a和回收繞線管54b相互在相反方向旋轉(zhuǎn)。
[0044] 規(guī)定長度的部分的切割線50被卷取到一個(gè)回收繞線管后，使回收繞線管54a、54b 以及輥51a、51b、51c在相反方向旋轉(zhuǎn)。由此，切割線50在相反方向移動(dòng)，被卷取到回收繞 線管54a或回收繞線管54b的另一個(gè)上。通過反復(fù)該操作，切割線50往復(fù)運(yùn)動(dòng)（移動(dòng)）。
[0045] 通過一邊向由輥51b和輥51c之間的切割線50形成的切削網(wǎng)51η排出切削液，一 邊使錠10和切削網(wǎng)51η的至少一個(gè)移動(dòng)，使切削網(wǎng)51η與錠10接觸，從而切削網(wǎng)51η的各 切削部分50ρ將錠10切斷。由此，錠10同時(shí)在多處被切斷，得到多個(gè)晶片。如圖1(a)所 示，在該類型的多線鋸56中，一般用載臺(tái)53將被固定用基座14支撐的錠10如黑色箭頭所 示地推上去，將錠10切斷。
[0046] 圖2示意性地表示具有2個(gè)輥的多線鋸57。多線鋸57具有輥51a、51b和在51a、 51b之間被多次卷繞的切割線50。切割線50在輥51a和51b之間，具有以相等間隔配置切 削部分50p的切削網(wǎng)51η。在輥51a和輥51b之間，通過由切割線50形成的切削網(wǎng)51η，錠 10被同時(shí)切片，得到多個(gè)晶片。如圖2所示，在該類型的多線鋸57中，例如，如黑色箭頭所 示地壓下被固定用基座14支撐的錠10,使切削網(wǎng)51η和錠10接觸，由此，將錠10切斷。
[0047] 在切割線50中，例如，使用固定磨粒切割線。具體而言，使用適用于切斷高硬度材 料的、高硬度的磨粒由電沉積被固定于芯線的切割線。高硬度的磨粒也被稱為超磨粒。圖 I (c)示意性地表示切割線50的截面。切割線50包含芯線60、位于芯線60側(cè)面的磨粒61、 和鍍層62。鍍層62,例如由Ni等構(gòu)成。磨粒61位于芯線60的表面，由鍍層62包覆磨粒 61周圍的芯線60的表面和磨粒61，由此，磨粒61固定于芯線60。
[0048] 接著，說明高硬度材料的利用多線鋸的切斷方法的具體條件。在切割線50的往復(fù) 運(yùn)動(dòng)的1單位行程（循環(huán)）中，以去路的行進(jìn)距離為匕，以回路的行進(jìn)距離為b b。在去路的 行進(jìn)距離bf和回路的行進(jìn)距離b b相等（b f= b b)時(shí)，經(jīng)常以切割線50的相同部分進(jìn)行錠 10的切斷，即使往復(fù)運(yùn)動(dòng)反復(fù)地進(jìn)行，切割線50的新（virgin)部分也不被用于切斷。其結(jié) 果，隨著切斷進(jìn)行，切割線50的鋒利度變差。
[0049] 為了抑制這樣的切割線50的鋒利度下降，即使反復(fù)進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)也使加工精度 保持為一定，使b#Pb b不同，使得在每1單位行程或每規(guī)定數(shù)量的單位行程中，切割線50的 新的部分被用于切削。具體而言，以bf> b b或b f< b b的方式設(shè)定切割線50的往復(fù)運(yùn)動(dòng)。 由此，因?yàn)樵诿?單位行程中，作為僅為bf-b b (或bb-bf)部分的切割線50的新（virgin)部 分被用于切斷，所以，即使反復(fù)進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng)，也能夠保持一定的加工精度。
[0050] 在本申請(qǐng)說明書中，在切割線50的往復(fù)運(yùn)動(dòng)的1單位行程中，將行進(jìn)距離長的一 方?jīng)Q定為去路（即b f>bb)，將（bf+bb)/2定義為切割線連續(xù)行進(jìn)距離b。另外，此時(shí)將在1 單位行程中切割線50的新放出的長度稱為新線放出量。如果將新線放出量定義為d，則為 d 一 b〇
[0051] 在這里，從錠10的切斷前進(jìn)方向?qū)㈠V10投影于切割線50時(shí)，將在被切斷的多處 所投影的錠10長度之和定義為最大接觸總長度a。例如，如圖3所示，從錠10的切斷前進(jìn) 方向（白色箭頭），將錠10在切割線上投影錠時(shí)的1個(gè)切斷處的長度設(shè)為D'。當(dāng)利用切割 線50的切削網(wǎng)51η在η處（η為1以上的整數(shù)）切斷錠10時(shí)，錠10和切割線50的最大接 觸總長度a以nXD'表示。錠10具有圓柱形狀時(shí)，D'為作為錠的截面的圓的直徑D。錠10 的截面形狀不限定于為圓，也可以是橢圓形或多邊形。
[0052] 如上所述，專利文獻(xiàn)1教導(dǎo)了為了減小晶片的彎曲，使切割線以短的循環(huán)往復(fù)，即 縮短單位行程的時(shí)間。所謂往復(fù)的單位行程的時(shí)間短，是指相比于錠10和切割線50的最 大接觸總長度a，切割線連續(xù)行進(jìn)距離b不太長。通常，切割線連續(xù)行進(jìn)距離b是最大接觸 總長度a的數(shù)倍到10倍以下。
[0053] 但是，根據(jù)本申請(qǐng)發(fā)明人的研宄，可知單位行程的時(shí)間長可以提高加工精度。具體 而言，當(dāng)設(shè)cl =b/a時(shí)，設(shè)定為cl ^ 20。另外，當(dāng)設(shè)c2 = d/a時(shí)，設(shè)定為0. 35 < c2 < 1. 55。
[0054] 關(guān)于其理由，在以下說明。首先，以錠和切割線的最大接觸總長度的20倍以上的 切割線連續(xù)行進(jìn)距離（cl多20)，反復(fù)進(jìn)行使切割線往復(fù)運(yùn)動(dòng)的單位行程，由此，能夠比以 往減小與錠接觸的切削網(wǎng)整體中的切割線的工作量，且將其平均化，能夠減小從錠中切出 的多片晶片的彎曲和翹曲。另外，通過將單位行程中的切割線的新線放出量設(shè)為最大接觸 總長度的〇. 35倍以上、1. 55倍以下（0. 35彡c2彡1. 55)，能夠長時(shí)間維持切割線良好的鋒 利度。由此，切割線在錠切斷中受到的應(yīng)力也變小，在錠切斷中，能夠抑制切割線發(fā)生斷線。 另外，因?yàn)槟軌蛞种凭膹澢吐N曲，所以就能夠切出薄的晶片，能夠增多從錠中切出的 晶片數(shù)。另外，因?yàn)榍谐龅木穆N曲小，所以在精加工到制品之前所需要的晶片研磨和鏡 面精加工需要的時(shí)間也變短。因此，根據(jù)本實(shí)施方式，就能夠比以往以更低的成本制造由高 硬度材料構(gòu)成的晶片，另外，結(jié)果也能夠縮短制造所需要的時(shí)間。另外，通過將新線放出量 設(shè)定在上述范圍，因?yàn)槟軌蚣染S持高的加工精度，又比以往減少新線放出量，所以就能夠減 少每個(gè)晶片的切割線的消耗量，還能夠減少切割線的使用成本。
[0055] 圖4(a)示意性地表示本實(shí)施方式的方法中的切割線50的行進(jìn)速度的時(shí)間變化。 在圖4(a)中，橫軸表示從切割線50開始行進(jìn)的時(shí)刻起的時(shí)間，縱軸表示行進(jìn)速度V。縱軸 為正的區(qū)域中，切割線50在去的方向行進(jìn)，在負(fù)的區(qū)域中，在回的方向行進(jìn)。在切割線50 的去的方向和回的方向的行進(jìn)中，切割線50分別以相同的絕對(duì)值加速，達(dá)到一定速度后， 以相同的絕對(duì)值減速。在圖4(a)中，區(qū)域A f的面積表示在去的方向中切割線50的行進(jìn)距 離匕，區(qū)域Ab的面積表示在回的方向中切割線50的行進(jìn)距離b b。通過使在回的方向行進(jìn) 中維持一定速度的時(shí)間tB比在去的方向行進(jìn)中維持一定速度的時(shí)間1^短，區(qū)域A b變得比 區(qū)域Af更小，回的方向的行進(jìn)距離變短。在圖4(a)中，包含去的方向行進(jìn)和回的方向行進(jìn) 的單位行程的期間以Sa表示。另外，區(qū)域A b和區(qū)域Af之差（Af-Ab)為新線放出量d。
[0056] 圖4(b)表示在利用現(xiàn)有的多線鋸進(jìn)行的錠的切斷方法中所使用的切割線50的行 進(jìn)速度的時(shí)間變化。因?yàn)樵谌サ姆较蛑泻突氐姆较蛑芯S持一定速度的時(shí)間t/和t B'分別 比本實(shí)施方式短，所以區(qū)域A/的面積和區(qū)域AB'的面積分別比本實(shí)施方式小。因此，去路 的行進(jìn)距離b f'和回路的行進(jìn)距離bb'分別比本實(shí)施方式短，包含去的方向行進(jìn)和回的方向 行進(jìn)的單位行程的期間也比本實(shí)施方式短。
[0057] cl表示錠和切割線的最大接觸總長度的每單位長度的切割線50的長度。cl越大， 切割線50的1次單位行程中使用的切割線越長，切割線50的每單位長度的負(fù)荷（工作量） 越低。
[0058] 另外，c2表示錠和切割線的最大接觸總長度的每單位長度的新線放出量。例如， 如圖1(c)所示，在新的切割線50中，磨粒61的表面被鍍層62包覆。因此，固定磨粒切割 線的鋒利度，一般在（1)因磨粒61的表面被鍍層62包覆而鋒利度差的初期狀態(tài)，（2)磨粒 61露出而維持良好鋒利度的中期狀態(tài)，（3)因磨粒的磨粒鈍化（目)、磨粒脫落（目 二札）而鋒利度差的終期狀態(tài)中變迀。為了以高加工精度切斷錠10,重要的是維持在維 持良好的鋒利度的中期狀態(tài)。以上情況不受切割線的種類限定，例如，即使在游離磨粒時(shí)， 切割線自身也消耗、容易斷線，因此也優(yōu)選在上述范圍內(nèi)。根據(jù)本申請(qǐng)發(fā)明人的詳細(xì)研宄， 可知在c2處于上述范圍時(shí)，能夠長時(shí)間維持切割線50的良好的鋒利度。
[0059] 優(yōu)選cl大的情況，但如果cl過大，則切割線50的1次單位行程中所使用的切割 線50變得過長，切割線50使用量增大，結(jié)果成本增大。另外，在將錠10切斷中切割線50 斷線的情況下，雖然需要重新連結(jié)切割線但為了防止錠被結(jié)頭破壞，必須更換相當(dāng)于切割 線連續(xù)行進(jìn)距離b部分的切割線50,因此在切割線50產(chǎn)生斷線時(shí)，要廢棄的切割線50的部 分會(huì)增大。因此，從經(jīng)濟(jì)觀點(diǎn)出發(fā)，更優(yōu)選cl為20 < cl < 80, 即，切割線連續(xù)行進(jìn)距離b 更優(yōu)選為最大接觸總長度a的20倍以上、80倍以下。
[0060] 可以認(rèn)為通過將Cl設(shè)定為20彡Cl彡80,能夠比以往減小與錠10接觸的切削網(wǎng) 51η整體中的切割線的工作量，且將其平均化，能夠減小從錠10中切出的多片晶片的彎曲 和翹曲。此外，經(jīng)濟(jì)性上也理想。
[0061] 進(jìn)一步詳細(xì)研宄、研討的結(jié)果可知，可以認(rèn)為切出的晶片的翹曲大小，與上述系數(shù) cl和cl之積成比例。在cl大、切割線50的每單位長度的負(fù)荷小的情況下，將c2設(shè)定得 小，即使新線放出量少，也能夠維持高的加工精度。另一方面，在cl小、切割線50的每單位 長度的負(fù)荷大的情況下，將c2設(shè)定得大，增大新線放出量，能夠維持高的加工精度。
[0062] 例如，從錠10中切出直徑為6英寸、主面為r面、厚度為0.85ym的晶片時(shí)，在希 望使晶片的翹曲為60 μπι以下時(shí)，cl和c2優(yōu)選滿足以下的不