專利名稱：等離子顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般情況下，對于等離子顯示器(Plasma Display Panel以下簡稱“PDP”。)，它是一種對畫面進(jìn)行顯示的裝置。在由堿石灰(Soda-lime)玻璃構(gòu)成的前面玻璃和背面玻璃之間形成的間隔壁構(gòu)成一個(gè)單位的單元，然后，將各個(gè)單元內(nèi)的氖(Ne)、氦(He)或者是氦氖(Ne+He)作為周期性放電的氣體，并加入少量的氙(Xe)等惰性氣體，通過高頻電壓產(chǎn)生放電。在這種情況下，就會產(chǎn)生真空紫外線(VacuumUltraviolet rays)，從而使在間隔壁之間形成的熒光體發(fā)光，這樣，就可以進(jìn)行畫面顯示了。等離子顯示器就是這樣一種具有上述結(jié)構(gòu)和特征的畫面顯示裝置。
圖1是依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示等離子顯示器(PDP)由顯示畫像的前面玻璃基板10和后面玻璃基板20平行結(jié)合而成，前后基板間留有一定的縫隙。
在前面玻璃基板10的下方有維持電極對11，12，該電極對由通過一個(gè)像素內(nèi)的相互放電維持單元發(fā)光的維持電極11，12，即由透明的ITO(Indium Thin Oxide氧化銦錫)材料形成的透明電極11a，12a和由金屬材料制成的總線電極11b，12b構(gòu)成。
維持電極對由掃描電極11及維持電極12構(gòu)成，掃描電極11中主要提供模板注射的注射信號和維持放電的維持信號，維持電極12主要提供維持信號。
維持電極11，12抑制放電電流，上面涂抹有保持電極對間絕緣的電介質(zhì)層13a，在電介質(zhì)層13a上涂抹有由氧化鎂(MgO)制成的保護(hù)層14，保證電子可以順利釋放出來。
在后面玻璃基板20上，為形成一個(gè)以上的放電空間，即條狀(或井狀)的間隔壁21平行排列形成放電單元，在與維持電極11，12交差的部分有多個(gè)尋址電極22與間隔壁21平行排列在后面玻璃基板20的上面，尋址電極22可以進(jìn)行尋址放電，產(chǎn)生真空紫外線。
在上述尋址電極22上面涂抹有下部電介質(zhì)層13，在下部電介質(zhì)層13的上面涂抹有釋放尋址放電時(shí)顯示畫像所需的可視光線的R，G，B熒光層23。
在前面玻璃基板10和后面玻璃基板20上通過貼涂工序?qū)⒚芊獠牧喜ＡЯ?Frit Glass)進(jìn)行可塑化后貼涂抹在基板上后，然后進(jìn)入排氣工序?qū)鍍?nèi)部的不純物質(zhì)除去。
排氣工序結(jié)束后為了提高等離子顯示器的放電時(shí)的放電效率將氦(He)，氖(Ne)，氙(Xe)等惰性氣體注入等離子顯示器內(nèi)部(PDP)。
具有上述結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有的等離子顯示器的放電過程如下在后面玻璃基板20上的尋址電極22和前面玻璃基板10上的維持電極11，12間發(fā)生尋址放電后，再對選定的單元進(jìn)行連續(xù)的顯示放電。
在放電時(shí)產(chǎn)生的真空紫外線使熒光體放射出可視光線，產(chǎn)生畫像。
現(xiàn)有的等離子顯示器的制造過程大致由制造玻璃基板的步驟；制造前面板的步驟；制造后面板的步驟及組裝步驟構(gòu)成。等離子顯示器的板制造過程如下。
圖2是依據(jù)現(xiàn)在技術(shù)的等離子顯示器的制造工序流程圖。如圖所示，a步驟中在后面玻璃基板的上部20形成具有一定寬度和高度的尋址電極22；b步驟中在尋址電極22上部形成電介質(zhì)層13b。
c步驟中，在電介質(zhì)層13b的上部形成白色間隔壁12a；d步驟中在白間隔壁12a的上部形成黑間隔壁21b；e步驟中黑間隔壁21b的上部涂抹上光致抗蝕劑30；f步驟中將形成特定的模板的光掩膜涂抹在光致抗蝕劑30的上部，經(jīng)過光的照射使光致抗蝕劑30硬化，這個(gè)過程叫曝光過程。
經(jīng)過曝光過程后，g步驟中通過顯影過程將沒有硬化的光致抗蝕劑洗滌去后；在h步驟中經(jīng)過蝕刻過程形成白間隔壁21a和黑間隔壁21b。
然后進(jìn)行干燥，塑形后，形成可以防止各放電單元間的串?dāng)_(Crosstalk)的白間隔壁21a和黑間隔壁21b。
然后，i步驟中在白間隔壁21a和黑間隔壁21b間形成熒光層，然后經(jīng)過塑形形成后面玻璃基板20。
但是經(jīng)過上述過程制造出的等離子顯示器的黑間隔壁21b結(jié)構(gòu)具有以下缺點(diǎn)。
首先，因?yàn)楹陂g隔壁21b直接暴露在發(fā)射可視光的單元內(nèi)，與白間隔壁相反，黑間隔壁21b吸收可視光，起到了降低發(fā)光效率的負(fù)作用。
其次，由普通材料制造成的黑間隔壁21b電介質(zhì)常數(shù)高，增加了間隔壁的電容(Capacitance)值，從而造成不必要的電力浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是為解決上述問題而提出的，本發(fā)明的目的是提供一種等離子顯示器，它的白間隔壁比黑間隔壁要窄，通過減小暴露在產(chǎn)生可視光的單元內(nèi)的黑間隔壁的大小，減少可視光的吸收，從而最大程度地避免因黑間隔壁引起的發(fā)光效率降低現(xiàn)象的出現(xiàn)。
而且由于減少了電介質(zhì)常數(shù)大的黑間隔壁的面積，減小了電介質(zhì)的常數(shù)，從而抑制了電容的增加。這樣可以減少驅(qū)動時(shí)電容充電用變位電流造成的電力損失，提高驅(qū)動的效率。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器的制造方法由以下步驟構(gòu)成在電介質(zhì)層上涂抹上第1間隔壁材料的步驟；在第1間隔壁上涂抹上第2間隔壁材料的步驟；在第2間隔壁上涂抹上光致抗蝕劑的步驟；利用光致抗蝕劑上的掩膜進(jìn)行曝光的步驟；對曝光后的模板進(jìn)行顯影的步驟，對第2間隔壁進(jìn)行有選擇的蝕刻的第1蝕刻步驟；對第1間隔壁進(jìn)行有選擇的蝕刻的第2蝕刻步驟及對第2間隔壁進(jìn)行有選擇的蝕刻的第3蝕刻步驟。
依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于制造黑間隔壁的材料的反射率在50％以下，不具有導(dǎo)電性。
依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于黑間隔壁利用薄膜法形成，形成過程中使用濺射(Sputter)、電子束(E-beam)、化學(xué)氣相沉積(CVD)等設(shè)備。
依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于在第1，3蝕刻步驟使用種類不同的蝕刻劑(Etchant)。
依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于第1蝕刻步驟可以使用反應(yīng)性離子蝕刻(Reactive Ion Etching)法。
依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器，其特征在于黑間隔壁上面的寬度比白間隔壁的寬度小10μm。
依據(jù)本發(fā)明，白間隔壁比黑間隔壁要窄，通過減小暴露在產(chǎn)生可視光的單元內(nèi)的黑間隔壁的大小，減少可視光的吸收，從而最大程度地避免因黑間隔壁引起的發(fā)光效率降低現(xiàn)象的出現(xiàn)。
而且由于減少了電介質(zhì)常數(shù)大的黑間隔壁的面積，減小了電介質(zhì)的常數(shù)，從而抑制了電容的增加。這樣可以減少驅(qū)動時(shí)電容充電用變位電流造成的電力損失，提高驅(qū)動的效率。


圖1是依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的等離子顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是依據(jù)現(xiàn)在技術(shù)的等離子顯示器的制造工序流程圖；圖3是依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器制造工序流程圖。
具體實(shí)施例方式
為進(jìn)一步說明本發(fā)明的上述目的、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和效果，以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。
下面將參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
圖3是依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器制造工序流程圖。如圖所示，形成白間隔壁21a和黑間隔壁21b的工序如下。a步驟中在后面玻璃基板的上部20形成具有一定寬度和高度的尋址電極22；b步驟中在尋址電極22上部形成電介質(zhì)層13b。
c步驟中，在電介質(zhì)層13b的上部形成白色間隔壁12a；白間隔壁12a的材質(zhì)要與黑間隔壁21b的材質(zhì)具有不同的蝕刻率。
d步驟中在白間隔壁21a的上部形成黑間隔壁21b，制造黑間隔壁的材料的反射率在50％以下，并且不具有導(dǎo)電性。
黑間隔壁利用薄膜法形成，形成過程中使用濺射(Sputter)、電子束(E-beam)、化學(xué)氣相沉積(CVD)等設(shè)備。
e步驟中黑間隔壁21b的上部涂抹上光致抗蝕劑30；f步驟中將形成特定模板的光掩膜涂抹在光致抗蝕劑30的上部，經(jīng)過光的照射使光致抗蝕劑30硬化，這個(gè)過程叫曝光過程。經(jīng)過曝光過程后，g步驟中通過顯影過程將沒有硬化的光致抗蝕劑洗滌去后；在h步驟中利用蝕刻劑，只對黑間隔壁21b進(jìn)行蝕刻。
第1蝕刻步驟可以使用反應(yīng)性離子蝕刻(Reactive Ion Etching)法。
i步驟為第2蝕刻步驟，使用與第1蝕刻步驟不同的蝕刻劑只對白間隔壁21a進(jìn)行蝕刻。
J步驟為第3蝕刻步驟，為了將黑間隔壁21b的上面寬度制造成比白間隔壁21a上面的寬度小，使用與第1蝕刻步驟中相同的蝕刻劑只對黑間隔壁21b進(jìn)行蝕刻。
這時(shí)使用的是濕式蝕刻，理由是濕式蝕刻在不同的材料同時(shí)存在時(shí)，可以比較容易選擇與蝕刻劑成份和條件相吻合的材料，從而只選擇需要蝕刻的材料進(jìn)行蝕刻。
通過第1、2、3蝕刻步驟，黑間隔壁21b上面的寬度比白間隔壁21a的寬度小10μm。
然后進(jìn)行干燥，塑形后，形成可以防止各放電單元間的串?dāng)_(Crosstalk)的白間隔壁21a和黑間隔壁21b。
依據(jù)現(xiàn)有技術(shù)制造的等離子顯示器具有以下缺點(diǎn)首先，因?yàn)楹陂g隔壁21b直接暴露在發(fā)射可視光的單元內(nèi)，與白間隔壁相反，黑間隔壁21b吸收可視光，起到了降低發(fā)光效率的負(fù)作用。
其次，由普通材質(zhì)的黑間隔壁21b電介質(zhì)常數(shù)高，增加了間隔壁的電容值，從而造成不必要的電力浪費(fèi)。
但是，依據(jù)本發(fā)明的等離子顯示器的白間隔壁比黑間隔壁要窄，通過減小暴露在產(chǎn)生可視光的單元內(nèi)的黑間隔壁21b的大小，減少可視光的吸收，從而最大程度地避免因黑間隔壁21b引起的發(fā)光效率降低現(xiàn)象的出現(xiàn)。
而且由于減少了電介質(zhì)常數(shù)大的黑間隔壁的面積，減小了電介質(zhì)的常數(shù)，從而抑制了電容的增加。這樣可以減少驅(qū)動時(shí)電容充電用變位電流造成的電力損失，提高驅(qū)動的效率。
本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員完全可以在不偏離本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)思想和必要特點(diǎn)，對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行其它具體形式的變更。
因此，以上所述的實(shí)施例是在所有方面以示例的目的而展開，并沒有局限性，比起上述詳細(xì)說明，本發(fā)明的范圍更體現(xiàn)在下述的權(quán)利要求范圍，權(quán)利要求范圍的思想和范圍及其等價(jià)概念導(dǎo)出的所有變更或變化的形式應(yīng)屬于本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種在后面玻璃基板上涂抹有電介質(zhì)的等離子顯示器的制造方法，包括在電介質(zhì)層上涂抹上第一間隔壁材料的步驟；在第一間隔壁上涂抹上第二間隔壁材料的步驟；在第二間隔壁上涂抹上光致抗蝕劑的步驟；利用光致抗蝕劑上的掩膜進(jìn)行曝光的步驟；對曝光后的模板進(jìn)行顯影的步驟，對第二間隔壁進(jìn)行有選擇的蝕刻的第一蝕刻步驟；對第二間隔壁進(jìn)行有選擇的蝕刻的第二蝕刻步驟；對第二間隔壁進(jìn)行有選擇的蝕刻的第三蝕刻步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的制造方法，其特征在于第一間隔壁為白間隔壁，第二間隔壁為黑間隔壁。
3.如權(quán)利要求2所述的等離子顯示器的制造方法，其特征在于所述的黑間隔壁制造材料的反射率低于50％。
4.如權(quán)利要求2所述的等離子顯示器的制造方法，其特征在于所述的黑間隔壁制造材料不具有導(dǎo)電性。
5.如權(quán)利要求2所述的等離子顯示器的制造方法，其特征在于所述的黑間隔壁利用薄膜法形成。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子顯示器的制造方法，其特征在于所述的薄膜法包括使用濺射、電子束、化學(xué)氣相沉積。
7.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器的制造方法，其特征在于在所述的第一，三蝕刻步驟使用種類不同的蝕刻劑。
8.如權(quán)利要求2所述的等離子顯示器的制造方法，其特征在于所述的第一蝕刻步驟可以使用反應(yīng)性離子蝕刻法。
9.如權(quán)利要求2所述的等離子顯示器的制造方法，其特征在于所述的黑間隔壁上面的寬度比白間隔壁上面的寬度小10μm。
全文摘要
本發(fā)明涉及等離子顯示器及其制造方法，在其后面玻璃基板上涂抹有電介質(zhì)。其制造方法，包括步驟在電介質(zhì)層上涂抹上第一間隔壁材料；在第一間隔壁上涂抹上第二間隔壁材料；在第二間隔壁上涂抹上光致抗蝕劑；利用光致抗蝕劑上的掩膜進(jìn)行曝光的模板進(jìn)行顯影，對第一、二間隔壁分別進(jìn)行有選擇的蝕刻。依據(jù)本發(fā)明，白間隔壁比黑間隔壁要窄，通過減小暴露在產(chǎn)生可視光的單元內(nèi)的黑間隔壁，最大程度地減少可視光的吸收，從而有效地避免因黑間隔壁引起的發(fā)光效率降低。而且，由于減少了電介質(zhì)常數(shù)大的黑間隔壁的面積，減小了電介質(zhì)的常數(shù)，抑制了電容的增加。這樣可以減少驅(qū)動時(shí)的電容充電用變位電流造成的電力損失，提高驅(qū)動效率。
文檔編號H01J17/49GK1979717SQ20051012285
公開日2007年6月13日 申請日期2005年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月6日
發(fā)明者李勇翰 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司