專利名稱：顯示器面板及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種顯示器面板及其形成方法，尤指一種具有薄膜晶體管陣列(TFT Array)的顯示器面板及其形成方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的具有薄膜晶體管陣列(TFT Array)的顯示器面板中，有關(guān)透明像素電極(pixel electrode)部分，往往會因為其平坦度(flatness)不夠，致使對經(jīng)過其中的光線形成干擾，并產(chǎn)生所謂的光線干涉現(xiàn)象。
為了進(jìn)一步說明，請參閱圖1，其為現(xiàn)有的顯示器面板示例圖。在圖1中，現(xiàn)有的顯示器面板10至少包括一基板11，其材質(zhì)可為玻璃或石英、一第一導(dǎo)線層12，形成于前述基板11之上、以及一通道層13，其形成于第一導(dǎo)線層12之上。
另外，上述顯示器面板10還包括有一絕緣層14，形成于通道層13之上；其中，該絕緣層14包括有一接觸窗141，用以曝露出通道層13的部分表面131。至于絕緣層14的部分表面上方與第一接觸窗141之中，形成有一第二導(dǎo)線層15。其中第一、第二導(dǎo)線層12，15，通常分別為一包括有柵極(gate)的掃描導(dǎo)線(scan line)層與一數(shù)據(jù)導(dǎo)線(data line)層。
另外，平坦層16形成于絕緣層14的另一部分表面上方以及第二導(dǎo)線層15的部分表面。最后，導(dǎo)電層17則形成于平坦層16上方與未被平坦層16所遮蓋的第二導(dǎo)線層15的另一部分表面。
自圖1所示的現(xiàn)有的顯示器面板10中可知，于形成平坦層16時，因不易測量到其平坦度(flatness)，致使后續(xù)于其上方形成導(dǎo)電層17---即為一呈現(xiàn)透明狀態(tài)的銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)層(其用以作為像素電極(pixelelectrode)之用)時，會因為該導(dǎo)電層17所呈現(xiàn)出的不平坦結(jié)果而產(chǎn)生前述的光線干涉現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的主要目的，在于提供一種具有高度平坦化的像素電極的顯示器面板。
本發(fā)明的另一目的，在于提供一種可形成具有高度平坦化的像素電極的顯示器面板的方法。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種顯示器面板，至少包括一基板，一通道層，形成于前述基板之上，一絕緣層，形成于通道層之上，且該絕緣層包括有一第一接觸窗以及一第二接觸窗，用以曝露出通道層的部分表面，一第二導(dǎo)線層，形成于絕緣層的部分表面上方并填入于第一接觸窗之中，一平坦層，形成于絕緣層與第二導(dǎo)線層的部分表面上方并填入于第二接觸窗之中，以及一導(dǎo)電層，形成于平坦層之上與第二導(dǎo)線層的部分表面上方，其中通過第二接觸窗作為測量平坦層的平坦度(flatness)之用，可以形成出具有高度平坦化的平坦層與導(dǎo)電層。
依據(jù)本發(fā)明所公開的技術(shù)，其中顯示器面板可為一種具有薄膜晶體管陣列(TFT Array)的顯示器面板。
依據(jù)本發(fā)明所公開的技術(shù)，其中基板還包括有一第一導(dǎo)線層，且第一、第二導(dǎo)線層可分別為一包括有柵極(gate)的掃描導(dǎo)線(scan line)層與一數(shù)據(jù)導(dǎo)線(data line)層。
依據(jù)本發(fā)明所公開的技術(shù)，其中通道層可為一復(fù)晶硅層。
依據(jù)本發(fā)明所公開的技術(shù)，其中平坦層可為一有機(jī)聚合物層。
依據(jù)本發(fā)明所公開的技術(shù)，其中第二接觸窗可為一啞窗(dummy contacthole)。
依據(jù)本發(fā)明所公開的技術(shù)，其中導(dǎo)電層可為一銦錫氧化物(Indium TinOxide，ITO)層，用以作為像素電極(pixel electrode)。
另外，本發(fā)明亦提供一種形成顯示器面板的方法，包括下列步驟提供一基板；形成一通道層于基板之上；形成一絕緣層于通道層之上；罩幕蝕刻去除部分絕緣層，以形成一第一接觸窗及一第二接觸窗；形成一第二導(dǎo)線層于絕緣層的部分表面上方并填入于第一接觸窗之中；形成一平坦層于絕緣層與第二導(dǎo)線層的部分表面上方并填入于第二接觸窗之中；以及形成一導(dǎo)電層于平坦層之上與第二導(dǎo)線層的部分表面上方。其中通過第二接觸窗作為測量平坦層的平坦度(flatness)之用，可形成出具有平坦化的平坦層與導(dǎo)電層。
依據(jù)本發(fā)明所公開的技術(shù)，其中顯示器面板可為一種具有薄膜晶體管陣列(TFT Array)的顯示器面板。
依據(jù)本發(fā)明所公開的技術(shù)，其中基板還包括有一第一導(dǎo)線層，且第一與第二導(dǎo)線層可分別為一包括有柵極(gate)的掃描導(dǎo)線(scan line)層與一數(shù)據(jù)導(dǎo)線(data line)層。
依據(jù)本發(fā)明所公開的技術(shù)，其中通道層可為一復(fù)晶硅層。
依據(jù)本發(fā)明所公開的技術(shù)，其中平坦層可為一有機(jī)聚合物層。
依據(jù)本發(fā)明所公開的技術(shù)，其中第二接觸窗可為一啞窗(dummy contacthole)，讓平坦層覆蓋于其上，以作為測量平坦層的平坦度(flatness)之用。
依據(jù)本發(fā)明所公開的技術(shù)，其中導(dǎo)電層可為一銦錫氧化物(Indium TinOxide，ITO)層，用以作為像素電極(pixel electrode)。


圖1為現(xiàn)有的顯示器面板示例圖。
圖2為本發(fā)明的一較佳實施示例圖。
圖3A～圖3E為本發(fā)明的一較佳實施步驟示例圖。
其中，附圖標(biāo)記說明如下圖1顯示器面板 10基板 11第一導(dǎo)線層 12通道層 13通道層的部分表面 131絕緣層 14第一接觸窗141第二導(dǎo)線層 15平坦層16導(dǎo)電層 17圖2～圖3A～圖3E顯示器面板 20基板 21第一導(dǎo)線層 22通道層 23第一表面 231
第二表面232絕緣層 24 第一接觸窗241第二接觸窗 242第二導(dǎo)線層 25 平坦層26導(dǎo)電層 具體實施方式

為了使本發(fā)明得到更深入的了解，現(xiàn)結(jié)合附圖詳細(xì)說明如下首先請參閱圖2，其為本發(fā)明的一較佳實施示意圖。如圖2所示，顯示器面板20至少包括有一基板21，其材質(zhì)可為玻璃或石英、一第一導(dǎo)線層22，其形成于前述基板21之上、以及一通道層23，形成于第一導(dǎo)線層22之上。
另外，于通道層23之上形成有一絕緣層24，其中絕緣層24包括有第一接觸窗241及第二接觸窗242，用以分別曝露出通道層23的第一表面231及第二表面232。另外，有一第二導(dǎo)線層25形成于絕緣層24的部分表面上方與第一接觸窗241之中。而平坦層26，則形成于絕緣層24的部分表面上方、第二接觸窗242中與第二導(dǎo)線層25的部分表面。又，于平坦層26上方與未被平坦層26所遮蓋的第二導(dǎo)線層25的部分表面，可形成一導(dǎo)電層27。
于本發(fā)明的較佳做法中，該第一導(dǎo)線層22與第二導(dǎo)線層25 分別為一包括有柵極(gate)的掃描線(scan line)層與一數(shù)據(jù)線(data line)層。而通道層23與平坦層26，則可分別為一復(fù)晶硅層與一有機(jī)聚合物層。至于該導(dǎo)電層27，其可為一銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)層，以作為像素電極(pixelelectrode)使用。
本發(fā)明與現(xiàn)有的技術(shù)間的主要不同處在于于絕緣層24之中多形成有一第二接觸窗242。該第二接觸窗242的功能為一啞窗(dummy contact hole)，以作為測量平坦層26的平坦度(flatness)之用。進(jìn)一步而言，因第二接觸窗242會使后續(xù)沉積于其上方的平坦層26產(chǎn)生凹陷效應(yīng)，如此一來，平坦層26的厚度變化將轉(zhuǎn)變?yōu)楦黠@，意即，假如填入第二接觸窗242中的平坦層26與后續(xù)進(jìn)行的平坦化制程可成功將第二接觸窗242填平，便表示該平坦層26的材質(zhì)與后續(xù)進(jìn)行的平坦化制程可有效達(dá)到平坦化的目的。對于平坦層26的平坦度將較易于掌握與測量的。從而也就較易形成具有高度平坦化的平坦層26與導(dǎo)電層27。
再請進(jìn)一步參閱圖3A～圖3E，其為本發(fā)明的一較佳實施步驟示例圖。其中，包括下列步驟圖3A所示的步驟提供一基板21，其上依序形成有一第一導(dǎo)線層22、一通道層23、以及一絕緣層24；圖3B所示的步驟以罩幕蝕刻方式去除部分絕緣層24，以形成第一接觸窗241及第二接觸窗242，其中第一接觸窗241曝露出通道層23的第一表面231，而第二接觸窗242曝露出通道層23的第二表面232；圖3C所示的步驟形成一第二導(dǎo)線層25于絕緣層24的部分表面上方并填入于第一接觸窗241之中；圖3D所示的步驟形成一平坦層26于絕緣層24與第二導(dǎo)線層25的部分表面上方、并填入于第二接觸窗242之中；以及圖3E所示的步驟形成導(dǎo)電層27于平坦層26上方與未被平坦層26所遮蓋的第二導(dǎo)線層25的部分表面。
綜上所述，本發(fā)明可在不必大幅增加成本(僅增設(shè)一第二接觸窗242)的情況下，即可獲得較現(xiàn)有的技術(shù)更易測量其平坦度的平坦層，與藉此所形成的具有高度平坦化的像素電極。
以上說明僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用以限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述實施例所作的等效變化或各種修飾，皆應(yīng)屬于本發(fā)明的權(quán)利要求書所界定的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種顯示器面板，其特征在于至少包括一基板；一通道層，形成于該基板之上；一絕緣層，形成于該通道層之上，且該絕緣層包括有一第一接觸窗以及一第二接觸窗，用以曝露出該通道層的部分表面；一第二導(dǎo)線層，形成于該絕緣層的部分表面上方并填入于該第一接觸窗之中；一平坦層，形成于該絕緣層與該第二導(dǎo)線層的部分表面上方并填入于該第二接觸窗之中；以及一導(dǎo)電層，形成于該平坦層之上與該第二導(dǎo)線層的部分表面上方。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示器面板，其特征在于，該顯示器面板為一種具有薄膜晶體管陣列的顯示器面板，該基板還包括有一第一導(dǎo)線層，且該第一與第二導(dǎo)線層分別為一包括有柵極的掃描導(dǎo)線層與一數(shù)據(jù)導(dǎo)線層。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示器面板，其特征在于，該通道層為一復(fù)晶硅層，而該平坦層為一有機(jī)聚合物層。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示器面板，其特征在于，該第二接觸窗為一啞窗。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示器面板，其特征在于，該導(dǎo)電層為一銦錫氧化物層，用以作為像素電極。
6.一種形成顯示器面板的方法，其特征在于至少包括下列步驟提供一基板；形成一通道層于該基板之上；形成一絕緣層于該通道層之上；罩幕蝕刻去除部分該絕緣層，以形成一第一接觸窗及一第二接觸窗；形成一第二導(dǎo)線層于該絕緣層的部分表面上方并填入于該第一接觸窗之中；形成一平坦層于該絕緣層與該第二導(dǎo)線層的部分表面上方并填入于該第二接觸窗之中；以及形成一導(dǎo)電層于該平坦層之上與該第二導(dǎo)線層的部分表面上方。
7.如權(quán)利要求6所述的形成顯示器面板的方法，其特征在于，該顯示器面板為一種具有薄膜晶體管陣列的顯示器面板，該基板包括有一第一導(dǎo)線層，且該第一與第二導(dǎo)線層分別為一包括有柵極的掃描導(dǎo)線層與一數(shù)據(jù)導(dǎo)線層。
8.如權(quán)利要求6所述的形成顯示器面板的方法，其特征在于，該通道層為一復(fù)晶硅層，而該平坦層為一有機(jī)聚合物層。
9.如權(quán)利要求6所述的形成顯示器面板的方法，其特征在于，該第二接觸窗為一啞窗。
10.如權(quán)利要求6所述的形成顯示器面板的方法，其特征在于，該導(dǎo)電層為一銦錫氧化物層，用以作為像素電極。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種顯示器面板及其形成方法，至少包括一基板、一通道層，形成于前述基板之上、一絕緣層，形成于通道層之上，且該絕緣層包括有一第一接觸窗以及一第二接觸窗，用以曝露出通道層的部分表面、一第二導(dǎo)線層，形成于絕緣層的部分表面上方并填入于第一接觸窗之中、一平坦層，形成于絕緣層與第二導(dǎo)線層的部分表面上方并填入于第二接觸窗之中、以及一導(dǎo)電層，形成于平坦層之上與第二導(dǎo)線層的部分表面上方，其中通過第二接觸窗作為測量平坦層的平坦度(flatness)之用，可以形成出具有高度平坦化的平坦層與導(dǎo)電層。
文檔編號G09G3/00GK1617193SQ200310115
公開日2005年5月18日 申請日期2003年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月10日
發(fā)明者森本佳宏, 戴亞翔, 蔡耀銘, 張世昌 申請人:統(tǒng)寶光電股份有限公司