專利名稱：用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種等離子體顯示板，本發(fā)明更特別地涉及一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板、自適應(yīng)防止亮點(diǎn)不發(fā)光(miss-fire)和不寫(miss-writing)而且可以降低制造成本的設(shè)備和方法。
背景技術(shù)：
通常，利用諸如He+Xe、Ne+Xe或者He+Ne+Xe的惰性混合氣體放電時(shí)產(chǎn)生的紫外線，等離子體顯示板(PDP)激發(fā)并輻射熒光材料，從而顯示圖像。這種PDP容易制造成薄膜和大尺寸型。此外，因?yàn)榻诩夹g(shù)的發(fā)展，PDP提供顯著改善的圖像質(zhì)量。
參考圖1，傳統(tǒng)的三電極AC表面放電PDP的放電單元包括設(shè)置在上襯底10上的掃描電極30Y和保持電極30Z以及設(shè)置在下襯底18上的尋址電極20X。
掃描電極30Y和保持電極30Z的每一個(gè)包括透明電極12Y和12Z，以及其線寬小于透明電極12Y和12Z并設(shè)置在透明電極12Y和12Z的一個(gè)邊緣上的金屬總線電極13Y和13Z。透明電極12Y和12Z通常由上襯底10上的氧化錫銦(ITO)形成。金屬總線電極13Y和13Z通常由透明電極12Y和12Z上的諸如鉻(Cr)等的金屬形成，從而減小具有高電阻的透明電極12Y和12Z產(chǎn)生的壓降。
在上襯底10上，與掃描電極30Y和保持電極30Z平行，布置上介質(zhì)層14和保護(hù)膜16。等離子體放電時(shí)產(chǎn)生的壁電荷累積在上介質(zhì)層14上。保護(hù)膜16防止因?yàn)榈入x子體放電期間的濺射而破壞上介質(zhì)層14，并提高二次電子的發(fā)射效率。該保護(hù)膜16通常由氧化鎂(MgO)構(gòu)成。
在設(shè)置了尋址電極20X的下襯底18上形成下介質(zhì)層22和阻擋肋24。下介質(zhì)層22和阻擋肋24的表面上噴涂熒光材料層26。在與掃描電極30Y和保持電極30Z交叉的方向，形成尋址電極20X。與尋址電極20X平行形成阻擋肋24，從而防止由放電產(chǎn)生的紫外線和可見(jiàn)光泄漏到相鄰放電單元。等離子體放電期間產(chǎn)生的紫外線激發(fā)熒光材料26，以產(chǎn)生紅色、綠色和藍(lán)色可見(jiàn)光線之任一。將用于氣體放電的惰性混合氣體注入在上襯底10和下襯底18以及阻擋肋24之間確定的放電空間。
這種PDP對(duì)一幀實(shí)現(xiàn)時(shí)分驅(qū)動(dòng)，可以將一幀劃分為多個(gè)具有不同發(fā)射效率的子域，從而實(shí)現(xiàn)圖像的灰度級(jí)。再將每個(gè)子域劃分為初始化周期，用于初始化整個(gè)域(field)；尋址周期，用于選擇掃描線以及從選擇的掃描線上選擇單元(cell)；以及保持周期，用于根據(jù)放電頻率表示灰度級(jí)。在此，再將初始化周期劃分為供給上升斜波波形的建立間隔和供給下降斜波波形的卸下間隔。
例如，在希望顯示256灰度級(jí)的圖像時(shí)，將等于1/60秒(即，16.67msec)的幀間隔劃分為8個(gè)子域SF1至SF8，如圖2所示。8個(gè)子域SF1至SF8的每一個(gè)被分別劃分為初始化周期、尋址周期以及保持周期，如上所述。在此，對(duì)于每個(gè)子域，每個(gè)子域的初始化周期和尋址周期相同，而在每個(gè)子域，保持周期和對(duì)其分配的保持脈沖數(shù)以2n(其中n＝0，1，2，3，4，5，6和7)的比例升高。
圖3示出對(duì)兩個(gè)子域施加的PDP的驅(qū)動(dòng)波形。
在圖3中，Y表示掃描電極，Z表示保持電極，X表示尋址電極。
參考圖3，PDP被劃分為初始化周期，用于初始化整個(gè)域；尋址周期，用于選擇單元；以及保持周期，用于使其要驅(qū)動(dòng)的選擇單元保持放電。
在初始化周期，在建立間隔內(nèi)，同時(shí)對(duì)所有掃描電極Y1至Yn施加上升斜波波形Ramp-up。在整個(gè)域內(nèi)，該上升斜波波形Ramp-up使單元內(nèi)產(chǎn)生弱放電，以在該單元內(nèi)產(chǎn)生壁電荷。上升斜波波形Ramp-up從保持電壓Vs開(kāi)始升高，直到達(dá)到建立電壓Vsetup與保持電壓Vs的電壓和。
在卸下間隔，在施加上升斜波波形Ramp-up后，對(duì)掃描電極Y同時(shí)施加從低于上升斜波波形Ramp-up的峰值電壓的正電壓Vs下降的下降斜波波形Ramp-down。下降斜波波形Ramp-down在該單元內(nèi)產(chǎn)生弱擦除放電，從而擦除壁電荷的寄生電荷以及由建立放電產(chǎn)生的空間電荷，并且在整個(gè)域的各單元內(nèi)均勻保留尋址放電所需的壁電荷。實(shí)際上，下降斜波波形Ramp-down從保持電壓開(kāi)始下降，直到負(fù)電壓-Vy，以致在卸下間隔期間可以保留要求的壁電荷。
在尋址周期，對(duì)掃描電極Y順序施加負(fù)掃描脈沖，與此同時(shí)，對(duì)尋址電極X施加正數(shù)據(jù)脈沖data。掃描脈沖scan與尋址脈沖data之間的壓差疊加到在初始化周期內(nèi)產(chǎn)生的壁電壓，從而在施加了數(shù)據(jù)脈沖data的單元內(nèi)產(chǎn)生尋址放電。在由尋址放電選擇的單元內(nèi)形成壁電荷。
同時(shí)，在卸下間隔和尋址周期期間，對(duì)保持電極Z施加具有保持電壓Vs的正直流電壓。
在保持周期，對(duì)掃描電極Y和保持電極Z交替施加保持脈沖sus。然后，由尋址放電選擇的單元內(nèi)的壁電壓疊加到保持脈沖sus，從而在每次施加每個(gè)保持脈沖時(shí)，在掃描電極Y與保持電極Z之間產(chǎn)生表面放電形式的保持放電。最終，在結(jié)束保持放電后，對(duì)保持電極Z施加其脈寬小的擦除斜波波形，從而擦除該單元內(nèi)殘留的壁電荷。
在傳統(tǒng)PDP的這種建立間隔內(nèi)，對(duì)掃描電極施加正電壓，而對(duì)保持電極Z施加負(fù)電壓(或者接地電壓)。因此，在建立間隔內(nèi)，在掃描電極Y上形成負(fù)壁電荷，而在保持電極Z上形成正壁電荷，如圖4所示。在卸下間隔內(nèi)，施加從比上升斜波波形Ramp-up的峰值電壓低的正電壓下降的下降斜波波形Ramp-down。因此，擦除額外形成的不均勻寄生壁電荷，從而使該單元內(nèi)的壁電荷數(shù)量減少到特定量。
隨后，在尋址周期，對(duì)掃描電極Y施加負(fù)電壓，而對(duì)保持電極Z施加負(fù)電壓。此時(shí)，在卸下間隔內(nèi)形成的壁電荷的電壓值(負(fù)值)與對(duì)掃描電極Y施加的負(fù)壓值相加，從而產(chǎn)生尋址放電。
僅當(dāng)在初始化周期內(nèi)形成要求的壁電荷時(shí)，以這種方式驅(qū)動(dòng)的傳統(tǒng)PDP才產(chǎn)生穩(wěn)定尋址放電。然而，由于根據(jù)面板的特性，現(xiàn)有技術(shù)在初始化周期可能不產(chǎn)生要求的壁電荷，所以它產(chǎn)生不發(fā)光或者不寫的現(xiàn)象。
更具體地說(shuō)，當(dāng)通常在初始化周期內(nèi)形成壁電荷時(shí)，在掃描電極Y上形成負(fù)壁電荷，而在掃描電極Z上形成正壁電荷，如圖4所示。然而，因?yàn)槔顼@示板的特性等的問(wèn)題，在卸下間隔期間，在掃描電極Y上，一部分放電單元形成正壁電荷，如圖5所示。換句話說(shuō)，在卸下間隔期間，下降斜波波形Ramp-down下降，直到負(fù)電壓-Vy。此時(shí)，在一部分放電單元的掃描電極Y上形成正壁電荷。如果如上所述在掃描電極Y上形成正壁電荷，則出現(xiàn)亮點(diǎn)不發(fā)光或者不寫的現(xiàn)象，從而惡化PDP上的圖像質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板、自適應(yīng)防止亮點(diǎn)不發(fā)光和不寫而且可以降低制造成本的設(shè)備和方法。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的這些以及其他目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)設(shè)備包括建立供給器，用于在初始化周期，對(duì)掃描電極施加上升斜波波形，而在所述初始化周期之后的增強(qiáng)周期期間，對(duì)掃描電極施加正增強(qiáng)脈沖；以及負(fù)電壓供給器，用于在初始化周期對(duì)掃描電極施加下降斜波波形，而在增強(qiáng)周期期間，對(duì)掃描電極施加負(fù)增強(qiáng)脈沖。
在該驅(qū)動(dòng)設(shè)備上，負(fù)電壓供給器僅包括一個(gè)開(kāi)關(guān)器件。
負(fù)電壓供給器包括開(kāi)關(guān)器件，設(shè)置在驅(qū)動(dòng)集成電路的一端與掃描電壓源之間；以及可變電阻器，連接到開(kāi)關(guān)器件的柵極端，用于限制開(kāi)關(guān)器件的通路寬度。
所述負(fù)增強(qiáng)脈沖降低直到達(dá)到比所述下降斜波波形的電壓值高的電壓。
從施加所述負(fù)增強(qiáng)脈沖的周期開(kāi)始直到尋址周期，開(kāi)關(guān)器件保持導(dǎo)通狀態(tài)。
在根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面用于驅(qū)動(dòng)其中一幀具有多個(gè)子域的等離子體顯示板的方法中，包括在所述幀內(nèi)的至少任意一個(gè)子域包括初始化周期，用于在所有放電單元上形成壁電荷；第一增強(qiáng)周期，用于對(duì)掃描電極施加正增強(qiáng)脈沖，以便在所有放電單元上形成要求的壁電荷；第二增強(qiáng)周期，用于在施加了所述正增強(qiáng)脈沖后，施加負(fù)增強(qiáng)脈沖；尋址周期，用于導(dǎo)致尋址放電，以選擇所述放電單元；以及保持周期，用于根據(jù)在發(fā)生所述尋址放電的放電單元的灰度級(jí)值，產(chǎn)生預(yù)定頻率的保持放電。
在該方法中，所述初始化周期被劃分為建立間隔和卸下間隔，而且在建立周期內(nèi)，施加從保持電壓直到所述保持電壓與建立電壓的電壓和的傾斜升高的上升斜波波形，而在卸下周期內(nèi)，施加從所述保持電壓直到負(fù)電壓的傾斜下降的下降斜波波形。
在此，所述負(fù)增強(qiáng)脈沖傾斜下降直到到達(dá)比所述負(fù)電壓高的電壓。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在復(fù)位周期之后，施加正增強(qiáng)脈沖，以防止發(fā)生壁電荷反向現(xiàn)象。此外，在正增強(qiáng)脈沖之后，施加負(fù)增強(qiáng)脈沖，從而減少包括在掃描電極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)的開(kāi)關(guān)的數(shù)量，因此，降低了制造成本。


根據(jù)下面參看附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所做的詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明的這些以及其他目的顯而易見(jiàn)，其中圖1是傳統(tǒng)三電極AC表面放電等離子體顯示板的放電單元結(jié)構(gòu)的透視圖；圖2示出包括在傳統(tǒng)等離子體顯示板的一幀內(nèi)的各子域；圖3是在圖2所示子域期間對(duì)各電極施加的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的波形圖；圖4示出在圖2所示初始化周期期間在各電極上形成的壁電荷；圖5示出在圖2所示初始化周期期間在部分放電單元上形成的壁電荷；圖6是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)方法的波形圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的掃描電極驅(qū)動(dòng)器的電路圖；圖8是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)方法的波形圖；以及圖9是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的掃描電極驅(qū)動(dòng)器的電路圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，附圖示出其例子。
下面將參考圖6至9詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖6是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)方法的波形圖。
參考圖6，將根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的PDP劃分為初始化周期，用于初始化整個(gè)域(field)；增強(qiáng)周期，用于防止壁電荷反向；尋址周期，用于選擇單元；以及保持周期，用于使其驅(qū)動(dòng)的選擇單元保持放電。
在初始化周期，在建立間隔內(nèi)，同時(shí)對(duì)所有掃描電極Y1至Yn施加上升斜波波形Ramp-up。在整個(gè)域內(nèi)，該上升斜波波形Ramp-up使單元內(nèi)產(chǎn)生弱放電，以在該單元內(nèi)產(chǎn)生壁電荷。上升斜波波形Ramp-up從保持電極Vs開(kāi)始升高，直到達(dá)到建立電壓Vsetup與保持電壓Vs的電壓和。
在卸下間隔，在施加上升斜波波形Ramp-up后，對(duì)掃描電極Y同時(shí)施加從低于上升斜波波形Ramp-up的峰值電壓的正電壓Vs下降的下降斜波波形Ramp-down。下降斜波波形Ramp-down在該單元內(nèi)產(chǎn)生弱擦除放電，從而擦除壁電荷的寄生電荷以及由建立放電產(chǎn)生的空間電荷，并且在整個(gè)域的各單元內(nèi)均勻保留尋址放電所需的壁電荷。實(shí)際上，下降斜波波形Ramp-down從保持電壓開(kāi)始下降，直到負(fù)電壓-Vy，以致在卸下周期期間可以保留要求的壁電荷。
在增強(qiáng)周期，施加從接地電壓GND開(kāi)始上升直到建立電壓Vsetup的正增強(qiáng)脈沖Ramp-p。該增強(qiáng)脈沖Ramp-p導(dǎo)致微小放電，以致可以在放電單元上產(chǎn)生要求的壁電荷。更具體地說(shuō)，在包括在大部分放電單元內(nèi)的掃描電極Y上形成負(fù)壁電荷，而在卸下周期期間，在保持電極Z上形成正壁電荷。然而，在包括在部分放電單元內(nèi)的掃描電極Y上形成正壁電荷，如圖5所示。因此，在增強(qiáng)周期期間，施加增強(qiáng)脈沖Ramp-p，以在所有掃描電極Y上形成負(fù)壁電荷。換句話說(shuō)，在卸下周期期間在其上形成了正壁電荷的掃描電極Y也通過(guò)增強(qiáng)周期，從而形成負(fù)壁電荷。
在尋址周期，對(duì)掃描電極Y順序施加負(fù)掃描脈沖，與此同時(shí)，對(duì)尋址電極X施加正數(shù)據(jù)脈沖data。掃描脈沖scan與尋址脈沖data之間的壓差疊加到在初始化周期內(nèi)產(chǎn)生的壁電壓，從而在施加了數(shù)據(jù)脈沖data的單元內(nèi)產(chǎn)生尋址放電。在由尋址放電選擇的單元內(nèi)形成壁電荷。同時(shí)，在增強(qiáng)周期期間，本發(fā)明的第一實(shí)施例在設(shè)置在所有放電單元內(nèi)的掃描電極Y上形成負(fù)壁電荷，因此，它可以產(chǎn)生穩(wěn)定尋址放電。因此，可以防止不寫和/或者亮點(diǎn)不發(fā)光現(xiàn)象。
同時(shí)，在卸下間隔和尋址周期期間，對(duì)保持電極Z施加具有保持電壓Vs的正直流電壓。此外，在增強(qiáng)周期期間，對(duì)保持電極Z施加接地電壓GND。由于對(duì)保持電極Z施加接地電壓GND，所以可以產(chǎn)生穩(wěn)定增強(qiáng)放電。
在保持周期，對(duì)掃描電極Y和保持電極Z交替施加保持脈沖sus。然后，由尋址放電選擇的單元內(nèi)的壁電壓疊加到保持脈沖sus，從而在每次施加每個(gè)保持脈沖時(shí)，在掃描電極Y與保持電極Z之間產(chǎn)生表面放電形式的保持放電。最終，在結(jié)束保持放電后，對(duì)保持電極Z施加其脈寬小的擦除斜波波形，從而擦除該單元內(nèi)殘留的壁電荷。
圖7是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的掃描電極驅(qū)動(dòng)器的原理圖。
參考圖7，掃描電極驅(qū)動(dòng)器包括能量恢復(fù)電路41；第四開(kāi)關(guān)Q4，連接在能量恢復(fù)電路41與驅(qū)動(dòng)集成電路(IC)42之間；負(fù)電壓供給器43和掃描基準(zhǔn)電壓供給器44，連接在第四開(kāi)關(guān)Q4與驅(qū)動(dòng)IC 42之間；以及建立供給器45，連接在第四開(kāi)關(guān)Q4、負(fù)電壓供給器43以及掃描基準(zhǔn)電壓供給器44之間。
以推挽方式連接驅(qū)動(dòng)IC 42，而且驅(qū)動(dòng)IC 42包括第十和第十一開(kāi)關(guān)Q10和Q11，用于從能量恢復(fù)電路41、負(fù)電壓供給器43、建立供給器45以及掃描基準(zhǔn)電壓供給器44接收電壓信號(hào)。第十開(kāi)關(guān)Q10與第十一開(kāi)關(guān)Q11之間的輸出線連接到掃描電極線Y之任一。
能量恢復(fù)電路41包括外部電容器CexY，用于充電從掃描電極線Y恢復(fù)的能量；開(kāi)關(guān)Q14和Q15并聯(lián)到外部電容器CexY；電感器Ly，連接在第一節(jié)點(diǎn)n1與第二節(jié)點(diǎn)n2之間；第一開(kāi)關(guān)Q1，連接在保持電壓源Vs與第二節(jié)點(diǎn)n2之間；以及第二開(kāi)關(guān)Q2，連接在第二節(jié)點(diǎn)n2與接地電壓端GND之間。
下面說(shuō)明能量恢復(fù)電路41的運(yùn)行過(guò)程。
首先，假定在外部電容器CexY充電Vs/2的電壓。如果第十四開(kāi)關(guān)Q14導(dǎo)通，則通過(guò)第十四開(kāi)關(guān)Q14、第一二極管D1、電感器Ly以及第四開(kāi)關(guān)Q4，將對(duì)外部電容器CexY充電的電壓施加到驅(qū)動(dòng)IC 42，并且通過(guò)驅(qū)動(dòng)IC 42的內(nèi)部二極管(未示出)施加到掃描電極線Y。此時(shí)，由于電感器Ly與在放電單元上等效地形成的電容器C形成串聯(lián)LC諧振電路，所以約Vs的電壓施加到掃描電極線Y。
此后，第一開(kāi)關(guān)Q1導(dǎo)通。在第一開(kāi)關(guān)Q1導(dǎo)通時(shí)，通過(guò)第一開(kāi)關(guān)Q1和驅(qū)動(dòng)IC 42，對(duì)掃描電極線Y施加保持電壓Vs。經(jīng)過(guò)要求的時(shí)間后，第一開(kāi)關(guān)Q1斷開(kāi)，而第十五開(kāi)關(guān)Q15導(dǎo)通。此時(shí)，通過(guò)驅(qū)動(dòng)IC 42、第四開(kāi)關(guān)Q4、第二二極管D2以及第五開(kāi)關(guān)Q5，充入放電單元的電容器C的能量施加到外部電容器CexY。換句話說(shuō)，從PDP恢復(fù)的能量充入外部電容器CexY。然后，如果第十五開(kāi)關(guān)Q15斷開(kāi)而第二開(kāi)關(guān)Q2導(dǎo)通，則掃描電極線Y上的電壓保持接地電壓GND。能量恢復(fù)電路41從PDP恢復(fù)能量，然后，再將恢復(fù)的能量送到PDP，從而在建立間隔和保持周期內(nèi)，減少放電期間的過(guò)多功率消耗。
建立供給器45包括連接在建立電壓源Vsetup與第三節(jié)點(diǎn)n3之間的第四二極管D4和第三開(kāi)關(guān)Q3。第四二極管D4截止從第三節(jié)點(diǎn)n3流入建立電壓源Vsetup的反向電流。建立供給器45進(jìn)一步包括用于將能量恢復(fù)電路41供給的Vs電壓與Vsetup電壓疊加的電容器(未示出)。此外，第一可變電阻器R1連接到第三開(kāi)關(guān)Q3的前一級(jí)。第一可變電阻器R1以緩慢打開(kāi)它的方式限制第三開(kāi)關(guān)Q3的通路寬度，從而施加具有預(yù)定斜率的上升斜波波形Ramp-up。
在建立間隔期間，Vs電壓從能量恢復(fù)電路41施加到掃描電極線Y。此時(shí)，掃描電極線Y突然升高到Vs電壓。然后，響應(yīng)定時(shí)信號(hào)控制器(未示出)建立的控制信號(hào)，轉(zhuǎn)換第三開(kāi)關(guān)Q3，從而對(duì)第三節(jié)點(diǎn)n3(或者掃描電極線Y)施加具有預(yù)定斜率的上升斜波波形Ramp-up。實(shí)際上，在建立間隔期間，具有電容器(未示出)上的和電壓值Vs+Vsetup的上升斜波波形施加到第三節(jié)點(diǎn)n3。
此外，在增強(qiáng)周期期間，通過(guò)第三節(jié)點(diǎn)n3，建立供給器45將增強(qiáng)脈沖Ramp-p(與上升斜波波形具有同樣的斜率)施加到驅(qū)動(dòng)IC 42。在此，增強(qiáng)脈沖Ramp-p升高，直到達(dá)到Vsetup電壓。通過(guò)驅(qū)動(dòng)IC 42，將施加到第三節(jié)點(diǎn)n3的增強(qiáng)脈沖Ramp-p施加到掃描電極Y。此時(shí)，在放電單元上產(chǎn)生增強(qiáng)放電。因此，在掃描電極Y上形成負(fù)壁電荷。
掃描基準(zhǔn)電壓供給器44包括連接在掃描基準(zhǔn)電壓源Vsc與第四節(jié)點(diǎn)n4之間的第八開(kāi)關(guān)Q8。在尋址周期期間，第八開(kāi)關(guān)Q8將掃描基準(zhǔn)電壓Vsc施加到第四節(jié)點(diǎn)n4。
負(fù)電壓供給器43包括并聯(lián)在第三節(jié)點(diǎn)n3與掃描電壓源-Vy之間的第五開(kāi)關(guān)Q5和第六開(kāi)關(guān)Q6。在卸下周期期間，第五開(kāi)關(guān)Q5將下降斜波波形Ramp-down施加到第三節(jié)點(diǎn)n3。為此，第二可變電阻器R2連接到第五開(kāi)關(guān)Q5的柵極端。第二可變電阻器R2以緩慢打開(kāi)的方式限制第五開(kāi)關(guān)Q5的通路寬度，從而供給具有預(yù)定斜率的下降斜波波形Ramp-down。在尋址周期期間，第六開(kāi)關(guān)Q6將掃描脈沖scan施加到第三節(jié)點(diǎn)n3。
在這種情況下，包括在負(fù)電壓供給器43內(nèi)的第五開(kāi)關(guān)Q5和第六開(kāi)關(guān)Q6對(duì)第三節(jié)點(diǎn)n3施加同樣的電壓，即，掃描電壓-Vy。在此，由于在卸下間隔內(nèi)使用第五開(kāi)關(guān)Q5，而在尋址周期內(nèi)使用第六開(kāi)關(guān)Q6，所以本發(fā)明第一實(shí)施例中的負(fù)電壓供給器43包括兩個(gè)開(kāi)關(guān)Q5和Q6，因此，產(chǎn)生了制造成本高的問(wèn)題。
為了克服該問(wèn)題，建議了一種如圖8和9所示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)方法和掃描電極驅(qū)動(dòng)器。為了解釋圖8和9，對(duì)圖6和圖9中具有同樣作用的波形(單元)指定同樣的參考編號(hào)，因此，省略詳細(xì)說(shuō)明它們。
圖8是用于說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)方法的波形圖。
參考圖8，將根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的PDP劃分為初始化周期，用于初始化整個(gè)域；增強(qiáng)周期，用于防止壁電荷反向；尋址周期，用于選擇單元；以及保持周期，為其驅(qū)動(dòng)，用于使所選擇單元保持放電。
在初始化周期，在建立間隔內(nèi)，同時(shí)對(duì)所有掃描電極Y1至Yn施加上升斜波波形Ramp-up。在整個(gè)域內(nèi)，該上升斜波波形Ramp-up使單元內(nèi)產(chǎn)生弱放電，以在該單元內(nèi)產(chǎn)生壁電荷。上升斜波波形Ramp-up從保持電極Vs開(kāi)始升高，直到達(dá)到建立電壓Vsetup與保持電壓Vs的電壓和。
在卸下間隔，在供給上升斜波波形Ramp-up后，對(duì)所有掃描電極Y同時(shí)施加下降斜波波形Ramp-down。該下降斜波波形Ramp-down導(dǎo)致在該單元內(nèi)產(chǎn)生微小放電，從而在該單元內(nèi)均勻保留壁電荷。下降斜波波形Ramp-down從保持電壓Vs開(kāi)始下降，直到達(dá)到負(fù)電壓-Vy。
在增強(qiáng)周期，施加從接地電壓GND開(kāi)始上升直到達(dá)到建立電壓Vsetup的正增強(qiáng)脈沖Ramp-p。該增強(qiáng)脈沖Ramp-p導(dǎo)致微小放電，以致可以在放電單元上產(chǎn)生要求的壁電荷。然后，在增強(qiáng)周期內(nèi)，施加從接地電壓GND開(kāi)始下降，直到達(dá)到電壓-Vy+Δ的負(fù)增強(qiáng)脈沖Ramp-d。負(fù)增強(qiáng)脈沖Ramp-d下降直到達(dá)到比掃描電壓源-Vy的電壓值高的電壓，以致不擦除正增強(qiáng)脈沖Ramp-p產(chǎn)生的壁電荷。在此，施加負(fù)增強(qiáng)脈沖Ramp-d，因此掃描電極線Y的電壓值下降，直到在尋址周期之前達(dá)到與掃描電壓源-Vy的電壓值相同的電壓值。
在尋址周期，對(duì)掃描電極Y順序施加負(fù)掃描脈沖，與此同時(shí)，對(duì)尋址電極X施加正數(shù)據(jù)脈沖data，從而選擇放電單元。
同時(shí)，在卸下間隔和尋址周期期間，對(duì)保持電極Z施加具有保持電壓Vs的正直流電壓。
在保持周期，對(duì)掃描電極Y和保持電極Z交替施加保持脈沖sus，從而在尋址周期期間，在選擇的放電單元內(nèi)產(chǎn)生保持放電。最終，在結(jié)束保持放電后，對(duì)保持電極Z施加其脈寬小的擦除斜波波形，從而擦除該單元內(nèi)殘留的壁電荷。
圖9是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的掃描電極驅(qū)動(dòng)器的原理圖。
參考圖9，掃描電極驅(qū)動(dòng)器包括能量恢復(fù)電路41；第四開(kāi)關(guān)Q4，連接在能量恢復(fù)電路41與驅(qū)動(dòng)集成電路(IC)42之間；負(fù)電壓供給器50和掃描基準(zhǔn)電壓供給器44，連接在第四開(kāi)關(guān)Q4與驅(qū)動(dòng)IC 42之間；以及建立供給器45，連接在第四開(kāi)關(guān)Q4、負(fù)電壓供給器50以及掃描基準(zhǔn)電壓供給器44之間。
以推挽方式連接驅(qū)動(dòng)IC 42，而且它選擇性地將對(duì)其施加的電壓施加到掃描電極Z。換句話說(shuō)，驅(qū)動(dòng)IC 42選擇性地將對(duì)第十開(kāi)關(guān)Q10和第十一開(kāi)關(guān)Q11施加的電壓施加到掃描電極Y。為此，與驅(qū)動(dòng)IC 42并聯(lián)設(shè)置第九開(kāi)關(guān)Q9。第九開(kāi)關(guān)Q9選擇性地使驅(qū)動(dòng)IC 42的兩端互相電斷開(kāi)。
在保持周期期間，能量恢復(fù)電路41將具有保持電壓值的保持脈沖sus施加到驅(qū)動(dòng)IC 42。此外，在建立周期期間，能量恢復(fù)電路41對(duì)第三節(jié)點(diǎn)n3施加Vs電壓。
在建立間隔期間，建立供給器45將具有預(yù)定斜率并且電壓值為Vs+Vsetup的上升斜波波形Ramp-up施加到驅(qū)動(dòng)IC 42。此外，在增強(qiáng)周期期間，建立供給器45對(duì)驅(qū)動(dòng)IC 42施加與上升斜波波形Ramp-up具有同樣斜率的正增強(qiáng)脈沖Ramp-p。在此，增強(qiáng)脈沖Ramp-p升高電壓值Vsetup。
掃描基準(zhǔn)電壓供給器44包括連接在掃描基準(zhǔn)電壓源Vsc與第四節(jié)點(diǎn)n4之間的第八開(kāi)關(guān)Q8。在尋址周期期間，第八開(kāi)關(guān)Q8對(duì)第三節(jié)點(diǎn)n4施加掃描基準(zhǔn)電壓Vsc。在此，在尋址周期期間，第九開(kāi)關(guān)Q9保持?jǐn)嚅_(kāi)狀態(tài)。
負(fù)電壓供給器50包括一個(gè)開(kāi)關(guān)，即，位于第三節(jié)點(diǎn)n3與掃描電壓源-Vy之間的第六開(kāi)關(guān)Q6。第二可變電阻器R2連接到第六開(kāi)關(guān)Q6的柵極端，該第二可變電阻器R2用于限制第六開(kāi)關(guān)Q6的通路寬度，以致對(duì)第三節(jié)點(diǎn)n3施加的掃描電壓-Vy可以以預(yù)定斜率降低。在卸下周期期間，第六開(kāi)關(guān)Q6導(dǎo)通，從而對(duì)第三節(jié)點(diǎn)n3施加下降斜波波形Ramp-down。將通過(guò)驅(qū)動(dòng)IC 42，對(duì)第三節(jié)點(diǎn)n3施加的下降斜波波形Ramp-down施加到掃描電極Y。
此外，在增強(qiáng)周期期間，負(fù)電壓供給器50對(duì)第三節(jié)點(diǎn)n3施加負(fù)增強(qiáng)脈沖Ramp-d。更具體地說(shuō)，在對(duì)掃描電極Y施加了正增強(qiáng)脈沖Ramp-p后，第六開(kāi)關(guān)Q6導(dǎo)通。在第六開(kāi)關(guān)Q6導(dǎo)通時(shí)，第三節(jié)點(diǎn)n3以預(yù)定斜率從接地電壓GND緩慢降低。此時(shí)，驅(qū)動(dòng)IC 42將對(duì)第三節(jié)點(diǎn)n施加的電壓施加到掃描電極Y。換句話說(shuō)，對(duì)掃描電極Y施加負(fù)增強(qiáng)脈沖Ramp-d。在此，在第三節(jié)點(diǎn)n3的電壓值降低到-Vy之前，驅(qū)動(dòng)器IC 42的第十一開(kāi)關(guān)Q11斷開(kāi)。因此，對(duì)掃描電極Y施加的負(fù)增強(qiáng)脈沖Ramp-d不降低到電壓-Vy。
同時(shí)，在施加了負(fù)增強(qiáng)脈沖后，在尋址周期期間，第六開(kāi)關(guān)Q6保持導(dǎo)通狀態(tài)。因此，第三節(jié)點(diǎn)n3的電壓值為掃描電壓值-Vy。在尋址周期期間，驅(qū)動(dòng)IC 42將對(duì)第三節(jié)點(diǎn)n3和第四節(jié)點(diǎn)n4施加的電壓之任一施加到掃描電極Y。換句話說(shuō)，在對(duì)掃描電極Y施加掃描脈沖時(shí)，將對(duì)第三節(jié)點(diǎn)n3施加的電壓施加到掃描電極Y，而將對(duì)第四節(jié)點(diǎn)n4施加的電壓施加到掃描電極Y。
在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，在尋址周期之前施加到驅(qū)動(dòng)IC 42的一端的電壓值降低到與掃描電壓-Vy相同的電壓，因此，負(fù)電壓供給器50內(nèi)僅包括一個(gè)開(kāi)關(guān)Q6。因此，本發(fā)明的第二實(shí)施例可以降低制造成本。
盡管利用附圖所示的上述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但是本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員應(yīng)該明白，本發(fā)明并不局限于該實(shí)施例，而且在不脫離本發(fā)明實(shí)質(zhì)范圍的情況下，可以對(duì)其進(jìn)行各種變更或者修改。因此，僅由所附權(quán)利要求及其等同確定本發(fā)明范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于等離子體顯示板的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，包括建立供給器，用于在初始化周期，對(duì)掃描電極供給上升斜波波形，而在所述初始化周期之后的增強(qiáng)周期，對(duì)掃描電極供給正增強(qiáng)脈沖；以及負(fù)電壓供給器，用于在初始化周期對(duì)掃描電極供給下降斜波波形，并且在增強(qiáng)周期，對(duì)掃描電極供給負(fù)增強(qiáng)脈沖。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其中負(fù)電壓供給器僅包括一個(gè)開(kāi)關(guān)器件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其中負(fù)電壓供給器包括開(kāi)關(guān)器件，設(shè)置在驅(qū)動(dòng)集成電路的一端與掃描電壓源之間；以及可變電阻器，連接到開(kāi)關(guān)器件的柵極端，用于限制開(kāi)關(guān)器件的通路寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其中所述負(fù)增強(qiáng)脈沖降低直到達(dá)到比所述下降斜波波形的電壓值高的電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，其中從施加所述負(fù)增強(qiáng)脈沖的周期開(kāi)始直到尋址周期，開(kāi)關(guān)器件保持導(dǎo)通狀態(tài)。
6.一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板的方法，在該等離子體顯示板中，一幀具有多個(gè)子域，其中包括在所述幀內(nèi)的任意至少一個(gè)子域包括初始化周期，用于在所有放電單元上形成壁電荷；第一增強(qiáng)周期，用于對(duì)掃描電極施加正增強(qiáng)脈沖，以便在所有放電單元上形成要求的壁電荷；第二增強(qiáng)周期，用于在施加了所述正增強(qiáng)脈沖后，施加負(fù)增強(qiáng)脈沖；尋址周期，用于實(shí)現(xiàn)尋址放電，以選擇所述放電單元；以及保持周期，用于根據(jù)灰度級(jí)值，在發(fā)生所述尋址放電的放電單元產(chǎn)生預(yù)定頻率的保持放電。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述初始化周期被劃分為建立間隔和卸下間隔，而且在建立周期內(nèi)，施加從保持電壓到所述保持電壓與建立電壓的電壓和的傾斜升高的上升斜波波形，而在卸下周期內(nèi)，施加從所述保持電壓到負(fù)電壓的傾斜下降的下降斜波波形。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述負(fù)增強(qiáng)脈沖傾斜下降直到到達(dá)比所述負(fù)電壓高的電壓。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種用于驅(qū)動(dòng)等離子體顯示板、防止亮點(diǎn)不發(fā)光和不寫而且可以降低制造成本的設(shè)備和方法。在該設(shè)備中，在初始化周期，建立供給器對(duì)掃描電極施加上升斜波波形，而在所述初始化周期之后的增強(qiáng)周期期間，對(duì)掃描電極施加正增強(qiáng)脈沖。在初始化周期內(nèi)，負(fù)電壓供給器對(duì)掃描電極施加下降斜波波形，而在增強(qiáng)周期期間，對(duì)掃描電極施加負(fù)增強(qiáng)脈沖。
文檔編號(hào)G09G3/288GK1830013SQ200480021410
公開(kāi)日2006年9月6日 申請(qǐng)日期2004年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月24日
發(fā)明者尹相辰 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社