一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯示器具有體積小、功耗低、制造成本相對(duì)較低和無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。如何在不影響薄膜晶體管性能的前提下降低工藝制程的成本是各大面板廠商都無法回避的。薄膜晶體管液晶顯示器是由陣列基板和彩膜基板對(duì)盒形成的。
[0003]陣列基板包括像素區(qū)域和包圍所述像素區(qū)域的邊框區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管；其中，薄膜晶體管區(qū)域通常設(shè)置為不透光區(qū)；現(xiàn)有技術(shù)中將彩膜基板與薄膜晶體管區(qū)域?qū)?yīng)的位置設(shè)置為不透光區(qū)，通過將陣列基板和彩膜基板對(duì)盒后使不透光區(qū)遮蓋薄膜晶體管區(qū)域，從而將薄膜晶體管區(qū)域設(shè)為不透光區(qū)。
[0004]上述過程中需要在彩膜基板單獨(dú)形成不透光區(qū)，例如，采用黑矩陣(黑色絕緣材料制作)覆蓋，整個(gè)制備工藝需要單獨(dú)的黑矩陣掩膜板，制備工序多、制備成本高；同時(shí)，陣列基板與黑矩陣之間存在一定距離，因此，對(duì)盒精度高、工藝難度大；
[0005]同時(shí)，若將薄膜晶體管中源/漏極與像素電極同層制作時(shí)，兩者需要間隔一定距離，影響了像素開口率的提高。
[0006]若再源/漏極和像素電極之間設(shè)有無機(jī)絕緣層，由于無機(jī)絕緣層多次制備才能使其高度大于所述源/漏極的高度，制備工藝復(fù)雜、同時(shí)，即使高度大于源/漏極的高度，無機(jī)絕緣層的介電常數(shù)較大、無法降低源/漏極和像素電極之間的寄生電容。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]解決上述問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
[0008]本發(fā)明提供的一種陣列基板，包括像素區(qū)域和包圍所述像素區(qū)域的邊框區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管；所述薄膜晶體管包括有源層和位于所述有源層上方同層間隔設(shè)置的源/漏極，所述源/漏極上設(shè)有與所述源/漏極圖案相同的黑矩陣。
[0009]優(yōu)選的，所述黑矩陣是采用黑色有機(jī)絕緣材料制備的。
[0010]優(yōu)選的，所述漏極上方設(shè)有第一電極；所述漏極和所述第一電極在垂直于所述陣列基板方向部分重合；所述黑矩陣位于所述第一電極與所述漏極之間。
[0011 ] 優(yōu)選的，所述第一電極為公共電極或像素電極。
[0012]優(yōu)選的，所述黑矩陣的厚度為1-2 μ m。
[0013]本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供上述陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0014]在形成有源層的襯底上形成源/漏極金屬層；
[0015]在所述的源/漏極金屬層上形成黑矩陣層；
[0016]采用源/漏極掩膜板通過一次構(gòu)圖工藝形成源/漏極和黑矩陣的圖案。
[0017]優(yōu)選的，所述采用源/漏極掩膜板通過一次構(gòu)圖工藝形成源/漏極和黑矩陣的圖案包括:
[0018]采用具有選擇性透光區(qū)域的源/漏極掩膜板，對(duì)所述黑矩陣層進(jìn)行曝光形成具有不同曝光量區(qū)域、顯影形成黑矩陣的圖案；
[0019]對(duì)所述源/漏極金屬層進(jìn)行刻蝕形成源/漏極的圖案；
[0020]采用灰化工藝去除部分所述黑矩陣。
[0021]優(yōu)選的，所述黑矩陣層是采用負(fù)性材料制備的；使位于邊框區(qū)域的黑矩陣層的曝光量小于位于像素區(qū)域的黑矩陣層的曝光量。
[0022]優(yōu)選的，還包括:在所述黑矩陣上形成平坦化層的步驟；
[0023]在平坦化層上形成第一電極圖案的步驟，其中，所述漏極和所述第一電極在垂直于所述陣列基板方向部分重合。
[0024]本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0025]本發(fā)明提供陣列基板及其制備方法、顯示裝置由于在所述源/漏極上設(shè)有與所述源/漏極圖案相同的黑矩陣，可以和源/漏極采用同一個(gè)掩模版制備，減少了單獨(dú)制備需要獨(dú)立的掩模版，減少了工序，降低了制備成本；避免制作在彩膜基板上需要高精度的對(duì)盒。
【附圖說明】
[0026]圖1為本發(fā)明實(shí)施例1中陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2為本發(fā)明實(shí)施例2中形成有源層后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖3為本發(fā)明實(shí)施例2中形成第一像素電極后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖4為本發(fā)明實(shí)施例2中形成沉積源/漏極金屬層后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖5為本發(fā)明實(shí)施例2中形成涂覆黑色有機(jī)絕緣層后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖6為本發(fā)明實(shí)施例2中對(duì)涂覆黑色有機(jī)絕緣層曝光、顯影后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖7為本發(fā)明實(shí)施例2中對(duì)源漏極刻蝕后陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖8為本發(fā)明實(shí)施例2中形成形成黑矩陣和源/漏極圖案后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖9為本發(fā)明實(shí)施例2中形成平坦化層后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖10為本發(fā)明實(shí)施例2中形成第二像素電極后的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖。
[0036]其中，1.襯底；2.柵極；3.柵極絕緣層；4.有源層；5.第一像素電極；6.源極；7.漏極；8.源/漏極連接區(qū)；9.黑矩陣；10.平坦化層；11.第二像素電極。
【具體實(shí)施方式】
[0037]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0038]實(shí)施例1:
[0039]如圖1所示，本實(shí)施例提供一種陣列基板，包括像素區(qū)域(圖1中左側(cè)部分)和包圍所述像素區(qū)域的邊框區(qū)域(圖1中右側(cè)部分)，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管r薄膜晶體管包括依次設(shè)置在襯底I上的柵極2、柵極絕緣層3、有源層4，第一像素電極5 ;
[0040]所述薄膜晶體管還包括位于所述有源層4上方同層間隔設(shè)置的源/漏極，所述源/漏極上設(shè)有與所述源/漏極圖案相同的黑矩陣9 ;其中，源極6與數(shù)據(jù)線(未示出)連接，漏極7與上述的第一像素電極5連接。
[0041]在邊框區(qū)域形成了與柵極2同層設(shè)置的柵極連接區(qū)，與源/漏極同層設(shè)置的源/漏極連接區(qū)8，分別用于與柔性印刷電路板等進(jìn)行外圍控制信號(hào)的連接。
[0042]本實(shí)施例中由于在所述源/漏極上設(shè)有與所述源/漏極圖案相同的黑矩陣9，可以和源/漏極采用同一個(gè)掩模版制備，減少了單獨(dú)制備黑矩陣9需要獨(dú)立的掩模版，減少了工序，降低了制備成本；避免經(jīng)黑矩陣制作在彩膜基板上時(shí)需要將陣列基板和彩膜基板進(jìn)行高精度的對(duì)盒。
[0043]優(yōu)選的，所述黑矩陣9是采用黑色有機(jī)絕緣材料制備的。例如，可以采用負(fù)性黑色有機(jī)絕緣材料BM-NSCC_V-259BKIS-782X，應(yīng)當(dāng)理解的正性黑色有機(jī)絕緣材料也是可以的例如旭硝子株式會(huì)社的正性黑色有機(jī)絕緣材料。
[0044]由于黑色有機(jī)絕緣材料能夠一次制備較厚的絕緣層，同時(shí)，介電常數(shù)較小，克服了無機(jī)絕緣材料需要多次才能制備較厚的絕緣層，工序復(fù)雜的缺點(diǎn)；另外，無機(jī)絕緣材料的介電常數(shù)高，容易在無機(jī)絕緣材料的兩側(cè)的電極上形成寄生電容。
[0045]優(yōu)選的，所述漏極7上方設(shè)有第一電極；所述漏極7和所述第一電極在垂直于所述陣列基板方向部分重合；所述黑矩陣9位于所述第一電極與所述漏極7之間。
[0046]這樣