液晶顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種液晶顯示面板，尤指一種橫向電場(chǎng)液晶顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示面板具有質(zhì)輕、薄型、以及低耗能等優(yōu)點(diǎn)，因此被大量應(yīng)用于各種類型的顯示面板上，然而，液晶顯示面板最常見(jiàn)的缺點(diǎn)在于其視角太窄，用戶觀看顯示面板的角度不同，其面板所顯示的影像也將有所不同。為了解決液晶屏幕窄視角的問(wèn)題，目前被提出的廣視角顯示面板中，最廣受應(yīng)用的為垂直排列液晶顯示面板(Vertical Alignment liquidcrystal, VA),以及面內(nèi)切換模式的橫向電場(chǎng)液晶顯示面板(in-plane switching, IPS)。
[0003]IPS技術(shù)為廣視角顯示面板中頗具優(yōu)勢(shì)的一種其原理為:像素電極與公共電極構(gòu)成一平面電場(chǎng)，使液晶分子在與基底平行的平面內(nèi)水平轉(zhuǎn)動(dòng)以改變光線的通過(guò)率，由于IPS液晶顯示面板中的液晶分子于轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，始終保持著水平方向，因此IPS面板的可視角角度極高，且其大視角下的色偏以及飽和度的表現(xiàn)相當(dāng)優(yōu)異。目前多數(shù)是應(yīng)用于手持電子產(chǎn)品，如平板計(jì)算機(jī)、以及手機(jī)等。
[0004]然而，IPS液晶顯示面板容易因液晶轉(zhuǎn)動(dòng)不良而造成灰階異常、對(duì)比下降、或刮傷的現(xiàn)象，也因液晶分子的轉(zhuǎn)動(dòng)效率低而較容易產(chǎn)生殘影，造成觀看者的不適。因此，基于上述的問(wèn)題，IPS液晶顯示面板的改良方法不斷的被提出。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是在提供一種液晶顯不面板,包括:一第一基板；一第一配向?qū)?，設(shè)置于該第一基板的一表面上；一第二基板，相對(duì)于該第一基板；一第二配向?qū)樱O(shè)置于該第二基板的一表面上，且相對(duì)于第一配向?qū)樱灰约耙灰壕?，是設(shè)置于該第一配向?qū)右约霸摰诙湎驅(qū)又g；其中，該第一配向?qū)拥墓膺t滯量(Retardat1n)與該第二配向?qū)拥墓膺t滯量的比值為0.01-1。
[0006]本發(fā)明的液晶顯示面板的一較佳實(shí)施態(tài)樣中，該第一配向?qū)拥姆肿觾A斜角(tiltangle)與該第二配向?qū)拥姆肿觾A斜角的比值為0.2_1。
[0007]本發(fā)明的液晶顯示面板的一較佳實(shí)施態(tài)樣中，該第一配向?qū)拥囊壕ьA(yù)傾角(pre-tilt angle)與該第二配向?qū)拥囊壕ьA(yù)傾角的比值為0_1.2。
[0008]本發(fā)明的液晶顯示面板的一較佳實(shí)施態(tài)樣，可還包括一間隙物，是設(shè)置于該第一基板或該第二基板上。
[0009]本發(fā)明的液晶顯不面板的一較佳實(shí)施態(tài)樣，其中，該液晶顯不面板可為一種橫向電場(chǎng)液晶顯不面板。
【附圖說(shuō)明】
[0010]以下是通過(guò)特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟習(xí)此技術(shù)的人士可由本說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明亦可通過(guò)其他不同的具體實(shí)施例加以施行或應(yīng)用，本說(shuō)明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)亦可針對(duì)不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在不悖離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾與變更，其中:
[0011]圖1-5是本發(fā)明實(shí)施例1的橫向電場(chǎng)液晶顯示面板制備方法示意圖。
[0012]圖6是本發(fā)明實(shí)施例2的橫向電場(chǎng)液晶顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖7是本發(fā)明實(shí)施例3的橫向電場(chǎng)液晶顯示面板結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]實(shí)施例1
[0015]本實(shí)施例是根據(jù)本發(fā)明的一較佳實(shí)施態(tài)樣的橫向電場(chǎng)液晶顯示面板的制備方法。首先，請(qǐng)參照?qǐng)D1，提供第一基板11，于本實(shí)施例中，第一基板11為彩色濾光片基板，其包括上基板111、黑矩陣112、色層113、以及絕緣層114。然而于其他實(shí)施態(tài)樣中，作為第一基板11的彩色濾光片可為本技術(shù)領(lǐng)域中已知的彩色濾光片，其結(jié)構(gòu)并不受限于此，且于其他實(shí)施態(tài)樣中，第一基板11可還包括形成于其上之間隙物(spacer)。接著，如圖2所不，形成第一配向?qū)?3于第一基板11上，并覆蓋第一基板11。于本實(shí)施例中，第一配向?qū)?3的形成是通過(guò)形成聚酰亞胺薄膜于第一基板11上，并依照所使用的聚酰亞胺薄膜配向時(shí)所需的照光參數(shù)，例如，照射的UV線性偏極光的波長(zhǎng)可為240-365nm ;照度可為5-80mW;照射時(shí)間可為1-200秒；以及光配向掃描速度可為4-500mm/s，以形成由光配向方法所制備的第一配向?qū)?3，但本發(fā)明并不受限于此。此外，于本實(shí)施例中，是經(jīng)由光交聯(lián)及光二量化(photo-dimerizat1n)的光配向方法以形成第一配向?qū)?3，于其他實(shí)施態(tài)樣中，可利用光異構(gòu)化(photo-1somerizaat1n)法、光交聯(lián)及光二量化法、或光裂解化(photo-degradat1n)法以形成第一配向?qū)?3,而較佳為光交聯(lián)及光二量化法、或光裂解化法。
[0016]接著請(qǐng)參照?qǐng)D3，提供第二基板12，于本實(shí)施例中，第二基板12為薄膜晶體管基板，其包括下基板121,以及薄膜晶體管(thin film transistor,TFT) 122,還包括公共電極(common electrode)以及像素電極(pixel electrode)等(圖未示),以提供顯示面板的橫向電場(chǎng)。本發(fā)明所提供的薄膜晶體管是一種是用于橫向電場(chǎng)液晶顯示面板的薄膜晶體管，于其他實(shí)施態(tài)樣中，薄膜晶體管122可為非晶娃薄膜晶體管(amorphous silicon TFT)、低溫多晶娃薄膜晶體管(low temperature poly silicon TFT)、氧化金屬薄膜晶體管(metaloxide TFT)、有機(jī)薄膜晶體管(organic TFT)、或本領(lǐng)域中，其他已知可用于橫向電場(chǎng)液晶顯示面板的薄膜晶體管皆可使用。接著，如圖4所示，形成第二配向?qū)?4于第二基板12上，并覆蓋第二基板12。于本實(shí)施例中，第二配向?qū)?4是的形成是通過(guò)形成一聚酰亞胺薄膜于第二基板12上，接者以刷磨(Rubbing)的方式形成第二配向?qū)?4，刷磨的滾輪速度可為800-160rpm ;移動(dòng)速度可為10-100mm/s ;或者刷磨深度可為0.2-0.55_。然而于其他實(shí)施態(tài)樣中，可依照配向?qū)铀璧墓膺t滯量、配向?qū)臃肿觾?nèi)傾斜角、或液晶預(yù)傾角而改變刷磨的參數(shù)。
[0017]接著，如圖5所示，于第一基板11以及第二基板12之間形成液晶層15，是與第一配向?qū)?3以及第二配向?qū)?4接觸，以完成橫向電場(chǎng)液晶顯示面板10。
[0018]于本實(shí)施例中，所形成的第一配向?qū)?3的光遲滯量為0.54nm，第二配向?qū)?4的光遲滯量為0.59nm ;第一配向?qū)?3中的分子傾斜角為0.4°，第二配向?qū)?4中的分子傾斜角為1° ;以及，第一配向?qū)?3的液晶預(yù)傾角為0.22°，第二配向?qū)?4的液晶預(yù)傾角為2°。
[0019]實(shí)施例2
[0020]本實(shí)施例的制備方法與實(shí)施例1大致相同，其制備方法是如圖1-5所示，其不同在于，第一配向?qū)?3以及第二配向?qū)?4皆利用光配向方法而形成。通過(guò)調(diào)控第一配向?qū)?3以及第二配向?qū)?4的光配向參數(shù)，可形成具有不同配向特性的配向?qū)樱渲?，所形成的第一配向?qū)?3的光遲滯量為0.5-1.2nm,第二配向?qū)?4的光遲滯量為0.4-2.5nm ;第一配向?qū)?3中的分子傾斜角為0.1-0.5°，第二配向?qū)?4中的分子傾斜角為0.1-0.5° ;以及，第一配向?qū)?3的液晶預(yù)傾角為0-0.5°，第二配向?qū)?4的液晶預(yù)傾角為0-0.5°。
[0021]綜上所述，于實(shí)施例1中，第一配向?qū)?3是利用光配向方法所形成，第二配向?qū)?4是以刷磨的方法形成；于實(shí)施例2中，第一配向?qū)?3以及第二配向?qū)?4皆利用光配向方法而形成。然而于其他實(shí)施態(tài)樣中，無(wú)論第二配向?qū)?4是通過(guò)刷磨方法或光配向法而配向，其第一配向?qū)?3的光遲滯量與第二配向?qū)?4的光遲滯量的比值可為0.01-1，較佳為0.01-0.95，其中，第一配向?qū)?3的光遲滯量可為0.001-1.2nm，較佳為0.1-1.2nm,更佳為0.2-1.2nm，而第二配向?qū)?4的光遲滯量可為0.2_3nm，較佳為
0.4-2.5nm,更佳為0.5-2.