一種用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備的移動(dòng)樣品臺(tái)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備的移動(dòng)樣品臺(tái)，屬于微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。所述移動(dòng)樣品臺(tái)包括樣品臺(tái)、中心滑塊、步進(jìn)電機(jī)Ⅰ、基座、步進(jìn)電機(jī)Ⅱ，螺桿Ⅰ、螺桿Ⅱ、滑塊Ⅰ、滑塊Ⅱ、滑塊導(dǎo)軌，基座的下部實(shí)心結(jié)構(gòu)，上部空心的結(jié)構(gòu)，中心滑塊位于基座的上部，基座上部四周均設(shè)有滑塊導(dǎo)軌；螺桿Ⅰ的兩端穿過滑塊導(dǎo)軌，兩端設(shè)有滑塊Ⅰ，滑塊Ⅰ位于滑塊導(dǎo)軌上可滑動(dòng)，其中一個(gè)滑塊上設(shè)有步進(jìn)電機(jī)Ⅰ；螺桿Ⅱ的結(jié)構(gòu)與螺桿Ⅰ相同；由于螺桿Ⅰ與螺桿Ⅱ相互垂直且不在同一平面，中心滑塊沿X軸、Y軸方向的移動(dòng)相互獨(dú)立，從而使沉積基片迅速到達(dá)與等離子球配合最佳的位置，大大提高工作效率和氣相沉積效果。同時(shí)，樣品臺(tái)與基座接觸面積小，降低樣品熱量的散失，可放置需高溫處理的樣品。
【專利說明】
一種用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備的移動(dòng)樣品臺(tái)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備的移動(dòng)樣品臺(tái)，屬于微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]金剛石膜具有良好的物理和化學(xué)性能。尤其是其擁有超高的熱導(dǎo)率和載流子迀移率、極低的熱膨脹系數(shù)、高的紅外透過率、寬禁帶等卓越性能，在光學(xué)、微電子及航空航天等高科技領(lǐng)域得以廣泛應(yīng)用。但天然金剛石太稀少，價(jià)格昂貴，難于加工。因此，金剛石膜急需通過人工合成。
[0003]人工合成金剛石膜的方法主要有化學(xué)氣相沉積和物理氣相沉積法。微波等離子體化學(xué)氣相沉積法因具有設(shè)備簡(jiǎn)單、金剛石膜純度高、高的均勻性等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛采用。然而該方法涉及易燃易爆氣體及高溫，需要在真空條件下進(jìn)行。值得注意的是，制備過程中等離子球的大小、強(qiáng)度及位置會(huì)受到工藝參數(shù)(如微波功率、氣體種類和濃度等)的影響，導(dǎo)致放電等離子體球偏離沉積基片中心，降低金剛石膜的純度及均勻性。目前，這種偏離只能由實(shí)驗(yàn)者根據(jù)自己的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行微弱校正，若二者的中心偏離度較大時(shí)就只能關(guān)閉設(shè)備，根據(jù)前一次的偏離幅度估算位置重新放置沉積基片，每次設(shè)備啟停均需經(jīng)過抽本底真空、氣體混合、逐步升高微波功率點(diǎn)火等系列操作過程，重復(fù)啟停設(shè)備大幅降低了工作效率，增大勞動(dòng)強(qiáng)度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實(shí)用新型提供一種用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備的移動(dòng)樣品臺(tái)，該樣品臺(tái)可沿X軸、Y軸方向獨(dú)立移動(dòng)，從而使沉積基片迅速到達(dá)與等離子球配合最佳的位置，大大提高工作效率。同時(shí)，樣品臺(tái)與基座接觸面積小，降低樣品熱量的散失，可放置需高溫處理的樣品。
[0005]本實(shí)用新型所述用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備的移動(dòng)樣品臺(tái):所述移動(dòng)樣品臺(tái)包括樣品臺(tái)1、中心滑塊2、步進(jìn)電機(jī)13、基座4、步進(jìn)電機(jī)Π 5，螺桿16、螺桿Π 7、滑塊18、滑塊Π 9、滑塊導(dǎo)軌10，基座4的下部實(shí)心結(jié)構(gòu)，上部空心的結(jié)構(gòu)，中心滑塊2位于基座4的上部，基座4上部四周均設(shè)有滑塊導(dǎo)軌10;螺桿16的兩端穿過滑塊導(dǎo)軌10，兩端設(shè)有滑塊18，滑塊18位于滑塊導(dǎo)軌10上可滑動(dòng)，其中一個(gè)滑塊上設(shè)有步進(jìn)電機(jī)13;螺桿Π 7兩端穿過滑塊導(dǎo)軌10，兩端設(shè)有滑塊Π9，滑塊Π9位于滑塊導(dǎo)軌10上可滑動(dòng)，其中一個(gè)滑塊上設(shè)有步進(jìn)電機(jī)Π5;螺桿16與螺桿Π 7相互垂直且不在同一平面；中心滑塊2頂部與樣品臺(tái)I固定連接，底部與基座4相接觸，螺桿16、螺桿Π 7穿過中心滑塊，與中心滑塊之間通過螺紋連接。
[0006]本實(shí)用新型通過螺桿的轉(zhuǎn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)中心滑塊2多方向的移動(dòng)。
[0007]本實(shí)用新型中心滑塊2、螺桿16、螺桿Π7的材料為氧化鋯，進(jìn)一步降低樣品臺(tái)的熱散失，提高熱效率。
[0008]所述螺桿16與螺桿Π 7采用正交設(shè)計(jì)且不在同一平面，基座四邊均有獨(dú)立滑塊8、9，實(shí)現(xiàn)了中心滑塊2沿X軸和Y軸的獨(dú)立移動(dòng)。
[0009]所述中心滑塊2的最小移動(dòng)步進(jìn)取決于螺桿16與螺桿Π 7的螺距，所述螺距為I?5mm，可根據(jù)實(shí)際要求進(jìn)行調(diào)整。
[0010]所述中心滑塊2頂部與樣品臺(tái)I固定連接，底部與基座4相接觸，可保證移動(dòng)過程中樣品臺(tái)的穩(wěn)定性。
[0011]所述樣品臺(tái)I與基座4通過中心滑塊連接，接觸面積小，熱量傳遞量少，步進(jìn)電機(jī)使用壽命長(zhǎng)。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0013](I)該樣品臺(tái)的最小移動(dòng)步進(jìn)受螺距影響，可根據(jù)實(shí)際需要設(shè)計(jì)螺距，適應(yīng)性強(qiáng)；
[0014](2)該樣品臺(tái)與基座接觸面積小，中心滑塊與螺桿采用氧化鋯等絕熱材料，提高樣品的熱效率和步進(jìn)電機(jī)的使用壽命；
[0015](3)該樣品臺(tái)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，功能實(shí)用，有效解決了人工經(jīng)驗(yàn)放置基片不到位的問題，提高工作效率，降低勞動(dòng)量及成本。
【附圖說明】
[0016]圖1是本實(shí)用新型一種【具體實(shí)施方式】的裝備分解立體示意圖；
[0017]圖2是本實(shí)用新型一種【具體實(shí)施方式】的立體示意圖；
[0018]圖3是本實(shí)用新型一種【具體實(shí)施方式】的去樣品臺(tái)俯視圖；
[0019]圖4是本實(shí)用新型一種【具體實(shí)施方式】的右視圖。
[0020 ] 圖中:1-樣品臺(tái)，2-中心滑塊，3-步進(jìn)電機(jī)I，4-基座，5-步進(jìn)電機(jī)Π，6-螺桿I，7-螺桿Π，8-滑塊I，9-滑塊Π，10-滑塊導(dǎo)軌I，11-滑塊導(dǎo)軌Π。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為了更好地解釋本實(shí)用新型，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0022]實(shí)施例1
[0023]本實(shí)施例所述用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備的移動(dòng)樣品臺(tái):所述移動(dòng)樣品臺(tái)包括樣品臺(tái)1、中心滑塊2、步進(jìn)電機(jī)13、基座4、步進(jìn)電機(jī)Π 5，螺桿16、螺桿Π 7、滑塊18、滑塊Π 9、滑塊導(dǎo)軌10，基座4的下部實(shí)心結(jié)構(gòu)，上部空心的結(jié)構(gòu)，中心滑塊2位于基座4的上部，基座4上部四周均設(shè)有滑塊導(dǎo)軌10;螺桿16的兩端穿過滑塊導(dǎo)軌10，兩端設(shè)有滑塊18，滑塊I8位于滑塊導(dǎo)軌10上可滑動(dòng)，其中一個(gè)滑塊上設(shè)有步進(jìn)電機(jī)13;螺桿Π 7兩端穿過滑塊導(dǎo)軌10，兩端設(shè)有滑塊Π9，滑塊Π9位于滑塊導(dǎo)軌10上可滑動(dòng)，其中一個(gè)滑塊上設(shè)有步進(jìn)電機(jī)Π5;螺桿16與螺桿Π7相互垂直且不在同一平面；中心滑塊2頂部與樣品臺(tái)I固定連接，底部與基座4相接觸，螺桿16、螺桿Π 7穿過中心滑塊，與中心滑塊之間通過螺紋連接，如圖1?4所不O
[0024]本實(shí)施例通過螺桿的轉(zhuǎn)動(dòng)實(shí)現(xiàn)中心滑塊2多方向的移動(dòng)。
[0025]本實(shí)施例所述中心滑塊2的最小移動(dòng)步進(jìn)取決于螺桿16與螺桿Π7的螺距，所述螺距為3mm。
[0026]本實(shí)施例所述中心滑塊2、螺桿16、螺桿Π7的材料為氧化鋯，進(jìn)一步降低樣品臺(tái)的熱散失，提高熱效率。
[0027]以上所述僅是對(duì)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，在不脫離權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可做出許多修改、變化或修飾，均屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備的移動(dòng)樣品臺(tái)，其特征在于:所述移動(dòng)樣品臺(tái)包括樣品臺(tái)(I)、中心滑塊(2)、步進(jìn)電機(jī)I (3)、基座(4)、步進(jìn)電機(jī)Π (5)，螺桿I (6)、螺桿Π (7 )、滑塊I (8 )、滑塊Π (9 )、滑塊導(dǎo)軌(1 )，基座(4 )的下部實(shí)心結(jié)構(gòu)，上部空心的結(jié)構(gòu)，中心滑塊(2)位于基座(4)的上部，基座(4)上部四周均設(shè)有滑塊導(dǎo)軌(10);螺桿1(6)的兩端穿過滑塊導(dǎo)軌(10)，兩端設(shè)有滑塊1(8)，滑塊1(8)位于滑塊導(dǎo)軌(10)上可滑動(dòng)，其中一個(gè)滑塊上設(shè)有步進(jìn)電機(jī)1(3);螺桿Π (7)兩端穿過滑塊導(dǎo)軌(10)，兩端設(shè)有滑塊Π (9)，滑塊Π(9)位于滑塊導(dǎo)軌(10)上可滑動(dòng)，其中一個(gè)滑塊上設(shè)有步進(jìn)電機(jī)Π (5);螺桿1(6)與螺桿Π(7)相互垂直且不在同一平面；中心滑塊(2)頂部與樣品臺(tái)(I)固定連接，底部與與基座(4)相接觸，螺桿I (6)、螺桿Π (7)穿過中心滑塊，與中心滑塊之間通過螺紋連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備的移動(dòng)樣品臺(tái)，其特征在于:所述中心滑塊(2)的最小移動(dòng)步進(jìn)取決于螺桿1(6)與螺桿Π (7)的螺距。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備的移動(dòng)樣品臺(tái)，其特征在于:所述螺距為I?5mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述用于微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備的移動(dòng)樣品臺(tái)，其特征在于:中心滑塊(2)、螺桿I (6)、螺桿Π (7)的材料為氧化鋯。
【文檔編號(hào)】C23C16/458GK205635767SQ201620349914
【公開日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年4月25日
【發(fā)明人】彭金輝, 江彩義, 郭勝惠, 楊黎, 張利波, 王梁
【申請(qǐng)人】昆明理工大學(xué)