專利名稱：質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種含電子轟擊離子源和化學(xué)離子源的質(zhì)譜儀離子源，尤其涉及 質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝置。
背景技術(shù)：
質(zhì)譜儀離子源的燈絲，主要作用是產(chǎn)生電離樣品分子需要的電子?，F(xiàn)有質(zhì)譜儀離子源的燈絲，無熱屏蔽設(shè)計(jì)；靠近燈絲的位置，離子源溫度高于設(shè)定 溫度，使整個(gè)離子源內(nèi)部的溫度不均衡，從而影響離子源內(nèi)部電場。

實(shí)用新型內(nèi)容針對于此，本實(shí)用新型的目的在于，提供一種質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝 置，能減弱燈絲熱輻射對離子源內(nèi)部電場的影響。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案為一種質(zhì)譜儀離子源的燈絲 熱輻射屏蔽裝置，包括有燈絲，還包括有屏蔽室，所述屏蔽室包覆在燈絲外周。優(yōu)選的，所述屏蔽室設(shè)為直槽狀，倒扣在燈絲上。優(yōu)選的，所述屏蔽室的兩側(cè)面上設(shè)有通孔。優(yōu)選的，所述通孔設(shè)為圓形。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型在燈絲的外周設(shè)置一屏蔽室，但是屏蔽室還設(shè)有相 應(yīng)的通道，便于燈絲產(chǎn)生電子的透過，而又能有效屏蔽燈絲的熱輻射。本實(shí)用新型使離子源 內(nèi)部的溫度均衡，減弱了溫度對離子源內(nèi)部電場的影響，有利于提高活性化合物的信號響應(yīng)。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述，本部分的描述僅是示范性和解釋性， 不應(yīng)對本實(shí)用新型的保護(hù)范圍有任何的限制作用。如圖1所示的一種質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝置，包括有燈絲1，還包括有 屏蔽室2，所述屏蔽室2包覆在燈絲1外周。屏蔽室2設(shè)為直槽狀，倒扣在燈絲1上。屏蔽 室2的兩側(cè)面上設(shè)有圓形通孔。本實(shí)用新型燈絲熱輻射屏蔽裝置，適用于質(zhì)譜儀的離子源，包括電子轟擊離子源 和化學(xué)離子源兩種類型。在燈絲1外周設(shè)置一個(gè)不銹鋼的屏蔽室2，既不影響燈絲產(chǎn)生電子 的透過，又能夠有效屏蔽燈絲的熱輻射。本實(shí)用新型使離子源內(nèi)部的溫度均衡，減弱了溫度對離子源內(nèi)部電場的影響，有 利于提高活性化合物的信號響應(yīng)。[0015] 以上僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾 也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求一種質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝置，包括有燈絲，其特征在于還包括有屏蔽室，所述屏蔽室包覆在燈絲外周。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝置，其特征在于所述屏 蔽室設(shè)為直槽狀，倒扣在燈絲上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝置，其特征在于所述屏 蔽室的兩側(cè)面上設(shè)有通孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝置，其特征在于所述通 孔設(shè)為圓形。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種包含電子轟擊離子源和化學(xué)離子源的質(zhì)譜儀離子源的燈絲熱輻射屏蔽裝置，包括有燈絲，還包括有屏蔽室，所述屏蔽室包覆在燈絲外周。本實(shí)用新型使離子源內(nèi)部的溫度均衡，減弱了溫度對離子源內(nèi)部電場的影響，有利于提高活性化合物的信號響應(yīng)。
文檔編號H01J49/10GK201584397SQ200920278319
公開日2010年9月15日 申請日期2009年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月22日
發(fā)明者張洪剛, 王傳博 申請人:北京普析通用儀器有限責(zé)任公司