基板及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種基板及其制造方法。該基板包括：基材；和離子注入層，其注入到基材的表面下方。制造基板的方法包括：對(duì)基材進(jìn)行前處理(S1)；以及通過(guò)離子注入將導(dǎo)電材料注入到經(jīng)前處理后的基材的表面下方，形成離子注入層(S2)。
【專利說(shuō)明】
基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種基板及其制造方法，該基板可廣泛地應(yīng)用于電信號(hào)傳輸、高頻信號(hào)傳輸、電磁波屏蔽、輻射防護(hù)，熱阻隔/傳遞等。尤其是，本發(fā)明涉及以絕緣材料作為基材且在該基材的單面或雙面上覆有導(dǎo)體層的基板、帶有金屬化孔的基板、以及它們的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為基板的一例，覆銅板在電路板等各種產(chǎn)品的工業(yè)生產(chǎn)中有著廣泛的應(yīng)用。覆銅板按照其所用基材的不同通常可分為不易彎折的剛性覆銅板(CCL)和可彎折的撓性覆銅板(FCCL)。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，制造剛性覆銅板的方法主要為壓合法:在絕緣基材的單面或雙面覆上銅箔，然后用壓機(jī)將銅箔與絕緣基材壓合在一起。此外，還可使用濺射法來(lái)制造剛性覆銅板:在真空環(huán)境下，用電離的氬離子高速轟擊金屬靶材的表面，使靶材上的金屬原子被濺射出來(lái)并吸附沉積到基材的表面上而形成導(dǎo)電籽晶層，然后用電鍍等方法在導(dǎo)電籽晶層上鍍覆導(dǎo)體加厚層。在制造撓性覆銅板時(shí)，除了壓合法和濺射法以外，還可使用涂布法:在銅箔表面涂布多層樹(shù)脂后，經(jīng)高溫處理再與銅箔壓合，從而制得成品。
[0004]在上述三種方法中，涂布法和壓合法制得的覆銅板在銅箔與基材之間具有良好的結(jié)合力，但是制造工藝復(fù)雜，對(duì)設(shè)備要求高，而且均需要使用成品銅箔。銅箔通常由壓延法或電解法制成，受限于現(xiàn)有工藝水平而很難制成12μπι以下的厚度，故難以蝕刻出精細(xì)度高、具有較細(xì)線寬線距的圖案，在以HDI (高密度互連基板)和COF (柔性芯片)技術(shù)為基礎(chǔ)的中高檔精密電子產(chǎn)品中的應(yīng)用受到限制。與之相比，使用濺射法可以容易地以低成本制造出各種銅層超薄的覆銅板。但是，在濺射法中，濺射出的金屬原子能量通常為約1-lOeV，與基材表面的結(jié)合不牢固，所得銅層的剝離強(qiáng)度遠(yuǎn)低于涂布法和壓合法。而且，濺射法最終得到的銅層存在針孔等問(wèn)題，影響了它的推廣應(yīng)用。
[0005]此外，如果需要在覆銅板中形成孔以導(dǎo)通其上下表面，則需要對(duì)該孔進(jìn)行金屬化處理。在現(xiàn)有技術(shù)中，通常采用以下步驟來(lái)制造帶有金屬化孔的覆銅板:制造銅箔；通過(guò)高溫層壓法將銅箔粘合在基材上而形成覆銅板；對(duì)覆銅板進(jìn)行鉆孔并去除鉆肩；通過(guò)化學(xué)沉銅(PTH)或黑孔、黑影等工藝在孔壁上形成導(dǎo)電籽晶層；通過(guò)電鍍?cè)诳妆谏闲纬山饘賹?dǎo)體層。
[0006]在上述孔金屬化的過(guò)程中，如果要在基材上鉆出孔徑小于100 μπι的孔，則當(dāng)前只能用激光鉆孔技術(shù)。此時(shí)，需要事先對(duì)要鉆孔部位的銅箔進(jìn)行減薄，之后用激光進(jìn)行鉆孔，再對(duì)孔進(jìn)行沉銅和電鍍。可是，在蝕刻減薄過(guò)程中蝕刻位置一旦產(chǎn)生偏差，則會(huì)導(dǎo)致基材上的鉆孔位置也產(chǎn)生偏差。而且，在對(duì)微孔進(jìn)行金屬化時(shí)，電鍍銅層與孔壁之間的結(jié)合力差，銅層容易從孔壁脫離。此外，采用現(xiàn)有技術(shù)在覆銅板上制得的微孔孔徑最小為20-50 μm，當(dāng)孔徑小于20 μπι時(shí)，會(huì)產(chǎn)生孔的厚徑比過(guò)高而在沉銅和電鍍時(shí)出現(xiàn)孔壁銅層不均勻等問(wèn)題。在微孔區(qū)域內(nèi)，電流密度分布不均勻會(huì)導(dǎo)致銅在微孔表面的沉積速率大于孔壁和底部的沉積速率。因此，容易在沉積過(guò)程中形成孔洞或裂縫，還容易導(dǎo)致孔表面的銅厚大于孔壁的銅厚。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題作出的，其目的在于，提供導(dǎo)體層厚度極薄并在導(dǎo)體層與基材之間具有較高結(jié)合力的基板、帶有導(dǎo)電性良好的孔的基板、以及制造這些基板的方法。
[0008]本發(fā)明的第一技術(shù)方案為一種制造基板的方法，其包括:對(duì)基材進(jìn)行前處理
(SI);以及通過(guò)離子注入將導(dǎo)電材料注入到經(jīng)前處理后的基材的表面下方，形成離子注入層(S2)ο
[0009]本發(fā)明的第二技術(shù)方案為一種制造基板的方法，其包括:在基材上鉆孔，其包括盲孔和/或通孔(SO);對(duì)孔的孔壁進(jìn)行前處理(SI);以及通過(guò)離子注入將導(dǎo)電材料注入到經(jīng)前處理后的孔的孔壁下方，形成離子注入層(S2)。
[0010]本發(fā)明的第三技術(shù)方案為，在第二方案中，步驟SI還包括對(duì)基材進(jìn)行前處理；并且步驟S2還包括通過(guò)離子注入將導(dǎo)電材料注入到經(jīng)前處理后的基材的表面下方，形成離子注入層。
[0011]在離子注入期間，導(dǎo)電材料的離子以很高的速度強(qiáng)行地注入到基材的內(nèi)部，與基材之間形成穩(wěn)定的摻雜結(jié)構(gòu)，相當(dāng)于在基材的表面下方形成了數(shù)量眾多的基粧，由于基粧的存在，且后續(xù)制得的導(dǎo)電層(等離子體沉積層或?qū)w加厚層)與基粧相連，因此，最終制得的基板的導(dǎo)電層與基材之間的結(jié)合力較高，遠(yuǎn)高于現(xiàn)有技術(shù)中的磁控濺射制得的金屬層與導(dǎo)體之間的結(jié)合力。而且，用于離子注入的導(dǎo)電材料離子的尺寸通常為納米級(jí)別，在離子注入期間分布較均勻，而且到基材表面的入射角度差別不大。因此，能夠確保離子注入層的表面具有良好的均勻度和致密性，不容易出現(xiàn)針孔現(xiàn)象。
[0012]本發(fā)明的第四技術(shù)方案為，在第一至第三方案的任何一種中，在離子注入期間，導(dǎo)電材料的離子獲得1-1OOOkeV的能量，被注入到基材的表面下方和/或孔的孔壁下方l-500nm的深度，并與基材形成穩(wěn)定的摻雜結(jié)構(gòu)。
[0013]本發(fā)明的第五技術(shù)方案為，在第一至第四方案的任何一種中，所述方法還包括:通過(guò)等離子體沉積將導(dǎo)電材料沉積到離子注入層上，形成等離子體沉積層。
[0014]本發(fā)明的第六技術(shù)方案為，在第五方案中，在等離子體沉積期間，導(dǎo)電材料的離子獲得1-1OOOeV的能量，形成厚度為1-1OOOOnm的等離子體沉積層。
[0015]在等離子體沉積期間，導(dǎo)電材料的離子以較高的速度飛向基材表面和/或孔壁且沉積到預(yù)先形成于該基材表面和/或孔壁下方的離子注入層上，與離子注入層上的導(dǎo)電材料之間形成較大的結(jié)合力，因而不容易從基材的表面和/或孔壁脫落。此外，用于等離子體沉積的導(dǎo)電材料離子的尺寸通常為納米級(jí)別，在等離子體沉積期間分布較均勻，而且到基材表面和/或孔壁的入射角度差別不大，因而可確保所得等離子體沉積層的表面具有良好的均勻度和致密性，不容易出現(xiàn)針孔現(xiàn)象。
[0016]本發(fā)明的第七技術(shù)方案為，在第一至第六方案的任何一種中，導(dǎo)電材料包括T1、Cr、N1、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb以及它們之間的合金中的一種或多種。
[0017]本發(fā)明的第八技術(shù)方案為，在第一至第四方案的任何一種中，所述方法還包括:在離子注入層上形成導(dǎo)體加厚層。
[0018]本發(fā)明的第九技術(shù)方案為，在第五或第六方案中，所述方法還包括:在等離子體沉積層上形成導(dǎo)體加厚層。
[0019]無(wú)論是單獨(dú)地在離子注入層上形成等離子體沉積層或?qū)w加厚層，或者同時(shí)在離子注入層上形成等離子體沉積層和導(dǎo)體加厚層(統(tǒng)稱為導(dǎo)體層)，都能夠方便地在等離子體沉積和/或電鍍、化學(xué)鍍、真空蒸發(fā)鍍、濺射等過(guò)程中通過(guò)控制電流、溫度、工作時(shí)間等參數(shù)來(lái)調(diào)節(jié)形成于該離子注入層上的導(dǎo)體層的厚度。這樣制得的基板很容易具有厚度為12μπι以下的導(dǎo)體層，能夠很好地應(yīng)用在以HDI(高密度互連基板)和COF(柔性芯片)技術(shù)為基礎(chǔ)的中高檔精密電子產(chǎn)品中。
[0020]本發(fā)明的第十技術(shù)方案為，在第八或第九方案中，通過(guò)電鍍、化學(xué)鍍、真空蒸發(fā)鍍、濺射中的一種或多種處理方式，形成厚度為0.01-1000 μπι的導(dǎo)體加厚層，并且導(dǎo)體加厚層由Al、Mn、Fe、T1、Cr、Co、N1、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb以及它們之間的合金中的一種或多種組成。
[0021]本發(fā)明的第十一技術(shù)方案為，在第一至第十方案的任何一種中，基材為剛性板材或燒性板材，剛性板材包括有機(jī)高分子剛性板、陶瓷板、玻璃板中的一種或多種，其中有機(jī)高分子剛性板包括LCP、PTFE、CTFE、FEP、PPE、合成橡膠板、玻纖布/陶瓷填料增強(qiáng)板中的一種或多種，撓性板材為有機(jī)高分子薄膜，其包括P1、ΡΤ0、PC、PSU、PES、PPS、PS、PE、PP、PE1、PTFE、PEEK、PA、PET、PEN、LCP 或 PPA 中的一種或多種。
[0022]本發(fā)明的第十二技術(shù)方案為，在第一至第三方案的任何一種中，前處理包括表面沉積處理和/或表面脫水處理。
[0023]本發(fā)明的第十三技術(shù)方案為，在第十二方案中，表面沉積處理包括封孔處理，即，將封孔劑涂布于基材的表面和/或孔的孔壁上，且隨后進(jìn)行干燥。
[0024]通過(guò)封孔處理，基材表面上的孔隙將被封孔劑填充，使得基材表面變得致密、均勻，從而有利于在后續(xù)的離子注入、等離子體沉積或電鍍過(guò)程中形成表面均勻致密的導(dǎo)體層，提高該導(dǎo)體層與基材之間的結(jié)合力，并防止出現(xiàn)因基材表面不均勻而導(dǎo)致的針孔等問(wèn)題。
[0025]本發(fā)明的第十四技術(shù)方案為，在第十三方案中，封孔劑包括以下組分中的一種或多種:填充劑，其是氧化物膠體溶液，包括氧化硅膠體、氧化鋁膠體、氧化鈦膠體、氧化鋯膠體或它們的組合；膠黏劑，其是磷酸鹽化合物，包括磷酸氫鋁、磷酸二氫鋁或它們的組合；以及交聯(lián)劑，其是金屬氧化物，包括氧化鎂、氧化亞鐵、氧化錳、氧化銅、氧化鋅或它們的組入口 ο
[0026]本發(fā)明的第十五技術(shù)方案為，在第十二方案中，表面沉積處理包括氧化物沉積處理，即，在基材的表面和/或孔的孔壁上沉積一層或多層氧化物，氧化物包括三氧化二鋁、
二氧化硅、二氧化鈦、二氧化鋯中的一種或多種。
[0027]通過(guò)氧化物沉積處理，與未沉積氧化物的情況相比，在后續(xù)的離子注入、等離子體沉積或電鍍過(guò)程中形成于基材表面上的導(dǎo)體層與該基材的表面之間的結(jié)合力得以提高。
[0028]本發(fā)明的第十六技術(shù)方案為，在第十五方案中，使用射頻濺射沉積來(lái)進(jìn)行氧化物沉積處理，即，在射頻濺射室內(nèi)，在基材與由氧化物組成的靶材之間施加頻率為5-30MHz、電壓為1-1OkV的交流電作為激勵(lì)源，濺射出氧化物的粒子，使其沉積在基材的表面和/或孔的孔壁上。
[0029]本發(fā)明的第十七技術(shù)方案為，在第十五方案中，使用化學(xué)氣相沉積來(lái)進(jìn)行氧化物沉積處理。
[0030]本發(fā)明的第十八技術(shù)方案為，在第十二方案中，表面脫水處理包括離子束照射處理，即，在真空環(huán)境下，用離子束照射基材的表面和/或孔的孔壁，同時(shí)排出所產(chǎn)生的水蒸氣，其中離子束包括由氬氣、氮?dú)?、氧氣、氫氣中的一種或多種組成的離子氣體。
[0031]通過(guò)離子束照射處理，能夠充分且快速地去除基材表面和/或孔壁上存在的水分，從而克服水分可能給基板帶來(lái)的薄膜基材起皺褶、導(dǎo)體層剝落、線路之間短路等問(wèn)題。而且，離子束照射還能有效地去除基材表面上的某些雜質(zhì)，除了脫水以外還可起到清潔效果O
[0032]本發(fā)明的第十九技術(shù)方案為，在第十八方案中，在離子束照射處理中，設(shè)置真空度為I X 10 4-lPa，溫度為90°C以下，離子氣體的流量為40_80sccm，照射量為1012_10161ns/cm2，并且離子束獲得I X 10 3-lkeV的能量。
[0033]本發(fā)明的第二十技術(shù)方案為一種通過(guò)第一方案所述的方法制得的基板，其包括:基材；和離子注入層，其注入到基材的表面下方。
[0034]本發(fā)明的第二十一技術(shù)方案為一種通過(guò)第二方案所述的方法制得的基板，其包括:形成有孔的基材，孔包括盲孔和/或通孔；和離子注入層，其注入到孔的孔壁下方。
[0035]本發(fā)明的第二十二技術(shù)方案為，在第二十一方案中，基板還包括注入到基材的表面下方的離子注入層。
[0036]本發(fā)明的第二十三技術(shù)方案為，在第二十至二十二方案的任何一種中，離子注入層位于基材的表面下方和/或孔的孔壁下方l_500nm的深度，并與基材形成穩(wěn)定的摻雜結(jié)構(gòu)。
[0037]本發(fā)明的第二十四技術(shù)方案為，在第二十至二十三方案的任何一種中，基板還包括附著于離子注入層上的等離子體沉積層。
[0038]本發(fā)明的第二十五技術(shù)方案為，在第二十四方案中，等離子體沉積層具有1-1OOOOnm 的厚度。
[0039]本發(fā)明的第二十六技術(shù)方案為，在第二十至二十五方案的任何一種中，離子注入層和/或等離子體沉積層由導(dǎo)電材料組成，該導(dǎo)電材料包括T1、Cr、N1、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb以及它們之間的合金中的一種或多種。
[0040]本發(fā)明的第二十七技術(shù)方案為，在第二十至二十三方案的任何一種中，基板還包括形成于離子注入層上的導(dǎo)體加厚層。
[0041]本發(fā)明的第二十八技術(shù)方案為，在第二十四或二十五方案中，基板還包括形成于等離子體沉積層上的導(dǎo)體加厚層。
[0042]本發(fā)明的第二十九技術(shù)方案為，在第二十七或二十八方案中，導(dǎo)體加厚層具有0.01-1000 μ m 的厚度，并且由 Al、Mn、Fe、T1、Cr、Co、N1、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb 以及它們之間的合金中的一種或多種組成。
[0043]本發(fā)明的第三十技術(shù)方案為，在第二十至二十九方案的任何一種中，基材為剛性板材或撓性板材，剛性板材包括有機(jī)高分子剛性板、陶瓷板、玻璃板中的一種或多種，其中有機(jī)高分子剛性板包括LCP、PTFE、CTFE、FEP、PPE、合成橡膠板、玻纖布/陶瓷填料增強(qiáng)板中的一種或多種，撓性板材為有機(jī)高分子薄膜，其包括P1、PTO、PC、PSU、PES、PPS、PS、PE、PP、PE1、PTFE、PEEK、PA、PET、PEN、LCP 或 PPA 中的一種或多種。
[0044]本發(fā)明的第三十一技術(shù)方案為，在第二十至二十四方案的任何一種中，在基材的表面上和/或孔的孔壁上，還形成有表面沉積層，其包括封孔劑層和/或氧化物層，其中離子注入層的至少一部分位于表面沉積層內(nèi)。
[0045]本發(fā)明的第三十二方案為，在第三^ 方案中，封孔劑層包括以下組分中的一種或多種:填充劑，其是氧化物膠體溶液，包括氧化硅膠體、氧化鋁膠體、氧化鈦膠體、氧化鋯膠體或它們的組合；膠黏劑，其是磷酸鹽化合物，包括磷酸氫鋁、磷酸二氫鋁或它們的組合；以及交聯(lián)劑，其是金屬氧化物，包括氧化鎂、氧化亞鐵、氧化錳、氧化銅、氧化鋅或它們的組入口 ο
[0046]本發(fā)明的第三十三方案為，在第三十一方案中，氧化物層包括三氧化二鋁、二氧化硅、二氧化鈦、二氧化鋯中的一種或多種。
[0047]本發(fā)明的第三十四技術(shù)方案為，在第二十至三十三方案的任何一種中，基材與在其上形成的導(dǎo)體層之間的剝離強(qiáng)度不低于0.5N/mm，該導(dǎo)體層包括前述等離子體沉積層和/或?qū)w加厚層。
【附圖說(shuō)明】
[0048]在參照附圖閱讀以下的詳細(xì)描述后，本領(lǐng)域技術(shù)人員將更容易理解本發(fā)明的這些及其他的特征、方面和優(yōu)點(diǎn)。為了清楚起見(jiàn)，附圖不一定按比例繪制，而是其中有些部分可能被夸大以示出細(xì)節(jié)。在所有附圖中，相同的參考標(biāo)號(hào)表示相同或相似的部分，其中:
圖1是表示根據(jù)第一實(shí)施例的制造基板的方法的流程圖；
圖2是示出通過(guò)圖1所示方法制得的基板的剖面示意圖；
圖3是表示根據(jù)第二實(shí)施例的制造基板的方法的流程圖；
圖4是示出通過(guò)圖3所示方法制得的基板的剖面示意圖；
圖5是表示根據(jù)第三實(shí)施例的制造基板的方法的流程圖；
圖6是示出通過(guò)圖5所示方法制得的基板的剖面示意圖；
圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的帶有離子注入層和等離子體沉積層的基板的剖面示意圖；
圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的帶有離子注入層、等離子體沉積層和導(dǎo)體加厚層的基板的剖面不意圖；以及
圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的帶有離子注入層和導(dǎo)體加厚層的基板的剖面示意圖；以及圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的帶有表面沉積層和離子注入層的基板的剖面示意圖。
[0049]參考標(biāo)號(hào):
10基板
11基材 12基材的表面 13離子注入層 14等離子體沉積層 15導(dǎo)體加厚層 16通孔 17盲孔 18孔壁 19表面沉積層。
【具體實(shí)施方式】
[0050]以下，參照附圖，詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施方式。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，這些描述僅僅列舉了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，而決不意圖限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0051]圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的制造基板的方法的流程圖。該實(shí)施例的方法包括以下步驟:對(duì)基材進(jìn)行前處理(步驟SI);以及通過(guò)離子注入將導(dǎo)電材料注入到經(jīng)前處理后的基材的表面下方，形成離子注入層(步驟S2)。
[0052]在該基板的制造過(guò)程中，通常使用絕緣材料作為基材，在該基材的單面或雙面上復(fù)合金屬材料從而制得基板。作為絕緣基材的示例，可以使用剛性基材(亦稱為硬板)，例如有機(jī)高分子剛性板、陶瓷板(如二氧化娃板)、玻璃板等中的一種或多種，有機(jī)高分子剛性板又可包括LCP、PTFE, CTFE, FEP、PPE、合成橡膠板、玻纖布/陶瓷填料增強(qiáng)板中的一種或多種，其中玻纖布/陶瓷填料增強(qiáng)板是以有機(jī)高分子材料如環(huán)氧樹(shù)脂、改性環(huán)氧樹(shù)脂、PTFE, ΡΡ0、CE、BT等作為基礎(chǔ)材料、以玻纖布/陶瓷填料作為增強(qiáng)相的板材。另外，絕緣基材還可以使用撓性板(亦稱為軟板)，例如有機(jī)高分子薄膜，其包括P1、PTO, PC、PSU、PES、PPS、PS、PE、PP、PE1、PTFE、PEEK、PA、PET、PEN、LCP 或 PPA 中的一種或多種。
[0053]作為前處理的方法，可以包括表面清潔處理，例如，用浸漬過(guò)酒精的紗布擦拭基材的表面以除去上面附著的臟污，或者將基材放入清潔液中并采用超聲波進(jìn)行清洗，等等。此夕卜，前處理還可包括表面沉積處理和/或表面脫水處理。表面沉積處理就是在基材的表面覆上一層沉積物，以填平基材表面上的孔或者改善基材表面的物理性質(zhì)以便于后續(xù)沉積、電鍍等工藝的進(jìn)行。表面脫水處理就是去除基材表面分子中的水分，以便有利于后續(xù)沉積、電鍍等工藝的進(jìn)行。
[0054]具體而言，表面沉積處理可包括封孔處理，即，將封孔劑涂布于基材的表面且隨后進(jìn)行干燥，其中干燥處理可在常見(jiàn)的烘箱中進(jìn)行。封孔處理尤其適用于表面孔隙度較大的某些剛性基材，例如環(huán)氧樹(shù)脂玻纖布FR-4、FR-5基材等。其中使用的封孔劑可包含以下組分中的一種或多種:填充劑，其是氧化物膠體溶液，包括氧化硅膠體、氧化鋁膠體、氧化鈦膠體、氧化鋯膠體等或它們的組合；膠黏劑，其是磷酸鹽化合物，包括磷酸氫鋁、磷酸二氫鋁等或它們的組合；以及交聯(lián)劑，其是金屬氧化物，包括氧化鎂、氧化亞鐵、氧化錳、氧化銅、氧化鋅等或它們的組合。通過(guò)封孔處理，基材表面上的孔隙將被封孔劑填充，使得基材表面變得致密、均勻，從而有利于在后續(xù)的離子注入、等離子體沉積或電鍍過(guò)程中形成表面均勻致密的導(dǎo)體層，提高該導(dǎo)體層與基材之間的結(jié)合力，并防止出現(xiàn)因基材表面不均勻而導(dǎo)致的針孔等問(wèn)題。
[0055]此外，表面沉積處理還可包括氧化物沉積處理，即，在基材的表面上沉積一層氧化物。所沉積的氧化物可根據(jù)基材的種類不同而適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇，可以為各種金屬氧化物，包括三氧化二鋁、二氧化硅、二氧化鈦、二氧化鋯等、以及它們的組合?？梢允褂蒙漕l濺射方法來(lái)進(jìn)行氧化物沉積處理，具體操作過(guò)程為:將氧化物作為靶材，在氬氣氣氛的射頻濺射室內(nèi)，施加頻率為5-30MHZ (優(yōu)選地為13.56MHz)、電壓為1-1OkV的交流電作為激勵(lì)源，進(jìn)行射頻濺射。除了射頻濺射以外，還可以使用本領(lǐng)域中常見(jiàn)的化學(xué)氣相沉積方法來(lái)進(jìn)行氧化物沉積處理，以在基材的表面上沉積一層氧化物。通過(guò)氧化物沉積處理，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，與未沉積氧化物的情況相比，在后續(xù)的離子注入、等離子體沉積或電鍍過(guò)程中形成于基材表面上的導(dǎo)體層與該基材的表面之間的結(jié)合力得以提高。
[0056]在制造基板用的絕緣基材尤其是有機(jī)高分子薄膜的表面內(nèi)，可能會(huì)不可避免地存在著水分。如果不充分地脫水，那么該水分可能會(huì)進(jìn)入形成于基材表面上的導(dǎo)電籽晶層乃至附著于上面的導(dǎo)體加厚層中，使其氧化。導(dǎo)電籽晶層的氧化會(huì)使其錨固效果減弱，導(dǎo)致基材表面與導(dǎo)體加厚層之間的結(jié)合力降低，進(jìn)而使導(dǎo)體加厚層易于剝離、脫落。導(dǎo)體加厚層的氧化則會(huì)使所得基板在后續(xù)加工應(yīng)用中(例如在電路板的蝕刻加工中)不能很好地進(jìn)行化學(xué)蝕刻，導(dǎo)致線路邊緣及線路之間殘留有金屬，從而形成蝕刻殘?jiān)?dǎo)致電路板的線路之間短路等嚴(yán)重問(wèn)題。另外，導(dǎo)電籽晶層及導(dǎo)體加厚層的氧化還會(huì)導(dǎo)致基材尤其是有機(jī)高分子薄膜的柔韌性及耐折性下降。為了進(jìn)行有機(jī)高分子薄膜的脫水，可以使用加熱法，例如在真空中20-140°C下或者大氣中100-140°C下加熱薄膜，以去除其中的水分。可是，在加熱時(shí)，溫度越高越容易使薄膜表面起皺而變得不平整，溫度越低則需要越長(zhǎng)的加熱時(shí)間來(lái)脫水而導(dǎo)致生產(chǎn)率低下。此外，還可以使用等離子法對(duì)薄膜的表面進(jìn)行脫水，但是該方法需要較長(zhǎng)的處理時(shí)間，而且薄膜在通過(guò)等離子氣氛時(shí)已受到等離子損傷，強(qiáng)度會(huì)下降。
[0057]鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明有利地采用離子束照射處理來(lái)進(jìn)行絕緣基材的脫水，S卩，在真空環(huán)境下，用離子束照射基材的表面，同時(shí)排出所產(chǎn)生的水蒸氣。具體而言，在由離子槍放出的氣體離子被加速的同時(shí)，在基材上施加電壓，從而在氣體離子與基材之間產(chǎn)生引力或斥力作用，發(fā)生電荷變形，從而促使基材在真空下短時(shí)間脫水。在具體操作過(guò)程中，可采用由氬氣、氮?dú)?、氧氣、氫氣中的一種或多種組成的離子氣體作為離子束。可以控制真空度為I X 10 4-lPa，優(yōu)選為2 X 10 4Pa至0.8Pa，因?yàn)槿粽婵斩瘸^(guò)IPa，則離子化氣體的濃度低，不能充分地得到電荷變形的效果，使脫水效率降低、干燥時(shí)間變長(zhǎng)，若真空度過(guò)高，則會(huì)導(dǎo)致抽真空時(shí)間過(guò)長(zhǎng)、生產(chǎn)成本高且效率低?？梢钥刂茰囟葹?0°C以下，優(yōu)選為80°C以下，更優(yōu)選為70°C以下，因?yàn)槿魷囟瘸^(guò)90°C，則容易在薄膜基材的表面上產(chǎn)生褶皺，即使同時(shí)對(duì)薄膜進(jìn)行冷卻也不能夠防止褶皺的產(chǎn)生，而且冷卻還可不利地降低生產(chǎn)效率。為了防止溫度過(guò)高，可以設(shè)定離子束的能量為I X 10 3_lkeV，照射量為每平方厘米112-1O16個(gè)離子(1012-10161ns/cm2)，因?yàn)殡x子束能量為lX103keV以下或照射量為10121ns/cm2以下時(shí)均可導(dǎo)致脫水不充分，而離子束能量為IkeV以上或照射量為10161nS/cm2以上時(shí)可導(dǎo)致薄膜基材的溫度升高而引起褶皺，使其強(qiáng)度降低甚至斷裂。此外，還可以根據(jù)基材的厚度來(lái)調(diào)整離子束的照射時(shí)間。例如，在上述照射條件下，可以將照射時(shí)間設(shè)置為3-60秒，優(yōu)選地5-40秒，因?yàn)檎丈鋾r(shí)間不足3秒時(shí)脫水不充分，超過(guò)60秒時(shí)薄膜容易受損。
[0058]通過(guò)使用離子束照射法對(duì)基材的表面進(jìn)行脫水處理，能夠充分且快速地去除基材表面存在的水分，從而克服水分給基板帶來(lái)的上述問(wèn)題。而且，離子束照射還能有效地去除基材表面上的某些雜質(zhì)，除了脫水以外還可起到清潔效果。由此，離子束照射能夠有效地提高在基材的表面與隨后形成于其上的導(dǎo)體層之間的結(jié)合力，并且提高所得基板的耐折性。
[0059]在對(duì)基材進(jìn)行了前處理之后，通過(guò)離子注入將導(dǎo)電材料注入到經(jīng)前處理后的基材的表面下方，形成離子注入層(步驟S2)。離子注入層的形成可通過(guò)以下方法來(lái)實(shí)現(xiàn):使用導(dǎo)電材料作為靶材，在真空環(huán)境下，通過(guò)電弧作用使靶材中的導(dǎo)電材料電離而產(chǎn)生離子，然后在高電壓的電場(chǎng)下使該離子加速而獲得很高能量，例如為Ι-lOOOkeV。高能的導(dǎo)電材料離子接著以很高的速度直接撞擊基材表面，并且注入到基材表面下方一定的深度，例如l-500nm。在所注入的導(dǎo)電材料離子與組成基材的材料分子之間形成穩(wěn)定的化學(xué)鍵(例如離子鍵或共價(jià)鍵)，二者共同構(gòu)成了摻雜結(jié)構(gòu)，如同半導(dǎo)體中的摻雜結(jié)構(gòu)那樣。該摻雜結(jié)構(gòu)(即，離子注入層)的外表面與基材的表面相齊平，而其內(nèi)表面深入到基材內(nèi)部。作為具體示例，導(dǎo)電材料的離子可在離子注入期間獲得50keV、lOOkeV、200keV、300keV、400keV、500keV、600keV、700keV、800keV、900keV的能量，并且可被注入到基材表面下方10nm、20nm、50nm、100nm、200nm、300nm、400nm 深度的范圍內(nèi)。
[0060]可以使用各種金屬、合金、導(dǎo)電氧化物、導(dǎo)電碳化物、導(dǎo)電有機(jī)物等作為離子注入用的導(dǎo)電材料，但是并不受限于此。優(yōu)選地，使用與基材分子結(jié)合力強(qiáng)的金屬或合金來(lái)進(jìn)行離子注入，包括T1、Cr、N1、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb以及它們之間的合金中的一種或多種，該合金例如為NiCr、TiCr、VCr、CuCr、MoV、NiCrV、TiNiCrNb等。而且，離子注入層可以包括一層或多層。例如，在制造覆銅板的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，離子注入層包括從內(nèi)到外依次排列的Ni層和Cu層。
[0061]在離子注入期間，導(dǎo)電材料的離子以很高的速度強(qiáng)行地注入到基材的內(nèi)部，與基材之間形成穩(wěn)定的摻雜結(jié)構(gòu)，相當(dāng)于在基材的表面下方形成了數(shù)量眾多的基粧。這種基粧與基材之間的結(jié)合力較高，可達(dá)到0.5N/mm以上，例如在0.7-1.5N/mm之間、0.8-1.2N/mm之間。與之相比，在常規(guī)的磁控濺射的情況下，濺射粒子的能量最高僅為幾個(gè)電子伏特，因而該粒子會(huì)沉積于基材表面上但不會(huì)進(jìn)入基材內(nèi)部，所得導(dǎo)體層與基材表面之間的結(jié)合力不高，最高僅為0.5N/mm左右，明顯低于本發(fā)明。而且，用于離子注入的導(dǎo)電材料離子的尺寸通常為納米級(jí)別，在離子注入期間分布較均勻，而且到基材表面的入射角度差別不大。因此，能夠確保離子注入層的表面具有良好的均勻度和致密性，不容易出現(xiàn)針孔現(xiàn)象。
[0062]通過(guò)如圖1中所示且如上文所描述的方法，在基材的表面下方一定深度內(nèi)形成了離子注入層，最終制得基板的剖面在圖2中示意性地示出。從圖2可以清楚地看到，基板10包括基材11和注入到該基材的表面12下方的離子注入層13。與上述方法相應(yīng)地，離子注入層 13 位于基材 11 的表面 12 下方 l_500nm(例如 10nm、20nm、50nm、100nm、200nm、300nm、400nm等)的深度，并與基材形成穩(wěn)定的摻雜結(jié)構(gòu)。
[0063]圖3是表示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的制造基板的方法的流程圖。在該實(shí)施例中，首先在基材上鉆孔，其包括盲孔和/或通孔(步驟S0)。通孔即為穿透基材的表面和背面的孔，而盲孔即為深入基材內(nèi)部但是未穿透該基材的孔?？椎男螤羁梢允菆A形、矩形、三角形、菱形、梯臺(tái)形等各種各樣的形狀。鉆孔可以采用機(jī)械鉆孔、沖孔、激光打孔、等離子體刻蝕和反應(yīng)離子刻蝕等來(lái)進(jìn)行，其中激光打孔又可包括紅外激光打孔、YAG激光打孔和紫外激光打孔，可在基材上形成孔徑達(dá)到2-5 μπι的微孔。為了減小熱影響區(qū)域，防止孔的邊緣受熱損害，優(yōu)選地采用紫外激光打孔。在采用卷對(duì)卷方式制造撓性電路板的情況下，可以采用連續(xù)打孔方式在成卷的撓性板基材上形成一連串的孔。在基材上形成孔之后，需要清潔孔洞，以清除其中存在的鉆肩等雜質(zhì)。
[0064]接著，對(duì)所鉆出孔的孔壁進(jìn)行前處理(步驟SI)。前處理的方式與第一實(shí)施例中相同，可以包括表面沉積處理和/或表面脫水處理，而表面沉積處理又可包括封孔處理和氧化物沉積處理，其中氧化物沉積處理可采用射頻濺射沉積或化學(xué)氣相沉積來(lái)進(jìn)行。在前處理之后，通過(guò)離子注入將導(dǎo)電材料注入到孔的孔壁下方，形成離子注入層(步驟S2)。離ετ
蚱tt:KTaK?3r識(shí)?荬宓#郵堪攝€<-潮?輯喇輻卑~鋱?_礤屏造^蜮撕堪貂1^?駟韜ατ.?Ι^13齡向儈 η崦購(gòu)喇1^??胳倀Φ L函駟呤。胳藍(lán)z Ss οτ Is η m0^s^i CT蜮蚺鉅蜮撕堪齡嘏I輯TiiY^rf蜮s^i.#^/ilw.蜮撕掃觸益向閔.Φ 1??.女NY^rf蜮卜繼o:§s
。^L ST PT
￠^ 9T €觸靼攰)g^-^iCNIT ^ 宓糊屮掃怎叵 2 _Y^rf蜮 ΙΦ 2 ^si^ ^ ^ H^1。蹈?S(# EUOO^EuoorEUOOrEUOOT ,EU0LO,Eus,EUOT 菽翠)Euog-T^10τ CNIT ετ iiY^rf蜮。^^駟韜9T €觸靼攰盡盡益^^|鎖即倒喇mlx椰K^ 9T 9函坩駟呤。2iiY^rf蜮 s-^10T $§s^CNIT TT 宓糊面γ^αΓπ攰οτ ①函菽。函舾胳歸革軺篳糊軺釀￥班忪胳藍(lán)Lo13???胳喇①H 〔g§s
。蚺.S§0SX0^^0 ^ I?^iWH WHl^
。篳糊 δ?Κ>Μ?^蚺鉅面 tssl
「\ru E'-a^Jr'「l'T7fkJr'l-ld_m\K「v-￡^^/Lr,x3 「|'77^|::^￡'肖「.!-!-!-「、l/$ 「*^^r7/J、l.J-l、l.1Y/l\*>rn]:、LJ/:v 務(wù)I K
。苕m
嘏)SS^PS0^與 ^0$ oss^) ?ΙΙ?Μ/薛€_靼攰Κ?Ι^Τ^糊坩=^nwsi。_￥想^蜮堪齡忪^1_€軺€坩7^忪^歸帳軺宓糊坩￥^|。函驄痗軺班忪軺篳糊鍛p$s翠輯鋱川械SEra^科戦嗥胳帳喇LoH 〔Sg〕
。^
10T 2 CNIT 00^ ^ 宓糊^ihk 妝 ετ iiY^rf蜮 οτ^ss ^ CNIS 邶。蹈靡軺(撕旨§艿旨§co,旨§CNI,e€2,e€g,EUSgUOT §Suog-T S ■^屮掃 2 iiY^rf蜮^i^賈班忪閎 TJ?
靼攰益^卑^|鎖崦購(gòu)喇！T9T ^ss ^B^iTS π宓糊徴伽卜壬ι^χιχιφ ^函坩駟呤。2 _Y^rf蜮 S^K 8T $§$0^,^^ OT i^-￡^ SYf。壬胳碧#1_胳| ^ CoHl 〔Sg〕
。忪iB帳S^糊
。忪 1- Bisis Ss 2 2
OOT 2 ?ηιμηυ^2 _κ想rf蜮 ^ s" S^。忪卜(^ S )
■?ΗΜΗγ?3??喇 Tli鋱 a^i_g「w\Yirs 閎藍(lán)|^_想即倒。錐 ys_g「liYE歸帳
(iiY^rf蜮=S) 0$$。鏨規(guī)張#fs 奴鵝堪齡^ssisi 奴 1^^.?ημηυ^￥^~τ.?ηιμη*? 瑯 _蹈銦榧驤?rf蜮榧驤釀銀MIfdirrf蜮鉭im#榧坩膽黎~$蜮刼^_蜮柚荬宓#郵攙鉭旺母
Kgi/6 P p/h Xi V ueezoogol Zo在孔的結(jié)構(gòu)。
[0070]等離子體沉積可在離子注入設(shè)備中采用與上文所述的離子注入方法類似的方式來(lái)進(jìn)行，只是施加較低的電壓而使導(dǎo)電材料的離子具有低得多的能量。即，使用導(dǎo)電材料作為靶材，在真空環(huán)境下，通過(guò)電弧作用使靶材中的導(dǎo)電材料電離而產(chǎn)生離子，然后在高電壓的電場(chǎng)下使離子加速而獲得一定的能量，例如l-1000eV。加速后的導(dǎo)電材料離子飛向基材表面和/或孔壁且沉積到事先形成于該基材表面和/或孔壁處下方的離子注入層上，構(gòu)成厚度為1-1OOOOnm的等離子體沉積層。作為示例，導(dǎo)電材料的離子可在等離子體沉積期間獲得 50eV、100eV、200eV、300eV、400eV、500eV、600eV、700eV、800eV、900eV 的能量，并且形成厚度為 100nm、200nm、500nm、700nm、I μ m、2 μ m、5 μ m、7 μ m 或 10 μ m 的等離子體沉積層。
[0071]在等離子體沉積中，可以使用與離子注入相同或不同的導(dǎo)電材料作為靶材。例如，可使用各種金屬、合金、導(dǎo)電氧化物、導(dǎo)電碳化物、導(dǎo)電有機(jī)物等，但是不限于此。此外，可根據(jù)所選用的基材、離子注入層的組成成分和厚度等來(lái)選擇用于等離子體沉積的導(dǎo)電材料。優(yōu)選地，使用與離子注入層結(jié)合良好的金屬或合金來(lái)進(jìn)行等離子體沉積，例如可使用T1、Cr、N1、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb以及它們之間的合金中的一種或多種，該合金例如為NiCr、TiCr、VCr、CuCr、MoV、NiCrV、TiNiCrNb等。而且，等離子體沉積層可以包括一層或多層。例如，在制造覆銅板的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，等離子體沉積層包括從內(nèi)到外依次排列的Ni層和Cu層。等離子體沉積層的厚度可根據(jù)需要來(lái)設(shè)定，例如可以設(shè)定為使得形成有等離子體沉積層的基板的表面方阻小于200 Ω/ 口、100 Ω/ 口、80 Ω/ 口、50 Ω/ □，等等。
[0072]在等離子體沉積期間，導(dǎo)電材料的離子以較高的速度飛向基材表面和/或孔壁且沉積到事先形成于該基材表面和/或孔壁下方的離子注入層上，與離子注入層上的導(dǎo)電材料之間形成較大的結(jié)合力，因而不容易從基材的表面和/或孔壁脫落。此外，沉積后的導(dǎo)電材料粒子的尺寸通常為納米級(jí)別，且沉積粒子分布較均勻，而且到基材表面和/或孔壁的入射角度差別不大，因而可確保所得等離子體沉積層的表面具有良好的均勻度和致密性，不容易出現(xiàn)針孔現(xiàn)象。
[0073]此后，還可以進(jìn)一步在等離子體沉積層上形成導(dǎo)體加厚層，以改善其導(dǎo)電性，如示出了帶有離子注入層13、等離子體沉積層14和導(dǎo)體加厚層15的基板10的圖8所示。盡管圖8中未示出孔，但是容易理解，在基材鉆出孔的情況下，導(dǎo)體加厚層15亦可形成于孔壁上。而且，所鉆出的通孔或盲孔可能被導(dǎo)體加厚層填實(shí)，也就是說(shuō)，整個(gè)孔都被導(dǎo)電材料填充，在宏觀上不再存在孔的結(jié)構(gòu)。
[0074]導(dǎo)體加厚層的形成可以采用電鍍、化學(xué)鍍、真空蒸發(fā)鍍、濺射等方法中的一種或多種處理方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。電鍍法是優(yōu)選的，因?yàn)殡婂兯俣瓤?、成本低、而且可電鍍的材料范圍非常廣泛，可用于Cu、N1、Sn、Ag以及它們的合金等。對(duì)于某些導(dǎo)電材料，特別是金屬和合金(例如Al、Cu、Ag及其合金)，派射的速度可以達(dá)到100nm/min，因而可以使用派射方式來(lái)在等離子體沉積層上快速地鍍覆導(dǎo)體層。
[0075]例如，在制造覆銅板時(shí)，可采用如下方式來(lái)形成加厚銅層。一種是電鍍法:電鍍液組成為硫酸銅100_200g/L、硫酸50-100g/L、氯離子濃度30_90mg/L及少量相應(yīng)的添加劑；電流密度設(shè)置為l_3A/dm2;溫度設(shè)置為25-35°C。另一種是化學(xué)鍍:鍍液組成為銅鹽、還原劑、配位劑、PH調(diào)整劑和組合添加劑，其中配位劑為乙二胺四乙酸二鈉、酒石酸鉀鈉、檸檬酸鈉、N-羥乙基乙二胺三乙酸、四羥丙基乙二胺、三乙醇胺和氨三乙酸中的一種或幾種，組合添加劑為含N和/或含S添加劑的組合；硫酸銅濃度為8g/L-20g/L，甲醛濃度為5-20mL/L，配位劑由乙二胺四乙酸二鈉和四羥丙基乙二胺按1:1-1:3的比例組成且濃度為10-40g/L，pH值為11-13，組合添加劑為10-30mL/L，溫度為40°C，施鍍時(shí)間為30min。還有一種是濺射法:在磁控濺射機(jī)的鍍膜室中，抽真空至10 2Pa,充入氬氣，調(diào)整氣壓為1-1OPa ;然后充入氮?dú)?，用氮?dú)馇逑幢∧せ牡谋砻?；再次抽真空?0 3Pa,調(diào)整工作電壓為200-500V、濺射占空比為30-70%，開(kāi)始濺射鍍覆導(dǎo)體層。
[0076]另外，在本發(fā)明的第一至第三實(shí)施例中，也可以不形成等離子體沉積層，而是直接在離子注入層上形成導(dǎo)體加厚層，該導(dǎo)體加厚層可采用上述方式來(lái)形成。圖9中示意性地示出了通過(guò)該方法形成的帶有離子注入層13和導(dǎo)體加厚層15的基板10的剖面，其中導(dǎo)體加厚層15直接附著在離子注入層13上。同樣，在基材形成有孔的情況下，該孔可能被導(dǎo)體加厚層填實(shí)。
[0077]無(wú)論是單獨(dú)地在離子注入層上形成等離子體沉積層或?qū)w加厚層，或者同時(shí)在離子注入層上形成等離子體沉積層和導(dǎo)體加厚層(統(tǒng)稱為導(dǎo)體層)，都能夠方便地在等離子體沉積和/或電鍍、化學(xué)鍍、真空蒸發(fā)鍍、濺射等過(guò)程中通過(guò)控制電流、溫度、工作時(shí)間等參數(shù)來(lái)調(diào)節(jié)形成于該離子注入層上的導(dǎo)體層的厚度。這樣制得的基板很容易具有厚度為12μπι以下的導(dǎo)體層，能夠很好地應(yīng)用在以HDI(高密度互連基板)和COF(柔性芯片)技術(shù)為基礎(chǔ)的中高檔精密電子產(chǎn)品中。而且，由于在離子注入期間注入基材內(nèi)部的導(dǎo)電材料離子與基材之間形成了穩(wěn)定的摻雜結(jié)構(gòu)，因而在基材與導(dǎo)體層之間具有很高的結(jié)合力，導(dǎo)體層不易在后續(xù)的各種加工或使用過(guò)程中脫落或劃傷。
[0078]容易理解，在采用表面沉積處理對(duì)基材和/或孔的孔壁進(jìn)行前處理的情況下，可以在基材表面和/或孔壁上形成表面沉積層。具體地，在封孔處理時(shí)，封孔劑層可存在于基材表面和/或孔壁上，而在氧化物沉積處理時(shí)，氧化物層可存在于基材的表面和/或孔壁上。與前處理方式相應(yīng)地，封孔劑層可包含以下組分中的一種或多種:填充劑，其是氧化物膠體溶液，包括氧化硅膠體、氧化鋁膠體、氧化鈦膠體、氧化鋯膠體等或它們的組合；膠黏劑，其是磷酸鹽化合物，包括磷酸氫鋁、磷酸二氫鋁等或它們的組合；以及交聯(lián)劑，其是金屬氧化物，包括氧化鎂、氧化亞鐵、氧化錳、氧化銅、氧化鋅等或它們的組合。氧化物層可為金屬氧化物層，包括三氧化二鋁、二氧化硅、二氧化鈦、二氧化鋯等中的一種或多種。當(dāng)然，封孔劑層或氧化物層均可包括一層或多層。圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的帶有表面沉積層19和離子注入層13的基板10的剖面示意圖。與圖2所示的基板相比，在圖10所示的基板10中，表面沉積層19形成于基材11的表面12上方，離子注入層13的一部分注入到整個(gè)表面沉積層19內(nèi)，而另一部分注入到基材11的表面12下方。當(dāng)然，在表面沉積層19較厚的情況下，離子注入層13整體位于該表面沉積層19內(nèi)，而不會(huì)深入到基材11的內(nèi)部。
[0079]在最終制得基板后，還可以對(duì)該基板進(jìn)行后處理。后處理可包括退火處理，以消除存在于基板中的應(yīng)力從而防止基材或其上面的導(dǎo)體層斷裂。具體過(guò)程可為:將基板放入80-100°C的烘箱中烘烤2-12小時(shí)。后處理還可包括表面鈍化處理，以防止基板中的導(dǎo)體層容易被氧化。具體過(guò)程可為:將基板放入鈍化液中浸泡大約1-3分鐘后取出、吹干，該鈍化液是濃度為l_3g/L的苯并三氮唑及其衍生物的水溶液。
[0080]上文詳細(xì)描述了根據(jù)本發(fā)明的基板及其制造方法的具體實(shí)施例。下面，為了增進(jìn)對(duì)于本發(fā)明的了解，將舉例示出用于實(shí)施本發(fā)明的若干具體示例。
[0081](示例I)
該示例使用環(huán)氧樹(shù)脂玻纖布作為基材來(lái)制造單面的剛性覆銅板(CCL)，具體地使用環(huán)氧玻纖布基材中的FR-4基材或FR-5基材。
[0082]首先，用浸漬過(guò)酒精的紗布輕擦FR-4基材的上表面，以除去上面附著的臟污。接著，將封孔劑涂布于基材的上表面上進(jìn)行表面沉積處理，其中封孔劑包含由三氧化二鋁和二氧化硅膠體的混合溶液組成的填充劑、由磷酸氫鋁或磷酸二氫鋁組成的膠黏劑、以及氧化銅的交聯(lián)劑。之后，對(duì)基材的上表面進(jìn)行烘干處理，以除去其中的水分。
[0083]接著，通過(guò)放料機(jī)構(gòu)將烘干后的FR-4基材放入到離子注入設(shè)備中，抽真空至2X10 3Pa,以Ni作為靶材，選擇適當(dāng)?shù)淖⑷腚妷?、注入電流，使得注入的Ni離子的能量為30keV，將該Ni離子注入到基材的上表面下方。之后，選用Cu作為靶材，在基材的上表面上進(jìn)行等離子體沉積，調(diào)整沉積的Cu離子的能量為lOOeV，使得等離子體沉積后的基板的測(cè)量方阻小于50 Ω / 口。
[0084]然后，在電鍍銅生產(chǎn)線上將基材上表面的銅膜加厚至5 μ m。在電鍍過(guò)程中，采用由硫酸銅100g/L、硫酸50g/L、氯離子濃度30mg/L及少量的添加劑組成的電鍍液，將電鍍的電流密度設(shè)置為lA/dm2，將溫度設(shè)置為25°C。
[0085]最后，將電鍍后的單面覆銅板放入100-120°C的烘箱中烘烤12小時(shí)，以消除在電鍍期間產(chǎn)生于銅層中的應(yīng)力。接著，將覆銅板放入鈍化液中浸泡大約I分鐘后取出并吹干，以防止銅在空氣中氧化變色，其中鈍化液是濃度為2g/L的苯并三氮唑及其衍生物的水溶液。
[0086](示例2)
該示例使用陶瓷基材料作為基材來(lái)制作單面剛性覆銅板(CCL)，具體地采用三氧化二鋁陶瓷板作為基材。
[0087]首先，用浸過(guò)酒精的紗布輕擦三氧化二鋁陶瓷板基材的上表面，以除去上面附著的臟污。接著，采用激光打孔技術(shù)在基材上鉆出若干個(gè)孔徑約為20 μ m的通孔、以及若干孔徑約為20 μπι且深度約為30 μπι的盲孔，再使用超聲波技術(shù)徹底地清洗該基材的表面和孔的孔壁，以除去其中殘留的鉆肩及其它臟污。
[0088]接著，通過(guò)放料機(jī)構(gòu)將清潔后的基材放入射頻濺射設(shè)備中。在該射頻濺射設(shè)備中，將三氧化二鋁作為射頻濺射的靶材，在氬氣氣氛的濺射室中，抽真空至2 X 10 2Pa,施加頻率為13.56MHz、電壓為2.5kV的交流電作為激勵(lì)源，通過(guò)射頻濺射沉積在基材的表面上沉積一層三氧化二鋁，沉積時(shí)間設(shè)置為30分鐘。
[0089]然后，將射頻濺射處理后的基材轉(zhuǎn)送到離子注入設(shè)備中進(jìn)行離子注入。在離子注入設(shè)備中，將注入腔室抽真空至5X 13Pa,以Cr作為靶材，選擇適當(dāng)?shù)淖⑷腚妷?、注入電流，使得電離出的Cr離子具有大約50keV的注入能量，將Cr離子注入到基材的上表面下方。之后，選用Cu作為靶材，在基材的上表面上進(jìn)行等離子體沉積，調(diào)整沉積的Cu離子的能量為300eV，使等離子體沉積后的覆銅板的測(cè)量方阻小于80Ω / 口。
[0090]最后，將制得的覆銅板放入80°C的烘箱中烘烤10小時(shí)，進(jìn)行退火處理以消除存在于其中的應(yīng)力并防止銅層斷裂。接著，將退火處理后的覆銅板放入鈍化液中浸泡大約3分鐘后取出并吹干，其中鈍化液是濃度為2g/L的苯并三氮唑及其衍生物的水溶液。
[0091](示例3) 該示例采用玻璃基材料作為基材來(lái)制造雙面剛性覆銅板(CCL)，具體地采用無(wú)機(jī)玻璃基板作為基材，該無(wú)機(jī)玻璃基板的成分可包括二氧化硅、三氧化二鋁、硅酸鈉或硼硅酸等。
[0092]首先，用浸漬過(guò)酒精的紗布輕擦玻璃基材的兩個(gè)表面，以除去上面附著的臟污。接著，通過(guò)放料機(jī)構(gòu)將清潔后的基材放入到射頻濺射設(shè)備中。在射頻濺射設(shè)備中，將二氧化硅作為射頻濺射的靶材，在氬氣氣氛的濺射室中，抽真空至8 X 10 2Pa,加上頻率為13.56MHz、電壓為3.5kV的交流電作為激勵(lì)源，通過(guò)射頻濺射沉積而在基材的兩個(gè)表面上形成一層二氧化硅，沉積時(shí)間設(shè)置為30分鐘。
[0093]接著，將射頻濺射處理后的基材轉(zhuǎn)送到離子注入設(shè)備中進(jìn)行離子注入。在離子注入設(shè)備中，將注入腔室抽真空至9X 13Pa,以Ni作為靶材，選擇適當(dāng)?shù)淖⑷腚妷?、注入電流，使得電離出的Ni離子具有大約35keV的注入能量，將該Ni離子注入到基材的表面下方。
[0094]然后，通過(guò)電鍍方法在玻璃基材的表面上形成厚度為12 μπι的銅層。在電鍍過(guò)程中，采用由硫酸銅150g/L、硫酸80g/L、氯離子濃度50mg/L及少量的添加劑組成的電鍍液，將電鍍時(shí)的電流密度設(shè)置為2A/dm2，并將溫度設(shè)置為30°C。
[0095]最后，將電鍍后的覆銅板放入80°C的烘箱中烘烤10小時(shí)以進(jìn)行退火處理，消除在電鍍期間產(chǎn)生于銅層中的應(yīng)力。接著，將覆銅板放入鈍化液中浸泡大約3分鐘后取出并吹干，以防止銅層在空氣中氧化變色，其中鈍化液是濃度為2g/L的苯并三氮唑及其衍生物的水溶液。
[0096](示例4)
該示例使用有機(jī)高分子薄膜作為基材來(lái)制造帶有金屬化孔的雙面的撓性覆銅板(FCCL)，具體地使用聚酰亞胺膜(PI膜)作為基材。
[0097]首先，用浸漬過(guò)酒精的紗布輕擦PI膜的兩個(gè)表面，以除去上面附著的臟污。接著采用激光打孔技術(shù)在該P(yáng)I膜上鉆出一系列孔徑為5 μπι的通孔，再使用超聲波技術(shù)徹底地清洗PI膜的表面和孔壁，以除去其中殘留的鉆肩及其它臟污。
[0098]接著，通過(guò)放料機(jī)構(gòu)將形成有通孔的PI膜送入離子束照射設(shè)備中，對(duì)PI膜的表面進(jìn)行脫水處理。具體而言，最初將該離子束照射腔室抽真空至5.0X 10 3Pa,在該真空環(huán)境中，用氬氣的離子束同時(shí)照射PI膜的上下兩面。此時(shí)，設(shè)置氬氣的流量為40sCCm，離子束的能量為500eV，照射量為I X 10121ns/cm2,照射時(shí)間為5秒?？刂茰囟榷?5°C度以下進(jìn)行脫水處理，同時(shí)使用抽氣設(shè)備將離子束照射腔室內(nèi)的水蒸氣抽出。離子束照射同時(shí)起到表面清潔與脫水作用。
[0099]然后，將照射處理后的PI膜轉(zhuǎn)送到離子注入設(shè)備中。在該離子注入設(shè)備中，將離子注入腔室抽真空至IX 10 4Pa,以Ni作為靶材，選擇適當(dāng)?shù)淖⑷腚妷?、注入電流，使得注入的Ni離子的能量為40keV，將Ni離子注入到PI膜基材的上下兩個(gè)表面下方及孔壁內(nèi)。之后，選用Cu作為靶材，在PI膜基材的上下兩個(gè)表面及孔壁上進(jìn)行等離子體沉積。調(diào)整等離子體沉積的電壓以使沉積的Cu離子的能量為lOOOeV，使得等離子體沉積后的PI膜基材的測(cè)量方阻小于40 Ω / 口。
[0100]接下來(lái)，在電鍍銅生產(chǎn)線上將PI膜基材表面上的銅膜加厚至5 μπι。在電鍍過(guò)程中，采用由硫酸銅160g/L、硫酸70g/L、氯離子濃度60mg/L以及少量的添加劑組成的電鍍液，將電鍍的電流密度設(shè)置為2.5A/dm2，并且將溫度設(shè)置為25 °C。
[0101]最后，將電鍍后的雙面覆銅板放入80-100°C的烘箱中烘烤10小時(shí)，以進(jìn)行退火處理而消除在電鍍期間產(chǎn)生于銅層中的應(yīng)力。接著，將退火處理后的雙面覆銅板放入鈍化液中浸泡大約I分鐘后取出并吹干，以防止銅層在空氣中氧化變色，其中鈍化液是濃度為Ig/L的苯駢三氮唑及其衍生物的水溶液。
[0102](示例5)
該示例使用有機(jī)高分子薄膜作為基材來(lái)制作雙面的撓性覆銅板(FCCL)，具體地采用液晶聚合物薄膜(LCP膜)作為基材。
[0103]首先，通過(guò)連續(xù)放料機(jī)構(gòu)將卷狀的LCP薄膜送入到離子束照射設(shè)備中，對(duì)該LCP膜的兩個(gè)表面進(jìn)行脫水處理。將LCP膜的進(jìn)給速度設(shè)置為0.8m/min，并將離子束照射腔室抽真空至1.0X102Pa。在此真空環(huán)境中，用氬氣離子束同時(shí)照射LCP膜的上下兩面。此時(shí)，設(shè)置氬氣的流量為80SCCm，離子束的能量為500eV，照射量為I X 10161ns/cm2,照射時(shí)間為40秒?？刂茰囟榷?5°C度以下進(jìn)行脫水處理，同時(shí)使用抽氣設(shè)備將離子束照射腔室內(nèi)的水蒸氣抽出。離子束照射同時(shí)起到表面清潔與脫水作用。然后，再將表面脫水處理后的LCP膜放入射頻濺射設(shè)備中，以三氧化二鋁作為靶材，在氬氣氣氛的腔室中，抽真空至5 X 10 2Pa,加上頻率為13.56MHz、電壓為3.0kV的交流電作為激勵(lì)源，通過(guò)射頻濺射沉積在LCP膜基材的表面上沉積一層三氧化二鋁，沉積時(shí)間設(shè)置為30分鐘。
[0104]接著，將經(jīng)過(guò)上述處理后的LCP膜基材轉(zhuǎn)送到離子注入設(shè)備中進(jìn)行離子注入。在該離子注入設(shè)備中，將注入腔室抽真空至8.5 X 10 3Pa,以Ni作為靶材，選擇適當(dāng)?shù)淖⑷腚妷骸⒆⑷腚娏?，使得電離出的Ni離子具有大約60keV的注入能量，同時(shí)對(duì)LCP膜的上下兩面進(jìn)行離子注入而將Ni離子注入到該LCP膜的內(nèi)部。
[0105]然后，通過(guò)磁控濺射在LCP膜基材的表面上形成厚度為5 μπι的銅層。具體過(guò)程為:在磁控濺射機(jī)的鍍膜室中，抽真空至10 2Pa,充入氬氣，調(diào)整其中的氣壓為10Pa，進(jìn)行薄膜表面的清洗，然后再抽真空至10 3Pa,調(diào)整工作電壓為500V、濺射占空比為70%。使用銅作為靶材，對(duì)LCP膜基材的表面進(jìn)行磁控濺射，以在該基材的上、下兩個(gè)表面各鍍上一層厚度為5 μ??的銅層。
[0106]最后，將覆銅板放入80_100°C的烘箱中烘烤15小時(shí)，以消除存在于其中的應(yīng)力并防止銅層斷裂。接著，將退火處理后的覆銅板在鈍化液中浸泡大約I分鐘后取出并吹干，以防止銅在空氣中氧化變色，其中鈍化液是濃度為lg/L的苯駢三氮唑及其衍生物的水溶液。
[0107](示例6)
該示例采用含有陶瓷填料或玻纖布的聚四氟乙烯(PTFE)基材來(lái)制造雙面的剛性覆銅板(CCL)，具體地采用含有陶瓷填料的PTFE基材，S卩，以PTFE為基質(zhì)、以陶瓷填料作為增強(qiáng)相的基材。
[0108]首先，用浸漬過(guò)酒精的紗布輕擦PTFE基材的兩個(gè)表面，以除去上面附著的臟污。接著，將封孔劑涂布于該基材的兩個(gè)表面上，該封孔劑包含由二氧化硅膠體的溶液組成的填充劑、由磷酸二氫鋁組成的膠黏劑、以及氧化銅的交聯(lián)劑。之后，對(duì)基材的表面進(jìn)行烘干處理，以除去其中的水分。
[0109]接著，通過(guò)放料機(jī)構(gòu)將烘干后的基材送入離子束照射設(shè)備中，進(jìn)行表面清潔及脫水處理。具體而言，首先將離子束照射腔室抽真空至3.5X10 3Pa或5.0X10 3Pa,然后在此真空環(huán)境中，采用氬氣(95%)和氮?dú)?5%)的混合氣體作為離子束來(lái)同時(shí)照射PTFE基材的上下兩面。此時(shí)，設(shè)置混合氣體的流量為80-150SCCm，離子束的能量為500eV，照射量為2X10141nS/cm2，照射時(shí)間為10秒，同時(shí)使用抽氣設(shè)備將離子束照射腔室內(nèi)的水蒸氣抽出。離子束照射同時(shí)可起到表面清潔與脫水的效果。
[0110]然后，將照射處理后的PTFE基材轉(zhuǎn)送到離子注入設(shè)備中。在該離子注入設(shè)備中，將注入腔室抽真空至6X 10 3Pa,以N1-Cr合金作為靶材，選擇適當(dāng)?shù)淖⑷腚妷?、注入電流，使得電離出的N1-Cr合金離子具有大約10keV的注入能量，同時(shí)對(duì)PTFE基材的上下兩面進(jìn)行離子注入。之后，選用Cu作為靶材，在基材的上下表面上進(jìn)行等離子體沉積，調(diào)整沉積的Cu離子的能量為lOOOeV，使等離子體沉積后的覆銅板基材的測(cè)量方阻小于80Ω / 口。
[0111]接下來(lái)，使用化學(xué)鍍法將基材表面上的銅膜加厚至5 μπι。鍍液的組成為15g/L的硫酸銅、13mL/L的甲醛、以及由乙二胺四乙酸二鈉和四羥丙基乙二胺按1:1-1:3的比例組成的配位劑，配位劑濃度為40g/L，pH值為11-13，組合添加劑由含氮添加劑組成且濃度為20mL/L。設(shè)置化學(xué)鍍的溫度為40 °C，施鍍時(shí)間為20_30min。
[0112]最后，將覆銅板放入100°C的烘箱中烘烤8小時(shí)以進(jìn)行退火處理，消除在化學(xué)鍍期間產(chǎn)生于銅層中的應(yīng)力并防止銅層斷裂。接著，將退火處理后的覆銅板放入鈍化液中浸泡大約I分鐘后取出并吹干，以防止銅層在空氣中氧化變色，其中鈍化液是濃度為lg/L的苯駢三氮唑及其衍生物的水溶液。
[0113]上文描述的內(nèi)容僅僅提及了本發(fā)明的較佳實(shí)施例。然而，本發(fā)明并不受限于文中所述的特定實(shí)施例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易想到，在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行各種顯而易見(jiàn)的修改、調(diào)整及替換，以使其適合于特定的情形。實(shí)際上，本發(fā)明的保護(hù)范圍是由權(quán)利要求限定的，并且可包括本領(lǐng)域技術(shù)人員可預(yù)想到的其它示例。如果這樣的其它示例具有與權(quán)利要求的字面語(yǔ)言無(wú)差異的結(jié)構(gòu)要素，或者如果它們包括與權(quán)利要求的字面語(yǔ)言有非顯著性差異的等同結(jié)構(gòu)要素，那么它們將會(huì)落在權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種制造基板的方法，包括: 51:對(duì)基材進(jìn)行前處理；以及 52:通過(guò)離子注入將導(dǎo)電材料注入到經(jīng)前處理后的所述基材的表面下方，形成離子注入層。2.一種制造基板的方法，包括: 50:在基材上鉆孔，其包括盲孔和/或通孔； 51:對(duì)所述孔的孔壁進(jìn)行前處理；以及 52:通過(guò)離子注入將導(dǎo)電材料注入到經(jīng)前處理后的所述孔的孔壁下方，形成離子注入層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于: 步驟SI還包括對(duì)所述基材進(jìn)行前處理；并且 步驟S2還包括通過(guò)離子注入將導(dǎo)電材料注入到經(jīng)前處理后的所述基材的表面下方，形成離子注入層。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在離子注入期間，所述導(dǎo)電材料的離子獲得1-1OOOkeV的能量，被注入到所述基材的表面下方和/或所述孔的孔壁下方l-500nm的深度，并與所述基材形成穩(wěn)定的摻雜結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法還包括:通過(guò)等離子體沉積將導(dǎo)電材料沉積到所述離子注入層上，形成等離子體沉積層。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在等離子體沉積期間，所述導(dǎo)電材料的離子獲得1-1OOOeV的能量，形成厚度為1-1OOOOnm的等離子體沉積層。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料包括T1、Cr、N1、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb以及它們之間的合金中的一種或多種。8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法還包括:在所述離子注入層上形成導(dǎo)體加厚層。9.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述方法還包括:在所述等離子體沉積層上形成導(dǎo)體加厚層。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于，通過(guò)電鍍、化學(xué)鍍、真空蒸發(fā)鍍、派射中的一種或多種處理方式，形成厚度為0.01-1000 μ m的所述導(dǎo)體加厚層，并且所述導(dǎo)體加厚層由Al、Mn、Fe、T1、Cr、Co、N1、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb以及它們之間的合金中的一種或多種組成。11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述基材為剛性板材或撓性板材，所述剛性板材包括有機(jī)高分子剛性板、陶瓷板、玻璃板中的一種或多種，其中所述有機(jī)高分子剛性板包括LCP、PTFE、CTFE、FEP、PPE、合成橡膠板、玻纖布/陶瓷填料增強(qiáng)板中的一種或多種，所述撓性板材為有機(jī)高分子薄膜，其包括P1、PTO, PC、PSU、PES、PPS、PS、PE、PP、PE1、PTFE、PEEK、PA、PET、PEN、LCP 或 PPA 中的一種或多種。12.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述前處理包括表面沉積處理和/或表面脫水處理。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述表面沉積處理包括封孔處理，即，將封孔劑涂布于所述基材的表面和/或所述孔的孔壁上，且隨后進(jìn)行干燥。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述封孔劑包括以下組分中的一種或多種: 填充劑，其是氧化物膠體溶液，包括氧化硅膠體、氧化鋁膠體、氧化鈦膠體、氧化鋯膠體或它們的組合； 膠黏劑，其是磷酸鹽化合物，包括磷酸氫鋁、磷酸二氫鋁或它們的組合；以及 交聯(lián)劑，其是金屬氧化物，包括氧化鎂、氧化亞鐵、氧化錳、氧化銅、氧化鋅或它們的組入口 ο15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述表面沉積處理包括氧化物沉積處理，即，在所述基材的表面和/或所述孔的孔壁上沉積一層或多層氧化物，所述氧化物包括三氧化二鋁、二氧化娃、二氧化鈦、二氧化錯(cuò)中的一種或多種。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，使用射頻濺射沉積來(lái)進(jìn)行所述氧化物沉積處理，即，在射頻濺射室內(nèi)，在所述基材與由所述氧化物組成的靶材之間施加頻率為5-30MHZ、電壓為1-1OkV的交流電作為激勵(lì)源，濺射出所述氧化物的粒子，使其沉積在所述基材的表面和/或所述孔的孔壁上。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，使用化學(xué)氣相沉積來(lái)進(jìn)行所述氧化物沉積處理。18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述表面脫水處理包括離子束照射處理，即，在真空環(huán)境下，用離子束照射所述基材的表面和/或所述孔的孔壁，同時(shí)排出所產(chǎn)生的水蒸氣，其中所述離子束包括由氬氣、氮?dú)?、氧氣、氫氣中的一種或多種組成的離子氣體。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，在離子束照射處理中，設(shè)置真空度為I X 10 4-lPa，溫度為90°C以下，離子氣體的流量為40_80sccm，照射量為1012-10161ns/cm2，并且所述離子束獲得I X 10 3-lkeV的能量。20.一種通過(guò)權(quán)利要求1所述的方法制得的基板，包括: 基材；和 離子注入層，其注入到所述基材的表面下方。21.—種通過(guò)權(quán)利要求2所述的方法制得的基板，包括: 形成有孔的基材，所述孔包括盲孔和/或通孔；和 離子注入層，其注入到所述孔的孔壁下方。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的基板，其特征在于，所述基板還包括注入到所述基材的表面下方的離子注入層。23.根據(jù)權(quán)利要求20至22中的任一項(xiàng)所述的基板，其特征在于，所述離子注入層位于所述基材的表面下方和/或所述孔的孔壁下方l_500nm的深度，并與所述基材形成穩(wěn)定的摻雜結(jié)構(gòu)。24.根據(jù)權(quán)利要求20至23中的任一項(xiàng)所述的基板，其特征在于，所述基板還包括附著于所述離子注入層上的等離子體沉積層。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的基板，其特征在于，所述等離子體沉積層具有1-1OOOOnm的厚度。26.根據(jù)權(quán)利要求20至25中的任一項(xiàng)所述的基板，其特征在于，所述離子注入層和/或所述等離子體沉積層由導(dǎo)電材料組成，該導(dǎo)電材料包括T1、Cr、N1、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb以及它們之間的合金中的一種或多種。27.根據(jù)權(quán)利要求20至23中的任一項(xiàng)所述的基板，其特征在于，所述基板還包括形成于所述離子注入層上的導(dǎo)體加厚層。28.根據(jù)權(quán)利要求24或25所述的基板，其特征在于，所述基板還包括形成于所述等離子體沉積層上的導(dǎo)體加厚層。29.根據(jù)權(quán)利要求27或28所述的基板，其特征在于，所述導(dǎo)體加厚層具有0.01-1000 μ m 的厚度，并且由 Al、Mn、Fe、T1、Cr、Co、N1、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb 以及它們之間的合金中的一種或多種組成。30.根據(jù)權(quán)利要求20至29中的任一項(xiàng)所述的基板，其特征在于，所述基材為剛性板材或燒性板材，所述剛性板材包括有機(jī)高分子剛性板、陶瓷板、玻璃板中的一種或多種，其中所述有機(jī)高分子剛性板包括LCP、PTFE, CTFE, FEP、PPE、合成橡膠板、玻纖布/陶瓷填料增強(qiáng)板中的一種或多種，所述撓性板材為有機(jī)高分子薄膜，其包括P1、PTO、PC、PSU、PES、PPS、PS、PE、PP、PE1、PTFE、PEEK、PA、PET、PEN、LCP 或 PPA 中的一種或多種。31.根據(jù)權(quán)利要求20至24中的任一項(xiàng)所述的基板，其特征在于，在所述基材的表面上和/或所述孔的孔壁上，還形成有表面沉積層，其包括封孔劑層和/或氧化物層，其中所述離子注入層的至少一部分位于所述表面沉積層內(nèi)。32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的基板，其特征在于，所述封孔劑層包括以下組分中的一種或多種: 填充劑，其是氧化物膠體溶液，包括氧化硅膠體、氧化鋁膠體、氧化鈦膠體、氧化鋯膠體或它們的組合； 膠黏劑，其是磷酸鹽化合物，包括磷酸氫鋁、磷酸二氫鋁或它們的組合；以及 交聯(lián)劑，其是金屬氧化物，包括氧化鎂、氧化亞鐵、氧化錳、氧化銅、氧化鋅或它們的組入口 ο33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的基板，其特征在于，所述氧化物層包括三氧化二鋁、二氧化硅、二氧化鈦、二氧化鋯中的一種或多種。34.根據(jù)權(quán)利要求24至29中的任一項(xiàng)所述的基板，其特征在于，所述基材與在其上形成的導(dǎo)體層之間的剝離強(qiáng)度不低于0.5N/mm，所述導(dǎo)體層包括所述等離子體沉積層和/或所述導(dǎo)體加厚層。
【文檔編號(hào)】H05K3/42GK105873371SQ201510747931
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2015年11月6日
【發(fā)明人】吳香蘭, 王志建, 白四平, 楊志剛, 程文則, 張金強(qiáng)
【申請(qǐng)人】武漢光谷創(chuàng)元電子有限公司