一種tft基板和顯示屏的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示面板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT基板和顯示屏。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，顯示面板已經(jīng)進(jìn)入了人們生活的方方面面。目前，市場上的主流顯示面板主要有兩種:液晶顯示面板(Liquid Crystal Display，IXD)和有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1de，0LED)顯不面板。薄膜場效應(yīng)晶體管(Thin FilmTransistor，TFT)基板可以作為上述兩種顯示面板的驅(qū)動(dòng)，其性能對顯示面板的性能有重要的影響。
[0003]顯示面板中每個(gè)像素由對應(yīng)的單個(gè)TFT單元進(jìn)行控制，并配合外圍驅(qū)動(dòng)電路，最終實(shí)現(xiàn)圖像的顯示。其中，單個(gè)TFT單元主要由柵極、柵極絕緣層、源漏極、有源層構(gòu)成，工作原理是通過改變柵極電壓改變半導(dǎo)體薄膜的表面勢，從而能夠控制源漏電極之間的電流/或電壓，從而實(shí)現(xiàn)對顯示面板的控制。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)中，由于同一TFT單元中的柵極絕緣層厚度差較大，從而導(dǎo)致TFT基板可靠性較低。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種TFT基板，用以解決現(xiàn)有的TFT基板可靠性低的問題。
[0006]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種顯示屏。
[0007]本實(shí)用新型實(shí)施例采用下述技術(shù)方案:
[0008]一種TFT基板，包括:基片，依次層疊于所述基片一側(cè)表面上的緩沖層、有源層、柵極絕緣層和柵極，所述有源層正上表面柵極絕緣層與有源層斜側(cè)表面柵極絕緣層厚度相同，或所述有源層正上表面柵極絕緣層與有源層斜側(cè)表面柵極絕緣層的厚度差小于預(yù)設(shè)厚度差。
[0009]可選的，所述柵極絕緣層包括第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層；
[0010]所述第一柵極絕緣層，位于所述有源層斜側(cè)表面；
[0011 ]所述第二柵極絕緣層，位于所述有源層正上表面。
[0012]可選的，所述柵極絕緣層包括第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層；
[0013]所述第一柵極絕緣層，位于所述有源層斜側(cè)表面；
[0014]所述第二柵極絕緣層，位于所述有源層正上表面和第一柵極絕緣層表面。
[0015]可選的，所述柵極絕緣層包括第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層；
[0016]所述第一柵極絕緣層，位于所述有源層正上表面和斜側(cè)表面；
[0017]所述第二柵極絕緣層，位于所述第一柵極絕緣層斜側(cè)表面。
[0018]可選的，所述第一柵極絕緣層和所述第二柵極絕緣層的材料相同或不同。
[0019]一種顯示屏，包括上述TFT基板。
[0020]本實(shí)用新型實(shí)施例采用的上述至少一個(gè)技術(shù)方案能夠達(dá)到以下有益效果:
[0021]本實(shí)用新型提供的TFT基板，位于有源層正上表面的柵極絕緣層和位于有源層斜側(cè)表面的柵極絕緣層厚度相同或厚度差小于預(yù)設(shè)厚度差，在開啟TFT時(shí)，有源層各處達(dá)到飽和電流的時(shí)間相同或小于預(yù)設(shè)時(shí)間差，從而有效的改善了由柵極絕緣層厚度不均勻引起的“駐峰效應(yīng)”，提高了器件的開啟速度。
【附圖說明】
[0022]此處所說明的附圖用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本實(shí)用新型的一部分，本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本實(shí)用新型，并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0023]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TFT基板的基本結(jié)構(gòu)的示意性截面圖；
[0024]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的第一示例性實(shí)施方案的TFT基板的基本結(jié)構(gòu)圖的示意性截圖；
[0025]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例的第二示例性實(shí)施方案的TFT基板的基本結(jié)構(gòu)圖的示意性截圖。
[0026]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例的第三示例性實(shí)施方案的TFT基板的基本結(jié)構(gòu)圖的示意性截圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型具體實(shí)施例及相應(yīng)的附圖對本實(shí)用新型技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0028]以下結(jié)合附圖，詳細(xì)說明本實(shí)用新型各實(shí)施例提供的技術(shù)方案。
[0029]現(xiàn)有技術(shù)中，由于TFT柵極絕緣層的厚度差太大導(dǎo)致TFT的可靠性較差?，F(xiàn)有技術(shù)中TFT基板的基本結(jié)構(gòu)的示意性截面圖如圖1所示，從基板至柵極依次為基片101、緩沖層102、有源層103、柵極絕緣層104和柵極層105。該結(jié)構(gòu)中，有源層103的邊緣為斜面，有源層103斜面上的柵極絕緣層104的厚度比有源層103上表面的柵極絕緣層104的厚度小。
[0030]本實(shí)施例中，圖1中I所示表面稱為水平上表面，II所示表面稱為斜側(cè)表面。需要說明的是，與圖1中I平行的其它層的表面均可稱為水平上表面，與圖1中II平行的其它層的表面均可稱為斜側(cè)表面，對于其它圖中示意結(jié)構(gòu)的表面的描述和圖1中示意結(jié)構(gòu)的表面的描述類似，在此不再贅述。
[0031]在器件開啟時(shí)，有源層103斜面區(qū)域首先達(dá)到飽和電流，但這只能開啟有源層邊緣區(qū)域，有源層主體主溝道區(qū)域的電流仍在上升，直到達(dá)到飽和電流才會(huì)開啟，從而產(chǎn)生駝峰效應(yīng)，延遲了器件的開啟速度，使器件的可靠性降低。所述器件包括但不限于:TFT器件、0LED器件、IXD器件。
[0032]基于上述結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種TFT基板和顯示屏，包括:基片，依次層疊于所述基片一側(cè)表面上的緩沖層、有源層、柵極絕緣層和柵極，所述柵極絕緣層包括位于所述有源層正上表面的柵極絕緣層和位于所述有源層斜側(cè)表面的柵極絕緣層，所述柵極絕緣層各處的厚度相同；或，厚度不同但厚度差小于預(yù)設(shè)厚度差。
[0033]基于上述TFT基板，由于有源層正上表面和斜側(cè)表面柵極絕緣層的厚度差小于預(yù)定厚度差，使得有源層正上表面絕緣層和有源層斜側(cè)表面絕緣層單位面積的等效電容值相等或單位面積的等效電容值差值小于預(yù)設(shè)單位面積的等效電容值差，減輕了柵極絕緣層厚度不均勻引起的“駝峰效應(yīng)(Hump Effect)”不良，提高了器件的開啟速度，使器件的可靠性提尚Ο
[0034]以上是本實(shí)用新型的核心思想，為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0035]實(shí)施例1
[0036]本實(shí)施例提供一種TFT基板，其結(jié)構(gòu)如圖2所示，包括:
[0037]基片201;
[0038]依次層疊于所述基片201—側(cè)表面上的緩沖層202、有源層203、柵極絕緣層204和柵極205。所述柵極絕緣層包括第一柵極絕緣層204A和第二柵極絕緣層204B。
[0039 ]所述第一柵極絕緣層，位于所述有源層斜側(cè)表面。所述第二柵極絕緣層，位于所述有源層正上表面和第一柵極絕緣層表面；
[0040]本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述有源層203上表面第二柵極絕緣層204B厚度與有源層203斜側(cè)表面柵極絕緣層204厚度(該厚度等于有源層斜側(cè)表面第一柵極絕緣層204A厚度和第一柵極絕緣層斜側(cè)表面第二柵極絕緣層204B厚度的和)相同，或所述有源層203上表面第二柵極絕緣層204B的厚度與有源層203斜側(cè)表面柵極絕緣層204厚度的差小于預(yù)設(shè)厚度差。
[0041]本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述預(yù)設(shè)厚度差為預(yù)先設(shè)定的厚度值，當(dāng)所述有源層203上表面第二柵極絕緣層204B的厚度與有源層203斜側(cè)表面柵極絕緣層204厚度的差小于此預(yù)設(shè)厚度差時(shí)，可以有效減輕TFT基板的“駝峰效應(yīng)”不良。所述預(yù)設(shè)厚度差可以通過理論計(jì)算得到，也可以通過實(shí)驗(yàn)得到。
[0042]本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述第一柵極絕緣層204A可以是單層膜結(jié)構(gòu)，也可以是多層膜層構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)，所述第一柵極絕緣層204A的形成材料可以是氧化硅和/或氮化硅，所述第二柵極絕緣層204B可以是單層膜結(jié)構(gòu)，也可以是多層膜層構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)，所述第二柵極絕緣層204B的形成材料可以是氧化硅和/或氮化硅。在實(shí)際應(yīng)用中，為了提高TFT的制作效率，第一柵極絕緣層204A和第二柵極絕緣層204B的形成材料可以相同。
[0043]需要說明的是，當(dāng)?shù)谝粬艠O絕緣層204A和第二柵極絕緣層204B采用不同形成材料時(shí)，則可以根據(jù)第一柵極絕緣層204A和第二柵極絕緣層204B的形成材料的介電常數(shù)，通過計(jì)算獲得第一柵極絕緣層204A和第二柵極絕緣層204B的厚度，使得有源層正上表面絕緣層和有源層斜側(cè)表面絕緣層單位面積的等效電容值相等或單位面積的等效電容值差值小于預(yù)設(shè)單位面積的等效電容值差。
[0044]在實(shí)際應(yīng)用中，所述基片201可以是玻璃。
[0045]所述緩沖層202可以為單層膜層結(jié)構(gòu)，也可以為多層膜層構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)，所述緩沖層202的形成材料可以是氧化硅和/或氮化硅。
[0046]根據(jù)TFT基板的類型不同，所述有源層203的形成材料可以不同。例如:當(dāng)所述TFT為低溫多晶娃(Low Temperature Po 1 y_s i 1 i con，LTPS) TFT或高溫多晶娃(Hi ghTemperature Poly_Silicon，HTPS)TFT時(shí)，所述有源層203的形成材料可以是多晶娃；當(dāng)所述TFT為非晶硅TFT時(shí)，所述有源層203的形成材料可以是非晶硅；當(dāng)所述TFT為氧化物TFT時(shí)，所述有