子像素電路的校準(zhǔn)裝置、源極驅(qū)動器及數(shù)據(jù)電壓補償方法
【專利摘要】提出了一種子像素電路的校準(zhǔn)裝置、源極驅(qū)動器以及數(shù)據(jù)電壓補償方法。所述子像素電路包括驅(qū)動晶體管，并且連接數(shù)據(jù)線和感測線。所述校準(zhǔn)裝置包括：電容測量電路，用于輸出與所述感測線的感測線電容有關(guān)的電容測量電壓；充電檢測電路，用于檢測在所述數(shù)據(jù)線上施加參考數(shù)據(jù)電壓的情況下所述感測線的感測線電容上的電容充電電壓；以及參數(shù)校準(zhǔn)部件，用于根據(jù)所述電容測量電壓、所述參考數(shù)據(jù)電壓以及所述電容充電電壓，計算所述驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)。由此可以確定子像素電路中驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)漂移情況，進而可以根據(jù)電學(xué)參數(shù)漂移情況調(diào)整要施加到該子像素電路的數(shù)據(jù)電壓，從而補償由于電學(xué)參數(shù)漂移造成的顯示亮度不均勻的情況。
【專利說明】
子像素電路的校準(zhǔn)裝置、源極驅(qū)動器及數(shù)據(jù)電壓補償方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示技術(shù)領(lǐng)域，并且更具體地涉及一種有機發(fā)光顯示設(shè)備中子像素電路的校準(zhǔn)裝置、源極驅(qū)動器以及數(shù)據(jù)電壓補償方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機發(fā)光顯示二極管(OLED)作為一種電流型發(fā)光器件已越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示中。在有源矩陣有機發(fā)光顯示(Active Matrix 0LED)中，通過逐行掃描的方式依序選通像素陣列中的一行像素，向被選通的一行像素施加數(shù)據(jù)電壓，并且根據(jù)所施加的數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生OLED電流，從而實現(xiàn)OLED的發(fā)光顯示。
[0003]AMOLED多采用低溫多晶硅薄膜晶體管(LTPS TFT)或氧化物薄膜晶體管(OxideTFT )構(gòu)建子像素電路為OLED提供相應(yīng)的OLED電流。與一般的非晶硅薄膜晶體管(amorphous-Si TFT)相比，LTPS TFT和Oxide TFT具有更高的迀移率和更穩(wěn)定的特性，更適合應(yīng)用于AMOLED中。然而，對于LTPS TFT而言，由于晶化工藝的局限性，在大面積玻璃基板上制作的LTPS TFT常常在諸如閾值電壓、迀移率等電學(xué)參數(shù)上具有非均勻性。在施加相同數(shù)據(jù)電壓的情況下，這種非均勻性會轉(zhuǎn)化為OLED電流差異，繼而體現(xiàn)為OLED發(fā)光亮度差異，并被人眼所感知。另一方面，對于Oxide TFT而言，盡管其制備工藝的均勻性較好，但是與a-Si TFT類似，在長時間施加電壓以及在長時間高溫下，Oxide TFT閾值電壓會出現(xiàn)漂移，由于顯示畫面不同，AMOLED各部分Oxide TFT的閾值電壓漂移量也不同。在AMOLED中OxideTFT的閾值電壓漂移之后，由于各部分的Oxide TFT的閾值電壓漂移量不同，在施加相同數(shù)據(jù)電壓的情況下，AMOLED各子像素電路中的OLED電流會出現(xiàn)差異，繼而體現(xiàn)為AMOLED各部分的顯示亮度差異。
[0004]此外，在大尺寸AMOLED中，由于各個子像素電路與源極驅(qū)動器的數(shù)據(jù)電壓輸出端的距離存在差異并且由于數(shù)據(jù)線本身存在內(nèi)阻，導(dǎo)致最終施加在各個子像素電路上的數(shù)據(jù)電壓與源極驅(qū)動器的數(shù)據(jù)電壓輸出端的數(shù)據(jù)電壓存在差異。類似地，在大尺寸AMOLED中，由于各個子像素電路與電源電壓輸出端的距離存在差異并且由于電源線本身存在內(nèi)阻，導(dǎo)致最終施加在各個子像素電路上的電源電壓與電源電壓輸出端的電源電壓ARVDD存在差異。在源極驅(qū)動器的數(shù)據(jù)電壓輸出端輸出相同數(shù)據(jù)電壓的情況下，上述數(shù)據(jù)電壓差異和電源電壓差異也會導(dǎo)致AMOLED各個子像素電路中的OLED電流會出現(xiàn)差異，繼而體現(xiàn)為AMOLED各部分的顯示亮度差異。
[0005]因此，需要一種能夠補償由各種原因造成的AMOLED各個子像素電路中的OLED電流的不均勻性的子像素電路校準(zhǔn)裝置和源極驅(qū)動器。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決上述技術(shù)問題，提出了一種子像素電路的校準(zhǔn)裝置、源極驅(qū)動器以及數(shù)據(jù)電壓補償方法，其首先測量反映各條感測線上的感測線電容的電參量，然后校準(zhǔn)各子像素電路中的驅(qū)動晶體管的閾值電壓和載流子迀移率，最后根據(jù)所校準(zhǔn)的各子像素電路中的驅(qū)動晶體管的閾值電壓和載流子迀移率來計算給定數(shù)據(jù)電壓的補償數(shù)據(jù)電壓。通過利用補償數(shù)據(jù)電壓替代給定數(shù)據(jù)電壓，可以補償由于各子像素電路中驅(qū)動晶體管的閾值電壓和載流子迀移率的漂移對各子像素電路中發(fā)光元件的發(fā)光亮度的影響，實現(xiàn)了對AMOLED的非均勻性的外部補償。此外，還可以補償由于各子像素電路與源極驅(qū)動器的數(shù)據(jù)電壓輸出端的距離存在差異所導(dǎo)致的數(shù)據(jù)電壓差異。
[0007]根據(jù)本發(fā)明一方面，提供了一種子像素電路的校準(zhǔn)裝置。所述子像素電路包括驅(qū)動晶體管、第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管和發(fā)光元件，所述第一開關(guān)晶體管的柵極連接第一掃描線，所述第一開關(guān)晶體管的第一電極和第二電極分別連接數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動晶體管的柵極，所述第二開關(guān)晶體管的柵極連接第二掃描線，所述第二開關(guān)晶體管的第一電極和第二電極分別連接感測線和所述驅(qū)動晶體管的第二電極，所述驅(qū)動晶體管的第一電極連接第一電源端，所述發(fā)光元件的陽極和陰極分別連接所述驅(qū)動晶體管的第二電極和第二電源端，所述感測線具有感測線電容。
[0008]根據(jù)本發(fā)明實施例，所述子像素電路的校準(zhǔn)裝置包括:電容測量電路，用于根據(jù)脈沖電壓源的脈沖電壓對所述感測線的感測線電容進行充電，并輸出與所述感測線的感測線電容和所述脈沖電壓有關(guān)的電容測量電壓;充電檢測電路，用于檢測在所述數(shù)據(jù)線上施加參考數(shù)據(jù)電壓的情況下所述感測線的感測線電容上的電容充電電壓；以及參數(shù)校準(zhǔn)部件，用于根據(jù)所述電容測量電壓、所述脈沖電壓、所述參考數(shù)據(jù)電壓以及所述電容充電電壓，計算所述驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)。
[0009]在根據(jù)本發(fā)明實施例的所述子像素電路的校準(zhǔn)裝置中，所述充電檢測電路檢測在所述數(shù)據(jù)線上施加第一參考數(shù)據(jù)電壓的情況下所述感測線的感測線電容上的第一電容充電電壓;所述充電檢測電路檢測在所述數(shù)據(jù)線上施加第二參考數(shù)據(jù)電壓的情況下所述感測線的感測線電容上的第二電容充電電壓；以及所述參數(shù)校準(zhǔn)部件根據(jù)所述電容測量電壓、所述脈沖電壓、所述第一參考數(shù)據(jù)電壓、所述第一電容充電電壓、所述第二參考數(shù)據(jù)電壓以及所述第二電容充電電壓，計算所述驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)。
[0010]根據(jù)本發(fā)明另一方面，提供了一種源極驅(qū)動器，其用于為像素陣列中的各子像素電路產(chǎn)生數(shù)據(jù)電壓，所述像素陣列包括M行N列像素，一個像素包括至少一個子像素，一行子像素共享第一掃描線和第二掃描線，一列子像素共享一條數(shù)據(jù)線和一條感測線，每個子像素電路包括驅(qū)動晶體管、第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管和發(fā)光元件，所述第一開關(guān)晶體管的柵極連接第一掃描線，所述第一開關(guān)晶體管的第一電極和第二電極分別連接數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動晶體管的柵極，所述第二開關(guān)晶體管的柵極連接第二掃描線，所述第二開關(guān)晶體管的第一電極和第二電極分別連接感測線和所述驅(qū)動晶體管的第二電極，所述驅(qū)動晶體管的第一電極連接第一電源端，所述發(fā)光元件的陽極和陰極分別連接所述驅(qū)動晶體管的第二電極和第二電源端，所述感測線具有感測線電容。
[0011 ]根據(jù)本發(fā)明實施例，所述源極驅(qū)動器包括:第一多路選擇器，用于依序選擇所述像素陣列中的各條感測線；電容測量電路，其與所述第一多路選擇器的輸出端連接，并且用于根據(jù)脈沖電壓源的脈沖電壓對所述第一多路選擇器選擇的感測線的感測線電容進行充電，并輸出與所述脈沖電壓和所述第一多路選擇器選擇的感測線的感測線電容有關(guān)的電容測量電壓;第二多路選擇器，用于依序選擇所述像素陣列中的各條感測線并輸出所選擇的感測線上的電容充電電壓;參數(shù)校準(zhǔn)部件，用于對于所述第二多路選擇器選擇的感測線，根據(jù)所述電容測量電路輸出的與所述第二多路選擇器選擇的感測線對應(yīng)的電容測量電壓、向數(shù)據(jù)線施加的參考數(shù)據(jù)電壓以及所述第二多路選擇器選擇的感測線上的電容充電電壓，計算與所述第二多路選擇器選擇的感測線對應(yīng)的子像素電路中的驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)。
[0012]根據(jù)本發(fā)明實施例，所述源極驅(qū)動器還包括:第三多路選擇器，用于選擇電容測量模式和充電檢測模式之一，在選擇電容測量模式時所述第三多路選擇器的輸出端輸出所述電容測量電路輸出的電容測量電壓，而在選擇充電檢測模式時所述第三多路選擇器的輸出端輸出所述第二多路選擇器輸出的電容充電電壓。
[0013]根據(jù)本發(fā)明實施例，所述源極驅(qū)動器還包括:模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器，其與所述第三多路選擇器的輸出端連接，并將所接收的電容測量電壓或電容充電電壓從模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號;數(shù)據(jù)電壓補償部件，用于對于所述像素陣列中的每個子像素電路，根據(jù)該子像素電路的給定數(shù)據(jù)電壓以及所述參數(shù)校準(zhǔn)部件確定的該子像素電路的驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)，確定該子像素電路的補償數(shù)據(jù)電壓；以及數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件，用于對于所述像素陣列中的每個子像素電路，產(chǎn)生該子像素電路的補償數(shù)據(jù)電壓并將該子補償數(shù)據(jù)電壓施加到與該子像素電路連接的數(shù)據(jù)線上。
[0014]根據(jù)本發(fā)明實施例，所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件包括數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，對于所述像素陣列中的每個子像素電路，所述數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器將所述數(shù)據(jù)電壓補償部件輸出的該子像素電路的補償數(shù)據(jù)電壓從數(shù)字信號轉(zhuǎn)換至模擬信號，并且將模擬信號形式的補償數(shù)據(jù)電壓施加到與該子像素電路連接的數(shù)據(jù)線上。
[0015]根據(jù)本發(fā)明實施例，在所述像素陣列中的各行子像素電路被依序選通的情況下，對于當(dāng)前被選通的一行子像素電路，在各條數(shù)據(jù)線上施加第一參考數(shù)據(jù)電壓的情況下，第二多路選擇器依序選擇各條感測線并輸出所選擇的感測線上的第一電容充電電壓;在所述像素陣列中的各行子像素電路被依序選通的情況下，對于當(dāng)前被選通的一行子像素電路，在各條數(shù)據(jù)線上施加第二參考數(shù)據(jù)電壓的情況下，第二多路選擇器依序選擇各條感測線并輸出所選擇的感測線上的第二電容充電電壓;對于所述像素陣列中的每個子像素電路，所述參數(shù)校準(zhǔn)部件根據(jù)所述電容測量電路所測量的該子像素電路所連接的感測線的電容測量電壓、向數(shù)據(jù)線施加的第一參考數(shù)據(jù)電壓、該子像素電路所連接的感測線上的第一電容充電電壓、向數(shù)據(jù)線施加的第二參考數(shù)據(jù)電壓、該子像素電路所連接的感測線上的第二電容充電電壓，確定該子像素電路中驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)。
[0016]根據(jù)本發(fā)明實施例，所述參數(shù)校準(zhǔn)部件和所述數(shù)據(jù)電壓補償部件由數(shù)字信號處理器實現(xiàn)，所述驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)包括所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓和載流子迀移率。
[0017]根據(jù)本發(fā)明實施例，所述電容測量電路包括:所述脈沖電壓源，其第一端連接所述第二電源端，并且其第二端輸出所述脈沖電壓；電壓比較器，其同向輸入端連接所述脈沖電壓源的第二端，其反向輸入端連接所述感測線;反饋電路，其第一端連接所述電壓比較器的輸出端，其第二端連接所述電壓比較器的反向輸入端;其中，在所述脈沖電壓的頻率高于預(yù)定頻率閾值時，所述電壓比較器的輸出端的電容測量電壓與所述脈沖電壓的差值與所述感測線的感測線電容成正比。
[0018]根據(jù)本發(fā)明實施例，所述反饋電路包括第一電阻器和第一電容器，所述第一電阻器的第一端和所述第一電容器的第一端連接到所述電壓比較器的反向輸入端，所述第一電阻器的第二端和所述第一電容器的第二端連接到所述電壓比較器的輸出端，其中，在所述脈沖電壓的頻率高于預(yù)定頻率閾值時，所述電壓比較器的輸出端的電容測量電壓與所述脈沖電壓的差值與所述感測線的感測線電容成正比，與所述脈沖電壓成正比，并且與所述第一電容器的第一電容成反比。
[0019]根據(jù)本發(fā)明又一方面，提供了一種數(shù)據(jù)電壓補償方法，應(yīng)用于如上所述的源極驅(qū)動器，包括:在第一階段，所述第三多路選擇器選擇電容測量模式，所述第一多路選擇器依序選擇所述像素陣列中的各條感測線，所述電容測量電路輸出與所述第一多路選擇器所選擇的感測線的感測線電容有關(guān)的電容測量電壓;在第二階段，所述像素陣列中的各行子像素電路被逐行地選通，對于當(dāng)前被選通的一行子像素電路，所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件依序向所述像素陣列中的各條數(shù)據(jù)線輸出第一參考數(shù)據(jù)電壓，所述第二多路選擇器依序讀取各條感測線上的電容充電電壓作為該行子像素電路中各子像素電路的第一電容充電電壓;在第三階段，所述像素陣列中的各行子像素電路被逐行地選通，對于當(dāng)前被選通的一行子像素電路，所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件依序向所述像素陣列中的各條數(shù)據(jù)線輸出第二參考數(shù)據(jù)電壓，所述第二多路選擇器依序讀取各條感測線上的電容充電電壓作為該行子像素電路中各子像素電路的第二電容充電電壓;在第四階段，所述參數(shù)校準(zhǔn)部件根據(jù)第一階段獲得的各條感測線的電容測量電壓、第二階段獲得的各個子像素電路的第一電容充電電壓、以及第三階段獲得的各個子像素電路的第二電容充電電壓，計算各個子像素電路中驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)；以及在第五階段，對于所述像素陣列中的每個子像素電路，所述數(shù)據(jù)電壓補償部件根據(jù)該子像素電路的給定數(shù)據(jù)電壓以及該子像素電路中驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)確定該子像素電路的補償數(shù)據(jù)電壓，所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件產(chǎn)生并向與該子像素電路連接的數(shù)據(jù)線輸出所述補償數(shù)據(jù)電壓。
[0020]根據(jù)本發(fā)明實施例，通過測量反映像素陣列中各感測線上的感測線電容的電參量(例如電容電壓)，并且對于所述像素陣列中的每行子像素電路，測量在向數(shù)據(jù)線施加參考數(shù)據(jù)電壓的情況下在各條感測線上的充電電壓，可以根據(jù)所述電參量以及所述充電電壓確定該行子像素電路中各子像素電路的驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)漂移情況。更進一步，在確定了像素陣列中各子像素電路中驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)漂移情況之后，對于每個子像素電路，可以根據(jù)驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)漂移情況來調(diào)整要向該子像素電路施加的數(shù)據(jù)電壓，從而可以補償由于所述電學(xué)參數(shù)漂移造成的各子像素的發(fā)光亮度不均勻的情況。
[0021]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。
【附圖說明】
[0022]通過結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例進行更詳細的描述，本發(fā)明的上述以及其它目的、特征和優(yōu)勢將變得更加明顯。附圖用來提供對本發(fā)明實施例的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明實施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中，相同的參考標(biāo)號通常代表相同部件或步驟。
[0023]圖1示出了應(yīng)用根據(jù)本發(fā)明實施例的子像素電路的校準(zhǔn)裝置的一種子像素電路；
[0024]圖2示出了如圖1所示的子像素電路的示意性信號波形圖；
[0025]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的子像素電路的校準(zhǔn)裝置的示意性框圖；
[0026]圖4A示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的子像素電路的校準(zhǔn)裝置中的電容測量電路的電路框圖；
[0027]圖4B示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的電容測量電路的電路原理圖；
[0028]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的AMOLED顯示面板的示意性框圖；。
[0029]圖6A示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的源極驅(qū)動器的示意性框圖；
[0030]圖6B示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的源極驅(qū)動器的另一示意性框圖；
[0031 ]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件的示意性框圖；
[0032]圖8示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的采樣保持電路的一個采樣保持通道的原理性電路圖；
[0033]圖9示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的源極驅(qū)動器的數(shù)據(jù)電壓補償方法。
【具體實施方式】
[0034]為了使得本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更為明顯，下面將參照附圖詳細描述本發(fā)明的示例實施例。顯然，所描述的示例實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是本發(fā)明的全部實施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有付出創(chuàng)造性勞動的情況下所得到的所有其它實施例都應(yīng)落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
[0035]這里，需要注意的是，在附圖中，將相同的附圖標(biāo)記賦予基本上具有相同或類似結(jié)構(gòu)和功能的組成部分，并且將省略關(guān)于它們的重復(fù)描述。
[0036]圖1示出了一種子像素電路，根據(jù)本發(fā)明實施例的子像素電路的校準(zhǔn)裝置可以應(yīng)用于如圖1所示的子像素電路。在圖1中，以N型晶體管為例示出了子像素電路的基本結(jié)構(gòu)，具體地，所述子像素電路包括驅(qū)動晶體管DT、第一開關(guān)晶體管Tl、第二開關(guān)晶體管T2和發(fā)光元件EL。
[0037]所述第一開關(guān)晶體管Tl的第一電極連接數(shù)據(jù)線DATA，所述第一開關(guān)晶體管T2的第二電極連接所述驅(qū)動晶體管DT的柵極，所述第一開關(guān)晶體管Tl的柵極連接第一掃描線G1。所述驅(qū)動晶體管DT的第一電極連接第一電源端ELVDD，所述驅(qū)動晶體管DT的第二電極連接發(fā)光元件EL的陽極，所述發(fā)光元件EL的陰極連接第二電源端ELVSS，所述第二開關(guān)晶體管T2的第一電極連接所述驅(qū)動晶體管DT的第二電極，所述第二開關(guān)晶體管T2的第二電極連接感測線SENSE，所述第二開關(guān)晶體管T2的柵極連接第二掃描線G2。
[0038]如圖1所示，所述感測線SENSE具有寄生電容，在下面的描述中，將感測線上的寄生電容稱為感測線電容Csense。
[0039]圖2示意性地示出了如圖1所示的子像素電路的信號波形圖。
[0040]在第一時段tl(重置時段)，第一掃描線Gl處于高電平，第二掃描線G2處于高電平，數(shù)據(jù)線DATA輸出數(shù)據(jù)電壓Vg，感測線SENSE連接參考電壓端，第一開關(guān)晶體管Tl導(dǎo)通將數(shù)據(jù)電壓Vg施加到驅(qū)動晶體管DT的柵極，第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通將所述驅(qū)動晶體管DT的第二電極連接至所述參考電壓端。在該第一時段，所述驅(qū)動晶體管DT的柵源電壓為Vg-Vref，所述參考電壓端提供參考電壓Vref。所述參考電壓端可以為所述第二電源端ELVSS，可以為接地端，或者可以為其它提供低電平的電壓端。
[0041]在第二時段t2(感測時段)，第一掃描線Gl處于低電平，第二掃描線G2處于高電平，感測線SENSE與所述參考電壓端斷開，第一開關(guān)晶體管Tl截止，第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通。在該第二時段的初始階段，所述驅(qū)動晶體管DT的柵源電壓為Vg-Vref，流過所述驅(qū)動晶體管DT的驅(qū)動電流可以被表示為:
[0042]iDT = k(Vg-Vref-Vth)2,(I)
其中Vth表示所述驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓，k表示與所述驅(qū)動晶體管DT的載流子迀移率成正比的系數(shù)。在該第二時段期間，所述感測線上的感測線電容被所述驅(qū)動電流iDT充電，使得所述感測線上的電壓(即所述驅(qū)動晶體管DT的第二電極處的電壓)變?yōu)閂ref+iDTX △ t/CSENSE。假設(shè)在該第二時段SENSE期間所述感測線上的電壓變化iDTX Δ t/CSENSE與所述數(shù)據(jù)電壓Vg相比非常小使得所述驅(qū)動電流iDT的變化量在給定變化范圍之內(nèi)，所述給定變化范圍例如為O — 20%，則在該第二時段結(jié)束時，所述感測線上的電壓可以被近似為:
[0043]Vsense = Vref+iDTX A t/CsENSE = Vref+k(Vg-Vref-Vth)2X t2/CsENSE, (2)
[0044]其中t2為該第二時段的時間長度。
[0045]假設(shè)感測線上的寄生電容Csense已知，則可以根據(jù)公式(2)確定如圖1所示的子像素電路中的驅(qū)動晶體管DT的電學(xué)參數(shù)漂移情況，例如閾值電壓和載流子迀移率。然而，由于制造工藝的局限性，AMOLED中每條感測線上的寄生電容也存在不一致性，需要單獨地確定每條感測線上的寄生電容。
[0046]根據(jù)本發(fā)明實施例，首先測量感測線上的寄生電容，然后再確定子像素電路中驅(qū)動晶體管DT的電學(xué)參數(shù)漂移情況。盡管描述首先測量感測線上的寄生電容，然而本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解，該測量步驟不必須得到所述感測線上的寄生電容的具體電容值，而可以測量能夠反應(yīng)所述寄生電容的具體電容值的其它參數(shù)，例如寄生電容上的電壓。
[0047]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的子像素電路的校準(zhǔn)裝置的示意性框圖。如圖3所示，子像素電路的校準(zhǔn)裝置300包括電容測量電路301、充電檢測電路302以及參數(shù)校準(zhǔn)部件303。
[0048]所述電容測量電路301根據(jù)脈沖電壓源的脈沖電壓對所述感測線的感測線電容進行充電，并輸出與所述感測線的感測線電容和所述脈沖電壓有關(guān)的電容測量電壓。
[0049]所述充電檢測電路302檢測在所述數(shù)據(jù)線上施加參考數(shù)據(jù)電壓的情況下所述感測線的感測線電容上的電容充電電壓。所述充電檢測電路302可以為導(dǎo)線，其將所述感測線電容上的電容充電電壓輸出至所述參數(shù)校準(zhǔn)部件303。
[0050]所述參數(shù)校準(zhǔn)部件303根據(jù)所述電容測量電壓、所述脈沖電壓、所述參考數(shù)據(jù)電壓以及所述電容充電電壓，計算所述驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)。例如，所述電學(xué)參數(shù)可以為所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓和載流子迀移率。
[0051]下面將結(jié)合圖1所示的子像素電路來描述根據(jù)本發(fā)明實施例的子像素電路的校準(zhǔn)裝置300。
[0052]圖4A示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的子像素電路的校準(zhǔn)裝置300中的電容測量電路301的電路框圖。圖4B示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的電容測量電路301的電路原理圖。
[0053]如圖4A所示，所述電容測量電路301包括脈沖電壓源、電壓比較器C0MP、以及反饋電路FB。
[0054]所述脈沖電壓源的第一端接地，在所述脈沖電壓源的第二端輸出脈沖電壓。
[0055]所述電壓比較器COMP的同向輸入端連接所述脈沖電壓源的第二端，所述電壓比較器COMP的反向輸入端連接感測線SENSE。
[0056]所述反饋電路FB的第一端連接所述電壓比較器COMP的輸出端，第二端連接所述電壓比較器COMP的反向輸入端。
[0057]如圖4B所示，所述反饋電路FB包括第一電阻器Rf和第一電容器Cf。所述第一電阻器Rf和所述第一電容器Cf并聯(lián)連接。
[0058]所述第一電阻器Rf的第一端和所述第一電容器Cf的第一端連接到所述電壓比較器COMP的反向輸入端，所述第一電阻器Cf的第二端和所述第一電容器Rf的第二端連接到所述電壓比較器COMP的輸出端。
[0059]所述第一電阻器Rf、所述第一電容器Cf以及所述電壓比較器COMP構(gòu)成高通濾波電路，其可以有效地濾除低頻噪聲。
[0060]對于如圖4B所示的電路原理圖，在所述電壓比較器COMP的同向輸入端和反向輸入端中均無電流流過，換言之，流過所述感測線電容Csense的電流與流過所述反饋電路RB的電流相同，所述感測線電容Csense被充電至脈沖電壓Vin，可以如下地表示所述脈沖電壓源的脈沖電壓Vin與所述電壓比較器COMP的輸出電壓Vout之間的關(guān)系:
[0061 ] VinX (j oCsense) = (Vout-Vin) X (j ωRfCf+1 )/Rf (3)
[0062]Vout = Vin(l+joRf Csense/(j'ω RfCf+1))(4)
其中，j ω Csense表示所述感測線電容的阻抗，ω =2iif，f為所述脈沖電壓Vin的基波頻率，j表示虛數(shù)單位。
[0063]在所述脈沖電壓Vin的基波頻率足夠高時，例如在所述脈沖電壓Vin的基波頻率高于預(yù)定頻率閾值時，可以將公式(4)近似表示為:
[0064]Vout = Vin(l+joRf Csense/(j ω Rf Cf))
[0065]=Vin(l+CsENSE/Cf)(5)ΒΡ:
[0066]Vout—Vin = VinX Csense/Cf(6)
[0067]CsENsE = Cf (Vout/Vin— I)(7)
[0068]從公式(6)可以看出，在所述脈沖電壓的頻率高于預(yù)定頻率閾值時，所述電壓比較器COMP的輸出端的電容測量電壓與所述脈沖電壓的差值與所述感測線SENSE的感測線電容Csense成正比。更具體地，在所述脈沖電壓的頻率高于預(yù)定頻率閾值時，所述電壓比較器COMP的輸出端的電容測量電壓Vout與所述脈沖電壓Vin的差值與所述感測線SENSE的感測線電容Csense成正比，與所述脈沖電壓Vin成正比，并且與所述第一電容器的第一電容Cf成反比。
[0069]從公式(7)可以看出，在所述脈沖電壓的頻率高于預(yù)定頻率閾值時，可以根據(jù)所述電壓比較器COMP輸出的電容測量電壓Vout與所述脈沖電壓Vin的比值、以及所述反饋電容Cf簡單地計算出所述感測線電容Csense。
[0070]根據(jù)本發(fā)明實施例，在確定了感測線電容Csense之后，可以如圖1和圖2所示地確定各子像素電路中驅(qū)動晶體管DT的參數(shù)漂移情況，SP:
[0071]VsENSE = Vref+k(Vg-Vref-Vth)2 X t2/CsENSE(8)
[0072]有利地，根據(jù)本發(fā)明實施例，在確定了感測線電容Csense之后，所述充電檢測電路302檢測在所述數(shù)據(jù)線DATA上施加第一參考數(shù)據(jù)電壓Vgl的情況下所述感測線SENSE的感測線電容上的第一電容充電電壓Vs1;并且所述充電檢測電路302檢測在所述數(shù)據(jù)線DATA上施加第二參考數(shù)據(jù)電壓Vg2的情況下所述感測線SENSE的感測線電容上的第二電容充電電壓
Vs2o
[0073]具體地，例如，結(jié)合圖1和圖2，在第一時段期間(第一重置)，第一掃描線Gl為高電平，第二掃描線G2為高電平，數(shù)據(jù)線DATA輸出數(shù)據(jù)電壓Vgl，感測線SENSE連接參考電壓端，第一開關(guān)晶體管Tl導(dǎo)通將數(shù)據(jù)電壓Vgl施加到驅(qū)動晶體管DT的柵極，第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通將所述參考電壓端的參考電壓Vref施加到所述驅(qū)動晶體管DT的第二電極，使得所述驅(qū)動晶體管DT的柵源電壓為Vgl-Vref;在第二時段期間(第一感測)，第一掃描線Gl處于低電平，第二掃描線G2處于低電平，感測線SENSE與所述參考電壓端斷開，第一開關(guān)晶體管Tl截止，第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通，使得通過所述第一電源端ELVDD和所述驅(qū)動晶體管DT對所述感測線上的寄生電容(感測線電容Csense)充電；在第三時段期間(第一讀出)，第一掃描線Gl處于低電平，第二掃描線G2處于低電平，感測線SENSE與所述參考電壓端斷開，所述充電檢測電路302讀出所述感測線SENSE上的電壓(S卩，感測線電容Csense的充電電壓)作為第一電容充電電壓Vsi。
[0074]繼續(xù)參考圖1和圖2，在第四時段期間(第二重置，與圖2所示的重置時段tl相同)，第一掃描線Gl為高電平，第二掃描線G2為高電平，數(shù)據(jù)線DATA輸出數(shù)據(jù)電壓Vg2，感測線SENSE連接參考電壓端，第一開關(guān)晶體管Tl導(dǎo)通將數(shù)據(jù)電壓Vg2施加到驅(qū)動晶體管DT的柵極，第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通將所述參考電壓端的參考電壓Vref施加到所述驅(qū)動晶體管DT的第二電極，使得所述驅(qū)動晶體管DT的柵源電壓為Vg2-Vref;在第五時段期間(第二感測)，第一掃描線Gl處于低電平，第二掃描線G2處于高電平，感測線SENSE與所述參考電壓端斷開，第一開關(guān)晶體管Tl截止，第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通，使得通過所述第一電源端ELVDD和所述驅(qū)動晶體管DT對所述感測線上的寄生電容(感測線電容Csense )充電；在第六時段期間(第二讀出)，第一掃描線Gl處于低電平，第二掃描線G2處于低電平，感測線SENSE與所述參考電壓端斷開，所述充電檢測電路302讀出所述感測線SENSE上的電壓(S卩，感測線電容Csense的充電電壓)作為第二電容充電電壓VS2。
[0075]所述參數(shù)校準(zhǔn)部件根據(jù)所述電容測量電壓Vout、所述脈沖電壓Vin、所述第一參考數(shù)據(jù)電壓Vgl、所述第一電容充電電壓VS2、所述第二參考數(shù)據(jù)電壓Vg2以及所述第二電容充電電壓VS2，計算所述驅(qū)動晶體管DT的電學(xué)參數(shù)。例如，所述電學(xué)參數(shù)可以為所述驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓和載流子迀移率。
[0076]作為示例，所述參數(shù)校準(zhǔn)部件303可以根據(jù)所述電容測量電壓Vout以及所述脈沖電壓Vin確定所述感測線上的感測線電容CSENSE，然后，所述參數(shù)校準(zhǔn)部件303可以根據(jù)所述感測線上的感測線電容Csense、所述第一參考數(shù)據(jù)電壓Vgl、所述第一電容充電電壓Vs2、所述第二參考數(shù)據(jù)電壓Vg2以及所述第二電容充電電壓VS2，計算所述驅(qū)動晶體管DT的電學(xué)參數(shù)。例如，所述電學(xué)參數(shù)可以為所述驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓和載流子迀移率。
[0077]應(yīng)了解，所述第四時段可以緊接在所述第三時段之后，或者在所述第四時段和所述第三時段之間可以包含至少一個其它時段。
[0078]替代地，根據(jù)本發(fā)明實施例，在測量了所述電容測量電壓Vout之后或者在確定了感測線電容Csense之后，所述充電檢測電路302檢測在所述數(shù)據(jù)線DATA上施加第一參考數(shù)據(jù)電壓Vgl的情況下在所述感測時段的時間長度為t2之后所述感測線SENSE的感測線電容上的第一電容充電電壓Vs1，并且檢測在所述數(shù)據(jù)線DATA上施加第一參考數(shù)據(jù)電壓Vgl的情況下在所述感測時段的時間長度為(t2+t4)之后所述感測線SENSE的感測線電容上的第二電容充電電壓VS2。
[0079]具體地，例如，結(jié)合圖1和圖2，從第一時段(第一重置)到第三時段(第一讀出)與上述的第一時段(第一重置)到第三時段(第一讀出)相同，在此不再進行贅述。
[0080]然后，在第四時段(第二感測)，第一掃描線Gl處于低電平，第二掃描線G2處于高電平，感測線SENSE與所述參考電壓端斷開，第一開關(guān)晶體管Tl截止，第二開關(guān)晶體管T2導(dǎo)通，使得通過所述第一電源端ELVDD和所述驅(qū)動晶體管DT繼續(xù)對所述感測線上的寄生電容(感測線電容Cs.)充電，例如，所述第四時段的時間長度t4與所述第二時段的時間長度t2相等或不相等;在第五時段期間(第二讀出)，第一掃描線Gl處于低電平，第二掃描線G2處于低電平，感測線SENSE與所述參考電壓端斷開，所述充電檢測電路302讀出所述感測線SENSE上的電壓(即，感測線電容Csense的充電電壓)作為第二電容充電電壓Vs2。
[0081]具體地，所述參數(shù)校準(zhǔn)部件303可以根據(jù)所述電容測量電壓Vout(或所述感測線上的感測線電容Csense)、所述第一參考數(shù)據(jù)電壓Vgl、所述第二時段的時間長度t2、所述第一電容充電電壓Vs1、所述第四時段的時間長度t4、以及所述第二電容充電電壓VS2，計算所述驅(qū)動晶體管DT的電學(xué)參數(shù)。例如，所述驅(qū)動晶體管DT的電學(xué)參數(shù)可以包括所述驅(qū)動晶體管DT的閾值電壓和載流子迀移率。
[0082]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的AMOLED顯示面板的示意性框圖。
[0083]如圖5所示，AMOLED顯示面板的像素陣列包括M行N列像素，一個像素包括至少一個子像素，一行子像素共享第一掃描線和第二掃描線，一列子像素共享一條數(shù)據(jù)線和一條感測線。
[0084]作為示例，以每個像素包括3個子像素為例，可以由η個源極驅(qū)動器為AMOLED顯示面板的像素陣列提供數(shù)據(jù)電壓，每個源極驅(qū)動器包括提供m條數(shù)據(jù)線以及m條感測線，3N=mX η，n為大于等于I的整數(shù)。
[0085]下面以一個源極驅(qū)動器驅(qū)動所述像素陣列為例來描述根據(jù)本發(fā)明實施例的源極驅(qū)動器的操作，即n = l。應(yīng)了解，本發(fā)明不限于此。
[0086]圖6A示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的源極驅(qū)動器的示意性框圖，圖6B示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的源極驅(qū)動器的另一示意性框圖。
[0087]如圖6A所示，所述源極驅(qū)動器包括第一多路選擇器MUXl 601、第二多路選擇器MUX2 602、電容測量電路603、以及參數(shù)校準(zhǔn)部件604。
[0088]所述第一多路選擇器MUXl 601的m個選擇輸入端分別與m條感測線連接，并且依序選擇所述像素陣列中的各條感測線S1、S2、……、Sm-1、Sm。
[0089]所述電容測量電路603與所述第一多路選擇器MUXl 601的輸出端連接，并且用于根據(jù)脈沖電壓源的脈沖電壓對所述第一多路選擇器MUXl 601選擇的感測線的感測線電容進行充電，并輸出與所述脈沖電壓和所述第一多路選擇器MUXl 601選擇的感測線的感測線電容有關(guān)的電容測量電壓。所述電容測量電路603可以為根據(jù)本發(fā)明實施例的如圖3所示的電容測量電路301。
[0090]對于所述第一多路選擇器MUXl 601選擇的感測線，所述參數(shù)校準(zhǔn)部件604可以根據(jù)該感測線上的電容測量電壓以及所述脈沖電壓確定所選擇的感測線的感測線電容。具體地，如圖4B中所示的電容測量電路的電路原理圖，所述參數(shù)校準(zhǔn)部件604可以根據(jù)該感測線上的電容測量電壓Vout、所述脈沖電壓Vin以及反饋電容Cf確定所選擇的感測線的感測線電容。
[0091]第二多路選擇器MUX2 602的m個選擇輸入端分別與m條感測線連接，依序選擇所述像素陣列中的各條感測線S1、S2、……、Sm-1、Sm并輸出所選擇的感測線上的電容充電電壓。
[0092]所述參數(shù)校準(zhǔn)部件604還與所述第二多路選擇器MUX2602的輸出端連接，對于所述第二多路選擇器MUX2 602所選擇的感測線，所述參數(shù)校準(zhǔn)部件604可以根據(jù)所述第二多路選擇器MUX2 602所選擇的感測線的電容測量電壓(或感測線電容)、向數(shù)據(jù)線施加的參考數(shù)據(jù)電壓以及所述第二多路選擇器MUX2 602所選擇的感測線上的電容充電電壓，計算當(dāng)前選通的子像素電路中的驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)。例如，所述驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)可以為所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓和載流子迀移率。
[0093]如圖6B所示，所述源極驅(qū)動器還包括第三多路選擇器MUX3 606、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器ADC 607、數(shù)據(jù)電壓補償部件608、以及數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件609。
[0094]所述第三多路選擇器MUX3 606用于選擇電容測量模式和充電檢測模式之一，所述第三多路選擇器MUX3 606的選擇輸入端分別與所述第二多路選擇器MUX2 602的輸出端和所述電容測量電路603的輸出端連接。在選擇電容測量模式時，所述第三多路選擇器MUX3606的輸出端輸出所述電容測量電路603輸出的電容測量電壓，而在選擇充電檢測模式時，所述第三多路選擇器MUX3 606的輸出端輸出所述第二多路選擇器MUX2 602輸出的電容充電電壓。
[0095]所述模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器ADC607的輸入端與所述第三多路選擇器MUX3 606的輸出端連接，并將從所述第三多路選擇器MUX3 606的輸出端接收的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。具體地，在所述第三多路選擇器MUX3 606選擇電容測量模式時，所述模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器ADC 607從所述第三多路選擇器MUX3 606接收所述電容測量電路603輸出的電容測量電壓，并將該電容測量電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號形式;而在所述第三多路選擇器MUX3 606選擇充電檢測模式時，所述模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器ADC 607從所述第三多路選擇器MUX3 606接收所述第二多路選擇器MUX2 602輸出的電容充電電壓，并將該電容充電電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號形式。
[0096]對于所述像素陣列中的每個子像素電路，所述數(shù)據(jù)電壓補償部件608根據(jù)該子像素電路的給定數(shù)據(jù)電壓以及所述參數(shù)校準(zhǔn)部件604確定的該子像素電路的驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)，例如驅(qū)動晶體管的閾值電壓和載流子迀移率，計算該子像素電路的補償數(shù)據(jù)電壓。
[0097]所述參數(shù)校準(zhǔn)部件604以及所述數(shù)據(jù)電壓補償部件608由數(shù)字信號處理器實現(xiàn)，因此，所述數(shù)據(jù)電壓補償部件608的輸出信號為數(shù)字信號形式的補償數(shù)據(jù)電壓。
[0098]所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件609的輸出端分別與m條數(shù)據(jù)線Dl、D2、……、Dm_l、Dm連接，并且用于向各條數(shù)據(jù)線輸出對應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓。對于所述像素陣列中的每個子像素電路，所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件609根據(jù)所述數(shù)據(jù)電壓補償部件608計算出的該子像素電路的補償數(shù)據(jù)電壓，產(chǎn)生該子像素電路的補償數(shù)據(jù)電壓并將該子補償數(shù)據(jù)電壓施加到與該子像素電路連接的數(shù)據(jù)線上。
[0099]下面以單個子像素電路為例來描述所述參數(shù)校準(zhǔn)部件604的數(shù)字信號形式的操作。
[0100]所述模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器607將輸入的模擬電壓轉(zhuǎn)換為η比特的數(shù)字信號。具體地，所述模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器607的轉(zhuǎn)換基準(zhǔn)電壓為Vbase，在輸入的模擬電壓等于Vbase時，所述模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器607輸出的數(shù)字信號的η比特均為I。
[0101]對于電容測量電壓Vout，所述模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器607將輸入的電容測量電壓Vout轉(zhuǎn)換為η比特的數(shù)字信號Eve。因此，可以如下地表示電容測量電壓Vout與數(shù)字信號Evc的關(guān)系:
[0102]Vout = Vbase XEvc/2n(9)
[0103]相應(yīng)地，公式(7)可以重寫為:
[0104]Csense = Cf (Vbase/Vin X Evc/2n-1)(10)
[0105]另一方面，對于電容充電電壓Vsense，所述模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器607將輸入的電容充電電壓Vsense轉(zhuǎn)換為η比特的數(shù)字信號Evs。因此，可以如下地表不電容充電電壓Vsense與數(shù)字信號Evs的關(guān)系:
[0106]VsENsE = Vbase XEvs/2n(11)
[0107]將公式(11)與公式(2)結(jié)合，可以得到:
[0108]Vbase X Evs/2n=Vref+k(Vg-Vref-Vth)2 X t2/CsENSE
[0109]Evs = (Vref+k(Vg-Vref-Vth)2 X t2/CsENSE)/Vbase X 2n (12)
[0110]為了簡化，假設(shè)參考電壓Vref等于0，可以得到:
[0111]Evs = 2n X k (Vg-Vth)2 X12/ ( Csense X Vbase) (13)
[0112]將公式(10)代入公式(13)中，可以得到:
[0113]k(Vg-Vth)2= ((Evs X Vbase)/(2n X t2)) X (Cf X Vbase/Vin X Evc/2n-1))
[0114]=Evs X (Vbase/(2nX t2)) X (Cf X Vbase/(Vin X 2n) XEve — I))
[0115]=EvsXklX(k2XEvc-l)(14)
其中，對于固定的電容測量電路603、固定的子像素電路以及固定的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器607，kl和k2為常數(shù)，kl =Vbase/(2nXt2) ,k2 = Cf XVbase/(Vin X 2n)。
[0116]如前所述，在施加第一參考數(shù)據(jù)電壓Vgl的情況下，所述充電檢測電路302檢測到的第一電容充電電壓為Vsensei，以及在施加第二參考數(shù)據(jù)電壓Vg2的情況下，所述充電檢測電路302檢測到的第二電容充電電壓為VSENSE2。
[0117]可以得到:
[0118]k(Vgl-Vth)2 = Evsl Xkl X (k2XEvc-l)(15)
[0119]k(Vg2-Vth)2 = Evs2Xkl X (k2XEvc — I)
[0120]因此，對于所述像素陣列上的每條感測線，在所述模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器607將所述電容測量電路603產(chǎn)生的電容測量電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號Evc之后，可以僅存儲該數(shù)字信號Evc，而無需利用根據(jù)該數(shù)字信號Evc計算出該感測線上的感測線電容。然后，對于每個子像素電路，在得到了 Evsl和Evs2之后，所述參數(shù)校準(zhǔn)部件604可以直接根據(jù)與該子像素電路對應(yīng)的感測線的電容檢測電壓的數(shù)字信號Evc、第一電容充電電壓的數(shù)字信號Evsl、以及第二電容充電電壓的數(shù)字信號Evs2，計算該子像素電路中驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)，例如閾值電壓和載流子迀移率。
[0121]此外，如圖6B所示，所述源極驅(qū)動器還包括第一采樣保持電路S&H1605，所述第一采樣保持電路605包括m個采樣保持通道，每個采樣保持通道包括一個輸入端和一個輸入端，所述第一采樣保持電路605的m個輸入端分別與感測線S1、S2、……、Sm-1、Sm連接，并且所述第一采樣保持電路605的m個輸出端分別與所述第二多路選擇器MUX2 602的m個選擇輸入端連接。
[0122]根據(jù)本發(fā)明實施例，圖3中所示的參數(shù)校準(zhǔn)部件303可以包括圖6B中所示的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器607和參數(shù)校準(zhǔn)部件604;圖3中所示的充電檢測電路302可以包括圖6B中所示的采樣保持電路605的一個采樣保持通道、第二多路選擇器MUX2 602的一個選擇通道、以及第三多路選擇器MUX3 606的一個選擇通道。
[0123]圖7示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件609的示意性框圖。
[0124]如圖7所示，所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件609包括數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器DAC701、第四多路選擇器MUX4 702、以及第二采樣保持電路S&H 703。
[0125]對于所述像素陣列中的每個子像素電路，所述數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器DAC701將所述數(shù)據(jù)電壓補償部件608輸出的該子像素電路的補償數(shù)據(jù)電壓從數(shù)字信號轉(zhuǎn)換至模擬信號。
[0126]所述第四多路選擇器MUX4702的輸入端與所述數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器DAC701的輸出端連接。所述第四多路選擇器MUX4 702選擇其m個輸出端之一，并將從所述數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器DAC 701接收的模擬信號提供至所選擇的輸出端。
[0127]所述第二采樣保持電路703包括m個采樣保持通道，每個采樣保持通道包括一個輸入端和一個輸出端，所述第二采樣保持電路703的m個輸入端分別與所述第四多路選擇器MUX4702的m個輸出端連接，并且所述第二采樣保持電路703的m個輸出端分別與所述像素陣列的m條數(shù)據(jù)線連接。
[0128]對于所述第二采樣保持電路703的每個采樣保持通道，與在該采樣保持通道的輸入端連接的所述第四多路選擇器MUX4 702的選擇輸出端被選擇時，即在該采樣保持通道的輸入端接收到所述數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器701輸出的模擬信號形式的補償數(shù)據(jù)電壓時，該采樣保持通道對其輸入端上的信號進行采樣并保持所采樣的補償數(shù)據(jù)電壓。
[0129]圖8示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的采樣保持電路的一個采樣保持通道的原理性電路圖。如圖8所示，一個采樣保持通道包括輸入端in、采樣開關(guān)SWl、保持電容C、輸出開關(guān)SW2和輸出端out，然而應(yīng)了解本發(fā)明不限于此。
[0130]圖9示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的數(shù)據(jù)電壓補償方法，其應(yīng)用于根據(jù)本發(fā)明實施例的如圖6A和6B所示的源極驅(qū)動器。
[0131]在第一階段，即電容測量階段，所述第三多路選擇器MUX3 606選擇電容測量模式，所述第一多路選擇器MUXl 601依序選擇所述像素陣列中的各條感測線，對于所述第一多路選擇器MUXl 601所選擇的感測線，所述電容測量電路603輸出與所選擇的感測線的感測線電容以及所述脈沖電壓源的脈沖電壓有關(guān)的電容測量電壓。因此，在第一階段中，得到了所述像素陣列中的各條感測線的電容測量電壓。具體地，在該第一階段中，每條感測線均與參考電壓端斷開，并且每個子像素電路中的第二開關(guān)晶體管均截止。在該第一階段中的具體操作，可以參見上面參考圖4B給出的具體描述。
[0132]在第二階段，即第一充電電壓檢測階段，所述像素陣列中的各行子像素電路被逐行地選通，對于當(dāng)前被選通的一行子像素電路，在第一時段，所述第三多路選擇器MUX3 606不操作，所述像素陣列中的各條感測線與參考電壓端連接，所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件609依序向所述像素陣列中的各條數(shù)據(jù)線輸出第一參考數(shù)據(jù)電壓，使得向當(dāng)前被選通的一行子像素電路中的每個子像素電路輸入第一參考數(shù)據(jù)電壓;在第二時段，所述第三多路選擇器MUX3606不操作，所述像素陣列中的各條感測線與參考電壓端斷開，各條感測線分別被該行子像素電路中的對應(yīng)子像素電路充電；在第三時段，所述第三多路選擇器MUX3 606選擇充電檢測模式，所述第二多路選擇器MUX2 602依序選擇所述像素陣列中的各條感測線，使得讀取當(dāng)前被選通的一行子像素電路中的每個子像素電路所對應(yīng)的第一電容充電電壓。在該第二階段中的具體操作，可以參見上面參考圖2給出的具體描述。
[0133]在該第二階段中，依序選通所述像素陣列中的每行子像素電路，并對于每行子像素電路執(zhí)行上述的第一時段、第二時段和第三時段。
[0134]具體地，在所述第一時段中，第一掃描端Gl為高電平，第二掃描端G2為高電平;在所述第二時段中，第一掃描端Gl為低電平，第二掃描端G2為高電平;在所述第三時段中，第一掃描端Gl為低電平，第二掃描端G2為低電平。
[0135]在第三階段，即第二充電電壓檢測階段，所述像素陣列中的各行子像素電路被逐行地選通，對于當(dāng)前被選通的一行子像素電路，與所述第二階段相同地執(zhí)行第一時段、第二時段和第三時段的操作，不同點僅在于:在第一時段中，所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件609依序向所述像素陣列中的各條數(shù)據(jù)線輸出第二參考數(shù)據(jù)電壓;在第三時段中，依序讀取當(dāng)前被選通的一行子像素電路中的每個子像素電路所對應(yīng)的第二電容充電電壓。在該第三階段中的具體操作，可以參見上面參考圖2給出的具體描述。
[0136]在第四階段，所述參數(shù)校準(zhǔn)部件根據(jù)第一階段獲得的各條感測線的電容測量電壓、第二階段獲得的各個子像素電路的第一電容充電電壓、以及第三階段獲得的各個子像素電路的第二電容充電電壓，計算各個子像素電路中驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)，例如驅(qū)動晶體管的閾值電壓和載流子迀移率。在該第四階段中的具體操作，可以參見上面參考圖6B給出的具體描述。
[0137]所述第一階段、第二階段、第三階段以及第四階段的操作可以定期地執(zhí)行，例如每半年執(zhí)行一次或每一年執(zhí)行一次;或者可以在每次AMOLED顯示裝置開機時執(zhí)行。
[0138]然后，可以存儲在第四階段獲得的所述像素陣列中各個子像素電路中驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)，例如驅(qū)動晶體管的閾值電壓和迀移率。
[0139]應(yīng)了解，在所述參數(shù)校準(zhǔn)部件根據(jù)第一階段獲得的各條感測線的電容測量電壓、第二階段獲得的各個子像素電路的第一電容充電電壓、以及第三階段獲得的各個子像素電路的第二電容充電電壓計算各個子像素電路中驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)的情況下，所述第一階段不必須在第二階段和第三階段之前出現(xiàn)，而是可以在第二階段和第三階段之間、或者可以在第二階段和第三階段之后出現(xiàn)。
[0140]在第五階段，即數(shù)據(jù)電壓補償階段，所述像素陣列中的各行子像素電路被逐行地選通，對于當(dāng)前被選通的一行子像素電路中的每個子像素電路，所述數(shù)據(jù)電壓補償部件608根據(jù)該子像素電路的給定數(shù)據(jù)電壓以及在所述第四階段中確定的該子像素電路中驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)來計算該子像素電路的補償數(shù)據(jù)電壓，并且產(chǎn)生模擬信號形式的補償數(shù)據(jù)電壓并將其輸出至與該子像素電路連接的數(shù)據(jù)線。在該第五階段中的具體操作，可以參見上面參考圖7給出的具體描述。
[0141]根據(jù)本發(fā)明實施例的子像素電路的校準(zhǔn)裝置、源極驅(qū)動器以及數(shù)據(jù)電壓補償方法，通過測量反映感測線上的感測線電容的電參量(例如電容電壓)，并且測量在向數(shù)據(jù)線施加參考數(shù)據(jù)電壓的情況下在所述感測線電容上的充電電壓，可以根據(jù)所述電參量以及所述充電電壓確定子像素電路中驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)漂移情況，并且進而可以根據(jù)所確定的驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)漂移情況來調(diào)整向數(shù)據(jù)線施加的數(shù)據(jù)電壓，從而可以補償由于所述電學(xué)參數(shù)漂移造成的各子像素的發(fā)光亮度不均勻的情況。
[0142]在上面詳細描述了本發(fā)明的各個實施例。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可對這些實施例進行各種修改，組合或子組合，并且這樣的修改應(yīng)落入本發(fā)明的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種子像素電路的校準(zhǔn)裝置，所述子像素電路包括驅(qū)動晶體管、第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管和發(fā)光元件，所述第一開關(guān)晶體管的柵極連接第一掃描線，所述第一開關(guān)晶體管的第一電極和第二電極分別連接數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動晶體管的柵極，所述第二開關(guān)晶體管的柵極連接第二掃描線，所述第二開關(guān)晶體管的第一電極和第二電極分別連接感測線和所述驅(qū)動晶體管的第二電極，所述驅(qū)動晶體管的第一電極連接第一電源端，所述發(fā)光元件的陽極和陰極分別連接所述驅(qū)動晶體管的第二電極和第二電源端，所述感測線具有感測線電容， 其特征在于，所述子像素電路校準(zhǔn)裝置包括: 電容測量電路，用于根據(jù)脈沖電壓源的脈沖電壓對所述感測線的感測線電容進行充電，并輸出與所述感測線的感測線電容和所述脈沖電壓有關(guān)的電容測量電壓； 充電檢測電路，用于檢測在所述數(shù)據(jù)線上施加參考數(shù)據(jù)電壓的情況下所述感測線的感測線電容上的電容充電電壓； 參數(shù)校準(zhǔn)部件，用于根據(jù)所述電容測量電壓、所述脈沖電壓、所述參考數(shù)據(jù)電壓以及所述電容充電電壓，計算所述驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)。2.如權(quán)利要求1所述的校準(zhǔn)裝置，其中， 所述充電檢測電路檢測在所述數(shù)據(jù)線上施加第一參考數(shù)據(jù)電壓的情況下所述感測線的感測線電容上的第一電容充電電壓； 所述充電檢測電路檢測在所述數(shù)據(jù)線上施加第二參考數(shù)據(jù)電壓的情況下所述感測線的感測線電容上的第二電容充電電壓；以及 所述參數(shù)校準(zhǔn)部件根據(jù)所述電容測量電壓、所述脈沖電壓、所述第一參考數(shù)據(jù)電壓、所述第一電容充電電壓、所述第二參考數(shù)據(jù)電壓以及所述第二電容充電電壓，計算所述驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)， 其中，所述驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)包括所述驅(qū)動晶體管的閾值電壓和載流子迀移率。3.如權(quán)利要求2所述的校準(zhǔn)裝置，其中，所述電容測量電路包括: 所述脈沖電壓源，其第一端連接所述第二電源端，并且其第二端輸出所述脈沖電壓； 電壓比較器，其同向輸入端連接所述脈沖電壓源的第二端，其反向輸入端連接所述感測線； 反饋電路，其第一端連接所述電壓比較器的輸出端，其第二端連接所述電壓比較器的反向輸入端。4.如權(quán)利要求3所述的校準(zhǔn)裝置，其中， 所述反饋電路包括第一電阻器和第一電容器， 所述第一電阻器的第一端和所述第一電容器的第一端連接到所述電壓比較器的反向輸入端，所述第一電阻器的第二端和所述第一電容器的第二端連接到所述電壓比較器的輸出端， 其中，在所述脈沖電壓的頻率高于預(yù)定頻率閾值時，所述電壓比較器的輸出端的電容測量電壓與所述脈沖電壓的差值與所述感測線的感測線電容成正比，與所述脈沖電壓成正比，并且與所述第一電容器的第一電容成反比。5.—種源極驅(qū)動器，用于為像素陣列中的各子像素電路產(chǎn)生數(shù)據(jù)電壓，所述像素陣列包括M行N列像素，一個像素包括至少一個子像素，一行子像素共享第一掃描線和第二掃描線，一列子像素共享一條數(shù)據(jù)線和一條感測線，每個子像素電路包括驅(qū)動晶體管、第一開關(guān)晶體管、第二開關(guān)晶體管和發(fā)光元件，所述第一開關(guān)晶體管的柵極連接第一掃描線，所述第一開關(guān)晶體管的第一電極和第二電極分別連接數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動晶體管的柵極，所述第二開關(guān)晶體管的柵極連接第二掃描線，所述第二開關(guān)晶體管的第一電極和第二電極分別連接感測線和所述驅(qū)動晶體管的第二電極，所述驅(qū)動晶體管的第一電極連接第一電源端，所述發(fā)光元件的陽極和陰極分別連接所述驅(qū)動晶體管的第二電極和第二電源端，所述感測線具有感測線電容， 其特征在于，所述源極驅(qū)動器包括: 第一多路選擇器，用于依序選擇所述像素陣列中的各條感測線； 電容測量電路，其與所述第一多路選擇器的輸出端連接，并且用于根據(jù)脈沖電壓源的脈沖電壓對所述第一多路選擇器選擇的感測線的感測線電容進行充電，并輸出與所述脈沖電壓和所述第一多路選擇器選擇的感測線的感測線電容有關(guān)的電容測量電壓； 第二多路選擇器，用于依序選擇所述像素陣列中的各條感測線并輸出所選擇的感測線上的電容充電電壓； 參數(shù)校準(zhǔn)部件，用于對于所述第二多路選擇器選擇的感測線，根據(jù)所述電容測量電路輸出的與所述第二多路選擇器選擇的感測線對應(yīng)的電容測量電壓、向數(shù)據(jù)線施加的參考數(shù)據(jù)電壓以及所述第二多路選擇器選擇的感測線上的電容充電電壓，計算與所述第二多路選擇器選擇的感測線對應(yīng)的子像素電路中的驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)。6.如權(quán)利要求5所述的源極驅(qū)動器，還包括: 第三多路選擇器，用于選擇電容測量模式和充電檢測模式之一，在選擇電容測量模式時所述第三多路選擇器的輸出端輸出所述電容測量電路輸出的電容測量電壓，而在選擇充電檢測模式時所述第三多路選擇器的輸出端輸出所述第二多路選擇器輸出的電容充電電壓。7.如權(quán)利要求6所述的源極驅(qū)動器，還包括: 模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器，其與所述第三多路選擇器的輸出端連接，并將所接收的電容測量電壓或電容充電電壓從模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號； 數(shù)據(jù)電壓補償部件，用于對于所述像素陣列中的每個子像素電路，根據(jù)該子像素電路的給定數(shù)據(jù)電壓以及所述參數(shù)校準(zhǔn)部件確定的該子像素電路的驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)，確定該子像素電路的補償數(shù)據(jù)電壓； 數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件，用于對于所述像素陣列中的每個子像素電路，產(chǎn)生該子像素電路的補償數(shù)據(jù)電壓并將該子補償數(shù)據(jù)電壓施加到與該子像素電路連接的數(shù)據(jù)線上， 其中，所述參數(shù)校準(zhǔn)部件和所述數(shù)據(jù)電壓補償部件由數(shù)字信號處理器實現(xiàn)。8.如權(quán)利要求7所述的源極驅(qū)動器，其中，所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件包括數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器， 對于所述像素陣列中的每個子像素電路，所述數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器將所述數(shù)據(jù)電壓補償部件輸出的該子像素電路的補償數(shù)據(jù)電壓從數(shù)字信號轉(zhuǎn)換至模擬信號，并且將模擬信號形式的補償數(shù)據(jù)電壓施加到與該子像素電路連接的數(shù)據(jù)線上。9.如權(quán)利要求8所述的源極驅(qū)動器，其中， 在所述像素陣列中的各行子像素電路被依序選通的情況下，對于當(dāng)前被選通的一行子像素電路，在各條數(shù)據(jù)線上施加第一參考數(shù)據(jù)電壓的情況下，第二多路選擇器依序選擇各條感測線并輸出所選擇的感測線上的第一電容充電電壓； 在所述像素陣列中的各行子像素電路被依序選通的情況下，對于當(dāng)前被選通的一行子像素電路，在各條數(shù)據(jù)線上施加第二參考數(shù)據(jù)電壓的情況下，第二多路選擇器依序選擇各條感測線并輸出所選擇的感測線上的第二電容充電電壓； 對于所述像素陣列中的每個子像素電路，所述參數(shù)校準(zhǔn)部件根據(jù)所述電容測量電路所測量的該子像素電路所連接的感測線的電容測量電壓、向數(shù)據(jù)線施加的第一參考數(shù)據(jù)電壓、該子像素電路所連接的感測線上的第一電容充電電壓、向數(shù)據(jù)線施加的第二參考數(shù)據(jù)電壓、該子像素電路所連接的感測線上的第二電容充電電壓，確定該子像素電路中驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)， 其中，驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)包括驅(qū)動晶體管的閾值電壓和載流子迀移率。10.如權(quán)利要求5所述的源極驅(qū)動器，其中，所述電容測量電路包括: 所述脈沖電壓源，其第一端接地，并且其第二端輸出所述脈沖電壓； 電壓比較器，其同向輸入端連接所述脈沖電壓源的第二端，其反向輸入端連接所述感測線，其輸出端輸出所述電容測量電壓； 反饋電路，其第一端連接所述電壓比較器的輸出端，其第二端連接所述電壓比較器的反向輸入端。11.如權(quán)利要求10所述的源極驅(qū)動器，其中， 所述反饋電路包括第一電阻器和第一電容器， 所述第一電阻器的第一端和所述第一電容器的第一端連接到所述電壓比較器的反向輸入端，所述第一電阻器的第二端和所述第一電容器的第二端連接到所述電壓比較器的輸出端， 其中，對于所述第二多路選擇器選擇的感測線，所述參數(shù)校準(zhǔn)部件根據(jù)所述電容測量電路輸出的與所述第二多路選擇器選擇的感測線對應(yīng)的電容測量電壓、所述脈沖電壓、所述第一電容器的電容、向數(shù)據(jù)線施加的參考數(shù)據(jù)電壓以及所述第二多路選擇器選擇的感測線上的電容充電電壓，計算與所述第二多路選擇器選擇的感測線對應(yīng)的子像素電路中的驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)。12.—種數(shù)據(jù)電壓補償方法，應(yīng)用于如權(quán)利要求7所述的源極驅(qū)動器，包括: 在第一階段，所述第三多路選擇器選擇電容測量模式，所述第一多路選擇器依序選擇所述像素陣列中的各條感測線，所述電容測量電路輸出與所述第一多路選擇器所選擇的感測線的感測線電容有關(guān)的電容測量電壓； 在第二階段，所述像素陣列中的各行子像素電路被逐行地選通，對于當(dāng)前被選通的一行子像素電路，所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件依序向所述像素陣列中的各條數(shù)據(jù)線輸出第一參考數(shù)據(jù)電壓，所述第二多路選擇器依序讀取各條感測線上的電容充電電壓作為該行子像素電路中各子像素電路的第一電容充電電壓； 在第三階段，所述像素陣列中的各行子像素電路被逐行地選通，對于當(dāng)前被選通的一行子像素電路，所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件依序向所述像素陣列中的各條數(shù)據(jù)線輸出第二參考數(shù)據(jù)電壓，所述第二多路選擇器依序讀取各條感測線上的電容充電電壓作為該行子像素電路中各子像素電路的第二電容充電電壓； 在第四階段，所述參數(shù)校準(zhǔn)部件根據(jù)第一階段獲得的各條感測線的電容測量電壓、第二階段獲得的各個子像素電路的第一電容充電電壓、以及第三階段獲得的各個子像素電路的第二電容充電電壓，計算各個子像素電路中驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù);以及 在第五階段，對于所述像素陣列中的每個子像素電路，所述數(shù)據(jù)電壓補償部件根據(jù)該子像素電路的給定數(shù)據(jù)電壓以及該子像素電路中驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)確定該子像素電路的補償數(shù)據(jù)電壓，所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件產(chǎn)生并向與該子像素電路連接的數(shù)據(jù)線輸出所述補償數(shù)據(jù)電壓。13.如權(quán)利要求12所述的數(shù)據(jù)電壓補償方法，其中，在所述第二階段中， 在第一時段，所述像素陣列中的各條感測線與參考電壓端連接，所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件依序向所述像素陣列中的各條數(shù)據(jù)線輸出第一參考數(shù)據(jù)電壓； 在第二時段，所述像素陣列中的各條感測線與參考電壓端斷開，各條感測線分別被該行子像素電路中的對應(yīng)子像素電路充電； 在第三時段，所述第三多路選擇器選擇充電檢測模式，所述第二多路選擇器依序選擇所述像素陣列中的各條感測線，并讀取各條感測線上的電容充電電壓作為該行子像素電路中各子像素電路的第一電容充電電壓。14.如權(quán)利要求13所述的數(shù)據(jù)電壓補償方法，其中，在所述第三階段中， 在第一時段，所述像素陣列中的各條感測線與參考電壓端連接，所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件依序向所述像素陣列中的各條數(shù)據(jù)線輸出第二參考數(shù)據(jù)電壓； 在第二時段，所述像素陣列中的各條感測線與參考電壓端斷開，各條感測線分別被該行子像素電路中的對應(yīng)子像素電路充電； 在第三時段，所述第三多路選擇器選擇充電檢測模式，所述第二多路選擇器依序選擇所述像素陣列中的各條感測線，并讀取各條感測線上的電容充電電壓作為該行子像素電路中各子像素電路的第二電容充電電壓。15.如權(quán)利要求12所述的數(shù)據(jù)電壓補償方法，其中，在第五階段中，對于所述像素陣列中的每個子像素電路， 所述數(shù)據(jù)電壓補償部件根據(jù)該子像素電路的給定數(shù)據(jù)電壓以及該子像素電路中驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)，以數(shù)字信號形式計算該子像素電路的補償數(shù)據(jù)電壓； 所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生部件將補償數(shù)據(jù)電壓從數(shù)字信號變換為模擬信號，并且向與該子像素電路連接的數(shù)據(jù)線輸出模擬信號形式的補償數(shù)據(jù)電壓。16.如權(quán)利要求12所述的數(shù)據(jù)電壓補償方法，其中， 所述驅(qū)動晶體管的電學(xué)參數(shù)包括驅(qū)動晶體管的閾值電壓和載流子迀移率。
【文檔編號】G09G3/3225GK106097969SQ201610440604
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月17日
【發(fā)明人】吳仲遠
【申請人】京東方科技集團股份有限公司