用于周邊曝光裝置的光照射裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于周邊曝光裝置的光照射裝置，向半導(dǎo)體基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、光掩膜用玻璃基板等涂有光致抗蝕劑的基板邊緣部周邊進(jìn)行光照射，為了除去該邊緣部多余的抗蝕劑而進(jìn)行曝光。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，在 IC (Integrated Circuit)和 LSI (Large Scale Integrated circuit)等半導(dǎo)體的制造工序中，在半導(dǎo)體晶片的表面涂上光致抗蝕劑，通過掩膜向該抗蝕層進(jìn)行曝光顯影，從而形成電路圖形。
[0003]作為在半導(dǎo)體晶片表面上涂覆抗蝕劑的方法，一般都采用旋涂法。即將晶片放置在旋轉(zhuǎn)臺(tái)上，在該晶片表面的中心附近滴下抗蝕劑使其旋轉(zhuǎn)，通過離心力作用使晶片表面整體都涂上抗蝕劑。
[0004]采用這種旋涂法，雖然在晶片中央部的電路圖形形成區(qū)域有涂覆抗蝕劑，在未形成電路圖形的晶片邊緣部也有涂覆，但是很多時(shí)候，為了運(yùn)送晶片，晶片運(yùn)送裝置會(huì)握持住晶片邊緣部，如果晶片邊緣部一直殘留抗蝕劑，在晶片運(yùn)送過程中，會(huì)出現(xiàn)抗蝕劑的一部分剝離、脫落的現(xiàn)象。并且，如果晶片邊緣部的抗蝕劑出現(xiàn)脫落，而脫落的抗蝕劑又附著在晶片的電路圖形形成區(qū)域上時(shí)，則無法形成所期望的電路圖形，會(huì)有成品率也降低的問題。因此，一般情況下，使用對(duì)包含晶片邊緣部在內(nèi)的其周邊照射光的周邊曝光裝置進(jìn)行抗蝕劑的曝光，去除涂覆在晶片邊緣部的多余抗蝕劑。這種用于周邊曝光裝置的光照射裝置，例如在專利文獻(xiàn)1中有記載。
[0005]專利文獻(xiàn)1中所述的用于周邊曝光裝置(邊緣曝光裝置)的光照射裝置，具備有:光源單元，其內(nèi)部具有燈；第1光導(dǎo)，對(duì)光源單元所射出的光進(jìn)行導(dǎo)光；光混合光學(xué)元件(石英棒)，混合第1光導(dǎo)所射出的光；第2光導(dǎo)，對(duì)光混合光學(xué)元件所射出的光進(jìn)行導(dǎo)光；照射頭，將第2光導(dǎo)的光投射至基板邊緣部上，并以燈所照射的光匯聚到基板邊緣部的指定區(qū)域的方式而構(gòu)成。
[0006]經(jīng)該周邊曝光裝置曝光后，通過蝕刻等去除晶片邊緣部上的多余抗蝕劑，但是如果多余抗蝕劑沒有被完全去除，在晶片上少量殘留時(shí)(即產(chǎn)生所謂的灰區(qū)時(shí))，將會(huì)成為導(dǎo)致后工序抗蝕劑脫落的原因。因此，優(yōu)選地，去除多余抗蝕劑后的抗蝕劑端部的橫截面形狀(即，殘留在電路圖形形成區(qū)域的抗蝕劑端部的橫截面形狀)，為電路圖形形成區(qū)域與晶片邊緣部之間呈急劇上升(即，不太平緩)的形狀。
[0007]上所述的出現(xiàn)灰區(qū)的出現(xiàn)起因于從周邊曝光裝置投射到基板邊緣部的光的照射強(qiáng)度分布。即，從周邊曝光裝置投射到基板邊緣部的光照射強(qiáng)度分布，如果在電路圖形形成區(qū)域與晶片邊緣部之間平緩地變化時(shí)，在電路圖形形成區(qū)域與晶片邊緣部之間將出現(xiàn)曝光不充分區(qū)域，殘留在電路圖形形成區(qū)域的抗蝕劑端部的橫截面形狀也變?yōu)槠骄彽男螤?即，出現(xiàn)灰區(qū))，因此，從周邊曝光裝置投射到邊緣部的光照射強(qiáng)度分布，優(yōu)選在電路圖形形成區(qū)域與晶片邊緣部之間為急劇上升的(即，不太平緩)形狀。由此，專利文獻(xiàn)1所述的周邊曝光裝置中，以在照射頭內(nèi)形成矩形縫隙，通過光混合光學(xué)元件混合后的光，穿過縫隙投射到基板上的方式構(gòu)成。
【現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)】
【專利文獻(xiàn)】
[0008]【專利文獻(xiàn)1】特許第3947365號(hào)說明書

【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明要解決的問題
[0009]根據(jù)專利文獻(xiàn)1中所述的用于周邊曝光裝置的光照射裝置，投射在基板上的光，穿過縫隙后，只會(huì)成為在某種程度上限制了擴(kuò)散角的矩形光束(即，大致平行光束)，因此，在電路圖形形成區(qū)域與晶片邊緣部之間成為相對(duì)地急劇上升(即，不太平緩)的照射強(qiáng)度分布，在一定程度上也就抑制了灰區(qū)的產(chǎn)生。
[0010]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是由于形成在晶片上的電路越來越集成化，電路圖形也越來越微型化，因此，需求一種用于周邊曝光裝置的光照射裝置，其在電路圖形與晶片邊緣部之間，可投射比以往更加急劇上升(即，更加不平緩)的照射強(qiáng)度分布的光。
[0011]為了使投射在基板上的光照射強(qiáng)度分布，在電路圖形形成區(qū)域與晶片邊緣部之間更加急劇上升，可提高投射在基板上的光的照射強(qiáng)度本身，但是一旦所提高的照射強(qiáng)度超過所需時(shí)，由于光學(xué)部件或抗蝕面的反射等原因而產(chǎn)生意想不到的雜散光，如果該雜散光照射到電路圖形的形成區(qū)域，則會(huì)出現(xiàn)所謂的圖形損壞，從而無法得到所期望的分辨率的電路圖形。
[0012]本發(fā)明正是鑒于上述情況，并基于此目的的同時(shí)，提供一種用于周邊曝光裝置的光照射裝置，其可有效抑制圖形損壞的發(fā)生，同時(shí)還可以照射在電路圖形的形成區(qū)域和晶片的邊緣部之間具有急劇上升的照射強(qiáng)度分布的光。
解決課題的手段
[0013]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的用于周邊曝光裝置的光照射裝置，是一種具備有射出光的光源，且將該光照射在待照射物的邊緣部周邊、并對(duì)該邊緣部進(jìn)行曝光的用于周邊曝光裝置的光照射裝置，光源形成指定的光強(qiáng)分布，在待照射物的邊緣部周邊的光強(qiáng)，隨待照射物由內(nèi)側(cè)向外側(cè)變低。
[0014]根據(jù)此結(jié)構(gòu)，向待照射物的邊緣部周邊，照射急劇上升的(即，不太平緩)照射強(qiáng)度分布的光，因此，可準(zhǔn)確保留電路圖形形成區(qū)域的抗蝕劑，同時(shí)還可以準(zhǔn)確地去除待照射物邊緣部的抗蝕劑。此外，待照射物的邊緣部周邊的光強(qiáng)，以隨待照射物由內(nèi)側(cè)向外側(cè)變低的方式構(gòu)成，因而可抑制由光學(xué)部件或抗蝕面的反射等所引起的意想不到的雜散光的產(chǎn)生，即可抑制所謂的圖形損壞的產(chǎn)生。
[0015]此外，可構(gòu)成為:光源具備有放射光的放電燈、以及由對(duì)放電燈的光進(jìn)行導(dǎo)光的多根光纖線組成的光導(dǎo)。光導(dǎo)具有光入射面，將多根光纖線收攏成圓形并射入來自放電燈的光；以及光出射面，將多根光纖線收攏成矩形并將放電燈射入的光射出。光出射面由:在光入射面配置有位于中心部的多根光纖線的一部分的第1區(qū)域、以及在光入射面配置有位于周邊部的多根光纖線的一部分的第2區(qū)域構(gòu)成。在待照射物的邊緣部周邊，第1區(qū)域射出的光，比第2區(qū)域射出的光更靠近待照射物的內(nèi)側(cè)。此外，這種情況下，可構(gòu)成為多根光纖線隨機(jī)配置。
[0016]此外，可構(gòu)成為:具備有與待照射物平行設(shè)置的基板、以及二維設(shè)置于該基板上，并形成矩形光出射面的多個(gè)發(fā)光元件，光源在與光出射面相對(duì)的兩邊呈平行的方向上，形成指定的光強(qiáng)分布。此外，這種情況下，可具備透鏡，其光源各自配置在多個(gè)發(fā)光元件的光路中，從各發(fā)光元件射出的光成為平行光而成形。此外，這種情況下，可構(gòu)成為:光出射面由射出第1強(qiáng)度的光的第1區(qū)域、以及射出比第1強(qiáng)度要低的第2強(qiáng)度的光的第2區(qū)域構(gòu)成，在待照射物的邊緣部周邊，從第1區(qū)域射出的光，比第2區(qū)域射出的光更靠近待照射物的內(nèi)側(cè)。
[0017]此外，優(yōu)選地，以第1區(qū)域射出的光，照射到待照射物上。
[0018]此外，優(yōu)選地，以第2區(qū)域射出的光的至少一部分，照射到待照射物外側(cè)。
[0019]此外，可構(gòu)成為，第1區(qū)域與第2區(qū)域的大小相等。
[0020]此外，優(yōu)選地，還可以具備有光混合器，其將光出射面射出的光混合后射出，且橫截面為矩形。此外，在這種情況下，可構(gòu)成為，光混合器為混合第1區(qū)域射出的光和第2區(qū)域射出的光的玻璃棒。此外，也可為光混合器包括混合第1區(qū)域射出的光的第1玻璃棒、以及混合第2區(qū)域射出的光的第2玻璃棒的結(jié)構(gòu)。
[0021]此外，優(yōu)選地，光至少包含作用于涂覆在待照射物上的抗蝕層的光的波長(zhǎng)。
發(fā)明效果
[0022]如上所述，根據(jù)本發(fā)明，實(shí)現(xiàn)一種可以抑制圖形損壞的產(chǎn)生，且可以照射在電路圖形形成區(qū)域與晶片邊緣部之間具有急劇上升的照射強(qiáng)度分布的光進(jìn)行照射的用于周邊曝光裝置的光照射裝置。
【附圖說明】
[0023]
圖1是示出了搭載有本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的光照射裝置的周邊曝光裝置的概略結(jié)構(gòu)的圖。
圖2是本發(fā)明的第1實(shí)施方式涉及的光照射裝置中所配備的光導(dǎo)的結(jié)構(gòu)說明圖。
圖3是示出了向本發(fā)明的第1實(shí)施方式涉及的光照射裝置中所配備的光導(dǎo)的入射端面所射入的光的照射強(qiáng)度分布的示意圖。
圖4是從光導(dǎo)的出射端面?zhèn)扔^察本發(fā)明的第1實(shí)施方式涉及的光照射裝置中所配備的第1玻璃棒以及第2玻璃棒時(shí)的圖。
圖5是示出了從本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的光照射裝置投射到基板的邊緣部周邊的光的照射圖形的圖。
圖6是示出了從本發(fā)明的第1實(shí)施方式所涉及的光照射裝置投射在基板的邊緣部周邊的照射圖形的照射強(qiáng)度分布的示意圖。
圖7是示出了搭載有本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的光照射裝置的周邊曝光裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。
圖8是說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的光照射裝置中所配備的光導(dǎo)結(jié)構(gòu)的圖。
圖9是從光導(dǎo)的出射端面?zhèn)扔^察本發(fā)明的第2實(shí)施方式涉及的光照射裝置中所配備的第1玻璃棒以及第2玻璃棒時(shí)的圖。 圖10是說明從本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的光照射裝置投射到基板的邊緣部周邊的光的照射圖形的圖。
圖11是示出了搭載有本發(fā)明的第3實(shí)施方式所涉及的光照射裝置的周邊曝光裝置的概略結(jié)構(gòu)的圖。
圖12說明從本發(fā)明的第3實(shí)施方式所涉及的光照射裝置投射到基板的邊緣部周邊的光的照射圖形的圖。
圖13是示出了搭載有本發(fā)明的第4實(shí)施方式所涉及的光照射裝置的周