本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件以及包括電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。
背景技術(shù)：
：目前，在電子照相領(lǐng)域中通常用作圖像曝光單元的半導(dǎo)體激光器的激光波長(zhǎng)是650至820nm的長(zhǎng)波長(zhǎng)。因此，已經(jīng)開發(fā)了對(duì)長(zhǎng)波長(zhǎng)的光具有高感光度的電子照相感光構(gòu)件。此外，為了實(shí)現(xiàn)更高的分辨率，最近已經(jīng)開發(fā)了對(duì)具有短激光波長(zhǎng)的半導(dǎo)體激光器發(fā)射的光具有高感光度的電子照相感光構(gòu)件。已知酞菁顏料是對(duì)長(zhǎng)波長(zhǎng)區(qū)域至短波長(zhǎng)區(qū)域的波長(zhǎng)的光具有高感光度的電荷產(chǎn)生物質(zhì)。特別是，氧鈦酞菁和鎵酞菁具有高感光度特性，并且已經(jīng)報(bào)道了其各種晶體形式。包括鎵酞菁顏料的電子照相感光構(gòu)件具有高感光度特性；然而，鎵酞菁顏料顆粒的分散性差，這是有問題的。因此，需要改進(jìn)以獲得含有該顏料并具有高涂布性的電荷產(chǎn)生層用涂布液。在電荷產(chǎn)生層用涂布液不具有足夠的涂布性的情況下，在涂布期間，顏料顆粒的聚集傾向于導(dǎo)致在電荷產(chǎn)生層中產(chǎn)生點(diǎn)(藍(lán)點(diǎn))或出現(xiàn)涂布不均勻。電荷產(chǎn)生層中的藍(lán)點(diǎn)可能特別在輸出圖像中引起黑點(diǎn)或起霧。另一方面，電荷產(chǎn)生層中的涂布不均勻?qū)е绿貏e是在半色調(diào)圖像形成區(qū)域中的圖像濃度不均勻，導(dǎo)致圖像質(zhì)量的劣化。專利文獻(xiàn)1記載了，使用鎵酞菁和具有特定結(jié)構(gòu)的聚乙烯醇樹脂，從而實(shí)現(xiàn)涂布性和涂料的穩(wěn)定性的提高。另外，專利文獻(xiàn)2記載了，感光層含有含氮雜環(huán)化合物如嗎啉、哌嗪或哌啶，從而提高耐臭氧性和耐NOx性。然而，專利文獻(xiàn)2沒有描述關(guān)于分散性或涂布性的任何內(nèi)容。此外，專利文獻(xiàn)3描述了通過使用N-甲基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺和N-甲基丙酰胺進(jìn)行研磨處理獲得的羥基鎵酞菁晶體。然而，專利文獻(xiàn)3沒有描述關(guān)于分散性或涂布性的任何內(nèi)容。引文列表專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本專利特開2005-84350專利文獻(xiàn)2：日本專利特開5-333572專利文獻(xiàn)3：日本專利特開2002-235014技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的問題如上所述，已經(jīng)進(jìn)行了電子照相感光構(gòu)件的各種改進(jìn)的嘗試。然而，隨著近年來更高圖像質(zhì)量的趨勢(shì)，已經(jīng)存在對(duì)于沒有黑點(diǎn)或起霧并且沒有濃度不均勻的高質(zhì)量輸出圖像的需求。本發(fā)明的目的是提供一種電子照相感光構(gòu)件，其可以提供其中抑制了黑點(diǎn)和起霧并且抑制由于電荷產(chǎn)生層中的涂布不均勻?qū)е碌臐舛炔痪鶆虻膱D像。本發(fā)明的其它目的是提供包括電子照相感光構(gòu)件的電子照相設(shè)備和處理盒。用于解決問題的方案本發(fā)明提供一種電子照相感光構(gòu)件，其包括支承體、在支承體上形成的電荷產(chǎn)生層和在電荷產(chǎn)生層上形成的電荷輸送層，其中所述電荷產(chǎn)生層含有鎵酞菁晶體，含氮雜環(huán)化合物，和由下式(1)表示的酰胺化合物，[化學(xué)式1](在式(1)中，R11表示甲基或丙基。)所述含氮雜環(huán)化合物的雜環(huán)中的氮原子具有取代基，所述具有取代基的氮原子的取代基為取代或未取代的?；?(C＝O)-O-R1，取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基，(其中所述取代的?；娜〈鶠橐韵?i)中所述的基團(tuán)；且R1表示以下(ii)中所述的基團(tuán)。)(i)取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基，(其中，在該(i)中，所述取代的烷基的取代基、所述取代的烯基的取代基、所述取代的芳基的取代基和所述取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲?；?、烷基、烯基、烷氧基或芳基。)(ii)取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基(其中，在該(ii)中，所述取代的烷基的取代基、所述取代的烯基的取代基、所述取代的芳基的取代基和所述取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲酰基、烷基、烯基、烷氧基或芳基。)。本發(fā)明還提供了一種處理盒，其一體化地支承電子照相感光構(gòu)件，與選自由充電單元、顯影單元和清潔單元組成的組中的至少一種單元，其中所述處理盒可拆卸地安裝在電子照相設(shè)備的主體上。本發(fā)明還提供包括電子照相感光構(gòu)件、充電單元、曝光單元、顯影單元和轉(zhuǎn)印單元的電子照相設(shè)備。發(fā)明的效果本發(fā)明可以提供一種電子照相感光構(gòu)件，其可以提供其中抑制了黑點(diǎn)和起霧并且抑制由于電荷產(chǎn)生層中的涂布不均勻?qū)е碌臐舛炔痪鶆虻膱D像。本發(fā)明還可以提供包括電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。附圖說明[圖1]圖1示出包括具有電子照相感光構(gòu)件的處理盒的電子照相設(shè)備的示意性構(gòu)造的實(shí)例。[圖2]圖2是實(shí)施例1-1中得到的羥基鎵酞菁晶體的X射線粉末衍射圖案。[圖3]圖3是實(shí)施例1-2中得到的羥基鎵酞菁晶體的X射線粉末衍射圖案。[圖4]圖4是實(shí)施例1-6中得到的羥基鎵酞菁晶體的X射線粉末衍射圖案。[圖5]圖5是實(shí)施例1-8中得到的羥基鎵酞菁晶體的X射線粉末衍射圖案。[圖6]圖6是實(shí)施例1-10中得到的羥基鎵酞菁晶體的X射線粉末衍射圖案。[圖7]圖7是實(shí)施例1-20中得到的羥基鎵酞菁晶體的X射線粉末衍射圖案。[圖8]圖8是實(shí)施例1-21中得到的羥基鎵酞菁晶體的X射線粉末衍射圖案。具體實(shí)施方式根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件包括支承體、在支承體上形成的電荷產(chǎn)生層和在電荷產(chǎn)生層上形成的電荷輸送層。電荷產(chǎn)生層含有鎵酞菁晶體、含氮雜環(huán)化合物和由下式(1)表示的酰胺化合物。[化學(xué)式2](在式(1)中，R11表示甲基或丙基。)所述含氮雜環(huán)化合物的雜環(huán)中的氮原子具有取代基。具有取代基的氮原子的取代基為取代或未取代的酰基，-(C＝O)-O-R1，取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。取代的酰基的取代基為以下(i)中所述的基團(tuán)。R1表示以下(ii)中所述的基團(tuán)。(i)取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。在該(i)中，所述取代的烷基的取代基、所述取代的烯基的取代基、所述取代的芳基的取代基和所述取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲酰基、烷基、烯基、烷氧基或芳基。(ii)取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。在該(ii)中，所述取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲?；?、烷基、烯基、烷氧基或芳基。上述特征使得抑制黑點(diǎn)和起霧，并且抑制由于電荷產(chǎn)生層中的涂布不均勻引起的濃度不均勻。這可能是由于以下原因?qū)崿F(xiàn)的。由式(1)表示的化合物具有高極性，并且羰基具有吸電子效應(yīng)。因此，化合物可能傾向于從鎵酞菁晶體分子中奪取電子。這可能促進(jìn)電子從鎵酞菁晶體的流動(dòng)。另外，含氮雜環(huán)化合物的氮原子具有取代基，因此具有抑制與氫的結(jié)合性的叔胺的性質(zhì)。這可能進(jìn)一步促進(jìn)在鎵酞菁晶體與由式(1)表示的化合物之間的關(guān)系中電子的流動(dòng)。此外，鎵酞菁晶體的分散性提高，并且抑制局部電荷注入和涂布不均勻，這可能導(dǎo)致抑制黑點(diǎn)、起霧和濃度不均勻。含氮雜環(huán)化合物優(yōu)選為吡咯、吡咯烷、嗎啉、哌嗪、哌啶、4-哌啶酮、吲哚、咪唑、吩噻嗪、吩噁嗪或咔唑。其中，更優(yōu)選嗎啉、哌嗪、哌啶、4-哌啶酮、吲哚和咪唑。含氮雜環(huán)化合物中的環(huán)的非氮原子(例如，碳原子)的取代基優(yōu)選如下：取代或未取代的烷基，取代或未取代的芳基，取代或未取代的雜環(huán)基，鹵素原子，羥基，甲酰基，烯基，烷氧基或烷氧基羰基。在這種情況下，更優(yōu)選地，取代的烷基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、羥基或甲?；?。從抑制黑點(diǎn)、起霧和電荷產(chǎn)生層中的涂布不均勻的效果的觀點(diǎn)，特別優(yōu)選的含氮雜環(huán)化合物是由下式(2)至(7)表示的化合物。[化學(xué)式3]在式(2)中，R21表示取代或未取代的?；?，-(C＝O)-O-R2，取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。所述取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲?；?、烷基、烯基、烷氧基或芳基。所述取代的酰基的取代基為以下(i)中所述的基團(tuán)。R2表示以下(ii)中所述的基團(tuán)。(i)取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。在該(i)中，所述取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲?；?、烷基、烯基、烷氧基或芳基。(ii)取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。在該(ii)中，所述取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲酰基、烷基、烯基、烷氧基或芳基。[化學(xué)式4]在式(3)中，R31和R32各自獨(dú)立地表示取代或未取代的?；?，-(C＝O)-O-R3，取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。所述取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲?；⑼榛?、烯基、烷氧基或芳基。取代的?；娜〈鶠橐韵?i)中所述的基團(tuán)。R3表示以下(ii)中所述的基團(tuán)。(i)取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基或者取代或未取代的雜環(huán)基。在該(i)中，取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲?；?、烷基、烯基、烷氧基或芳基。(ii)取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基或者取代或未取代的雜環(huán)基。在該(ii)中，取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲酰基、烷基、烯基、烷氧基或芳基。[化學(xué)式5]式(4)中，R41表示取代或未取代的?；?，-(C＝O)-O-R4，取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。所述取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲?；?、烷基、烯基、烷氧基或芳基。所述取代的酰基的取代基為以下(i)中所述的基團(tuán)。R4表示以下(ii)中所述的基團(tuán)。(i)取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。在該(i)中，所述取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲?；⑼榛?、烯基、烷氧基或芳基。(ii)取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。在該(ii)中，所述取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲?；?、烷基、烯基、烷氧基或芳基。[化學(xué)式6]式(5)中，R51表示取代或未取代的?；?，-(C＝O)-O-R5，取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。所述取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲?；?、烷基、烯基、烷氧基或芳基。所述取代的?；娜〈鶠橐韵?i)中所述的基團(tuán)。R5表示以下(ii)中所述的基團(tuán)。(i)取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。在該(i)中，所述取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲?；?、烷基、烯基、烷氧基或芳基。(ii)取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。在該(ii)中，所述取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲?；⑼榛?、烯基、烷氧基或芳基。[化學(xué)式7]式(6)中，R61表示取代或未取代的?；?，-(C＝O)-O-R6，取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。所述取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲?；⑼榛?、烯基、烷氧基或芳基。所述取代的?；娜〈鶠橐韵?i)中所述的基團(tuán)。R6表示以下(ii)中所述的基團(tuán)。(i)取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。在該(i)中，所述取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲?；?、烷基、烯基、烷氧基或芳基。(ii)取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。在該(ii)中，所述取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲?；⑼榛?、烯基、烷氧基或芳基。[化學(xué)式8]式(7)中，R71表示取代或未取代的酰基，-(C＝O)-O-R7，取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。所述取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲?；?、烷基、烯基、烷氧基或芳基。所述取代的?；娜〈鶠橐韵?i)中所述的基團(tuán)。R7表示以下(ii)中所述的基團(tuán)。(i)取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。在該(i)中，所述取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲?；?、烷基、烯基、烷氧基或芳基。(ii)取代或未取代的烷基，取代或未取代的烯基，取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的雜環(huán)基。在該(ii)中，所述取代的烷基的取代基、取代的烯基的取代基、取代的芳基的取代基和取代的雜環(huán)基的取代基各自為鹵素原子、氰基、硝基、羥基、甲酰基、烷基、烯基、烷氧基或芳基。在式(2)至(7)中，R21、R31、R32、R41、R51、R61和R71各自獨(dú)立地表示甲基、乙基或苯基。相對(duì)于鎵酞菁晶體，電荷產(chǎn)生層中的含氮雜環(huán)化合物的含量?jī)?yōu)選為0.01質(zhì)量％以上且20質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上且5質(zhì)量％以下。含氮雜環(huán)化合物可以是無定形化合物或結(jié)晶化合物。可以組合使用兩種以上的含氮雜環(huán)化合物。鎵酞菁晶體優(yōu)選為晶體內(nèi)含有含氮雜環(huán)化合物的鎵酞菁晶體。在這種情況下，相對(duì)于鎵酞菁晶體，鎵酞菁晶體內(nèi)的含氮雜環(huán)化合物的含量?jī)?yōu)選為0.01質(zhì)量％以上且2質(zhì)量％以下。以下是在根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件中所含的含氮雜環(huán)化合物的優(yōu)選具體實(shí)例(實(shí)例化合物)。然而，本發(fā)明不限于這些實(shí)例。[化學(xué)式9][化學(xué)式10][化學(xué)式11][化學(xué)式12][化學(xué)式13][化學(xué)式14][化學(xué)式15][化學(xué)式16][化學(xué)式17]相對(duì)于鎵酞菁晶體，電荷產(chǎn)生層中由式(1)表示的酰胺化合物的含量?jī)?yōu)選為0.01質(zhì)量％以上且5質(zhì)量％以下。鎵酞菁晶體優(yōu)選為晶體內(nèi)含有由式(1)表示的酰胺化合物的鎵酞菁晶體。在這種情況下，相對(duì)于鎵酞菁晶體，由式(1)表示的并且在鎵酞菁晶體中包含的酰胺化合物的含量?jī)?yōu)選為0.01質(zhì)量％以上且3質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為0.01質(zhì)量％以上且1.7質(zhì)量％以下。電荷產(chǎn)生層中含氮雜環(huán)化合物的質(zhì)量定義為A。由式(1)表示的并且包含在鎵酞菁晶體中的酰胺化合物的質(zhì)量定義為B。A與B的比率為優(yōu)選A/B＝1/1以上且20/1以下，更優(yōu)選A/B＝1.4/1以上且20/1以下，特別優(yōu)選A：B＝1.4/1以上且4/1以下。式(1)中的R11優(yōu)選表示甲基。根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件中包含的鎵酞菁晶體是例如鎵酞菁晶體，其中鎵酞菁分子的鎵原子具有鹵素原子、羥基或烷氧基作為軸配體。酞菁環(huán)可以具有取代基如鹵素原子。在鎵酞菁晶體中，優(yōu)選的是顯示高感光度并且有效用于本發(fā)明的羥基鎵酞菁晶體、溴鎵酞菁晶體和碘鎵酞菁晶體。其中，更優(yōu)選羥基鎵酞菁晶體。在羥基鎵酞菁晶體中，鎵原子具有羥基作為軸配體。在溴鎵酞菁晶體中，鎵原子具有溴原子作為軸配體。在碘鎵酞菁晶體中，鎵原子具有碘原子作為軸配體。在羥基鎵酞菁晶體中，從高圖像質(zhì)量的角度，特別優(yōu)選的是在通過使用CuKα射線的X射線衍射法測(cè)量的布拉格角2θ中在7.4°±0.3°處具有強(qiáng)峰和在28.2°±0.3°處具有強(qiáng)峰的晶體形式的羥基鎵酞菁晶體。晶體內(nèi)包含含氮雜環(huán)化合物的鎵酞菁晶體是指晶體內(nèi)引入含氮雜環(huán)化合物的晶體。晶體內(nèi)含有由式(1)表示的酰胺化合物的鎵酞菁晶體是指晶體內(nèi)引入由式(1)表示的酰胺化合物的晶體。將對(duì)在晶體內(nèi)含有含氮雜環(huán)化合物和式(1)表示的酰胺化合物的鎵酞菁晶體的制造方法進(jìn)行說明。根據(jù)本發(fā)明的晶體內(nèi)含有含氮雜環(huán)化合物的鎵酞菁晶體可以通過將通過酸溶法(acidpastingprocess)得到的鎵酞菁和含氮雜環(huán)化合物與溶劑混合并進(jìn)行濕式研磨處理以實(shí)現(xiàn)晶體轉(zhuǎn)化的步驟而得到。該研磨處理用具有分散介質(zhì)如玻璃珠、鋼珠或氧化鋁球的研磨裝置如砂磨機(jī)或球磨機(jī)進(jìn)行。研磨處理中使用的分散介質(zhì)的量以質(zhì)量計(jì)優(yōu)選為鎵酞菁的10至50倍。所用溶劑的實(shí)例如下：酰胺系溶劑如N,N-二甲基甲酰胺，N,N-二甲基乙酰胺，式(1)表示的化合物，N-甲基乙酰胺和N-甲基丙酰胺；鹵素系溶劑如氯仿；醚系溶劑如四氫呋喃；和亞砜系溶劑如二甲基亞砜。在晶體內(nèi)含有由式(1)表示的酰胺化合物的鎵酞菁晶體可以通過以下步驟獲得：將通過酸溶法得到的鎵酞菁和由式(1)表示的酰胺化合物進(jìn)行濕式研磨處理以實(shí)現(xiàn)晶體轉(zhuǎn)化。由式(1)表示的酰胺化合物是N-甲基甲酰胺或N-丙基甲酰胺。溶劑的使用量以質(zhì)量計(jì)優(yōu)選為鎵酞菁的5-30倍。含氮雜環(huán)化合物的使用量以質(zhì)量計(jì)優(yōu)選為鎵酞菁的0.1-10倍。通過分析獲得的鎵酞菁晶體的NMR測(cè)量和熱重(TG)測(cè)量數(shù)據(jù)，確定本發(fā)明的鎵酞菁晶體在晶體內(nèi)是否含有含氮雜環(huán)化合物和式(1)表示的酰胺化合物。例如，在將能夠溶解含氮雜環(huán)化合物的溶劑用于研磨處理或研磨后的洗滌步驟的情況下，對(duì)得到的鎵酞菁晶體進(jìn)行NMR測(cè)量。含氮雜環(huán)化合物的存在的檢出使得能夠判斷含氮雜環(huán)化合物包含在晶體內(nèi)。另一方面，在含氮雜環(huán)化合物不溶于用于研磨處理的溶劑中并且也不溶于研磨后的洗滌溶劑的情況下，將所得鎵酞菁晶體進(jìn)行NMR測(cè)量；當(dāng)檢出含氮雜環(huán)化合物時(shí)，按以下方式進(jìn)行判斷。將添加含氮雜環(huán)化合物得到的鎵酞菁晶體、不添加含氮雜環(huán)化合物得到的鎵酞菁晶體和僅含氮雜環(huán)化合物單獨(dú)進(jìn)行TG測(cè)量。在一種情況下，添加想要包含在晶體中的含氮雜環(huán)化合物而得到的鎵酞菁晶體的TG測(cè)量結(jié)果可以解釋為，不添加含氮雜環(huán)化合物得到的酞菁晶體的測(cè)量結(jié)果和含氮雜環(huán)化合物的測(cè)量結(jié)果的以預(yù)定比例的簡(jiǎn)單組合。在這種情況下，可以認(rèn)為得到的是鎵酞菁晶體和含氮雜環(huán)化合物的混合物，或者其中含氮雜環(huán)化合物簡(jiǎn)單地附著在其表面上的鎵酞菁晶體。另一方面，添加含氮雜環(huán)化合物得到的鎵酞菁晶體的TG測(cè)量結(jié)果可能表明，在比想要包含在晶體內(nèi)的單獨(dú)含氮雜環(huán)化合物的TG測(cè)量結(jié)果更高的溫度下重量減少。在這種情況下，可以判斷含氮雜環(huán)化合物包含在鎵酞菁晶體內(nèi)。也可以通過與上述方法類似的方法來確定鎵酞菁晶體內(nèi)是否含有式(1)表示的酰胺化合物。使根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件中所含的鎵酞菁晶體在下述條件下進(jìn)行TG測(cè)量、X射線衍射測(cè)量和NMR測(cè)量。[TG測(cè)量]使用的測(cè)量?jī)x器：由SeikoInstruments&ElectronicsLtd.制造的TG/DTA同時(shí)測(cè)量?jī)x器(商品名：TG/DTA220U)氣氛：在氮?dú)饬飨?300ml/min)測(cè)量范圍：35℃至600℃升溫速度：10℃/min[X-射線粉末衍射測(cè)定]使用的測(cè)量?jī)x器：RigakuCorporation制造的X射線衍射儀RINT-TTRIIX射線管：Cu管電壓：50KV管電流：300mA掃描模式：2θ/θ掃描掃描速度：4.0°/min采樣間隔：0.02°起始角(2θ)：5.0°停止角(2θ)：40.0°附件：標(biāo)準(zhǔn)樣品架濾光器：不使用入射單色儀：使用計(jì)數(shù)單色儀：不使用發(fā)散狹縫：開放垂直發(fā)散限制狹縫：10.00mm散射狹縫：開放接收狹縫：開放平板單色儀：使用計(jì)數(shù)器：閃爍計(jì)數(shù)器[NMR測(cè)量]使用的測(cè)量?jī)x器：由BRUKER制造的AVANCEIII500溶劑：重硫酸(D2SO4)電荷產(chǎn)生層含有含氮雜環(huán)化合物、由式(1)表示的酰胺化合物和鎵酞菁晶體。可選地，電荷產(chǎn)生層含有在晶體內(nèi)含有由式(1)表示的酰胺化合物和含氮雜環(huán)化合物的鎵酞菁晶體。本發(fā)明中使用的支承體優(yōu)選具有導(dǎo)電性(導(dǎo)電性支承體)。用于支承體的材料的實(shí)例包括金屬和合金如鋁和不銹鋼；和具有導(dǎo)電層的金屬、合金、塑料和紙。支承體可以具有例如圓筒或膜的形狀。在本發(fā)明中，可以在支承體與感光層之間形成具有阻擋功能和粘合功能的底涂層(basecoatinglayer)(也稱為中間層)。用于底涂層的材料是樹脂，如聚乙烯醇、聚環(huán)氧乙烷、乙基纖維素、甲基纖維素、酪蛋白或聚酰胺。底涂層以下列方式獲得：將樹脂溶解在溶劑中以制備底涂層用涂布液；在支承體上形成底涂層用涂布液的涂膜，并干燥涂膜。底涂層的膜厚優(yōu)選為0.3-5μm。為了覆蓋支承體的不均勻和缺陷并抑制干涉條紋，可以在支承體與底涂層之間形成導(dǎo)電層。導(dǎo)電層可以通過將炭黑、金屬、金屬氧化物等的導(dǎo)電性顆粒分散在粘結(jié)劑樹脂中而形成。導(dǎo)電層的膜厚優(yōu)選為5-40μm，特別優(yōu)選為10-30μm。電荷產(chǎn)生層可以通過形成其中將含氮雜環(huán)化合物、由式(1)表示的酰胺化合物、鎵酞菁晶體和粘結(jié)劑樹脂分散在溶劑中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的涂膜并通過干燥涂膜來形成。鎵酞菁可以是在晶體內(nèi)含有由式(1)表示的酰胺化合物和含氮雜環(huán)化合物的鎵酞菁晶體。在上述分散期間，可以使用介質(zhì)型分散裝置如砂磨機(jī)或球磨機(jī)，或分散裝置如液體碰撞型分散裝置。電荷產(chǎn)生層的膜厚度優(yōu)選為0.05-1μm，更優(yōu)選為0.05-0.2μm。在電荷產(chǎn)生層中，鎵酞菁晶體的含量相對(duì)于電荷產(chǎn)生層的總質(zhì)量?jī)?yōu)選為30質(zhì)量％以上且90質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為50質(zhì)量％以上且80質(zhì)量％以下。用于電荷產(chǎn)生層的粘結(jié)劑樹脂的實(shí)例包括樹脂如聚酯樹脂，丙烯酸類樹脂，苯氧基樹脂，聚碳酸酯樹脂，聚乙烯醇縮丁醛樹脂，聚苯乙烯樹脂，聚乙酸乙烯酯樹脂，聚砜樹脂，聚芳酯樹脂，偏二氯乙烯樹脂，丙烯腈樹脂，和聚乙烯醇縮苯甲醛樹脂。其中，優(yōu)選的其中分散有含氮雜環(huán)化合物的樹脂是聚乙烯醇縮丁醛樹脂和聚乙烯醇縮苯甲醛樹脂。電荷輸送層可以通過形成含有電荷輸送物質(zhì)和粘結(jié)劑樹脂的電荷輸送層用涂布液的涂膜并干燥該涂膜而形成。電荷輸送層的膜厚優(yōu)選為5-40μm，特別優(yōu)選為10-25μm。相對(duì)于電荷輸送層的總質(zhì)量，電荷輸送物質(zhì)的含量?jī)?yōu)選為20質(zhì)量％-80質(zhì)量％，特別優(yōu)選為30質(zhì)量％-60質(zhì)量％。電荷輸送物質(zhì)的實(shí)例包括三芳基胺化合物，腙化合物，茋化合物，吡唑啉化合物，噁唑化合物，噻唑化合物和三芳基甲烷化合物。其中，電荷輸送物質(zhì)的優(yōu)選實(shí)例是三芳基胺化合物。用于電荷輸送層的粘結(jié)劑樹脂的實(shí)例包括樹脂如聚酯樹脂，丙烯酸類樹脂，苯氧基樹脂，聚碳酸酯樹脂，聚苯乙烯樹脂，聚乙酸乙烯酯樹脂，聚砜樹脂，聚芳酯樹脂，偏二氯乙烯樹脂和丙烯腈共聚物。其中，優(yōu)選聚碳酸酯樹脂和聚芳酯樹脂。用于各層的涂布方法的實(shí)例包括浸漬涂布法(浸漬法)、噴涂法、旋涂法、珠涂法、刮涂法和束涂法。為了保護(hù)電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層的目的，可以在電荷輸送層上形成保護(hù)層。保護(hù)層可以通過在電荷輸送層上形成通過將樹脂溶解在有機(jī)溶劑中而得到的保護(hù)層用涂布液的涂膜并通過干燥涂膜而形成。用于保護(hù)層的樹脂的實(shí)例包括聚乙烯醇縮丁醛樹脂，聚酯樹脂，聚碳酸酯樹脂(如聚碳酸酯Z樹脂和改性聚碳酸酯樹脂)，尼龍樹脂，聚酰亞胺樹脂，聚芳酯樹脂，聚氨酯樹脂，苯乙烯-丁二烯共聚物，苯乙烯-丙烯酸共聚物，苯乙烯-丙烯腈共聚物?？蛇x地，保護(hù)層可以通過在電荷輸送層上形成保護(hù)層用涂布液的涂膜，并通過例如加熱或用電子束或紫外線固化涂膜而形成。保護(hù)層的膜厚優(yōu)選為0.05-20μm。保護(hù)層可以形成為含有導(dǎo)電性顆粒、紫外線吸收劑或潤(rùn)滑性顆粒如含氟原子的樹脂微粒。導(dǎo)電性顆粒的優(yōu)選實(shí)例包括金屬氧化物顆粒如氧化錫顆粒。圖1示出包括具有電子照相感光構(gòu)件的處理盒的電子照相設(shè)備的示意性構(gòu)造的實(shí)例。附圖標(biāo)記1表示圓筒狀(鼓狀)電子照相感光構(gòu)件，其被驅(qū)動(dòng)以便以預(yù)定圓周速度(處理速度)沿箭頭所示的方向圍繞軸2旋轉(zhuǎn)。在旋轉(zhuǎn)期間，電子照相感光構(gòu)件1的表面通過充電單元3充電至預(yù)定的正或負(fù)電位。隨后，用曝光單元(未示出)發(fā)射的曝光光4照射電子照相感光構(gòu)件1的帶電表面，以形成與待形成的圖像的信息相對(duì)應(yīng)的靜電潛像。圖像曝光光4是由用于曝光的單元如狹縫曝光或激光束掃描曝光發(fā)射的光，并且根據(jù)待形成圖像的信息的時(shí)間序列電數(shù)字圖像信號(hào)在強(qiáng)度方面進(jìn)行調(diào)制。用顯影單元5內(nèi)所含的調(diào)色劑顯影在電子照相感光構(gòu)件1的表面上形成的靜電潛像(正規(guī)顯影或反轉(zhuǎn)顯影)，使得在電子照相感光構(gòu)件1的表面上形成調(diào)色劑圖像。通過轉(zhuǎn)印單元6將形成在電子照相感光構(gòu)件1的表面上的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印材料7上。此時(shí)，偏壓電源(未示出)向轉(zhuǎn)印單元6施加與調(diào)色劑的電荷極性相反極性的偏壓。在轉(zhuǎn)印材料7是紙張的情況下，轉(zhuǎn)印材料7從供紙單元(未示出)被取出，并且與電子照相感光構(gòu)件1的旋轉(zhuǎn)同步被進(jìn)給到電子照相感光構(gòu)件1轉(zhuǎn)印單元6之間的區(qū)域中。其上從電子照相感光構(gòu)件1轉(zhuǎn)印有調(diào)色劑圖像的轉(zhuǎn)印材料7從電子照相感光構(gòu)件1的表面分離，隨后被輸送到定影單元8，并且進(jìn)行定影調(diào)色劑圖像的處理。由此，轉(zhuǎn)印材料7作為圖像形成材料(打印件或復(fù)印件)從電子照相設(shè)備輸出。在調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印材料7上之后，用清潔單元9清潔電子照相感光構(gòu)件1的表面，使得除去附著的材料如調(diào)色劑(轉(zhuǎn)印后的殘余調(diào)色劑)。在最近開發(fā)的無清潔器系統(tǒng)中，可以例如用顯影單元直接除去轉(zhuǎn)印后的殘余調(diào)色劑。用從預(yù)曝光單元(未示出)發(fā)射的預(yù)曝光光10對(duì)電子照相感光構(gòu)件1的表面進(jìn)行去靜電，然后重復(fù)用于圖像形成。在充電單元3是接觸充電單元如充電輥的情況下，不必設(shè)置預(yù)曝光單元。在本發(fā)明中，包括電子照相感光構(gòu)件1、充電單元3、顯影單元5和清潔單元9的組件中的多個(gè)組件被容納在容器中并且被一體化支承，從而形成處理盒。該處理盒可以設(shè)置為可拆卸地安裝在電子照相設(shè)備的主體上。例如，選自充電單元3、顯影單元5和清潔單元9中的至少一種和電子照相感光構(gòu)件1被一體化支承以構(gòu)成盒。引導(dǎo)單元12如電子照相設(shè)備的主體的軌道可以用于將處理盒11設(shè)置為可拆卸地安裝在電子照相設(shè)備的主體上。在電子照相設(shè)備是復(fù)印機(jī)或打印機(jī)的情況下，曝光光4可以是由原稿反射或透射的光?？蛇x地，在利用傳感器讀取原稿以生成信號(hào)的情況下，曝光光4可以是通過根據(jù)信號(hào)執(zhí)行的處理如利用激光束的掃描、LED陣列的驅(qū)動(dòng)或液晶快門陣列的驅(qū)動(dòng)而發(fā)射的光。根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件1還可以廣泛用于包括激光束打印機(jī)、CRT打印機(jī)、LED打印機(jī)、傳真機(jī)、液晶打印機(jī)和激光制版的電子照相應(yīng)用領(lǐng)域中。實(shí)施例在下文中，將參考具體實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明。以下的“份”是指“質(zhì)量份”。注意，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。實(shí)施例和比較例中的電子照相感光構(gòu)件的層的膜厚度通過使用渦電流式膜厚度測(cè)量?jī)x器(Fischerscope，由FischerInstrumentsK.K.制造)的方法或通過將每單位面積的質(zhì)量換算為比重的方法測(cè)定。[合成例1]在氮?dú)饬飨碌臍夥障?，?.46份鄰苯二甲腈和45份α-氯萘放入反應(yīng)室中，隨后加熱至30℃，并保持在該溫度下。隨后，在該溫度(30℃)下加入3.75份三氯化鎵。在該添加期間，混合溶液的水含量為150ppm。之后，將溫度升至200℃。隨后，在氮?dú)饬飨碌臍夥罩?，使溶液?00℃下反應(yīng)4.5小時(shí)，然后冷卻；并且當(dāng)溶液的溫度降低至150℃時(shí)，通過過濾收集產(chǎn)物。將通過過濾得到的該物質(zhì)通過在140℃下分散在N,N-二甲基甲酰胺中2小時(shí)來洗滌，然后過濾。用甲醇洗滌過濾得到的物質(zhì)，然后干燥，從而提供4.65份氯鎵酞菁顏料(產(chǎn)率：71％)。隨后，將4.65份所得的氯鎵酞菁顏料在10℃下溶解于139.5份濃硫酸中，在攪拌下滴入620份冰水中以引起再析出，并用壓濾機(jī)過濾。將得到的濕濾餅(通過過濾得到的物質(zhì))分散在2％氨水中洗滌，然后用壓濾機(jī)過濾。隨后，將所得的濕濾餅(通過過濾得到的物質(zhì))分散在離子交換水中洗滌，然后用壓濾機(jī)過濾三次。由此，得到固含量為23％的羥基鎵酞菁顏料(含水羥基鎵酞菁顏料)。[合成例2]在氮?dú)饬飨碌臍夥障?，?.46份鄰苯二甲腈和45份α-氯萘放入反應(yīng)室中，隨后加熱至30℃，并保持在該溫度下。隨后，在該溫度(30℃)下加入3.75份三氯化鎵。在該添加期間，混合溶液的水含量為150ppm。之后，將溫度升至200℃。隨后，在氮?dú)饬飨碌臍夥罩校谷芤涸?00℃下反應(yīng)4.5小時(shí)，然后冷卻；并且當(dāng)溶液的溫度降低至150℃時(shí)，通過過濾收集產(chǎn)物。將通過過濾得到的該物質(zhì)通過在140℃下分散在N,N-二甲基甲酰胺中2小時(shí)來洗滌，然后過濾。用甲醇洗滌過濾得到的物質(zhì)，然后干燥，從而提供4.65份氯鎵酞菁顏料(產(chǎn)率：71％)。[實(shí)施例1-1]按照以下方式，使用超干燥干燥機(jī)(hyperdrydryer)(商品名：HD-06R，頻率(輸出頻率)：2455MHz±15MHz，由Biocon(Japan)ltd.制造)干燥合成例1中得到的羥基鎵酞菁顏料(6.6kg)。將合成例1中得到的羥基鎵酞菁顏料以從壓濾機(jī)取出的固體狀態(tài)(厚度為4cm以下的濕濾餅)放在專用的圓形塑料托盤上，關(guān)閉遠(yuǎn)紅外線，并將干燥機(jī)的內(nèi)壁溫度設(shè)定為50℃。在施加微波期間，調(diào)節(jié)真空泵和泄漏閥，使得真空度在4.0至10.0kPa的范圍內(nèi)。在第一步驟中，向羥基鎵酞菁顏料施加4.8kW微波50分鐘。隨后，暫時(shí)關(guān)閉微波并暫時(shí)關(guān)閉漏閥，以提供2kPa以下的高真空度。此時(shí)，羥基鎵酞菁顏料的固含量為88％。在第二步驟中，調(diào)節(jié)泄漏閥，使得真空度(干燥機(jī)內(nèi)的壓力)在預(yù)定范圍(4.0至10.0kPa)內(nèi)。之后，對(duì)羥基鎵酞菁顏料施加1.2kW微波5分鐘。暫時(shí)關(guān)閉微波并暫時(shí)關(guān)閉泄漏閥，以提供2kPa以下的高真空度。該第二步驟再進(jìn)行一次(總共兩次)。此時(shí)，羥基鎵酞菁顏料的固含量為98％。在第三步驟中，除了微波的功率從第二步驟中的1.2kW變?yōu)?.8kW之外，如在第二步驟中那樣施加微波。該第三步驟再進(jìn)行一次(總共兩次)。在第四步驟中，調(diào)節(jié)泄漏閥，使得真空度(干燥機(jī)內(nèi)的壓力)改變?yōu)樵俅翁幱陬A(yù)定范圍(4.0至10.0kPa)。之后，對(duì)羥基鎵酞菁顏料施加0.4kW微波3分鐘。暫時(shí)關(guān)閉微波并暫時(shí)關(guān)閉泄漏閥，以提供2kPa以下的高真空度。該第四步驟進(jìn)行7次(總共8次)。作為總共3小時(shí)的步驟的結(jié)果，得到1.52kg含水量為1％以下的羥基鎵酞菁顏料(晶體)。隨后，將0.5份所得到的羥基鎵酞菁晶體，2.7份化合物(A7)(產(chǎn)品代碼：P0196，由TOKYOCHEMICALINDUSTRYCO.,LTD.制造)和9.5份N-甲基甲酰胺(產(chǎn)品代碼：F0059，由TOKYOCHEMICALINDUSTRYCO.,LTD.制造)與15份直徑為0.8mm的玻璃珠一起在室溫(23℃)下用球磨機(jī)進(jìn)行研磨處理400小時(shí)。在該處理中，所使用的容器是標(biāo)準(zhǔn)瓶(產(chǎn)品代碼：PS-6，由HAKUYOGLASSCo.,Ltd.制造)；并且容器以每分鐘60轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)。從該分散溶液中，用N-甲基甲酰胺取出鎵酞菁晶體，過濾，用四氫呋喃充分洗滌過濾器。對(duì)過濾得到的物質(zhì)進(jìn)行真空干燥，得到0.45份羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案如圖2所示。NMR測(cè)量表明，所得到的羥基鎵酞菁晶體含有0.47質(zhì)量％的化合物(A7)和0.65質(zhì)量％的N-甲基甲酰胺，它們由質(zhì)子的比例計(jì)算。由于化合物(A7)溶解在N-甲基甲酰胺中，結(jié)果表明化合物(A7)和N-甲基甲酰胺包含在晶體內(nèi)。[實(shí)施例1-2]除了不使用2.7份實(shí)施例1-1中的化合物(A7)，并將用球磨機(jī)研磨處理400小時(shí)改為用球磨機(jī)研磨處理2000小時(shí)以外，按照實(shí)施例1-1得到實(shí)施例1-2的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案如圖3所示。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體中含有0.55質(zhì)量％的N-甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-3]除了將化合物(A7)的量從實(shí)施例1-1中的2.7份變?yōu)?.7份，并將用球磨機(jī)研磨處理400小時(shí)改為用球磨機(jī)研磨處理350小時(shí)以外，按照實(shí)施例1-1得到實(shí)施例1-3中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖2中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有0.14質(zhì)量％的化合物(A7)和0.71質(zhì)量％的N-甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-4]除了將實(shí)施例1-2中用球磨機(jī)研磨處理2000小時(shí)變?yōu)橛们蚰C(jī)研磨處理100小時(shí)以外，按照實(shí)施例1-2得到實(shí)施例1-4中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖3中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有2.1質(zhì)量％的N-甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-5]除了將化合物(A7)的量由實(shí)施例1-1中的2.7份變?yōu)?.5份，并將用球磨機(jī)研磨處理400小時(shí)改為用球磨機(jī)研磨處理51小時(shí)以外，按照實(shí)施例1-1得到實(shí)施例1-5的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖2中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有0.39質(zhì)量％的化合物(A7)和1.86質(zhì)量％的N-甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-6]按照實(shí)施例1-1得到含水量為1％以下的羥基鎵酞菁顏料(晶體，1.52kg)。隨后，將0.5份所得的羥基鎵酞菁晶體，0.5份化合物(A7)(產(chǎn)品代碼：P0196，由TOKYOCHEMICALINDUSTRYCO.,LTD.制造)和9.5份的N,N-二甲基甲酰胺(產(chǎn)品代碼：F0059，由TOKYOCHEMICALINDUSTRYCO.,LTD.制造)與15份直徑為0.8mm的玻璃珠一起在室溫(23℃)下用球磨機(jī)進(jìn)行研磨處理51小時(shí)。在該處理中，所使用的容器是標(biāo)準(zhǔn)瓶(產(chǎn)品代碼：PS-6，由HAKUYOGLASSCo.,Ltd.制造)；并且容器以每分鐘60轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)。從該分散溶液中，用N,N-二甲基甲酰胺取出鎵酞菁晶體并過濾，用四氫呋喃充分洗滌過濾器。對(duì)過濾得到的物質(zhì)進(jìn)行真空干燥，得到0.45份羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案如圖4所示。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有0.25質(zhì)量％的化合物(A7)和1.74質(zhì)量％的N,N-二甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-7]除了將2.7份實(shí)施例1-1中使用的化合物(A7)變?yōu)?.7份化合物(A16)，并將用球磨機(jī)研磨處理400小時(shí)變?yōu)橛糜推釘嚢杵?PaintShaker)(由ToyoSeikiSeisaku-sho,Ltd.制造)研磨處理40小時(shí)以外，按照實(shí)施例1-1得到實(shí)施例1-7的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖2中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有0.64質(zhì)量％的化合物(A16)和0.63質(zhì)量％的N-甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-8]除了將2.7份實(shí)施例1-1中使用的化合物(A7)變?yōu)?.0份化合物(A9)，并將用球磨機(jī)研磨處理400小時(shí)變?yōu)橛们蚰C(jī)研磨處理100小時(shí)以外，按照實(shí)施例1-1得到實(shí)施例1-8中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案如圖5所示。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有1.59質(zhì)量％的化合物(A9)和1.35質(zhì)量％的N-甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-9]除了將化合物(A9)的量由實(shí)施例1-8中的3.0份變?yōu)?.5份，并將用球磨機(jī)研磨處理100小時(shí)變?yōu)橛们蚰C(jī)研磨處理51小時(shí)之外，按照實(shí)施例1-8得到實(shí)施例1-9中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖5中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有0.35質(zhì)量％的化合物(A9)和1.89質(zhì)量％的N-甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-10]除了將0.5份實(shí)施例1-6中使用的化合物(A7)變?yōu)?.5份化合物(A9)之外，按照實(shí)施例1-6得到實(shí)施例1-10中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案如圖6所示。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有1.35質(zhì)量％的化合物(A9)和1.43質(zhì)量％的N,N-二甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-11]按照實(shí)施例1-1得到含水量為1％以下的羥基鎵酞菁顏料(晶體，1.52kg)。隨后，將0.5份所得到的羥基鎵酞菁晶體和9.5份的N,N-二甲基甲酰胺(產(chǎn)品代碼：F0059，由TOKYOCHEMICALINDUSTRYCO.,LTD.制造)與15份直徑為0.8mm的玻璃珠一起用球磨機(jī)在室溫(23℃)下研磨處理100小時(shí)。在該處理中，所使用的容器是標(biāo)準(zhǔn)瓶(產(chǎn)品代碼：PS-6，由HAKUYOGLASSCo.,Ltd.制造)；并且容器以每分鐘60轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)。從該分散溶液中，用N,N-二甲基甲酰胺取出鎵酞菁晶體并過濾，用四氫呋喃充分洗滌過濾器。對(duì)過濾得到的物質(zhì)進(jìn)行真空干燥，得到0.45份羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖3中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有2.1質(zhì)量％的N,N-二甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-12]除了將2.7份實(shí)施例1-1中使用的化合物(A7)變?yōu)?.0份化合物(A38)以外，按照實(shí)施例1-1得到實(shí)施例1-12中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖2中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有1.28質(zhì)量％的化合物(A38)和0.72質(zhì)量％的N-甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-13]除了將2.7份實(shí)施例1-1中使用的化合物(A7)變?yōu)?.1份化合物(A66)以外，按照實(shí)施例1-1得到實(shí)施例1-13中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖2中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有0.06質(zhì)量％的化合物(A66)和0.66質(zhì)量％的N-甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-14]除了將0.5份實(shí)施例1-6中使用的化合物(A7)變?yōu)?.0份化合物(A75)之外，按照實(shí)施例1-6得到實(shí)施例1-14中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖4中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有0.83質(zhì)量％的化合物(A75)和1.51質(zhì)量％的N,N-二甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-15]除了將0.5份實(shí)施例1-6中使用的化合物(A7)變?yōu)?.0份化合物(A4)以外，按照實(shí)施例1-6得到實(shí)施例1-15中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖4中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有2.22質(zhì)量％的化合物(A4)和1.57質(zhì)量％的N,N-二甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-16]除了將0.5份實(shí)施例1-6中使用的化合物(A7)變?yōu)?.4份化合物(A24)以外，按照實(shí)施例1-6得到實(shí)施例1-16中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖5中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有0.32質(zhì)量％的化合物(A24)和1.49質(zhì)量％的N,N-二甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-17]除了將實(shí)施例1-2中用球磨機(jī)研磨處理2000小時(shí)變?yōu)橛们蚰C(jī)研磨處理1000小時(shí)以外，按照實(shí)施例1-2得到實(shí)施例1-17中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖3中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有0.7質(zhì)量％的N-甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-18]除了將實(shí)施例1-2中使用球磨機(jī)研磨處理2000小時(shí)改為用球磨機(jī)研磨處理30小時(shí)以外，按照實(shí)施例1-2得到實(shí)施例1-18中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖3中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有3.3質(zhì)量％的N-甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-19]除了將2.7份實(shí)施例1-1中使用的化合物(A7)變?yōu)?.5份化合物(A10)以外，按照實(shí)施例1-1得到實(shí)施例1-19中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖2中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有0.24質(zhì)量％的化合物(A10)和0.68質(zhì)量％的N-甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-20]除了將2.7份實(shí)施例1-1中使用的化合物(A7)改變?yōu)?.5份化合物(A1)，并將用球磨機(jī)研磨處理400小時(shí)變?yōu)橛醚心C(jī)研磨處理51小時(shí)以外，按照實(shí)施例1-1得到實(shí)施例1-20中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案如圖7所示。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有0.13質(zhì)量％的化合物(A1)和1.72質(zhì)量％的N-甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-21]除了將0.5份實(shí)施例1-6中使用的化合物(A7)變?yōu)?.5份化合物(A1)以外，按照實(shí)施例1-6得到實(shí)施例1-21中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案如圖8所示。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有0.36質(zhì)量％的化合物(A1)和1.86質(zhì)量％的N,N-二甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-22]除了將化合物(A1)的量從實(shí)施例1-21中的0.5份變?yōu)?.0份以外，按照實(shí)施例1-21得到實(shí)施例1-22中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖8中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有1.29質(zhì)量％的化合物(A1)和1.56質(zhì)量％的N,N-二甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-23]除了將0.5份實(shí)施例1-6中使用的化合物(A7)變?yōu)?.0份化合物(A2)以外，按照實(shí)施例1-6得到實(shí)施例1-23中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖8中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有0.63質(zhì)量％的化合物(A1)和1.77質(zhì)量％的N,N-二甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-24]按照實(shí)施例1-1得到含水量為1％以下的羥基鎵酞菁顏料(晶體，1.52kg)。隨后，將0.5份得到的羥基鎵酞菁晶體和9.5份N-丙基甲酰胺與15份直徑為0.8mm的玻璃珠一起在室溫(23℃)下用球磨機(jī)進(jìn)行研磨處理300小時(shí)。在該處理中，所使用的容器是標(biāo)準(zhǔn)瓶(產(chǎn)品代碼：PS-6，由HAKUYOGLASSCo.,Ltd.制造)；并且容器以每分鐘60轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)。從該分散溶液中，用N-丙基甲酰胺取出鎵酞菁晶體，過濾，用四氫呋喃充分洗滌過濾器。過濾得到的物質(zhì)進(jìn)行真空干燥，得到0.46份羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖3中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有1.4質(zhì)量％的N-丙基甲酰胺。[實(shí)施例1-25]除了將實(shí)施例1-24中使用球磨機(jī)研磨處理300小時(shí)變?yōu)橛们蚰C(jī)研磨處理1100小時(shí)以外，按照實(shí)施例1-24得到實(shí)施例1-25中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖3中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有0.69質(zhì)量％的N-丙基甲酰胺。[實(shí)施例1-26]除了將2.7份實(shí)施例1-1中使用的化合物(A7)變?yōu)?.0份化合物(A111)，并將用球磨機(jī)研磨處理400小時(shí)變?yōu)橛们蚰C(jī)研磨處理200小時(shí)以外，按照實(shí)施例1-1得到實(shí)施例1-26中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖7中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有3.16質(zhì)量％的化合物(A111)和0.85質(zhì)量％的N-甲基甲酰胺。[實(shí)施例1-27]除了將實(shí)施例1-2中用球磨機(jī)研磨處理2000小時(shí)變?yōu)橛们蚰C(jī)研磨處理35小時(shí)以外，按照實(shí)施例1-2得到實(shí)施例1-27中的羥基鎵酞菁晶體。所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖3中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有3.1質(zhì)量％的N-甲基甲酰胺。[比較例1-1]除了將0.5份實(shí)施例1-6中使用的化合物(A7)變?yōu)?.0份由下式(8)表示的含氮雜環(huán)化合物(產(chǎn)品代碼：M0465，由TOKYOCHEMICALINDUSTRYCO.,LTD.制造)以外，按照實(shí)施例1-6得到比較例1-1中的羥基鎵酞菁晶體。[化學(xué)式18]所得晶體的X-射線粉末衍射圖案類似于圖8中的X-射線粉末衍射圖案。按照實(shí)施例1-1中的NMR測(cè)量表明，羥基鎵酞菁晶體含有0.61質(zhì)量％的由式(8)表示的化合物和1.56質(zhì)量％的N,N-二甲基甲酰胺。[實(shí)施例2-1]使用直徑為24mm和長(zhǎng)度為257mm的鋁圓筒作為支承體(圓筒狀支承體)。隨后，將60份涂覆有氧化錫的硫酸鋇顆粒(商品名：PasstranPC1，由MITSUIMINING&SMELTINGCO.,LTD.制造)15份氧化鈦顆粒(商品名：TITANIXJR，由TaycaCorporation制造)43份甲階型酚醛樹脂(商品名：PHENOLITEJ-325，由DainipponInkandChemicals制造，固含量：70質(zhì)量％)，0.015份硅油(商品名：SH28PA，由ToraySiliconeCo.,Ltd.制造)，3.6份硅酮樹脂顆粒(商品名：TOSPEARL120，由ToshibaSiliconeCo.,Ltd.制造)，50份2-甲氧基-1-丙醇和50份甲醇裝入球磨機(jī)中，并進(jìn)行20小時(shí)的分散處理，從而制備導(dǎo)電層用涂布液。將該導(dǎo)電層用涂布液通過浸漬涂布施涂到支承體上。將所得的涂膜在140℃下加熱1小時(shí)，使涂膜固化。結(jié)果，形成膜厚度為20μm的導(dǎo)電層。隨后，冷卻溶液，所述溶液是通過將25份N-甲氧基甲基化尼龍6(商品名：TORESINEF-30T，由NagaseChemteXCorporation制造)溶解(在65℃加熱下溶解)在480份的甲醇/正丁醇＝2/1的混合溶液中制備。然后，通過膜過濾器(商品名：FP-022，孔徑：0.22μm，由SumitomoElectricIndustries,Ltd.制造)過濾該溶液，從而制備底涂層用涂布液。將如此制備的底涂層用涂布液通過浸漬涂布施涂到上述導(dǎo)電層上，從而形成涂膜。將該涂膜在烘箱中在100℃下加熱干燥10分鐘。結(jié)果，形成膜厚度為0.45μm的底涂層。隨后，將20份實(shí)施例1-1中得到的羥基鎵酞菁晶體(電荷產(chǎn)生物質(zhì))、0.10份實(shí)例化合物(7)、10份聚乙烯醇縮丁醛(商品名：S-LECBX-1，由SEKISUICHEMICALCO.,LTD.制造)和519份環(huán)己酮裝入使用直徑為1mm的玻璃珠的砂磨機(jī)中，進(jìn)行分散處理4小時(shí)，然后與764份乙酸乙酯混合，從而制備電荷產(chǎn)生層用涂布液。將該電荷產(chǎn)生層用涂布液通過浸漬涂布施涂到底涂層上。將所得涂膜在100℃下干燥10分鐘。結(jié)果，形成膜厚度為0.18μm的電荷產(chǎn)生層。電荷產(chǎn)生層中的化合物(A7)與羥基鎵酞菁晶體中所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為1.49/1。隨后，將70份由下式(9)表示的三芳基胺化合物(空穴輸送物質(zhì))、10份由下式(10)表示的三芳基胺化合物(空穴輸送物質(zhì))、和100份聚碳酸酯(商品名：IupilonZ-200，由MitsubishiEngineering-PlasticsCorporation制造)溶解在630份一氯苯中，從而制備電荷輸送層用涂布液。將該電荷輸送層用涂布液通過浸漬涂布施涂至電荷產(chǎn)生層。將所得涂膜在120℃下干燥1小時(shí)。結(jié)果，形成膜厚度為19μm的電荷輸送層(空穴輸送層)。[化學(xué)式19][化學(xué)式20]對(duì)于導(dǎo)電層、底涂層、電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層的涂膜的熱處理在設(shè)定為各個(gè)溫度的烘箱中進(jìn)行。這同樣適用于以下其他實(shí)施例。由此，制備實(shí)施例2-1中的圓筒狀(鼓狀)電子照相感光構(gòu)件。[實(shí)施例2-2]除了在實(shí)施例2-1中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-1中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-2中得到的羥基鎵酞菁晶體，并將化合物(A7)的量從0.10份變?yōu)?.001份以外，按照實(shí)施例2-1制備實(shí)施例2-2中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A7)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為0.01/1。[實(shí)施例2-3]除了在制備電荷產(chǎn)生層用涂布液期間，將化合物(A7)的量從實(shí)施例2-2中的0.001份變?yōu)?.004份之外，按照實(shí)施例2-2制備實(shí)施例2-3中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的實(shí)例化合物(A7)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為0.04/1。[實(shí)施例2-4]除了在實(shí)施例2-1中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-1中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-3中得到的羥基鎵酞菁晶體，并且不使用0.10份化合物(A7)以外，按照實(shí)施例2-1制備實(shí)施例2-4中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A7)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為0.20/1。[實(shí)施例2-5]除了在制備電荷產(chǎn)生層用涂布液期間，將化合物(A7)的量從實(shí)施例2-2中的0.001份變?yōu)?.042份之外，按照實(shí)施例2-2制備實(shí)施例2-5中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A7)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為0.38/1。[實(shí)施例2-6]除了在實(shí)施例2-1中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-1中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-4中得到的羥基鎵酞菁晶體，并將化合物(A7)的量從0.10份變?yōu)?.0份以外，按照實(shí)施例2-1制備實(shí)施例2-6中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A7)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為2.38/1。[實(shí)施例2-7]除了在制備電荷產(chǎn)生層用涂布液期間，將化合物(A7)的量從實(shí)施例2-2中的0.001份變?yōu)?份以外，按照實(shí)施例2-2制備實(shí)施例2-7中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A7)與羥基鎵酞菁晶體中所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為18.2/1。[實(shí)施例2-8]除了在制備電荷產(chǎn)生層用涂布液期間，將化合物(A7)的量從實(shí)施例2-2中的0.001份變?yōu)?份以外，按照實(shí)施例2-2制備實(shí)施例2-8中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A7)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為54.6/1。[實(shí)施例2-9]除了在實(shí)施例2-4的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-3中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-5中得到的羥基鎵酞菁晶體以外，按照實(shí)施例2-4制備實(shí)施例2-9中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A7)與羥基鎵酞菁晶體中所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為0.21/1。[實(shí)施例2-10]除了如下所述改變實(shí)施例2-1中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備以外，按照實(shí)施例2-1制備實(shí)施例2-10中的電子照相感光構(gòu)件。將實(shí)施例1-6中得到的羥基鎵酞菁晶體(20份)、0.1份N-甲基甲酰胺、10份的聚乙烯醇縮丁醛(商品名：S-LECBX-1)和519份環(huán)己酮裝入使用直徑為1mm的玻璃珠的砂磨機(jī)中，并進(jìn)行4小時(shí)的分散處理。之后，加入764份乙酸乙酯，從而制備電荷產(chǎn)生層用涂布液。將該電荷產(chǎn)生層用涂布液通過浸漬涂布施涂到底涂層上。將所得涂膜在100℃下干燥10分鐘。結(jié)果，形成膜厚度為0.18μm的電荷產(chǎn)生層。羥基鎵酞菁晶體內(nèi)N-甲基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-11]除了在實(shí)施例2-4中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-3中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-7中得到的羥基鎵酞菁晶體以外，按照實(shí)施例2-4制備實(shí)施例2-11中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A16)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為1.02/1。[實(shí)施例2-12]除了在實(shí)施例2-10中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-6中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-8中得到的羥基鎵酞菁晶體，并將N-甲基甲酰胺的量從0.1份變?yōu)?.13份以外，按照實(shí)施例2-10制備實(shí)施例2-12中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A9)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為1.18/1。[實(shí)施例2-13]除了在實(shí)施例2-4的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-3中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-9中得到的羥基鎵酞菁晶體以外，按照實(shí)施例2-4制備實(shí)施例2-13中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A9)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為0.19/1。[實(shí)施例2-14]除了在實(shí)施例2-10中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-6中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-10中得到的羥基鎵酞菁晶體之外，按照實(shí)施例2-10制備實(shí)施例2-14中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，羥基鎵酞菁晶體內(nèi)N-甲基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-15]除了如下所述改變實(shí)施例2-1中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備以外，按照實(shí)施例2-1制備實(shí)施例2-15中的電子照相感光構(gòu)件。將實(shí)施例1-11中得到的羥基鎵酞菁晶體(20份)、0.2份化合物(A26)、0.0006份N-甲基甲酰胺、10份的聚乙烯醇縮丁醛(商品名：S-LECBX-1)和519份環(huán)己酮裝入使用直徑為1mm的玻璃珠的砂磨機(jī)中，并進(jìn)行4小時(shí)的分散處理。之后，加入764份乙酸乙酯，從而制備電荷產(chǎn)生層用涂布液。將該電荷產(chǎn)生層涂布液通過浸漬涂布施涂到底涂層上。將所得涂膜在100℃下干燥10分鐘。結(jié)果，形成膜厚度為0.18μm的電荷產(chǎn)生層。羥基鎵酞菁晶體內(nèi)N-甲基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-16]除了在制備電荷產(chǎn)生層用涂布液期間，將N-甲基甲酰胺的量從實(shí)施例2-15中的0.0006份變?yōu)?.006份以外，按照實(shí)施例2-15制備實(shí)施例2-16中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，羥基鎵酞菁晶體內(nèi)N-甲基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-17]除了在制備電荷產(chǎn)生層用涂布液期間，將N-甲基甲酰胺的量從實(shí)施例2-15中的0.0006份變?yōu)?.06份以外，按照實(shí)施例2-15制備實(shí)施例2-17中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，羥基鎵酞菁晶體內(nèi)N-甲基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-18]除了在電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將N-甲基甲酰胺的量從實(shí)施例2-15中的0.0006份變?yōu)?.6份以外，按照實(shí)施例2-15制備實(shí)施例2-18中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，羥基鎵酞菁晶體內(nèi)N-甲基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-19]除了在制備電荷產(chǎn)生層用涂布液期間，將N-甲基甲酰胺的量從實(shí)施例2-15中的0.0006份變?yōu)?.0份之外，按照實(shí)施例2-15制備實(shí)施例2-19中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，羥基鎵酞菁晶體內(nèi)N-甲基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-20]除了在實(shí)施例2-10中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-6中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-12中得到的羥基鎵酞菁晶體，并將N-甲基甲酰胺的量從0.1份變?yōu)?.056份以外，按照實(shí)施例2-10制備實(shí)施例2-20中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A38)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為1.78/1。[實(shí)施例2-21]除了在實(shí)施例2-4中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-3中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-13中得到的羥基鎵酞菁晶體，按照實(shí)施例2-4制備實(shí)施例2-21中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A66)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為0.09/1。[實(shí)施例2-22]除了在制備實(shí)施例2-10中的電荷產(chǎn)生層用涂布液期間，將20份實(shí)施例1-6中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-14中得到的羥基鎵酞菁晶體，并將N-甲基甲酰胺的量從0.1份變?yōu)?.2份以外，按照實(shí)施例2-10制備實(shí)施例2-22中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，羥基鎵酞菁晶體內(nèi)N-甲基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-23]除了在實(shí)施例2-22的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-14中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-15中得到的羥基鎵酞菁晶體以外，按照實(shí)施例2-22制備實(shí)施例2-23中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，羥基鎵酞菁晶體內(nèi)N-甲基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-24]除了在實(shí)施例2-22的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-14中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-16中獲得的羥基鎵酞菁晶體，按照實(shí)施例2-22制備實(shí)施例2-24中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，羥基鎵酞菁晶體內(nèi)N-甲基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-25]除了在實(shí)施例2-1中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-1中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-17中得到的羥基鎵酞菁晶體，并將0.10份化合物(A7)變?yōu)?.2份化合物(A51)以外，按照實(shí)施例2-1制備實(shí)施例2-25中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A51)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為1.43/1。[實(shí)施例2-26]除了在實(shí)施例2-25的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-17中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-18中得到的羥基鎵酞菁晶體以外，按照實(shí)施例2-25制備實(shí)施例2-26中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A69)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為0.30/1。[實(shí)施例2-27]除了在實(shí)施例2-15中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將0.2份化合物(A26)變?yōu)?.2份化合物(A76)，并將N-甲基甲酰胺的量從0.0006份變?yōu)?.2份以外，按照實(shí)施例2-15制備實(shí)施例2-27中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，羥基鎵酞菁晶體內(nèi)N-甲基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-28]除了在實(shí)施例2-4中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-3中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-19中得到的羥基鎵酞菁晶體以外，按照實(shí)施例2-4制備實(shí)施例2-28中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A10)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為0.35/1。[實(shí)施例2-29]除了在實(shí)施例2-4中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-3中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-20中獲得的羥基鎵酞菁晶體以外，按照實(shí)施例2-4制備實(shí)施例2-29中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A1)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為0.08/1。[實(shí)施例2-30]除了如下所述改變實(shí)施例2-1中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備以外，按照實(shí)施例2-1制備實(shí)施例2-30中的電子照相感光構(gòu)件。將實(shí)施例1-21中獲得的羥基鎵酞菁晶體(20份)、0.2份的N-丙基甲酰胺、10份的聚乙烯醇縮丁醛(商品名：S-LECBX-1)和519份環(huán)己酮裝入使用直徑為1mm的玻璃珠的砂磨機(jī)中，并進(jìn)行4小時(shí)的分散處理。之后，加入764份乙酸乙酯，從而制備電荷產(chǎn)生層用涂布液。通過浸漬涂布將該電荷產(chǎn)生層用涂布液施涂到底涂層上，從而形成涂膜。將涂膜在100℃下干燥10分鐘。結(jié)果，形成膜厚度為0.18μm的電荷產(chǎn)生層。羥基鎵酞菁晶體內(nèi)N-丙基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-31]除了如下所述改變實(shí)施例2-30中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備以外，按照實(shí)施例2-30制備實(shí)施例2-31中的電子照相感光構(gòu)件。將實(shí)施例1-22中獲得的羥基鎵酞菁晶體(20份)、0.14份化合物(A1)、0.2份的N-丙基甲酰胺、10份的聚乙烯醇縮丁醛(商品名：S-LECBX-1)和519份環(huán)己酮裝入使用直徑為1mm的玻璃珠的砂磨機(jī)中，并進(jìn)行4小時(shí)的分散處理。之后，加入764份乙酸乙酯，從而制備電荷產(chǎn)生層用涂布液。通過浸漬涂布將該電荷產(chǎn)生層用涂布液施涂到底涂層上，從而形成涂膜。將涂膜在100℃下干燥10分鐘。結(jié)果，形成膜厚度為0.18μm的電荷產(chǎn)生層。羥基鎵酞菁晶體內(nèi)N-丙基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-32]除了在實(shí)施例2-30中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-21中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-23中得到的羥基鎵酞菁晶體以外，按照實(shí)施例2-30制備實(shí)施例2-32中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，羥基鎵酞菁晶體內(nèi)N-丙基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-33]除了在實(shí)施例2-31的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-22中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-24中得到的羥基鎵酞菁晶體，并將0.14份化合物(A1)變?yōu)?.6份化合物(A54)以外，按照實(shí)施例2-31制備實(shí)施例2-33中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A54)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-丙基甲酰胺的質(zhì)量含量比為2.14/1。[實(shí)施例2-34]除了如下所述改變實(shí)施例2-1中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備以外，按照實(shí)施例2-1制備實(shí)施例2-34中的電子照相感光構(gòu)件。將合成例2中得到的氯鎵酞菁晶體(20份)、1份化合物(A57)、0.2份的N-丙基甲酰胺、10份的聚乙烯醇縮丁醛(商品名：S-LECBX-1)和519份環(huán)己酮裝入使用直徑為1mm的玻璃珠的砂磨機(jī)中，并進(jìn)行4小時(shí)的分散處理。之后，加入764份乙酸乙酯，從而制備電荷產(chǎn)生層用涂布液。通過浸漬涂布將該電荷產(chǎn)生層用涂布液施涂到底涂層上，從而形成涂膜。將涂膜在100℃下干燥10分鐘。結(jié)果，形成膜厚度為0.18μm的電荷產(chǎn)生層。氯鎵酞菁晶體內(nèi)N-丙基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-35]除了在實(shí)施例2-34中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將1份化合物(A57)變?yōu)?.15份化合物(A7)，并將0.2份N-丙基甲酰胺變?yōu)?.074份N-甲基甲酰胺以外，按照實(shí)施例2-34制備實(shí)施例2-35中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，氯鎵酞菁晶體內(nèi)N-甲基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-36]除了在實(shí)施例2-2中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將0.001份化合物(A7)變?yōu)?.2份化合物(A85)以外，按照實(shí)施例2-2制備實(shí)施例2-36中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A85)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為1.82/1。[實(shí)施例2-37]除了如下所述改變實(shí)施例2-33中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備以外，按照實(shí)施例2-33制備實(shí)施例2-37中的電子照相感光構(gòu)件。將實(shí)施例1-24中得到的羥基鎵酞菁晶體(20份)、0.2份化合物(A163)、1.72份的N-丙基甲酰胺、10份的聚乙烯醇縮丁醛(商品名：S-LECBX-1)和519份環(huán)己酮裝入使用直徑為1mm的玻璃珠的砂磨機(jī)中，并進(jìn)行4小時(shí)的分散處理。之后，加入764份乙酸乙酯，從而制備電荷產(chǎn)生層用涂布液。通過浸漬涂布將該電荷產(chǎn)生層涂布液施涂到底涂層上，從而形成涂膜。將涂膜在100℃下干燥10分鐘。結(jié)果，形成膜厚度為0.18μm的電荷產(chǎn)生層。電荷產(chǎn)生層中的化合物(A163)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-丙基甲酰胺的質(zhì)量含量比為0.71/1。[實(shí)施例2-38]除了在制備實(shí)施例2-37中的電荷產(chǎn)生層用涂布液期間，將0.2份化合物(A163)變?yōu)?.2份化合物(A100)以外，按照實(shí)施例2-37制備實(shí)施例2-38中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A100)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-丙基甲酰胺的質(zhì)量含量比為0.71/1。[實(shí)施例2-39]除了在實(shí)施例2-33中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-24中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-25中得到的羥基鎵酞菁晶體，并將0.6份化合物(A54)變?yōu)?.2份化合物(A5)以外，按照實(shí)施例2-33制備實(shí)施例2-39中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的實(shí)例化合物(5)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-丙基甲酰胺的質(zhì)量含量比為1.45/1。[實(shí)施例2-40]除了如下所述改變實(shí)施例2-30中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備以外，按照實(shí)施例2-30制備實(shí)施例2-40中的電子照相感光構(gòu)件。將實(shí)施例1-11中得到的羥基鎵酞菁晶體(20份)、0.2份化合物(A53)、2.0份的N-丙基甲酰胺、10份的聚乙烯醇縮丁醛(商品名：S-LECBX-1)和519份環(huán)己酮裝入使用直徑為1mm的玻璃珠的砂磨機(jī)中，并進(jìn)行4小時(shí)的分散處理。之后，加入764份乙酸乙酯，從而制備電荷產(chǎn)生層用涂布液。通過浸漬涂布將該電荷產(chǎn)生層用涂布液施涂到底涂層上，從而形成涂膜。將涂膜在100℃下干燥10分鐘。結(jié)果，形成膜厚度為0.18μm的電荷產(chǎn)生層。羥基鎵酞菁晶體內(nèi)N-丙基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-41]除了在實(shí)施例2-4中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-3中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-26中得到的羥基鎵酞菁晶體以外，按照實(shí)施例2-4制備實(shí)施例2-41中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A111)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的含量比為3.72/1。[實(shí)施例2-42]除了在實(shí)施例2-40的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將0.2份化合物(A53)變?yōu)?.2份化合物(A131)，并將N-丙基甲酰胺的量從2.0份變?yōu)?.2份以外，按照實(shí)施例2-40制備實(shí)施例2-42中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，羥基鎵酞菁晶體內(nèi)N-丙基甲酰胺的含量為0。[實(shí)施例2-43]除了在實(shí)施例2-25的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將20份實(shí)施例1-17中得到的羥基鎵酞菁晶體變?yōu)?0份實(shí)施例1-27中得到的羥基鎵酞菁晶體以外，按照實(shí)施例2-25制備實(shí)施例2-43中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中的化合物(A141)與羥基鎵酞菁晶體內(nèi)所含的N-甲基甲酰胺的質(zhì)量含量比為0.32/1。[實(shí)施例2-44]除了在實(shí)施例2-40的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備期間，將0.2份化合物(A53)變?yōu)?.2份化合物(A138)，并將N-丙基甲酰胺的量從2.0份變?yōu)?.2份以外，按照實(shí)施例2-40制備實(shí)施例2-44中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，羥基鎵酞菁晶體內(nèi)N-丙基甲酰胺的含量為0。[比較例2-1]除了如下所述改變實(shí)施例2-1中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備以外，按照實(shí)施例2-1制備比較例2-1中的電子照相感光構(gòu)件。將實(shí)施例1-11中得到的羥基鎵酞菁晶體(20份)、10份聚乙烯醇縮丁醛(商品名：S-LECBX-1)和519份環(huán)己酮裝入使用直徑為1mm的玻璃珠的砂磨機(jī)中，并進(jìn)行4小時(shí)的分散處理。之后，加入764份乙酸乙酯，從而制備電荷產(chǎn)生層用涂布液。通過浸漬涂布將該電荷產(chǎn)生層用涂布液施涂到底涂層上，從而形成涂膜。將涂膜在100℃下干燥10分鐘。結(jié)果，形成膜厚度為0.18μm的電荷產(chǎn)生層。電荷產(chǎn)生層中的含氮雜環(huán)化合物的含量和電荷產(chǎn)生層中由式(1)表示的酰胺化合物的含量均為0。[比較例2-2]除了不使用實(shí)施例2-15中用于制備電荷產(chǎn)生層用涂布液的0.0006份N-甲基甲酰胺以外，按照實(shí)施例2-15制備比較例2-2中的電子照相感光構(gòu)件。此時(shí)，電荷產(chǎn)生層中由式(1)表示的酰胺化合物的含量為0。[比較例2-3]除了如下所述改變實(shí)施例2-1中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備之外，按照實(shí)施例2-1制備比較例2-3中的電子照相感光構(gòu)件。將比較例1-1中得到的羥基鎵酞菁晶體(20份)、10份聚乙烯醇縮丁醛(商品名：S-LECBX-1)和519份環(huán)己酮裝入使用直徑為1mm的玻璃珠的砂磨機(jī)中，并進(jìn)行4小時(shí)的分散處理。之后，加入764份乙酸乙酯，從而制備電荷產(chǎn)生層用涂布液。將該電荷產(chǎn)生層用涂布液通過浸漬涂布施涂到底涂層上。將所得涂膜在100℃下干燥10分鐘。結(jié)果，形成膜厚度為0.18μm的電荷產(chǎn)生層。電荷產(chǎn)生層中的含氮雜環(huán)化合物的含量和電荷產(chǎn)生層中由式(1)表示的酰胺化合物的含量均為0。[比較例2-4]除了如下所述改變實(shí)施例2-1中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備以外，按照實(shí)施例2-1制備比較例2-4中的電子照相感光構(gòu)件。將比較例1-1中得到的羥基鎵酞菁晶體(20份)、0.5份N-甲基甲酰胺、10份的聚乙烯醇縮丁醛(商品名：S-LECBX-1)和519份環(huán)己酮裝入使用直徑為1mm的玻璃珠的砂磨機(jī)中，并進(jìn)行4小時(shí)的分散處理。之后，加入764份乙酸乙酯，從而制備電荷產(chǎn)生層用涂布液。通過浸漬涂布將該電荷產(chǎn)生層用涂布液施涂到底涂層上，從而形成涂膜。將涂膜在100℃下干燥10分鐘。結(jié)果，形成膜厚度為0.18μm的電荷產(chǎn)生層。電荷產(chǎn)生層中的含氮雜環(huán)化合物的含量和羥基鎵酞菁晶體內(nèi)的N-甲基甲酰胺的含量均為0。[比較例2-5]除了如下所述改變實(shí)施例2-1中的電荷產(chǎn)生層用涂布液的制備以外，按照實(shí)施例2-1制備比較例2-5中的電子照相感光構(gòu)件。將由下式(11)表示的雙偶氮顏料(20份)、0.2份化合物(A7)、0.1份N-甲基甲酰胺、8份的聚乙烯醇縮丁醛(商品名：S-LECBX-1)和380份環(huán)己酮裝入使用直徑為0.8mm的玻璃珠的砂磨機(jī)中，并進(jìn)行20小時(shí)的分散處理。之后，加入640份乙酸乙酯，從而制備電荷產(chǎn)生層用涂布液。通過浸漬涂布將該電荷產(chǎn)生層用涂布液施涂到底涂層上，從而形成涂膜。將涂膜在80℃下干燥10分鐘。結(jié)果，形成膜厚度為0.28μm的電荷產(chǎn)生層。[化學(xué)式21][實(shí)施例2-1至2-44和比較例2-1至2-5的評(píng)價(jià)]對(duì)實(shí)施例2-1至2-44和比較例2-1至2-5中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件進(jìn)行圖像評(píng)價(jià)。用于評(píng)價(jià)的電子照相設(shè)備是激光束打印機(jī)LaserJet4700(由Hewlett-PackardCompany制造)，其被改造為允許在黑點(diǎn)、起霧和濃度不均勻方面評(píng)價(jià)。改造該打印機(jī)，使暗區(qū)電位設(shè)定為-700V。將每個(gè)生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件在32.5℃的溫度和80％RH的濕度的高溫和高濕環(huán)境中放置24小時(shí)，隨后安裝到用于激光打印機(jī)的青色處理盒。該青色處理盒安裝在激光打印機(jī)內(nèi)的青色處理盒站上。激光束打印機(jī)被設(shè)置為在沒有其它顏色用的處理盒安裝在激光束打印機(jī)的主體上的情況下操作。在相同的環(huán)境中，打印用于評(píng)價(jià)的圖像。以如下方式進(jìn)行黑點(diǎn)和起霧的評(píng)價(jià)：將實(shí)心白色圖像打印在光澤紙上，目視檢查打印圖像的缺陷，并評(píng)價(jià)為A至F等級(jí)。等級(jí)A對(duì)應(yīng)于在圖像中沒有觀察到黑點(diǎn)的打印圖像。等級(jí)B、等級(jí)C、等級(jí)D和等級(jí)E分別對(duì)應(yīng)于在換算為電子照相感光構(gòu)件的旋轉(zhuǎn)一周的區(qū)域中具有直徑(φ)為0.3mm以下的黑點(diǎn)為1至2個(gè)、3至4個(gè)、5至10個(gè)和11至20個(gè)的圖像。類似地，等級(jí)F對(duì)應(yīng)于具有直徑(φ)為0.3mm以下的黑點(diǎn)為21個(gè)以上的圖像。其中，E和F被判斷為對(duì)應(yīng)于不充分提供根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)的情況的水平。通過打印具有一個(gè)點(diǎn)和一個(gè)間隔的點(diǎn)濃度的半色調(diào)圖像來進(jìn)行濃度不均勻的評(píng)價(jià)，并將打印圖像進(jìn)行感官測(cè)試。評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1。表1黑點(diǎn)和起霧的評(píng)價(jià)濃度不均勻的評(píng)價(jià)實(shí)施例2-1A非常好實(shí)施例2-2C好實(shí)施例2-3C好實(shí)施例2-4A好實(shí)施例2-5B好實(shí)施例2-6B非常好實(shí)施例2-7B非常好實(shí)施例2-8C好實(shí)施例2-9B好實(shí)施例2-10B好實(shí)施例2-11A好實(shí)施例2-12A好實(shí)施例2-13B好實(shí)施例2-14B好實(shí)施例2-15D好實(shí)施例2-16D好實(shí)施例2-17D好實(shí)施例2-18D好實(shí)施例2-19D好實(shí)施例2-20A非常好實(shí)施例2-21A好實(shí)施例2-22B好實(shí)施例2-23C好實(shí)施例2-24C好實(shí)施例2-25C非常好實(shí)施例2-26C好實(shí)施例2-27D好實(shí)施例2-28B好實(shí)施例2-29B好實(shí)施例2-30C好實(shí)施例2-31C好實(shí)施例2-32C好實(shí)施例2-33D好實(shí)施例2-34D好實(shí)施例2-35D好實(shí)施例2-36C非常好實(shí)施例2-37D好實(shí)施例2-38D好實(shí)施例2-39D好實(shí)施例2-40D好實(shí)施例2-41A非常好實(shí)施例2-42D好實(shí)施例2-43D好實(shí)施例2-44D好比較例2-1F濃度不均勻比較例2-2E濃度不均勻比較例2-3E濃度不均勻比較例2-4E好比較例2-5F濃度不均勻本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式。在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以進(jìn)行各種改變和修改。因此，為了使本發(fā)明的范圍公開，附上權(quán)利要求。附圖標(biāo)記列表1電子照相感光構(gòu)件2軸3充電單元4圖像曝光光5顯影單元6轉(zhuǎn)印單元7轉(zhuǎn)印材料8圖像定影單元9清潔單元10預(yù)曝光光11處理盒12引導(dǎo)單元當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3