拋光。
42.如權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于還包括在加工過程中借助移動(dòng)機(jī)構(gòu)前移工件表面影響裝置，以便使工件表面影響裝置的一個(gè)未用過的部分接近工件表面。
43.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于所述電化學(xué)機(jī)械加工是電化學(xué)機(jī)械沉積。
44.如權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于所述電化學(xué)機(jī)械加工是電化學(xué)機(jī)械拋光。
45.一種借助包括權(quán)利要求28的步驟的方法所制造的集成電路。
46.一種在利用溶液的電化學(xué)機(jī)械加工系統(tǒng)中使用的帶狀工件表面影響裝置，在工件的頂面上工作，所述帶狀工件表面影響裝置包括一個(gè)適于移動(dòng)的帶，所述帶具有一頂面和一底面，其中所述帶包括多個(gè)加工部分；以及其中每個(gè)加工部分包括多個(gè)開口，所述開口被形成得穿過所述帶，因而在所述部分發(fā)生移動(dòng)時(shí)且在所述帶的部分和工件頂面存在物理接觸時(shí)，工藝溶液可通過開口流向工件頂面。
47.如權(quán)利要求46所述的帶狀工件表面影響裝置，其特征在于所述開口是通道。
48.如權(quán)利要求47所述的帶狀工件表面影響裝置，其特征在于所述通道以預(yù)定的圖案分布。
49.如權(quán)利要求46所述的帶狀工件表面影響裝置，其特征在于每個(gè)加工部分具有相同的通道圖案。
50.如權(quán)利要求46所述的帶狀工件表面影響裝置，其特征在于每個(gè)加工部分具有不同的通道圖案。
51.如權(quán)利要求49所述的帶狀工件表面影響裝置，其特征在于加工部分被形成得在它們之間沒有任何空間。
52.如權(quán)利要求49所述的帶狀工件表面影響裝置，其特征在于加工部分被形成得彼此分隔開來。
53.如權(quán)利要求50所述的帶狀工件表面影響裝置，其特征在于加工部分被形成得在它們之間沒有任何空間。
54.如權(quán)利要求50所述的帶狀工件表面影響裝置，其特征在于加工部分彼此分隔開來。
55.一種利用溶液電化學(xué)機(jī)械加工多個(gè)工件的表面的方法，該方法包括以下步驟提供一個(gè)工件表面影響裝置，該工件表面影響裝置在一供應(yīng)結(jié)構(gòu)和一接納結(jié)構(gòu)之間延伸并安裝在其上；當(dāng)在一接觸溶液的電極和第一批多個(gè)工件的每一個(gè)之間施加勢(shì)差且使用工件表面影響裝置的第一加工部分時(shí)電化學(xué)機(jī)械加工第一批多個(gè)工件的表面；移動(dòng)工件表面影響裝置，從而使工件表面影響裝置的一個(gè)第二加工部分可被使用；以及當(dāng)在接觸溶液的電極和第二批多個(gè)工件的每一個(gè)之間施加勢(shì)差且使用工件表面影響裝置的第二加工部分時(shí)，電化學(xué)機(jī)械加工第二批多個(gè)工件的表面。
56.如權(quán)利要求55所述的方法，其特征在于所述第一和第二加工部分具有相同的通道圖案。
57.如權(quán)利要求56所述的工藝，其特征在于在所述第一加工部分上進(jìn)行的加工是電化學(xué)機(jī)械沉積。
58.如權(quán)利要求57所述的工藝，其特征在于在所述第二加工部分上進(jìn)行的加工是電化學(xué)機(jī)械拋光。
59.如權(quán)利要求55所述的方法，其特征在于所述第一和第二加工部分具有不同的通道圖案。
60.如權(quán)利要求59所述的工藝，其特征在于在所述第一加工部分上進(jìn)行的加工是電化學(xué)機(jī)械沉積。
61.如權(quán)利要求60所述的工藝，其特征在于在所述第二加工部分上進(jìn)行的加工是電化學(xué)機(jī)械拋光。
62.如權(quán)利要求55所述的工藝，其特征在于在所述第一和第二加工部分上進(jìn)行的加工是電化學(xué)機(jī)械沉積。
63.如權(quán)利要求55所述的工藝，其特征在于在所述第一和第二加工部分上進(jìn)行的加工是電化學(xué)機(jī)械拋光。
64.一種借助包括權(quán)利要求55的步驟的方法制造的集成電路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種利用工藝溶液電化學(xué)機(jī)械加工工件表面的設(shè)備，該設(shè)備包括一接觸工藝溶液的電極、一個(gè)在供應(yīng)卷軸和接納卷軸之間延伸的帶狀工件表面影響裝置。在加工過程中，工件表面被放置得接近工件表面影響裝置，在勢(shì)差施加在電極和工件表面之間時(shí)，工藝溶液穿過加工部分流向表面。
文檔編號(hào)B24B37/04GK1646263SQ02826490
公開日2005年7月27日 申請(qǐng)日期2002年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月2日
發(fā)明者布倫特·M·巴索爾, 哈利特·N·亞庫普奧盧, 齊普里安·E·烏佐, 胡馬云·塔利 申請(qǐng)人:Asm納托爾公司