專利名稱：液晶顯示單元的制作方法
液晶顯不單兀
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種液晶顯示單元，且特別是有關(guān)于一種采用具有準(zhǔn)等向性 (quasi-isotropic) 的液晶層的液晶顯示單元。
背景技術(shù)：
在顯示器的發(fā)展上，隨著光電技術(shù)與半導(dǎo)體制造技術(shù)的進(jìn)步，具有高畫質(zhì)、空間利 用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的液晶顯示器已逐漸成為市場的主流。目前較 常使用于液晶顯示器中的液晶材料包括垂直配向液晶(vertically aligned LC)、扭轉(zhuǎn)向 列液晶(twisted nematic LC)、膽固醇液晶等。由于不同的液晶具有不同的光學(xué)與電氣特 性，因此針對不同種類的液晶分子，需采用不同設(shè)計(jì)的主動組件數(shù)組基板，以使顯示品質(zhì)最 佳化。圖IA為垂直配向液晶的電壓-穿透率曲線。請參照圖1A，當(dāng)垂直配向液晶受到 不同的電壓驅(qū)動時，其穿透率會有所變化。以能夠顯示256種色階的液晶顯示面板為例，穿 透率為100%所對應(yīng)到的電壓值被定義為灰階L255的驅(qū)動電壓A^255，而穿透率為0%所對 應(yīng)到的電壓值可被定義為灰階LO的驅(qū)動電壓VM。由圖IA可知，當(dāng)施加于液晶的驅(qū)動電壓 \255稍有偏移時，液晶的穿透率不容易出現(xiàn)很大幅度的變化，因此液晶顯示面板在顯示灰 階L255時，顯示品質(zhì)十分穩(wěn)定。圖IB為具有克爾效應(yīng)的液晶的電壓-穿透率曲線。請參照圖IA與圖1Β，具有克 爾效應(yīng)的液晶(如藍(lán)相液晶)與垂直配向液晶的光學(xué)與電氣特性不同，具有克爾效應(yīng)的液 晶的穿透率會隨著電壓的增加而呈現(xiàn)高低震蕩的現(xiàn)象。以能夠顯示256種色階的液晶顯示 面板為例，穿透率為100%所對應(yīng)到的電壓值被定義為灰階L255的驅(qū)動電壓I255，而穿透率 為0%所對應(yīng)到的電壓值可被定義為灰階LO的驅(qū)動電壓VM。由圖IB可知，當(dāng)施加于液晶 的驅(qū)動電壓\255稍有偏移時，液晶的穿透率便會出現(xiàn)很大幅度的變化，因此液晶顯示面板 在顯示灰階L255時，顯示品質(zhì)不穩(wěn)定。承上述，如何改善前述顯示品質(zhì)不穩(wěn)定的問題，實(shí)為此領(lǐng)域研發(fā)的重點(diǎn)議題之一。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種液晶顯示單元，其使用具有準(zhǔn)等向性(quasi-isotropic)液晶層。本發(fā)明提供一種液晶顯示單元，其包括畫素單元以及準(zhǔn)等向性液晶層。畫素單元 包括多個子畫素單元，各個子畫素單元至少具有第一穿透區(qū)與第二穿透區(qū)，且各個子畫素 單元包括開關(guān)組件、畫素電極以及共通電極。畫素電極與開關(guān)組件電性連接，且畫素電極具 有多個第一條狀圖案。共通電極與畫素電極電性絕緣，共通電極具有多個第二條狀圖案，而 第一條狀圖案與第二條狀圖案交替排列。在第一穿透區(qū)內(nèi)，各個第一條狀圖案的寬度為Ll， 而各個第一條狀圖案與相鄰的第二條狀圖案之間的間隙為Si。在第二穿透區(qū)內(nèi)，各個第一 條狀圖案的寬度為L2，而各個第一條狀圖案與相鄰的第二條狀圖案之間的間隙為S2，其中Ll乒L2或Sl乒S2或L1/S1 Φ L2/S2。準(zhǔn)等向性液晶層配置于子畫素單元上方，且準(zhǔn)等向 性液晶層在未施加電壓時為光學(xué)等向(optically isotropic)，且該準(zhǔn)等向性液晶層在被 施加電壓時為光學(xué)異向性(optically anisotropic)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，準(zhǔn)等向性液晶層的復(fù)折射率(Δη)例如系正比于畫素電 極與共通電極的間的電場(E)，或者準(zhǔn)等向性液晶層的復(fù)折射率(Δη)系正比于畫素電極 與共通電極的間的電場的平方(Ε2)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的開關(guān)組件包括一晶體管，而第一條狀圖案彼此電 性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的開關(guān)組件包括二晶體管，第一條狀圖案構(gòu)成二彼 此電性絕緣的子畫素電極，而各晶體管分別與其中一子畫素電極電性連接，且屬于同一子 畫素電極的部分第一條狀圖案彼此電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的其中一個子畫素電極位于第一穿透區(qū)內(nèi)，而另一 個子畫素電極位于第二穿透區(qū)內(nèi)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的第一穿透區(qū)內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層的電壓-穿透率 曲線VTl以及位于第二穿透區(qū)內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層的電壓-穿透率曲線VT2不同。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的各個第一穿透區(qū)的面積為Al，各個第二穿透區(qū) 的面積為Α2，而各個子畫素單元內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層的等效電壓-穿透率曲線VT = [(VTl X Al) + (VT2 X Α2) ] / (Α1+Α2)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的Ll = L2，而Sl ^ S2。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的第一穿透區(qū)的面積實(shí)質(zhì)上等于第二穿透區(qū)的面 積。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的第一穿透區(qū)的面積不等于第二穿透區(qū)的面積。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的準(zhǔn)等向性液晶層為藍(lán)相液晶。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的各個子畫素單元可進(jìn)一步具有一第三穿透區(qū)，在 第三穿透區(qū)內(nèi)，各個第一條狀圖案的寬度為L3，而各個第一條狀圖案與相鄰的第二條狀圖 案之間的間隙為S3，且L1/S1乒L2/S2 Φ L3/S3。舉例而言，Ll = L2 = L3，而Sl乒S2乒S3。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的開關(guān)組件包括一晶體管，而第一條狀圖案彼此電 性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的開關(guān)組件包括三晶體管，第一條狀圖案構(gòu)成三個 彼此電性絕緣的子畫素電極，而各晶體管分別與其中一子畫素電極電性連接，屬于同一子 畫素電極的部分第一條狀圖案彼此電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的位于第一穿透區(qū)內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層的電壓-穿 透率曲線VT1、位于第二穿透區(qū)內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層的電壓-穿透率曲線VT2以及位于第三 穿透區(qū)內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層的電壓-穿透率曲線VT3不同。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的各個第一穿透區(qū)的面積為Al，各個第二穿透區(qū)的 面積為Α2，各個第三穿透區(qū)的面積為A3，而各個子畫素單元內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層的等效電 壓-穿透率曲線 VT = [ (VTl X Al) + (VT2 X Α2) + (VT3 X A3) ] / (Α1+Α2+Α3)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的準(zhǔn)等向性液晶層的克爾系數(shù)為le-8，準(zhǔn)等向性液 晶層適于通過一驅(qū)動電壓V驅(qū)動，驅(qū)動電壓V位在一驅(qū)動電壓區(qū)間內(nèi)，而驅(qū)動電壓區(qū)間由一最低驅(qū)動電壓Vmin與一最高驅(qū)動電壓Vmax所定義，當(dāng)準(zhǔn)等向性液晶層被最高驅(qū)動電壓 Vmax驅(qū)動時，各個子畫素單元中的準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為Tmax，而當(dāng)各個子畫素單元 中的準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為Tmax的99%時，驅(qū)動電壓V與最大驅(qū)動電壓Vmax的差為 AV，且(AV/Vmax) > 2. 9%。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的準(zhǔn)等向性液晶層的克爾系數(shù)為le-8，準(zhǔn)等向性液 晶層適于通過一驅(qū)動電壓V驅(qū)動，驅(qū)動電壓V位在一驅(qū)動電壓區(qū)間內(nèi)，而驅(qū)動電壓區(qū)間由 一最低驅(qū)動電壓Vmin與一最高驅(qū)動電壓Vmax所定義，當(dāng)準(zhǔn)等向性液晶層被最高驅(qū)動電壓 Vmax驅(qū)動時，各個子畫素單元中的準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為Tmax，而當(dāng)各個子畫素單元 中的準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為Tmax的97%時，驅(qū)動電壓V與最大驅(qū)動電壓Vmax的差為 AV，且(AV/Vmax) > 5. 4%。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的準(zhǔn)等向性液晶層的克爾系數(shù)為le-9，準(zhǔn)等向性液 晶層適于通過一驅(qū)動電壓V驅(qū)動，驅(qū)動電壓V位在一驅(qū)動電壓區(qū)間內(nèi)，而驅(qū)動電壓區(qū)間由 一最低驅(qū)動電壓Vmin與一最高驅(qū)動電壓Vmax所定義，當(dāng)準(zhǔn)等向性液晶層被最高驅(qū)動電壓 Vmax驅(qū)動時，各個子畫素單元中的準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為Tmax，而當(dāng)各個子畫素單元 中的準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為Tmax的99%時，驅(qū)動電壓V與最大驅(qū)動電壓Vmax的差為 AV，且(AV/Vmax) > 3. 8%。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，前述的準(zhǔn)等向性液晶層的克爾系數(shù)為le-9，準(zhǔn)等向性液 晶層適于通過一驅(qū)動電壓V驅(qū)動，驅(qū)動電壓V位在一驅(qū)動電壓區(qū)間內(nèi)，而驅(qū)動電壓區(qū)間由 一最低驅(qū)動電壓Vmin與一最高驅(qū)動電壓Vmax所定義，當(dāng)準(zhǔn)等向性液晶層被最高驅(qū)動電壓 Vmax驅(qū)動時，各個子畫素單元中的準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為Tmax，而當(dāng)各個子畫素單元 中的準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為Tmax的97%時，驅(qū)動電壓V與最大驅(qū)動電壓Vmax的差為 AV，且(AV/Vmax) > 6. 4%。本發(fā)明通過改變畫素電極的寬度/間隙比(L/S)，可以使不同穿透區(qū)內(nèi)的液晶的 電壓_穿透曲線出現(xiàn)差異，進(jìn)而改變液晶顯示單元的等效電壓-穿透曲線。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式 作詳細(xì)說明如下。

圖IA為垂直配向液晶的電壓_穿透率曲線。圖IB為具有克爾效應(yīng)的液晶的電壓_穿透率曲線。圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示單元的示意圖。圖3A為圖2中的第一穿透區(qū)與第二穿透區(qū)內(nèi)的液晶的電壓_穿透率曲線。圖3B為圖2中的子畫素單元內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層的等效電壓_穿透率曲線。圖3C為圖3B中等效電壓-穿透率曲線在電壓為Vmax處的放大圖。圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的液晶顯示單元的示意圖。圖5與圖6為本發(fā)明其它實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。主要組件符號說明100 液晶顯示單元11 0U10'畫素單元
112,112'子畫素單元120:準(zhǔn)等向性液晶層SW:開關(guān)組件
P:畫素電極Pl 第一條狀圖案C:共通電極P2 第二條狀圖案Tl 第一穿透區(qū)T2 第二穿透區(qū)T3 第三穿透區(qū)L1、L2、L3:寬度S1、S2、S3:間隙A1、A2、A3:面積VT1、VT2、VT3 電壓-穿透率曲線VT 等效電壓-穿透率曲線Vmin:最低驅(qū)動電壓Vmax:最高驅(qū)動電壓V、V(97% )、V(99% )驅(qū)動電壓Tmax、T (97 % )、T (99 % )穿透率AV(97% )、Δν(99% )電壓差
具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示單元的示意圖。請參照圖2，本實(shí)施例的液 晶顯示單元100包括畫素單元110以及準(zhǔn)等向性液晶層120。畫素單元110包括多個子畫 素單元112，各個子畫素單元112至少具有第一穿透區(qū)Tl與第二穿透區(qū)Τ2，且各個子畫素 單元112包括開關(guān)組件SW、畫素電極P以及共通電極C。畫素電極P與開關(guān)組件SW電性連 接，且畫素電極P具有多個第一條狀圖案Ρ1。共通電極C與畫素電極P電性絕緣，共通電 極C具有多個第二條狀圖案Ρ2，而第一條狀圖案Pl與第二條狀圖案Ρ2交替排列。在第一 穿透區(qū)Tl內(nèi)，各個第一條狀圖案Pl的寬度為Li，而各個第一條狀圖案Pl與相鄰的第二條 狀圖案Ρ2之間的間隙為Si。在第二穿透區(qū)Τ2內(nèi)，各個第一條狀圖案Pl的寬度為L2，而各 個第一條狀圖案Pl與相鄰的第二條狀圖案Ρ2之間的間隙為S2，且Ll興L2或Sl興S2或 L1/S1 Φ L2/S2。準(zhǔn)等向性液晶層120配置于子畫素單元112上方，且準(zhǔn)等向性液晶層120 在未施加電壓時為光學(xué)等向(optically isotropic)，且該準(zhǔn)等向性液晶層120在被施加 電壓時為光學(xué)異向性(optically anisotropic)。在本實(shí)施例中，在第一穿透區(qū)Tl內(nèi)，各個第二條狀圖案P2的寬度實(shí)質(zhì)上可以等于 第一條狀圖案Pl的寬度(即二者皆為Li)，當(dāng)然，各個第二條狀圖案P2的寬度亦可以不等 于第一條狀圖案Pl的寬度。同樣地，在第二穿透區(qū)T2內(nèi)，各個第二條狀圖案P2的寬度實(shí) 質(zhì)上可以等于第一條狀圖案Pl的寬度(即二者皆為Li)，當(dāng)然，各個第二條狀圖案P2的寬度亦可以不等于第一條狀圖案Pi的寬度。舉例而言，在第一穿透區(qū)Tl內(nèi)，若第一條狀圖案 Pl的寬度約為3微米，則第二條狀圖案P2的寬度可實(shí)質(zhì)上介于2微米至5微米之間；在第 二穿透區(qū)T2內(nèi)，若第一條狀圖案Pl的寬度約為3微米，則第二條狀圖案P2的寬度可實(shí)質(zhì) 上介于2微米至5微米之間。當(dāng)然，第一條狀圖案Pl與第二條狀圖案P2的寬度設(shè)計(jì)不以 前述的數(shù)值為限，本實(shí)施例可透過第一條狀圖案Pl的寬度與第二條狀圖案P2的寬度之間 的關(guān)系來調(diào)整第一穿透區(qū)Tl以及第二穿透區(qū)T2內(nèi)的電壓-穿透率曲線VT1、VT2。
舉例而言，準(zhǔn)等向性液晶層120的復(fù)折射率(Δη)實(shí)質(zhì)上正比于畫素電極P與共 通電極C之間的電場(E)，或者準(zhǔn)等向性液晶層120的復(fù)折射率(Δη)實(shí)質(zhì)上正比于畫素電 極P與共通電極C之間的電場的平方(Ε2)。在本實(shí)施例中，準(zhǔn)等向性液晶層120例如為藍(lán) 相液晶或者是其它液晶材料。在本實(shí)施例中，各個子畫素單元112中的開關(guān)組件SW例如為一晶體管，而此晶體 管系與第一條狀圖案Pl電性連接。換言之，子畫素單元112中的第一穿透區(qū)Tl與第二穿 透區(qū)Τ2中的第一條狀圖案Pl皆與同一個晶體管電性連接，而具有相同的電壓。然而，本發(fā) 明并不限定所使用的晶體管的數(shù)量以及畫素電極P的型態(tài)。在其它可行的實(shí)施例中，部分位于第一穿透區(qū)Tl內(nèi)的第一條狀圖案Pl構(gòu)成一個 子畫素電極，而其余位于第二穿透區(qū)Τ2內(nèi)的第一條狀圖案Pl構(gòu)成另一個子畫素電極，且分 別位于第一穿透區(qū)Tl與第二穿透區(qū)Τ2內(nèi)的二子畫素電極彼此電性絕緣。為了個別驅(qū)動位 于第一穿透區(qū)Tl與第二穿透區(qū)Τ2內(nèi)的二子畫素電極，各個子畫素單元112中的開關(guān)組件 SW包括二晶體管，其中一晶體管與位于第一穿透區(qū)Tl內(nèi)的子畫素電極電性連接，而另一晶 體管則與位于第二穿透區(qū)Τ2內(nèi)的子畫素電極電性連接。承上述，本發(fā)明不限定各個子畫素 單元112中子畫素電極的數(shù)量，此領(lǐng)域具有通常知識者可根據(jù)產(chǎn)品的實(shí)際需求，而對子畫 素單元112的布局(layout)作適當(dāng)?shù)母鼊?。在本?shí)施例中，在第一穿透區(qū)Tl與第二穿透區(qū)T2中，第一條狀圖案Pl與第二條 狀圖案P2具有近似或相同的寬度，即Ll N L2。此外，在第一穿透區(qū)Tl與第二穿透區(qū)T2中， 第一條狀圖案Pl與相鄰的第二條狀圖案P2之間的間隙不相同，即Sl Φ S2。舉例而言，Li， L2約為3微米，Sl約為3微米，而S2約為5微米。換言之，本實(shí)施例中的L1/S1約為3微 米/3微米，而L2/S2約為3微米/5微米。然而，本發(fā)明并不限定第一穿透區(qū)Tl與第二穿 透區(qū)Τ2中的第一條狀圖案Pl與第二條狀圖案Ρ2必須具有相同的寬度，任何滿足Ll興L2 或Sl興S2或Ll/Sl ^ L2/S2的不等式的L1、L2、S1、S2，皆應(yīng)屬于本發(fā)明所欲涵蓋的范疇。 舉例而言，當(dāng)L1/S1約為3微米/3微米，而L2/S2約為6微米/6微米時，雖Ll/Sl = L2/ S2，但仍滿足Ll興L2或Sl興S2，因此其仍為本發(fā)明所欲涵蓋的范疇。簡言之，只要Ll與 Sl的搭配與L2與S2的搭配有所差異，皆應(yīng)屬于本發(fā)明所欲涵蓋的范疇。圖3A為圖2中的第一穿透區(qū)與第二穿透區(qū)內(nèi)的液晶的電壓-穿透率曲線，而圖3B 為圖2中的子畫素單元內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層的等效電壓_穿透率曲線。請參照圖2與圖 3A，當(dāng)L1/S1約為3微米/3微米，而L2/S2約為3微米/5微米時，第一穿透區(qū)Tl內(nèi)的準(zhǔn)等 向性液晶層120的電壓-穿透率曲線VTl以及第二穿透區(qū)T2內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層120的 電壓_穿透率曲線VT2明顯不同。由于各個子畫素單元112中的第一穿透區(qū)Tl與第二穿 透區(qū)T2的面積很小，人眼視覺難以清楚地辨識出第一穿透區(qū)Tl與第二穿透區(qū)T2，因此對 于使用者而言，各個子畫素單元112所顯示的灰階與等效電壓_穿透率曲線VT(繪示于圖3B)相關(guān)，而各個子畫素單元112內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層的等效電壓_穿透率曲線VT則與電 壓_穿透率曲線VT1、電壓-穿透率曲線VT2、各個子畫素單元112內(nèi)的第一穿透區(qū)Tl的面 積Al、各個子畫素單元112內(nèi)的第二穿透區(qū)T2的面積A2相關(guān)。詳言之，各個子畫素單元 112內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層的等效電壓-穿透率曲線VT可以經(jīng)由下列關(guān)系式⑴計(jì)算而得。
VT= [ (VTl X Al) + (VT2 X A2) ] / (A1+A2) — (1)當(dāng)各個子畫素單元112內(nèi)的第一穿透區(qū)Tl與第二穿透區(qū)T2的具有近似或相同面 積時(即Al ·=Λ2)，子畫素單元112內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層的等效電壓-穿透率曲線ντ如 圖3Β所示。從圖3Β中的等效電壓-穿透率曲線VT可知，當(dāng)準(zhǔn)等向性液晶層受到電壓Vmax 驅(qū)動，但施加于準(zhǔn)等向性液晶層的驅(qū)動電壓Vmax稍有偏移時，準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率不 會出現(xiàn)很大幅度的變化，因此本實(shí)施例的液晶顯示單元具有十分穩(wěn)定的顯示品質(zhì)。值得注意的是，本發(fā)明并不限定的第一穿透區(qū)Tl的面積Al必須等于第二穿透區(qū) Τ2的面積Α2。此領(lǐng)域具有通常知識者可根據(jù)產(chǎn)品的實(shí)際需求，而對第一穿透區(qū)Tl與第二 穿透區(qū)Τ2的面積進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，以獲得所需的等效電壓_穿透率曲線VT。圖3C為圖3Β中等效電壓-穿透率曲線在電壓為Vmax處的放大圖。請參照圖3Β 與圖3C，以克爾系數(shù)為le-8的準(zhǔn)等向性液晶層為例，準(zhǔn)等向性液晶層適于通過一驅(qū)動電壓 V驅(qū)動，驅(qū)動電壓V位在一驅(qū)動電壓區(qū)間內(nèi)，而驅(qū)動電壓區(qū)間由一最低驅(qū)動電壓Vmin與一最 高驅(qū)動電壓Vmax所定義，當(dāng)準(zhǔn)等向性液晶層被一電壓驅(qū)動，各個子畫素單元中的準(zhǔn)等向性 液晶層的穿透率為Tmax時，此驅(qū)動電壓則定義為Vmax，而當(dāng)各個子畫素單元中的準(zhǔn)等向性 液晶層的穿透率約為Tmax的99% (即T(99% ))時，驅(qū)動電壓V(99% )與最大驅(qū)動電壓 Vmax的差約為Δ V(99%)，且(Δ V(99% )/Vmax)約大于2.9%。此外，當(dāng)各個子畫素單元 中的準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率約為Tmax的97% (即Τ(97%))時，驅(qū)動電壓V(97%)與最 大驅(qū)動電壓Vmax的差約為Δ V(97%)，且(Δ V(97% )/Vmax)約大于5.4%。以克爾系數(shù)為le-9的準(zhǔn)等向性液晶層為例，準(zhǔn)等向性液晶層適于通過一驅(qū)動電 壓V驅(qū)動，驅(qū)動電壓V位在一驅(qū)動電壓區(qū)間內(nèi)，而驅(qū)動電壓區(qū)間由一最低驅(qū)動電壓Vmin與 一最高驅(qū)動電壓Vmax所定義，當(dāng)準(zhǔn)等向性液晶層被一驅(qū)動電壓驅(qū)動時，各個子畫素單元中 的準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為Tmax時，此驅(qū)動電壓則定義為Vmax，而當(dāng)各個子畫素單元中 的準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率約為Tmax的99% (即T(99%))時，驅(qū)動電壓V(99%)與最大 驅(qū)動電壓Vmax的差約為Δν(99% )，且(AV(99% )/Vmax)約大于3. 8%。此外，當(dāng)準(zhǔn)等向 性液晶層被最高驅(qū)動電壓Vmax驅(qū)動時，各個子畫素單元中的準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為 Tmax，而當(dāng)各個子畫素單元中的準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率約為Tmax的97% (即T(97% )) 時，驅(qū)動電壓V (97%)與最大驅(qū)動電壓Vmax的差約為AV(97%)，且(Δ V (97 % )/Vmax) 約大于6.4%。第二實(shí)施例圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例的液晶顯示單元的示意圖。請參照圖2與圖4，本實(shí)施例 的畫素單元110’與第一實(shí)施例的畫素單元110類似，惟二者主要差異在于本實(shí)施例的各 個子畫素單元112’包括第一穿透區(qū)Tl、第二穿透區(qū)T2以及第三穿透區(qū)T3，在第三穿透區(qū) T3內(nèi)，各個第一條狀圖案Pl的寬度為L3，而各個第一條狀圖案Pl與相鄰的第二條狀圖案 P2之間的間隙為S3，且Ll乒L2乒L3或Sl乒S2乒S3或L1/S1 Φ L2/S2 Φ L3/S3。在第 三穿透區(qū)Τ3內(nèi)，各個第二條狀圖案Ρ2的寬度可以實(shí)質(zhì)上等于第一條狀圖案Pl的寬度(即二者皆為L3)，當(dāng)然，各個第二條狀圖案P2的寬度亦可以不等于第一條狀圖案Pl的寬度。在本實(shí)施例中，各個子畫素單元112’中的開關(guān)組件SW例如為一晶體管，而此晶體 管系與第一條狀圖案Pl電性連接。換言之，子畫素單元112中的第一穿透區(qū)Tl、第 二穿透 區(qū)T2及第三穿透區(qū)T3中的第一條狀圖案Pl皆與同一個晶體管電性連接，而具有相同的電 壓。然而，本發(fā)明并不限定所使用的晶體管的數(shù)量以及畫素電極P的型態(tài)。在其它可行的實(shí)施例中，部分位于第一穿透區(qū)Tl內(nèi)的第一條狀圖案Pl構(gòu)成一個 子畫素電極，部分位于第二穿透區(qū)T2的第一條狀圖案Pl構(gòu)成第二個子畫素電極，而其余 位于第三穿透區(qū)T3內(nèi)的第一條狀圖案Pl構(gòu)成第三個子畫素電極，且分別位于第一穿透區(qū) Tl、第二穿透區(qū)T2以及第三穿透區(qū)T3內(nèi)的三個子畫素電極彼此電性絕緣。為了個別驅(qū)動 位于第一穿透區(qū)Tl、第二穿透區(qū)T2與第三穿透區(qū)T3內(nèi)的三個子畫素電極，各個子畫素單元 112’中的開關(guān)組件SW包括三個晶體管，其中一晶體管與位于第一穿透區(qū)Tl內(nèi)的子畫素電 極電性連接，第二個晶體管與位于第二穿透區(qū)T2內(nèi)的子畫素電極電性連接，而第三個晶體 管則與位于第三穿透區(qū)T3內(nèi)的子畫素電極電性連接。承上述，本發(fā)明不限定各個子畫素單 元112’中子畫素電極的數(shù)量，此領(lǐng)域具有通常知識者可根據(jù)產(chǎn)品的實(shí)際需求，而對子畫素 單元112’的布局(layout)作適當(dāng)?shù)母鼊?。在本?shí)施例中，在第一穿透區(qū)Tl、第二穿透區(qū)T2以及第三穿透區(qū)T3中，第一條狀 圖案Pl與第二條狀圖案P2具有實(shí)質(zhì)上近似或相同的寬度，即Ll NL2N L3。此外，在第一 穿透區(qū)Tl、第二穿透區(qū)T2以及第三穿透區(qū)T3中，第一條狀圖案Pl與相鄰的第二條狀圖案 P2之間的間隙不相同，即L1/S1 Φ L2/S2 Φ L3/S3。舉例而言，Li，L2，L3約為3微米，Sl 約為3微米，S2 =約為4微米，而S3約為5微米。換言之，本實(shí)施例中的L1/S1約為3微 米/3微米，L2/S2約為3微米/4微米，而L3/S3約為3微米/5微米。然而，本發(fā)明并不限 定第一穿透區(qū)Tl、第二穿透區(qū)Τ2以及第三穿透區(qū)Τ3中的第一條狀圖案Pl與第二條狀圖 案Ρ2必須具有實(shí)質(zhì)上或相同的寬度，任何滿足L1/S1興L2/S2興L3/S3的不等式的L1、L2、 Si、S2、L3、S3，皆應(yīng)屬于本發(fā)明所欲涵蓋的范疇。當(dāng)Ll/Sl ^ L2/S2 ^ L3/S3時，第一穿透區(qū)Tl內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層120的電壓-穿 透率曲線VT1、第二穿透區(qū)T2內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層120的電壓-穿透率曲線VT2以及第三穿 透區(qū)T3內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層120的電壓-穿透率曲線VT3會明顯不同。由于各個子畫素單 元112’中的第一穿透區(qū)Tl、第二穿透區(qū)T2與第三穿透區(qū)T3的面積很小，人眼視覺難以清 楚地辨識出第一穿透區(qū)Tl、第二穿透區(qū)T2以及第三穿透區(qū)T3，因此對于使用者而言，各個 子畫素單元112’所顯示的灰階與等效電壓-穿透率曲線VT相關(guān)，而各個子畫素單元112’ 內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層的等效電壓_穿透率曲線VT則與電壓-穿透率曲線VT1、電壓-穿透 率曲線VT2、電壓-穿透率曲線VT3、各個子畫素單元112’內(nèi)的第一穿透區(qū)Tl的面積Al、各 個子畫素單元112’內(nèi)的第二穿透區(qū)T2的面積A2、各個子畫素單元112’內(nèi)的第三穿透區(qū) T3的面積A3相關(guān)。詳言的，各個子畫素單元112’內(nèi)的準(zhǔn)等向性液晶層的等效電壓-穿透 率曲線VT可以經(jīng)由下列關(guān)系式⑵計(jì)算而得。VT= [ (VTl XAl) + (VT2 X A2) + (VT3 X A3) ] / (A1+A2+A3) — (2)值得注意的是，本發(fā)明并不限定的第一穿透區(qū)Tl、第二穿透區(qū)T2以及第三穿透區(qū) T3的面積比例。此領(lǐng)域具有通常知識者可根據(jù)產(chǎn)品的實(shí)際需求，而對第一穿透區(qū)Tl、第二 穿透區(qū)T2以及第三穿透區(qū)T3的面積比例進(jìn)行適當(dāng)?shù)恼{(diào)整，以獲得所需的等效電壓_穿透率曲線ντ。本發(fā)明通過改變畫素電極的寬度/間隙比(L/S)，可以使不同穿透區(qū)內(nèi)的液晶的 電壓_穿透曲線出現(xiàn)差異，進(jìn)而改變液晶顯示單元的等效電壓-穿透曲線。實(shí)驗(yàn)例
圖5與圖6為本發(fā)明其它實(shí)施例的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。請參照圖5，以克爾系數(shù)為le-8的 準(zhǔn)等向性液晶層為例，當(dāng)畫素電極的寬度/間隙比約為3微米/3微米(即LS33)時，最大驅(qū) 動電壓 Vmax 約為 23 伏，Δ V(99/Vmax 為 1.70%，而 Δ V(97% )/Vmax 約為 4. 80%;當(dāng)畫 素電極的寬度/間隙比約為3微米/4微米(即LS34)時，最大驅(qū)動電壓Vmax約為28伏， AV(99% )/Vmax約為2. 10%，而)/Vmax約為4. 60% ；當(dāng)畫素電極的寬度/間隙 比約為3微米/5微米(即LS35)時，最大驅(qū)動電壓Vmax約為31伏，Δ V (99%)/Vmax約為
2.30%，而Δ V(97/Vmax約為4. 80% ；當(dāng)畫素電極的寬度/間隙比約為3微米/6微米 (即LS36)時，最大驅(qū)動電壓Vmax約為35伏，Δ V(99% )/Vmax約為2. 90%，而Δ V(97% ) / Vmax約為5. 40%。很明顯，當(dāng)寬度/間隙比約固定為3微米/3微米(即LS33)、3微米/4 微米(即LS34)、3微米/5微米(即LS35)或3微米/6微米(即LS36)時，其V(99% )/ Vmax皆約低于2. 90%，而Δ V(97% )/Vmax皆約低于5. 40%。很明顯，當(dāng)畫素電極中的條 狀圖案僅具有單一寬度/間隙比時，準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率對于電壓Vmax的偏移十分敏 感。在本發(fā)明的多個實(shí)施例中，當(dāng)具有3微米/3微米(即LS33)、3微米/4微米(即 LS34)、3微米/5微米(即LS35)以及3微米/6微米(即LS36)的各個穿透區(qū)的面積比 約為1 1 4 0時，其最大驅(qū)動電壓Vmax約為30伏，V(99% )/Vmax約為4. 87%， 而Δ V (97 /Vmax約為8. 10% ；當(dāng)具有3微米/3微米(即LS33)、3微米/4微米(即 LS34)、3微米/5微米(即LS35)以及3微米/6微米(即LS36)的各個穿透區(qū)的面積比約 為1 0 2. 3 0.3時，其最大驅(qū)動電壓Vmax約為34伏，V (99%)/Vmax約為15. 47%， 而)/Vmax約為19.71% ；當(dāng)具有3微米/3微米(即LS33)、3微米/4微米(即 LS34)、3微米/5微米(即LS35)以及3微米/6微米(即LS36)的各個穿透區(qū)的面積比約 為1 0. 4 2. 6 0. 2時，其最大驅(qū)動電壓Vmax約為30伏，V (99% )/Vmax約為6. 30%， 而)/Vmax約為9.80%。很明顯，當(dāng)畫素電極中的條狀圖案具有多種寬度/間隙 比時，準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率對于電壓Vmax的偏移較不敏感。請參照圖6，以克爾系數(shù)為le-9的準(zhǔn)等向性液晶層為例，當(dāng)畫素電極的寬度/間 隙比為3微米/3微米(即LS33)時，最大驅(qū)動電壓Vmax約為74伏，Δ V (99% ) /Vmax約為
3.40%，而Δ V(97/Vmax約為5.90% ；當(dāng)畫素電極的寬度/間隙比約為3微米/4微米 (即LS34)時，最大驅(qū)動電壓Vmax約為90伏，Δ V(99% )/Vmax約為3. 80%，而Δ V(97% ) / Vmax約為6. 40%;當(dāng)畫素電極的寬度/間隙比約為3微米/5微米(即LS35)時，最大驅(qū)動 電壓 Vmax 約為 99 伏，Δ V(99% )/Vmax 約為 3. 20%，而 Δ V(97% )/Vmax 約為 5. 90%;當(dāng)畫 素電極的寬度/間隙比約為3微米/6微米(即LS36)時，最大驅(qū)動電壓Vmax約為111伏， AV(99% )/Vmax約為3. 10%，而Δ V(97% )/Vmax約為5. 70%。很明顯，當(dāng)寬度/間隙比 約固定為3微米/3微米(即LS33)、3微米/4微米(即LS34)、3微米/5微米(即LS35) 或3微米/6微米(即LS36)時，其V (99% ) /Vmax皆約低于3. 8%，而Δ V (97% ) /Vmax皆 約低于6. 40%。很明顯，當(dāng)畫素電極中的條狀圖案僅具有單一寬度/間隙比時，準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率對于電壓Vmax的偏移十分敏感。在本發(fā)明的多個實(shí)施例中，當(dāng)具有3微米/3微米(即LS33)、3微米/4微米(即 LS34)、3微米/5微米(即LS35)以及3微米/6微米(即LS36)的各個穿透區(qū)的面積比 約為2 0 5 0.4時，其最大驅(qū)動電壓Vmax約為96伏，V (99%)/Vmax約為6. 70%， 而)/Vmax約為10. 50% ；當(dāng)具有3微米/3微米(即LS33)、3微米/4微米(即 LS34)、3微米/5微米(即LS35)以及3微米/6微米(即LS36)的各個穿透區(qū)的面積比約 為2 3 3 2. 2時，其最大驅(qū)動電壓Vmax約為109伏，V(99% )/Vmax約為14. 00%， 而)/Vmax約為18.90% ；當(dāng)具有3微米/3微米(即LS33)、3微米/4微米(即 LS34)、3微米/5微米(即LS35)以及3微米/6微米(即LS36)的各個穿透區(qū)的面積比約為 2 0. 2 4. 2 0. 8 時，其最大驅(qū)動電壓 Vmax 約為 110 伏，V (99% )/Vmax 約為 18. 40%， 而Δ V(97%)/Vmax約為22. 00%。很明顯，當(dāng)畫素電極中的條狀圖案具有多種寬度/間隙 比時，準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率對于電壓Vmax的偏移較不敏感。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域 中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明 的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種液晶顯示單元，包括一畫素單元，包括多個子畫素單元，各該子畫素單元至少具有一第一穿透區(qū)與一第二穿透區(qū)，且各該子畫素單元包括一開關(guān)組件；一畫素電極，與該開關(guān)組件電性連接，該畫素電極具有多個第一條狀圖案；一共通電極，與該畫素電極電性絕緣，該共通電極具有多個第二條狀圖案，而所述第一條狀圖案與所述第二條狀圖案交替排列，在該第一穿透區(qū)內(nèi)，各該第一條狀圖案的寬度為L1，而各該第一條狀圖案與相鄰的第二條狀圖案之間的間隙為S1，在該第二穿透區(qū)內(nèi)，各該第一條狀圖案的寬度為L2，而各該第一條狀圖案與相鄰的第二條狀圖案之間的間隙為S2，其中L1≠L2或S1≠S2或L1/S1≠L2/S2；以及一準(zhǔn)等向性液晶層，配置于所述子畫素單元上方，該準(zhǔn)等向性液晶層在未施加電壓時為光學(xué)等向，且該準(zhǔn)等向性液晶層在被施加電壓時為光學(xué)異向性。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示單元，其特征在于，該開關(guān)組件包括一晶體管，而所 述第一條狀圖案彼此電性連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示單元，其特征在于，該開關(guān)組件包括二晶體管，所述 第一條狀圖案構(gòu)成二彼此電性絕緣的子畫素電極，而各該晶體管分別與其中一子畫素電極 電性連接，且屬于同一子畫素電極的部分第一條狀圖案彼此電性連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示單元，其特征在于，一個子畫素電極位于該第一穿 透區(qū)內(nèi)，而另一個子畫素電極位于該第二穿透區(qū)內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示單元，其特征在于，各該子畫素單元更具有一第三 穿透區(qū)，在該第三穿透區(qū)內(nèi)，各該第一條狀圖案與各該第二條狀圖案的寬度為L3，而各該第 一條狀圖案與相鄰的第二條狀圖案之間的間隙為S3，且Ll/Sl ^ L2/S2 ^ L3/S3。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示單元，其特征在于，該開關(guān)組件包括一晶體管，而所 述第一條狀圖案彼此電性連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示單元，其特征在于，該開關(guān)組件包括三晶體管，所述 第一條狀圖案構(gòu)成三個彼此電性絕緣的子畫素電極，而各該晶體管分別與其中一子畫素電 極電性連接，屬于同一子畫素電極的部分第一條狀圖案彼此電性連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示單元，其特征在于，Ll= L2 = L3，而Sl興S2興S3。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示單元，其特征在于，位于該第一穿透區(qū)內(nèi)的該準(zhǔn)等 向性液晶層的電壓-穿透率曲線VT1、位于該第二穿透區(qū)內(nèi)的該準(zhǔn)等向性液晶層的電壓-穿 透率曲線VT2以及位于該第三穿透區(qū)內(nèi)的該準(zhǔn)等向性液晶層的電壓-穿透率曲線VT3不 同。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示單元，其特征在于，各該第一穿透區(qū)的面積為 Al，各該第二穿透區(qū)的面積為Α2，各該第三穿透區(qū)的面積為A3，而各該子畫素單元內(nèi)的 該準(zhǔn)等向性液晶層的等效電壓-穿透率曲線VT =[ (VTl XAl) + (VT2 XΑ2) + (VT3 XA3) ] / (Α1+Α2+Α3)ο
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示單元，其特征在于，該準(zhǔn)等向性液晶層的克爾系數(shù) 為le-8，該準(zhǔn)等向性液晶層適于通過一驅(qū)動電壓V驅(qū)動，該驅(qū)動電壓V位在一驅(qū)動電壓區(qū)間 內(nèi)，而該驅(qū)動電壓區(qū)間由一最低驅(qū)動電壓Vmin與一最高驅(qū)動電壓Vmax所定義，當(dāng)該準(zhǔn)等向性液晶層被該最高驅(qū)動電壓Vmax驅(qū)動時，各該子畫素單元中的該準(zhǔn)等向性液晶層的穿透 率為Tmax，而當(dāng)各該子畫素單元中的該準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為Tmax的99%時，該驅(qū)動 電壓V與該最大驅(qū)動電壓Vmax的差為Δ V，且(Δ V/Vmax) >2.9%。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示單元，其特征在于，該準(zhǔn)等向性液晶層的克爾系數(shù) 為le-8，該準(zhǔn)等向性液晶層適于通過一驅(qū)動電壓V驅(qū)動，該驅(qū)動電壓V位在一驅(qū)動電壓區(qū)間 內(nèi)，而該驅(qū)動電壓區(qū)間由一最低驅(qū)動電壓Vmin與一最高驅(qū)動電壓Vmax所定義，當(dāng)該準(zhǔn)等向 性液晶層被該最高驅(qū)動電壓Vmax驅(qū)動時，各該子畫素單元中的該準(zhǔn)等向性液晶層的穿透 率為Tmax，而當(dāng)各該子畫素單元中的該準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為Tmax的97%時，該驅(qū)動 電壓V與該最大驅(qū)動電壓Vmax的差為Δ V，且(Δ V/Vmax) > 5. 4%。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示單元，其特征在于，該準(zhǔn)等向性液晶層的克爾系數(shù) 為le-9，該準(zhǔn)等向性液晶層適于通過一驅(qū)動電壓V驅(qū)動，該驅(qū)動電壓V位在一驅(qū)動電壓區(qū)間 內(nèi)，而該驅(qū)動電壓區(qū)間由一最低驅(qū)動電壓Vmin與一最高驅(qū)動電壓Vmax所定義，當(dāng)該準(zhǔn)等向 性液晶層被該最高驅(qū)動電壓Vmax驅(qū)動時，各該子畫素單元中的該準(zhǔn)等向性液晶層的穿透 率為Tmax，而當(dāng)各該子畫素單元中的該準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為Tmax的99%時，該驅(qū)動 電壓V與該最大驅(qū)動電壓Vmax的差為Δ V，且(Δ V/Vmax) >3.8%。
14.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示單元，其特征在于，該準(zhǔn)等向性液晶層的克爾系數(shù) 為le-9，該準(zhǔn)等向性液晶層適于通過一驅(qū)動電壓V驅(qū)動，該驅(qū)動電壓位V在一驅(qū)動電壓區(qū)間 內(nèi)，而該驅(qū)動電壓區(qū)間由一最低驅(qū)動電壓Vmin與一最高驅(qū)動電壓Vmax所定義，當(dāng)該準(zhǔn)等向 性液晶層被該最高驅(qū)動電壓Vmax驅(qū)動時，各該子畫素單元中的該準(zhǔn)等向性液晶層的穿透 率為Tmax，而當(dāng)各該子畫素單元中的該準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為Tmax的97%時，該驅(qū)動 電壓V與該最大驅(qū)動電壓Vmax的差為Δ V，且(Δ V/Vmax) > 6. 4%。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示單元，其特征在于，Ll= L2，而Sl Φ S2。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示單元，其特征在于，該第一穿透區(qū)的面積實(shí)質(zhì)上等 于該第二穿透區(qū)的面積。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示單元，其特征在于，該第一穿透區(qū)的面積不等于該 第二穿透區(qū)的面積。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示單元，其特征在于，該準(zhǔn)等向性液晶層為藍(lán)相液曰曰曰ο
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示單元，其特征在于，位于該第一穿透區(qū)內(nèi)的該準(zhǔn)等 向性液晶層的電壓-穿透率曲線VTl以及位于該第二穿透區(qū)內(nèi)的該準(zhǔn)等向性液晶層的電 壓-穿透率曲線VT2不同。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的液晶顯示單元，其特征在于，各該第一穿透區(qū)的面積為Al， 各該第二穿透區(qū)的面積為Α2，而各該子畫素單元內(nèi)的該準(zhǔn)等向性液晶層的等效電壓-穿透 率曲線 VT = [ (VTl X Al) + (VT2 X Α2) ] / (Α1+Α2)。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示單元，其特征在于，該準(zhǔn)等向性液晶層的克爾系數(shù) 為le-8，該準(zhǔn)等向性液晶層適于通過一驅(qū)動電壓V驅(qū)動，該驅(qū)動電壓位在一驅(qū)動電壓區(qū)間 內(nèi)，而該驅(qū)動電壓區(qū)間由一最低驅(qū)動電壓Vmin與一最高驅(qū)動電壓Vmax所定義，當(dāng)該準(zhǔn)等向 性液晶層被該最高驅(qū)動電壓Vmax驅(qū)動時，各該子畫素單元中的該準(zhǔn)等向性液晶層的穿透 率為Tmax，而當(dāng)各該子畫素單元中的該準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為Tmax的99%時，該驅(qū)動電壓V與該最大驅(qū)動電壓Vmax的差為Δ V，且(Δ V/Vmax) >2.9%。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示單元，其特征在于，該準(zhǔn)等向性液晶層的克爾系數(shù) 為le-8，該準(zhǔn)等向性液晶層適于通過一驅(qū)動電壓V驅(qū)動，該驅(qū)動電壓位在一驅(qū)動電壓區(qū)間 內(nèi)，而該驅(qū)動電壓區(qū)間由一最低驅(qū)動電壓Vmin與一最高驅(qū)動電壓Vmax所定義，當(dāng)該準(zhǔn)等向 性液晶層被該最高驅(qū)動電壓Vmax驅(qū)動時，各該子畫素單元中的該準(zhǔn)等向性液晶層的穿透 率為Tmax，而當(dāng)各該子畫素單元中的該準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為Tmax的97%時，該驅(qū)動 電壓V與該最大驅(qū)動電壓Vmax的差為Δ V，且(Δ V/Vmax) > 5. 4%。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示單元，其特征在于，該準(zhǔn)等向性液晶層的克爾系數(shù) 為le-9，該準(zhǔn)等向性液晶層適于通過一驅(qū)動電壓V驅(qū)動，該驅(qū)動電壓位在一驅(qū)動電壓區(qū)間 內(nèi)，而該驅(qū)動電壓區(qū)間由一最低驅(qū)動電壓Vmin與一最高驅(qū)動電壓Vmax所定義，當(dāng)該準(zhǔn)等向 性液晶層被該最高驅(qū)動電壓Vmax驅(qū)動時，各該子畫素單元中的該準(zhǔn)等向性液晶層的穿透 率為Tmax，而當(dāng)各該子畫素單元中的該準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為Tmax的99%時，該驅(qū)動 電壓V與該最大驅(qū)動電壓Vmax的差為Δ V，且(Δ V/Vmax) >3.8%。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示單元，其特征在于，該準(zhǔn)等向性液晶層的克爾系數(shù) 為le-9，該準(zhǔn)等向性液晶層適于通過一驅(qū)動電壓V驅(qū)動，該驅(qū)動電壓位在一驅(qū)動電壓區(qū)間 內(nèi)，而該驅(qū)動電壓區(qū)間由一最低驅(qū)動電壓Vmin與一最高驅(qū)動電壓Vmax所定義，當(dāng)該準(zhǔn)等向 性液晶層被該最高驅(qū)動電壓Vmax驅(qū)動時，各該子畫素單元中的該準(zhǔn)等向性液晶層的穿透 率為Tmax，而當(dāng)各該子畫素單元中的該準(zhǔn)等向性液晶層的穿透率為Tmax的97%時，該驅(qū)動 電壓V與該最大驅(qū)動電壓Vmax的差為Δ V，且(Δ V/Vmax) > 6. 4%。
25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示單元，其特征在于，該準(zhǔn)等向性準(zhǔn)等向性液晶層的 復(fù)折射率(Δη)正比于該畫素電極與該共通電極的間的電場(E)，或該準(zhǔn)等向性液晶層的 復(fù)折射率(Δη)正比于該畫素電極與該共通電極的間的電場的平方(Ε2)。
全文摘要
一種液晶顯示單元，包括畫素單元與具有克爾效應(yīng)的準(zhǔn)等向性液晶層。畫素單元包括多個子畫素單元，各個子畫素單元至少具有第一穿透區(qū)與第二穿透區(qū)，且各個子畫素單元包括開關(guān)組件、畫素電極與共通電極。畫素電極具有多個第一條狀圖案。共通電極具有多個第二條狀圖案，而第一條狀圖案與第二條狀圖案交替排列。在第一穿透區(qū)內(nèi)，各個第一條狀圖案的寬度為L1，而各個第一條狀圖案與相鄰的第二條狀圖案之間的間隙為S1。在第二穿透區(qū)內(nèi)，各個第一條狀圖案的寬度為L2，而各個第一條狀圖案與相鄰的第二條狀圖案之間的間隙為S2，且L1≠L2或S1≠S2或L1/S1≠L2/S2。
文檔編號G02F1/133GK101950103SQ20101028213
公開日2011年1月19日 申請日期2010年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月8日
發(fā)明者侯鴻龍, 葉益志, 徐雅玲, 柯博文 申請人:友達(dá)光電股份有限公司