專利名稱：等離子顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)等離子顯示器及其制造方法，特別是有關(guān)降低放電電壓，提高放電效率的一種等離子顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
目前，占據(jù)主流位置的陰極射線管或顯像管因為存在的重量和體積過大的缺點(diǎn)，所以人們開發(fā)了可以克服上述這些缺點(diǎn)的很多種類的平板顯示裝置(FlatPanelDisplayFPD)。
這種平板顯示裝置包括液晶顯示裝置(Liquid CrystalLCD)，等離子顯示器(Plasma Display Panel以下稱為“PDP”)，場發(fā)射顯示器(Field EmissionDisplayFED)，電致發(fā)光顯示器(Elcctro LuminescenceEL)等。
在如上這些顯示裝置中，PDP因易于制作成大型的顯示器而受到關(guān)注。PDP是通過氖氣(Ne)，氦氣(He)或氖氣(Ne)和氦氣(He)混合氣體(Ne+He)放電時生成的147nm的紫外線使熒光體發(fā)光，顯示包括文字或畫面的圖像或影像。這種PDP按照視頻數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)象素的放電時間，顯示圖像，因為最近加大了技術(shù)開發(fā)力度，所以可提供優(yōu)質(zhì)畫面。
圖1所示為現(xiàn)有的3電極交流表面放電型PDP的放電元件側(cè)視圖。
參照圖1，3電極交流表面放電型PDP的放電元件由位于上部基板10上的掃描電極Y、維持電極Z還有位于下部基板18上的地址電極X構(gòu)成。掃描電極Y和維持電極Z分別包括透明電極12Y，12Z和位于透明電極一側(cè)邊緣的金屬緩沖電極13Y，13Z，金屬緩沖電極13Y，13Z的線幅小于透明電極12Y，12Z的線幅。
透明電極12Y，12Z形成在上部基板10上，通常是以銦-錫氧化物(Indium TinOxideITO)，銦鋯氧化物(Indium Zinc OxideIZO)，銦鈦鋯氧化物(Indium TinZinc OxideIZO)為材料制成。金屬緩沖電極13Y，13Z通常以銦-錫氧化物為材料制成，形成在透明電極12Y，12Z上，起到使高電阻的透明電極12Y，12Z電壓下降減弱的作用。在掃描電極Y和維持電極Z所位于的上部基板10上涂有上部電介質(zhì)層14和保護(hù)膜16。
保護(hù)膜16是防止上部電介質(zhì)層14因等離子放電時生成的激射而受到損傷，提高2次電子的放射效率。通常使用氧化鎂(MgO)來做保護(hù)膜16。
在形成地址電極X的下部基板18上形成下部電介質(zhì)層22和間隔壁24，熒光體層26被涂在下部電介質(zhì)層22和間隔壁24的表面。地址電極X以和掃描電極Y、維持電極Z以相交叉的方向形成。
在上部電介質(zhì)層14和下部電介質(zhì)層22上積累因放電而形成的壁電荷。這樣，電介質(zhì)層14，22和保護(hù)膜16可以降低外部所認(rèn)可的放電電壓。
間隔壁24和上下部基板10，18共同形成放電空間。另外，間隔壁24將和地址電極20并列設(shè)置的放電元件從構(gòu)造上進(jìn)行區(qū)分，防止因放電生成的紫外線和可見光泄漏到鄰近的放電元件上。向設(shè)置在上/下部分基板10，18和間隔壁24之間的放電元件的放電空間中注入可以進(jìn)行放電的He(氦氣)，Ne(氖氣)，Ar(氬氣)，Xe(氙氣)，Kr(氪氣)等惰性混合氣體，還有通過放電可以生成紫外線的激態(tài)氣體(Ercimer)。
熒光體層26被等離子放電時生成的紫外線激活發(fā)光，生成紅色(R)、綠色(G)或藍(lán)色(B)中的某一種顏色的可見光。
如圖1所示，上部和下部基板10、18上形成有覆蓋電極的上部及下部電介質(zhì)層，在上部及下部電介質(zhì)層上積累有因放電而形成的壁電荷。雖然這些壁電荷存在一些差異，但是比較平均地分布在保護(hù)膜16的上部。這是因為在現(xiàn)有的PDP的上部基板形成的電介質(zhì)層掃描電極Y和持續(xù)電極Z全都覆蓋而形成的。
圖2所示為上部基板上形成的開關(guān)部分示意圖。
如圖2所示，在掃描電極(Y)的正下方由掃描電極(Y)，上部電介質(zhì)層14和保護(hù)層16形成第1電介質(zhì)涂層容器(C1)。還有，持續(xù)電極(Z)也和掃描電極(Y)相同，形成第2電介質(zhì)涂層容器(C2)。另外，在掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)之間，由上部電介質(zhì)層14生成第3電容器(C3)。
第1電介質(zhì)涂層容器(C1)是掃描電極(Y)和下部基板18的地址電極(X)放電時，或掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)放電時，在引起放電的同時，起到使壁電荷集中到掃描電極(Y)附近的作用。
在掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)放電時，第2電介質(zhì)涂層容器(C2)起到使持續(xù)電極(Z)附近有關(guān)放電的壁電荷集中的作用。
與之相反，第3電容器(C3)在阻礙掃描電極(Y)或持續(xù)電極(Z)集中電荷的同時，起到增加上部電介質(zhì)層14的正電容量的作用。即，掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)之間產(chǎn)生放電的電壓被認(rèn)可時，消耗可以使第3電容器(C3)充電的電量。還有，第3電容器(C3)使為充電而應(yīng)向放電空間放出的電量減少。即，因為上部基板10電極之間存在的附帶第3電容器(C3)出現(xiàn)了電極認(rèn)可的電壓上升，而放電效率下降的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明正是為解決目前存在的上述問題而提出的。本發(fā)明的目的是提供有關(guān)降低放電電壓，提高放電效率的一種等離子顯示器及其制造方法。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明中的等離子顯示器由三部分構(gòu)成，一是上部基板；二是形成在上部基板上的掃描電極及持續(xù)電極；三是具有特定電介率的電介質(zhì)層，這種電介質(zhì)層分別覆蓋在上述上部基板的一部分及上述掃描電極及持續(xù)電極上。上述電介質(zhì)層在上述掃描電極及持續(xù)電極之間的電介率和在上述掃描電極及持續(xù)電極上的電介率不同。
在上述電介質(zhì)層上還形成有保護(hù)層。
上述電介質(zhì)層的形成比上述掃描電極和持續(xù)電極之間厚度薄。
等離子顯示器還包括五部，一是上述上部基板對面的下部基板；二是位于上述下部基板與上述掃描電極和持續(xù)電極交叉形成的地址電極；三是覆蓋在上述地址電極和上述下部基板的一部分上的下部電介質(zhì)層；四是和上述地址電極沿平行方向形成的間隔壁；五是上述下部電介質(zhì)層和上述間隔壁上涂有的熒光體層。
本發(fā)明中的等離子顯示器的制造及方法包括兩個步驟，一是在上部基板上形成掃描電極和持續(xù)電極的步驟；二是將上述掃描電極及持續(xù)電極之間的電介率和在上述掃描電極及持續(xù)電極上的電介率不同電介質(zhì)層覆蓋在掃描電極和持續(xù)電極和步驟。
形成上述電介質(zhì)層的步驟包括兩個步驟，一是在形成上述掃描電極和持續(xù)電極的上述上部基板上形成電介質(zhì)涂層的步驟；二是向上述掃描電極和持續(xù)電極之間的電介質(zhì)涂層照射光線的步驟。
形成上述電介質(zhì)層的步驟包括兩個步驟，一是在形成上述掃描電極和持續(xù)電極的上述上部基板上形成電介質(zhì)涂層的步驟；二是向上述掃描電極和持續(xù)電極上的電介質(zhì)涂層照射光線的步驟。
形成上述電介質(zhì)層的步驟包括形成在上述掃描電極和持續(xù)電極之間的第1厚度和上述掃描電極和持續(xù)電極上的第1厚度不同的電介質(zhì)層的步驟。
上述第2厚度比上述第1厚度要薄。
形成上述電介質(zhì)層的步驟包括兩步驟，一是在形成掃描電極和持續(xù)電極的上述上部基板上形成第1電介質(zhì)涂層的步驟；二是在和上述掃描電極和持續(xù)電極重疊范圍的上述第1電介質(zhì)涂層上形成第2電介質(zhì)涂層的步驟。
本發(fā)明的效果如上所述，本發(fā)明中的等離子顯示器及其制造方法在掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)之間形成電介質(zhì)層，其電介率小于在掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)的上部形成的電介質(zhì)層的電介率。
因此，本發(fā)明中的等離子顯示器及其制造方法可以使電極間存在的附帶電容器的容量減少，防止浪費(fèi)放電電壓。
為進(jìn)一步說明本發(fā)明的上述目的、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和效果，以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的描述。


圖1是現(xiàn)有的3電極交流表面放電型PDP的放電元件側(cè)視圖。
圖2是上部基板上形成的開關(guān)部分示意圖。
圖3是本發(fā)明實施例的PDP示意圖。
圖4a、圖4b是更細(xì)致表示圖3的上部基板的示意圖。
圖5a-圖5e是制造本發(fā)明電介質(zhì)層方法的簡圖。
圖6是本發(fā)明放電元件的PDP顯示器的電極分布示意圖。
圖7是驅(qū)動本發(fā)明的PDP的驅(qū)動波形圖。
附圖中主要部分的符號說明10，30上部基板12，32透明電極13，33金屬緩沖電極14上部電介質(zhì)層16，36保護(hù)層 18，38下部基板22，42下部電介質(zhì)層24，44間隔壁26，46熒光體層34第1上部電介質(zhì)層
35第2上部電介質(zhì)層 51蒙片53遮光部分具體實施方式
下面將參照附圖3至附圖6對本發(fā)明的等離子顯示器及其制造方法的實施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
參照圖3，3電極交流面放電型PDP的放電元件包括上部基板30上具有的掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)，保護(hù)膜36，第1上部電介質(zhì)層34及第2上部電介質(zhì)層35；還包括下部基板38上具有的地址電極(X)，下部電介質(zhì)層42，間隔壁44及熒光體層46。
掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)分別包括透明電極32Y、32Z和金屬緩沖電極33Y、33Z。金屬緩沖電極33Y、33Z位于透明電極的一側(cè)邊緣上，它的線幅比透明電極的線幅小。
透明電極32Y、32Z通常是由銦錫氧化物(ITO)，銦鍺氧化物(IZO)或銦錫鍺氧化物(ITZO)等金屬在上部基板30上形成。金屬緩沖電極33Y、33Z通常是由鉻(Cr)、銀(Ag)等金屬在透明電極32Y、32Z上形成。其作用是通過電阻高的透明電極32Y、32Z降低電壓。在掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)并列形成的上部基板30上，上部電介質(zhì)層34和保護(hù)膜36疊加在一起。
保護(hù)膜36的作用是防止等離子顯示器放電時產(chǎn)生的激射損傷上部電介質(zhì)層，同時提高2次電子放電的放射效率。保護(hù)膜36通常是用氯化鎂(MgO)制成的。
在地址電極(X)形成的下部基板38上，形成下部電介質(zhì)層42和間隔壁44，在下部電介質(zhì)層42和間隔壁44的表面上，涂上熒光體層46。地址電極(X)是在和掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)交叉的方向上形成的。
第1上部電介質(zhì)層34只覆蓋掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)，是在局部形成的。其作用是積累放電時產(chǎn)生的壁電荷，降低以后放電時的放電電壓。
第2上部電介質(zhì)層35位于掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)之間的上部基板上。還有此第2上部電介質(zhì)層35比第1上部電介質(zhì)層34要薄。因為同樣形成的第2上部電介質(zhì)層35是用比第1上部電介質(zhì)層34電介率還小的物質(zhì)形成，其作用是減小在掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)之間生成的附帶電容器的正電容量。因此，第2上部電介質(zhì)層35使在掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)之間生成的附帶電容器的大小，來降低總電容量，使放電電壓變低。
下部電介質(zhì)層42覆蓋地址電極(X)位于下部基板38上，其作用是積累放電時產(chǎn)生的壁電荷。這個下部電介質(zhì)層42可以降低從外部施加的放電電壓。
間隔壁24和上下部基板30，38一同組成放電空間，而且間隔壁44和地址電極(X)是并列形成的，其作用是防止通過氣體放電生成的紫外線和可見光泄漏到鄰近的放電元件上。在上/下部基板30，38和間隔壁44之間形成的放電空間中注入用于氣體放電的He(氦氣)，Ne(氖氣)，Ar(氬氣)，Xe(氙氣)，Kr(氪氣)等惰性混合氣體。這些氣體是組合的放電氣體(或混合氣體)，或者是通過放電能生成紫外線的激態(tài)氣體。
熒光體層46被等離子放電時產(chǎn)生的紫外線激活，發(fā)出紅色(R)，綠色(G)或者藍(lán)色(B)中的一種可見光。
圖4a、圖4b為更詳細(xì)地顯示圖3的上部基板的示意圖。圖4a為第2上部電介質(zhì)層和第1上部電介質(zhì)層厚度相同的情況示意圖；圖4b為第2上部電介質(zhì)層35比第1上部電介質(zhì)層34薄的情況示意圖。還有，各附圖中顯示了附帶電容器。
如圖4a，第2上部電介質(zhì)層35a和第1上部電介質(zhì)層34厚度相同。此第2上部電介質(zhì)層35a是用比第1上部電介質(zhì)層34電介率還小的物質(zhì)形成的。因此，在掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)之間，由上部電介質(zhì)層生成的第3電容器(C3)與第1電容器(C1)和第2電容器(C2)相比具有較小的正電容量。由于和現(xiàn)有技術(shù)的附帶電容器(C3)相比，它的容量非常小，所以它充電所需的電壓也很小，因而可降低放電時的驅(qū)動電壓。
另外，如圖4b，第2上部電介質(zhì)層35b比第1上部電介質(zhì)層34要薄。和圖4a相比，它的附帶電容器(Cb)的容量變得更小。
圖5a-圖5e為本發(fā)明中的次級電介質(zhì)(第2上部電介質(zhì)層35)形成方法的圖例。
圖5a，在上部基板30上形成掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)。如果要形成掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)，那么，如圖5b，就要在上部基板上形成第1上部電介質(zhì)層(或電介質(zhì)涂料，34)。
如圖5c所示，如果形成了第1上部電介質(zhì)層34，具有遮光部分53的蒙片51a位于掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)部分上，通過蒙片51a照射光線。如圖5c所示，位于掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)之間的蒙片51a具有透過部分。通過這一透過部分的光線，掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)之間的第1上部電介質(zhì)層34和光照射不到的部分具有不同的透光率。
還有，如圖5d所示，掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)之間部分使用由遮光部分53形成的蒙片51b使掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)部分見光，這樣可以改變這一部分的電介率。
還有，如果掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)部分之間的電介率形成的不一樣，如圖5e所示，掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)部分上的第1上部電介質(zhì)層34之間可能形成具有不同電介率的第2上部電介質(zhì)層35。
圖6所示為本發(fā)明放電元件的P數(shù)據(jù)脈沖(DP)顯示器的電極分布示意圖。
參照圖6，此圖所示為包括放電元件50的P數(shù)據(jù)脈沖(DP)的整體電極分布構(gòu)造圖。圖6中的放電元件50由掃描電極線(Y1至YM)、持續(xù)電極線(Z1至ZM)及每一個地址電極線(或數(shù)據(jù)線，X1至Xn)的交叉點(diǎn)構(gòu)成。
掃描電極線(Y1至YM)提供掃描脈沖和持續(xù)脈沖，放電元件30以線為單位，掃描的同時，維持放電元件50的放電。
持續(xù)電極線(Z1至ZM)共同提供持續(xù)脈沖，和掃描電極線(Y1至YM)一起維持放電元件50的放電。地址電極線(X1至Xn)是將和掃描脈沖同時生成的數(shù)據(jù)脈沖向線單位提供，按照數(shù)據(jù)脈沖的邏輯值，選擇維持放電的放電元件50。
圖7所示為驅(qū)動本發(fā)明的P數(shù)據(jù)脈沖(DP)的驅(qū)動波形圖。
參照圖7，P數(shù)據(jù)脈沖(DP)分別包括使前畫面的放電元件50初始化的重新設(shè)置區(qū)間(RP)、選擇元件的地址區(qū)間(AP)、維持被選擇放電元件50放電的持續(xù)時間(SP)以及消除放電元件30內(nèi)壁電荷的消除區(qū)間(EP)。
在子磁場(SFN)開始的重新設(shè)置區(qū)間(RP)的設(shè)置區(qū)間(SU)中，正極光波(PR)被所有掃描電極(Y1至Ym)認(rèn)可，0[V]被持續(xù)電極(Z)和掃描電極(Y)認(rèn)可。通過設(shè)置區(qū)間(SU)的正極光波(PR)，在掃描電極(Y1至Ym)上的電壓，從正極的持續(xù)電壓(VS)到比其高的重新設(shè)置電壓(Vr)逐漸上升。通過上述正極光波(PR)，在前畫面的元件中，掃描電極(Y1至Ym)和持續(xù)電極(Z1至Zm)之間生成幾乎不發(fā)光的暗電流(Dark Discharge)的同時，掃描電極(Y1至Ym)和持續(xù)電極(Z1至Zm)之間也生成暗電流。生成這種暗電流的結(jié)果是，設(shè)置區(qū)間(SU)的正后面的掃描電極(Y1至Ym)和持續(xù)電極(Z1至Zm)上留有正極性壁電荷，掃描電極(Y1至Ym)留有負(fù)極性壁電荷。
在設(shè)置區(qū)間(SU)上，在重新設(shè)置區(qū)間(RP)的記錄區(qū)間(SD)上，從電壓正極性的持續(xù)電壓(VS)到負(fù)極性的消除電壓(Ve)逐漸降低的負(fù)極光波(NR)被掃描電極(Y1至Ym)認(rèn)可。與此同時，持續(xù)電極(Z1至Zm)認(rèn)可正極性的持續(xù)電壓(VS)，0[V]被地址電極(X1至Xn)認(rèn)可。通過負(fù)極光波(NR)，前畫面的放電元件30內(nèi)，在掃描電極(Y1至Ym)和地址電極(X1至Xn)之間生成暗電流的同時，掃描電極(Y1至Ym)和持續(xù)電極(Z1至Zm)也生成暗電流。
生成這種記錄區(qū)間(SD)暗電流的結(jié)果是，各放電元件30內(nèi)的壁電荷分布向最好的地址條件轉(zhuǎn)變。這時，在各放電元件30中，在掃描電極(Y1至Ym)和持續(xù)電極(Z1至Zm)上，地址放電不需要的瞬變壁電荷被消除，留下一定數(shù)量的壁電荷。另外，持續(xù)電極(Z)上的壁電荷是，從掃描電極(Y)上移動過來的負(fù)極性壁電荷在集聚的同時，其極性從正極性反轉(zhuǎn)為負(fù)極性。
在地址區(qū)間(AP)上，負(fù)極性的掃描脈沖(-SCNP)被掃描電極(Y1至Ym)依次認(rèn)可的同時，數(shù)據(jù)脈沖(DP)被地址電極(X1至Xn)認(rèn)可。從0[V]或與其相近的負(fù)極性掃描偏向電壓(Vyb)到負(fù)極性的掃描電壓(-Vy)降低為掃描電壓(V掃描脈沖(-SCNP))。數(shù)據(jù)脈沖(DP)的電壓是正極性的數(shù)據(jù)電壓(Va)。在這一地址區(qū)間(AP)時間里，正極性持續(xù)電壓(Vs)或比其低的正極性偏向低壓(Vzb)向持續(xù)電極(Z1至Zm)提供。在認(rèn)可的掃描電壓(Vsc)和數(shù)據(jù)電壓(Va)的開啟元件(On-Cells)中，掃描電極(Y1至Ym)和地址電極(X1至Xn)之間生成地址放電。
在持續(xù)時間(SP)上，正極性持續(xù)電壓(Vs)的持續(xù)脈沖(SUSP)被交替認(rèn)可。這樣，通過地址放電，所選擇的開啟元件的每個持續(xù)脈沖都在掃描電極(Y1至Ym)和持續(xù)電極(Z1至Zm)之間引起持續(xù)放電。
與之相反，關(guān)閉元件(Off-Cells)在持續(xù)時間(SP)時間里不產(chǎn)生放電。在子磁場(SFN)的消除區(qū)間(EP)中，消除光波(ERR)被持續(xù)電極(Z)認(rèn)可，0[V]被在消除區(qū)間(EP)中掃描電極(Y1至Ym)和持續(xù)電極(Z1至Zm)認(rèn)可。消除光波(ERR)是電壓從0[V]開始到正極性持續(xù)電壓(Vs)逐漸向上的光波。通過這一消除光波(ERR)，在引起持續(xù)放電的開啟元件中，在掃描電極(Y1至Ym)和持續(xù)電極(Z1至Zm)之間引起消除放電。通過這一消除放電，開啟元件中的壁電荷被消除。
在與以上相同的驅(qū)動方法中，在掃描電極(Y)和持續(xù)電極(Z)之間的空間形成具有和第1上部電介質(zhì)34不同電介率的第2電介質(zhì)層35，所以可以降低圖7中所示的持續(xù)時間(SP)的驅(qū)動信號的電位(Vs)，以及地址區(qū)間(AP)的負(fù)極性掃描信號(-SCNP)的電位。
本技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到，以上的實施例僅是用來說明本發(fā)明，而并非用作為對本發(fā)明的限定，只要在本發(fā)明的實質(zhì)精神范圍內(nèi)，對以上所述實施例的變化、變型都將落在本發(fā)明權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示器，其特征在于由三部分構(gòu)成一是上部基板；二是形成在上部基板上的掃描電極及持續(xù)電極；三是具有特定電介率的電介質(zhì)層，這種電介質(zhì)層分別覆蓋在上述上部基板的一部分及上述掃描電極及持續(xù)電極上，上述電介質(zhì)層在上述掃描電極及持續(xù)電極之間的電介率和在上述掃描電極及持續(xù)電極上的電介率不同。
2.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器，其特征在于在上述電介質(zhì)層上還形成有保護(hù)層。
3.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器，其特征在于上述電介質(zhì)層比上述掃描電極和持續(xù)電極之間厚度薄。
4.如權(quán)利要求1所述的等離子顯示器，其特征在于還包括五部分一是上述上部基板對面的下部基板；二是位于上述下部基板與上述掃描電極和持續(xù)電極交叉形成的地址電極；三是覆蓋在上述地址電極和上述下部基板的一部分上的下部電介質(zhì)層；四是和上述地址電極沿平行方向形成的間隔壁；五是上述下部電介質(zhì)層和上述間隔壁上涂有的熒光體層。
5.一種等離子顯示器的制造方法，其特征在于包括兩個步驟一是在上部基板上形成掃描電極和持續(xù)電極的步驟；二是將上述掃描電極及持續(xù)電極之間的電介率和在上述掃描電極及持續(xù)電極上的電介率不同的電介質(zhì)層覆蓋在掃描電極和持續(xù)電極的步驟。
6.如權(quán)利要求5所述的等離子顯示器的制造方法，其特征在于形成上述電介質(zhì)層的步驟包括兩個步驟一是在形成上述掃描電極和持續(xù)電極的上述上部基板上形成電介質(zhì)涂層的步驟；二是向上述掃描電極和持續(xù)電極之間的電介質(zhì)涂層照射光線的步驟。
7.如權(quán)利要求5所述的等離子顯示器的制造方法，其特征在于形成上述電介質(zhì)層的步驟包括兩個步驟，一是在形成上述掃描電極和持續(xù)電極的上述上部基板上形成電介質(zhì)涂層的步驟；二是向上述掃描電極和持續(xù)電極上的電介質(zhì)涂層照射光線的步驟。
8.如權(quán)利要求5所述的等離子顯示器的制造方法，其特征在于形成上述電介質(zhì)層的步驟包括形成在上述掃描電極和持續(xù)電極之間的第1厚度和形成上述掃描電極和持續(xù)電極上的與第1厚度不同的第2厚度的電介質(zhì)層的步驟。
9.如權(quán)利要求8所述的等離子顯示器的制造方法，其特征在于上述第2厚度比上述第1厚度要薄。
10.如權(quán)利要求8所述的等離子顯示器的制造方法，其特征在于形成上述電介質(zhì)層的步驟包括兩步驟一是在形成掃描電極和持續(xù)電極的上述上部基板上形成第1電介質(zhì)涂層的步驟；二是在和上述掃描電極和持續(xù)電極重疊范圍的上述第1電介質(zhì)涂層上形成第2電介質(zhì)涂層的步驟。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)等離子顯示器及其制造方法，本發(fā)明中的等離子顯示器由四部分構(gòu)成，一是上部基板；二是形成在上部基板上掃描電極及持續(xù)電極；三是具有特定電介率的第1上部電介質(zhì)層，這種第1上部電介質(zhì)層分別覆蓋在上述上部基板的一部分及上述掃描電極及持續(xù)電極上，并形成特定的間距；四是電介率小于上述第1上部電介質(zhì)層電介率的第2上部電介質(zhì)層，這種第2上部電介質(zhì)層形成在上述特定的間距內(nèi)。本發(fā)明降低等離子顯示器的放電電壓，提高放電效率。
文檔編號H01J9/00GK1979731SQ20051011093
公開日2007年6月13日 申請日期2005年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月30日
發(fā)明者朱炯達(dá) 申請人:樂金電子(南京)等離子有限公司