專利名稱：質(zhì)譜儀的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種質(zhì)譜儀，該質(zhì)譜儀具有 -電離室，具有用于要檢查的氣體的供給通道， -電子源，用于電離要檢查的氣體， -用于使電離電子加速的電極，-用于通過(guò)使離子加速/減速來(lái)根據(jù)質(zhì)量分離所述離子的電極， -用于被分離的離子的探測(cè)器，以及 -具有金屬線的布線。
背景技術(shù)：
質(zhì)譜儀被用在多種應(yīng)用中。以前，質(zhì)譜儀主要用于科學(xué)目的，而 如今存在越來(lái)越多的與如下有關(guān)的應(yīng)用環(huán)境保護(hù)、用于確定有害氣 體的空氣質(zhì)量測(cè)量、過(guò)程監(jiān)控和控制、例如在機(jī)場(chǎng)中的安全檢查等。 尤其是具有小尺寸并因此易于運(yùn)輸以及能夠被普遍使用的質(zhì)譜儀適用 于這些目的。對(duì)于大規(guī)模應(yīng)用來(lái)說(shuō)，另一要求是能夠低成本地制造 這些質(zhì)譜儀。先前公知的具有四極質(zhì)量分離器(Quadrupolmassenseparator ) 的質(zhì)譜儀以小尺寸為特征(W0 2004/013890， GB 234908 A)。缺點(diǎn)是， 在這樣的四極質(zhì)量分離器的情況下對(duì)電極幾何形狀 (Elektrodengeometrie)提出非常高的要求，從而不能通過(guò)在微系統(tǒng) 技術(shù)中常用的蝕刻法或沉積法來(lái)制it分離器。由于系統(tǒng)由多個(gè)必須以 彼此精確配合的方式被調(diào)節(jié)和定位的組件構(gòu)成，所以必須進(jìn)行昂貴和 復(fù)雜的單系統(tǒng)處理。在另一質(zhì)譜儀中使用磁場(chǎng)分離器(W0 96/16430 )。但是該磁場(chǎng)分 離器要求某個(gè)最小尺寸，因?yàn)橐环矫驷槍?duì)該磁場(chǎng)分離器必須存在非常 高的磁場(chǎng)強(qiáng)度，而在其它位置處必須屏蔽該磁場(chǎng)以便不影響電離或離 子光學(xué)。在一種根據(jù)微系統(tǒng)技術(shù)制造的質(zhì)譜儀(Y00N H J等人"Fabrication of a novel micro time-of-f 1 ight mass spectrometer" SENSORS AND ACTUATORS A， ELSEVIER SE(J麗A S. A. ， UUSA羅，CH， Bd. 97-98, 2002年4月1日(2002 - 04 - 01 )，第441 — 447頁(yè)， XP004361634 ISSN: 0924 - 4247 )中，使用硅作為襯底，該襯底具有 的優(yōu)點(diǎn)是具有大量結(jié)構(gòu)化可能性，但是具有的缺點(diǎn)是有使該襯底 加熱的大的泄漏電流流動(dòng)。另一缺點(diǎn)是高的介電常數(shù)，該高的介電常 數(shù)即使在使用由二氧化硅構(gòu)成的絕緣中間層時(shí)也導(dǎo)致信號(hào)失真。而且， 通過(guò)電場(chǎng)僅發(fā)生離子運(yùn)動(dòng)方向上的連續(xù)的加速，而不發(fā)生垂直于離子 運(yùn)動(dòng)方向的時(shí)變的加速(而通過(guò)所述時(shí)變的加速可以改善依賴速度的 離子選擇)，從而所有離子都到達(dá)探測(cè)器，并且必須在時(shí)間上分辨該 離子流的測(cè)量。此外，該先前公知的質(zhì)譜儀未以完整方式被構(gòu)造；如 圖11中所示，分離器和探測(cè)器是分開的元件。利用微系統(tǒng)技術(shù)的方法，另一先前公知的小型化的質(zhì)譜儀(W0 96/11492 )同樣未以完全平面的方式來(lái)制造；設(shè)置有用于質(zhì)量分離的 外部磁體。在上面已經(jīng)結(jié)合另一公知的質(zhì)譜儀(W0 96/16340 )提到相 應(yīng)的缺點(diǎn)。開頭所述類型的質(zhì)譜儀曽被開發(fā)用于微系統(tǒng)中，該質(zhì)譜儀可以利 用在微系統(tǒng)技術(shù)中常用的方法來(lái)制造(DE 197 20 278 Al )。該質(zhì)譜 儀僅具有非常小的尺寸。但是，制造非常復(fù)雜，因?yàn)橐环矫鏋榱思铀?以便電離要檢查的氣體需要無(wú)支撐的絕緣柵(isoliertes Gitter)， 而另一方面必須產(chǎn)生電接觸的、由銅或鎳構(gòu)成的電鍍生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)。各 個(gè)組件的構(gòu)造分開地在總共四個(gè)襯底上進(jìn)行，必須利用適當(dāng)?shù)臉?gòu)造和 連接技術(shù)將這些襯底連接成單片系統(tǒng)。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的任務(wù)在于提供一種開頭所述類型的質(zhì)譜儀，所述質(zhì)譜儀 可以簡(jiǎn)單并且低成本地制造，并且適于大量生產(chǎn)。在開頭所述類型的質(zhì)譜儀的情況下，根據(jù)本發(fā)明的解決方案在于 一該質(zhì)譜儀以完全平面的方式被構(gòu)造， -組件被設(shè)置在平坦的不導(dǎo)電的襯底上，-該質(zhì)譜儀具有用于離子的能量過(guò)濾器，所述能量過(guò)濾器被實(shí)施 為扇形、尤其是90°扇形，6-通過(guò)對(duì)施加到該襯底和布線上的被摻雜的半導(dǎo)體片(Halbleiterpiattchen)進(jìn)行光刻和蝕刻來(lái)制造電離室、用于4吏電子和 離子加速的電極、用于所述離子的探測(cè)器、和能量過(guò)濾器，并且前述 部件被第二個(gè)平坦的不導(dǎo)電的襯底覆蓋。在此，應(yīng)該將"扇形，，理解為弧段，其中所述離子在該弧段上移動(dòng)。質(zhì)譜儀具有通過(guò)加速/減速來(lái)根據(jù)質(zhì)量分離離子的功能基于以下 事實(shí)由于通過(guò)所述電極的電場(chǎng)進(jìn)行加速，重量不同的離子達(dá)到不同 的速度，并且基于這種速度差異實(shí)現(xiàn)分離。但是，相應(yīng)的被允許通過(guò) 的離子束并不是單色的，而是也含有質(zhì)量更大或者更小的離子，這些 離子由于熱運(yùn)動(dòng)而具有了更大的或者更小的起動(dòng)速度。為了濾除這些 非單色的離子，設(shè)置有能量過(guò)濾器，在所述能量過(guò)濾器中，在兩個(gè)具 有不同的、尤其是相反的電勢(shì)的電極之間，離子在所述電極之間的通 道(扇形)中被偏轉(zhuǎn)。通過(guò)該措施獲得更高的精度。與現(xiàn)有技術(shù)的雙聚集(doppelfokussierend )質(zhì)譜儀(W0 96/11492 )相比，在此舍棄通過(guò)外部磁場(chǎng)的偏轉(zhuǎn)。在本發(fā)明中，僅通 過(guò)在平面結(jié)構(gòu)之內(nèi)產(chǎn)生的電場(chǎng)來(lái)根據(jù)質(zhì)量/能量分開離子。本發(fā)明的特別的優(yōu)點(diǎn)在于該質(zhì)譜儀以完全平面的方式被構(gòu)造并 且可以利用微電子技術(shù)由晶片來(lái)制造。組件被設(shè)置在平坦的不導(dǎo)電的 襯底上，在該襯底上首先施加有金屬連接布線。通過(guò)對(duì)施加到該襯底 和該布線上的半導(dǎo)體片進(jìn)行光刻和蝕刻來(lái)制造電離室、用于使電子和 離子加速的電極、用于所述離子的探測(cè)器、和能量過(guò)濾器，其中在光 刻和蝕刻步驟中產(chǎn)生所有的組件。接下來(lái)，則用平坦的不導(dǎo)電的襯底 來(lái)覆蓋所述組件，以便因此獲得閉合的單元。在一種有利的實(shí)施方式中，該電子源是熱發(fā)射器。在另一有利的實(shí)施方式中，該電子源具有等離子體室，該等離子體室具有用于稀有 氣體的供給通道和用于引入微波以便產(chǎn)生和維持等離子體的微波線 路，其中該等離子體室、該供給通道和該微波線路連同其它部件一起 同樣通過(guò)蝕刻半導(dǎo)體片來(lái)制造。在一種有利的實(shí)施方式中，用于通過(guò)加速/減速來(lái)根據(jù)質(zhì)量分離離子的電極被構(gòu)造和設(shè)置為飛行時(shí)間質(zhì)量分離器。在第一柵電極裝置中， 離子束被脈沖調(diào)制(gepulst)。因此，僅有短離子脈沖到達(dá)漂移路段中，在該漂移路段中，該脈沖由于離子的速度不同而分散。在第二柵 電極裝置處，該離子脈沖被采樣。在此，不同的傳播時(shí)間對(duì)應(yīng)于不同 的質(zhì)量。于是通過(guò)能量過(guò)濾器確保只有剛好具有某一能量的離子到達(dá) 探測(cè)器并且在那里被記錄。在行波場(chǎng)分離器的情況下，在測(cè)量路段中設(shè)置有大量的電極，所 述電極被施加交流電壓，該交流電壓從一端到另一端隨著所述離子而"遷移(wandern)"。只有剛好具有對(duì)應(yīng)于電場(chǎng)的"遷移速度"的速 度的離子總是移動(dòng)通過(guò)正好未被施加電壓的電極。所有其它不合拍的 離子在正好被施加有電壓的電極之間移動(dòng)，從而它們被偏轉(zhuǎn)到旁側(cè)。用于所述離子的探測(cè)器被有利地構(gòu)造為法拉第探測(cè)器 (Faradaydetektor)。在具有更高靈敏度的另 一有利的實(shí)施方式中， 用于所述離子的探測(cè)器被構(gòu)造為電子倍增器。用于使電子加速的電極可以是兩個(gè)配備有光闌孔徑 (Blenden6ffnung)的能夠被施加不同電勢(shì)的電極。這些電極同樣可以 由半導(dǎo)體材料來(lái)制造，從而避免現(xiàn)有技術(shù)中先前公知的、難以制造的 用于加速電子的格柵裝置(DE 197 20 278 A)。該質(zhì)譜儀有利地具有微控制器，通過(guò)該微控制器來(lái)控制該質(zhì)譜儀。 有利地通過(guò)共晶半導(dǎo)體-金屬接觸來(lái)電連接所述布線的金屬導(dǎo)體 和所述電極。為此，在金屬線或者印制導(dǎo)線上在相應(yīng)位置上設(shè)置有由 適當(dāng)?shù)慕饘贅?gòu)成的凸起，所述凸起在與半導(dǎo)體片結(jié)合時(shí)形成共晶半導(dǎo) 體-金屬接觸。用于該共晶接觸的特別有利的金屬是金。 該不導(dǎo)電的襯底有利地由硼硅玻璃或者石英玻璃構(gòu)成。 本發(fā)明的特征還在于一種用于制造該質(zhì)譜儀的方法。根據(jù)該方法， 在平坦的不導(dǎo)電的襯底上施加金屬布線，在該金屬布線上設(shè)置用于與 半導(dǎo)體電極相連接的金屬焊盤。然后將對(duì)應(yīng)于該布線的凹陷蝕刻到半 導(dǎo)體片中，以便半導(dǎo)體材料在結(jié)合時(shí)僅接觸所述金屬焊盤，而不接觸 所述布線。接下來(lái)，則將該半導(dǎo)體片施加到該襯底上，并且在該半導(dǎo) 體片上設(shè)置光刻掩膜。在此，可以通過(guò)如下方式光學(xué)地實(shí)現(xiàn)該掩膜相 對(duì)于該布線和金焊盤的對(duì)準(zhǔn)使用具有某一波長(zhǎng)的光，對(duì)于所述光來(lái) 說(shuō)硅片是透明的。在此，對(duì)硅來(lái)說(shuō)，1.2pm以上的波長(zhǎng)是合適的。在 相應(yīng)地曝光和除去該掩膜之后，則在一個(gè)步驟中局部地蝕刻該半導(dǎo)體8片，以便產(chǎn)生該質(zhì)譜儀的組件。接下來(lái)，利用第二個(gè)不導(dǎo)電的襯底覆 蓋該半導(dǎo)體片。在此，可以預(yù)先在該第二個(gè)不導(dǎo)電的襯底上施加另外的布線，以 便例如使電極對(duì)的電極相互連接。


接下來(lái)根據(jù)有利的實(shí)施方式參照附圖來(lái)描述本發(fā)明。圖1示出在沒(méi)有布線和不導(dǎo)電襯底的情況下質(zhì)譜儀的有利實(shí)施方式的主要部件的基本布置；圖2示出沿著圖1的線A-A的截面，其中一并示出了不導(dǎo)電村底， 圖3以類似于圖1的示圖示出另一實(shí)施方式， 圖4以類似于圖2的示圖示出對(duì)應(yīng)于圖3的線A-A的截面， 圖5以及圖6示出第三實(shí)施方式的對(duì)應(yīng)于圖l和圖2或圖3和圖4的示圖，圖7示出加速電極裝置的俯視圖；圖8示出沿著圖7的線A-A的截面；以及圖9示出制造本發(fā)明的質(zhì)鐠儀的原理。
具體實(shí)施方式
在圖1中示出了完成了的半導(dǎo)體片，該半導(dǎo)體片在該實(shí)施方式中 由摻雜的硅構(gòu)成，并且在該半導(dǎo)體片中通過(guò)蝕刻制造出相應(yīng)的組件。 該謙儀具有用于樣品氣體的供給通道a，該樣品氣體被導(dǎo)向電離室b中。 電離所需的具有典型地為70eV的能量的電子從等離子體室d中被提取 出，并在兩個(gè)處于不同電勢(shì)的光闌孔徑c之間凈皮加速。所述光闌孔徑 之間的整個(gè)區(qū)域朝著該系統(tǒng)的旁側(cè)被抽成真空。稀有氣體通過(guò)通道e 被供給等離子體室d。通過(guò)微波導(dǎo)體f利用微波來(lái)激勵(lì)所述稀有氣體以 便產(chǎn)生等離子體并且由此釋放所需的電子。通過(guò)通道e或所連接的毛 細(xì)管之前的入口壓力來(lái)控制該等離子體室中的壓力。通過(guò)室壁與離子光學(xué)器件g之間的電場(chǎng)將來(lái)自電離室b的離子提 取到另一光闌孔徑上，利用所定義的能量使所述離子加速并聚集。離 子束在第一柵電子裝置h處被脈沖調(diào)制。因此只有短離子脈沖到達(dá)漂 移路段i中，在該漂移路段i中脈沖由于離子的速度不同而分散。在第二柵電極裝置j處，該離子脈沖被采樣。能量過(guò)濾器k確保只有剛 好具有某一能量的離子到達(dá)探測(cè)器1并且在那里被記錄。
圖3和圖4示出另一實(shí)施方式，該實(shí)施方式在加速電極的區(qū)域內(nèi) 與圖1和圖2的實(shí)施方式不同。行波場(chǎng)分離器的電極m被施加交流電 壓，從而在正好被施加電壓的電極之間移動(dòng)通過(guò)的電子被偏轉(zhuǎn)到旁側(cè) 并且被從該射束中除去。只有剛好具有正確速度的、在沒(méi)有電壓施加 在電極處時(shí)分別通過(guò)這些電極的離子到達(dá)能量過(guò)濾器k，該能量過(guò)濾器 k的在四分之一圓形通道的兩側(cè)的兩個(gè)電極處于相反的電勢(shì)，以^更因此 僅使剛好具有所定義的能量的離子通過(guò)。這些離子然后又打到探測(cè)器1 上。
圖5和圖6的實(shí)施方式與圖1和圖2的實(shí)施方式的不同之處在于 代替稀有氣體等離子體，將熱發(fā)射器n用于釋放電離所需的電子。
在圖7和圖8中示出了根據(jù)本發(fā)明的質(zhì)譜儀的電極區(qū)域。硼硅玻 璃1充當(dāng)該系統(tǒng)的載體，在該硼硅玻璃1上施加有金屬印制導(dǎo)線2以 便將電極電互連。通過(guò)共晶金硅接觸5來(lái)實(shí)現(xiàn)金屬印制導(dǎo)線2與硅電 極4之間的電接觸。印制導(dǎo)線2與硅電極4之間的接觸位置處的金焊 盤3在與高摻雜硅結(jié)合時(shí)熔合，并且因此產(chǎn)生歐姆接觸。在此，在圖8 中以截面的形式示出了電極的構(gòu)造。
在圖9中示出了制造該質(zhì)譜儀的原理。通過(guò)在該硅片中進(jìn)行蝕刻 產(chǎn)生凹槽(Ausnehmung) 8，該凹槽8在完成的質(zhì)譜儀中導(dǎo)致載體襯底 1上的金屬印制導(dǎo)線2與硅片6之間的所需距離。這是必需的，以便能 夠以平面的方式結(jié)合襯底1和硅片6。在此，蝕刻坑8的深度被設(shè)計(jì)為 使得金焊盤3在襯底1與硅片6連接在一起時(shí)與蝕刻坑8的底部接觸。 這樣根據(jù)I所產(chǎn)生的裝置然后在步驟II中被結(jié)合。在步驟III中，在 施加了相應(yīng)的掩膜并通過(guò)蝕刻曝光之后產(chǎn)生所期望的結(jié)構(gòu)。實(shí)際上， 在I、 II和III中所示的上部的襯底7在這些步驟過(guò)程中還不存在。 該襯底7同樣承栽導(dǎo)體，并且然后在IV中被結(jié)合到該裝置上，其中通 過(guò)設(shè)置在上部的襯底7處的導(dǎo)體來(lái)連接電極。
可以以統(tǒng)一的步驟在晶片中進(jìn)行該質(zhì)譜儀的制造。圖中所示的完 成了的質(zhì)譜4義可以具有如5xl0mm那樣小的尺寸。由于尺寸小，因此
也僅對(duì)真空泵的泵功率提出低的要求。
權(quán)利要求
1.一種質(zhì)譜儀，該質(zhì)譜儀具有-電離室(b)，具有用于要檢查的氣體的供給通道(a)，-電子源(d，n)，用于電離要檢查的氣體，-用于使電離電子加速的電極(c)，-用于通過(guò)使離子加速/減速來(lái)根據(jù)質(zhì)量分離所述離子的電極(g，h，j，m)，-用于被分離的離子的探測(cè)器(1)，以及-具有金屬導(dǎo)體的布線，其特征在于，-該質(zhì)譜儀以完全平面的方式被構(gòu)造，-組件被設(shè)置在平坦的不導(dǎo)電的襯底(1)上，-該質(zhì)譜儀具有用于所述離子的能量過(guò)濾器(k)，所述能量過(guò)濾器(k)被實(shí)施為扇形、尤其是90°扇形，-通過(guò)對(duì)施加到所述襯底(1)和所述布線(2)上的摻雜的半導(dǎo)體片(6)進(jìn)行光刻和蝕刻來(lái)制造所述電離室(b)、用于使電子和離子加速的電極(g，h，j，m)、用于所述離子的探測(cè)器(1)、和所述能量過(guò)濾器(k)，并且前述部件被第二個(gè)平坦的不導(dǎo)電的襯底(7)覆蓋。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)譜儀，其特征在于，所述電子源(n) 是熱發(fā)射器。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的質(zhì)譜儀，其特征在于，所述電子源具有 等離子體室(d)，該等離子體室(d)具有用于稀有氣體的供給通道 (e)和用于引入微波以便產(chǎn)生和維持等離子體的微波線路(f )，其中 通過(guò)對(duì)所述半導(dǎo)體片(6)進(jìn)行蝕刻來(lái)制造所述等離子體室(d)、所 述供給通道(e)和所述微波線路(f )。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的質(zhì)譜儀，其特征在于，用于通 過(guò)加速/減速來(lái)根據(jù)質(zhì)量分離離子的電極(g， h， j)被構(gòu)造和設(shè)置為 飛行時(shí)間質(zhì)量分離器。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的質(zhì)譜儀，其特征在于，用于通 過(guò)加速/減速來(lái)根據(jù)質(zhì)量分離離子的電極(g， m)被構(gòu)造和設(shè)置為行波場(chǎng)分離器。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5之一所述的質(zhì)譜儀，其特征在于，用于所 述離子的探測(cè)器(1)被構(gòu)造為法拉第探測(cè)器。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至5之一所述的質(zhì)譜儀，其特征在于，用于所 述離子的探測(cè)器(1)被構(gòu)造為電子倍增器。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7之一所述的質(zhì)譜儀，其特征在于，用于使 電子加速的電極(c)是兩個(gè)配備有光闌孔徑的、能夠被施加不同電勢(shì) 的電極。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1至8之一所述的質(zhì)譜儀，其特征在于，該質(zhì)譜 儀具有微控制器。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1至9之一所述的質(zhì)譜儀，其特征在于，通過(guò)共 晶金屬-半導(dǎo)體接觸來(lái)電連接所述金屬導(dǎo)體(2)和所述電極(4)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1至9之一所述的質(zhì)譜儀，其特征在于，通過(guò)共 晶金-半導(dǎo)體接觸來(lái)電連接所述金屬導(dǎo)體(2)和所述電極(4)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1至9之一所述的質(zhì)譜儀，其特征在于，半導(dǎo)體 材料是被摻雜的硅。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1至12之一所述的質(zhì)譜儀，其特征在于，不導(dǎo) 電的襯底(1， 7)由硼硅玻璃或者石英玻璃構(gòu)成。
14. 一種用于制造質(zhì)譜儀的方法，該質(zhì)譜儀具有用于要檢查的氣 體的電離室，該電離室具有用于該氣體的供給通道；用于電離該氣體 的電子的電子源；用于使所述電子加速的電極；用于使從該電離室離 開的離子聚集并加速以及用于通過(guò)加速/減速來(lái)根據(jù)質(zhì)量分離所述離 子的電極；用于所述離子的探測(cè)器；用于前述組件的金屬導(dǎo)體形式的 連接布線；以及用于所述離子的能量過(guò)濾器，該能量過(guò)濾器被實(shí)施為 扇形，其特征在于，在平坦的不導(dǎo)電的襯底上施加金屬布線，在該金 屬布線上設(shè)置用于與半導(dǎo)體電極相連接的金屬焊盤，將對(duì)應(yīng)于該布線 的凹陷蝕刻到半導(dǎo)體片中，將該半導(dǎo)體片施加到該襯底上，在該半導(dǎo) 體片上利用具有大約1.2pm以上的波長(zhǎng)的光來(lái)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)光刻掩膜，隨 后局部地蝕刻該半導(dǎo)體片，并且然后利用笫二個(gè)不導(dǎo)電的襯底覆蓋該 半導(dǎo)體片。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，利用所述第二個(gè) 不導(dǎo)電的襯底來(lái)施加另外的布線。
16.根據(jù)權(quán)利要求14至15之一所述的方法，其特征在于，將金用 作所述金屬焊盤的金屬。
全文摘要
一種質(zhì)譜儀，其特征在于，該質(zhì)譜儀以完全平面的方式被構(gòu)造；組件被設(shè)置在平坦的不導(dǎo)電的襯底上；該質(zhì)譜儀具有用于離子的能量過(guò)濾器(k)，所述能量過(guò)濾器(k)被實(shí)施為扇形、尤其是90°扇形；通過(guò)對(duì)施加到該襯底和布線上的被摻雜的半導(dǎo)體片進(jìn)行光刻和蝕刻來(lái)制造電離室(b)、用于使電子和離子加速的電極(g，h，j)、用于所述離子的探測(cè)器(l)、和所述能量過(guò)濾器(k)，并且前述部件被第二個(gè)平坦的不導(dǎo)電的襯底覆蓋。
文檔編號(hào)H01J49/00GK101636814SQ200880005532
公開日2010年1月27日 申請(qǐng)日期2008年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月19日
發(fā)明者E·瓦佩爾霍斯特, J·-P·豪希爾德, J·米勒 申請(qǐng)人:拜爾技術(shù)服務(wù)有限責(zé)任公司