專利名稱：氧化硅玻璃坩堝的制造裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及氧化硅玻璃坩堝的制造裝置及其制造方法，尤其涉及硅單晶提拉用氧化硅玻璃坩堝的制造中的內表面特性的控制技術。
背景技術：
在硅單晶的制造中，通常會采用使用氧化硅玻璃坩堝的切克勞斯基法(CZ法)。 氧化硅玻璃坩堝其內部可貯存熔化的多結晶原料的硅熔液，從而在旋轉坩堝的同時將硅單晶的晶種浸漬到其內部的溶液中并慢慢進行提升，并將晶種作為核心生長硅單晶并進行提拉。這種氧化硅玻璃坩堝，具有包含多個氣泡的外層與透明的內層所構成的2層結構，而內層的表面特性，即提拉單晶時與硅熔液接觸的內表面的特性，將左右被提升的硅單晶的特性，并對最終的硅晶圓的收獲率也產生影響。因此，作為氧化硅玻璃坩堝，用非晶質的合成氧化硅粉構成的合成氧化硅玻璃制造內層，用天然氧化硅玻璃制成外層的技術已被公知。然而，在現有技術中頻繁發(fā)生如下問題。例如，用氧化硅玻璃坩堝熔化硅并提拉單晶時，硅熔液的液面上會發(fā)生波動，而難以實現適合的晶種浸漬進行的熔接，或者，發(fā)生單晶化被阻礙而導致的液面振動。而這種液面振動現象，隨著硅結晶的大口徑化，變得更容易發(fā)生，因此，改善氧化硅玻璃坩堝的內表面特性的要求非常強烈。另一方面，用于上述的CZ法中的氧化硅玻璃坩堝，首先，在模具內部堆積氧化硅粉而形成氧化硅粉層，之后，通過電弧放電來熔化氧化硅粉層，并進行冷卻固化而獲得。在這種氧化硅玻璃坩堝的制造工程中，熔化氧化硅粉層時，通過對氧化硅粉層的內面進行電弧放電來進行上述內面的沖洗處理，即所謂的火拋光。這里所說的火拋光是，通過電弧放電來熔化氧化硅粉而邊形成氧化硅玻璃層，同時用電弧去除熔融原料內所產生的氣泡等的去除處理。進行根據這種火拋光的處理，能夠制造出內表面特性優(yōu)越的氧化硅玻璃坩堝。然而，如圖8所示，當使用形成為直線狀的現有構成的電極來制造氧化硅玻璃坩堝的情況下，很難將來自多個電極113的電弧照射到氧化硅粉層111側壁內面Illb的整體上。此時，在底部內面Illa中，雖然能夠獲得用火拋光均勻去除氣泡的效果，但是在側壁內面Illb中，仍存在難以實現氣泡去除效果的部位。這時，如果來自形成為直線狀的多個電極113的電弧放電直接照射到底部內面111a，則這些部位中的氧化硅粉層111會有效地被熔化。但是，如果采用了圖8所示的現有結構的電極，則很難對氧化硅粉層111側壁內面 Illb與彎曲面進行電弧的照射，甚至，難以給予輻射熱。因此，在制造出的氧化硅玻璃坩堝的側壁內面中，會出現產生在熔融原料內的氣泡直接被固化而顯露的部位，導致內表面的特性惡化的問題。而且，當使用側壁內面發(fā)生特性缺陷的氧化硅玻璃坩堝，并根據上述的CZ法來提拉硅單晶的情況下，在坩堝內的缺陷部位中單晶化被阻礙，而發(fā)生成品率降低的大問題。而且，近幾年，為了對應762 1016mm(30 40英寸)的大口徑晶片，要求進行硅單晶的大口徑化，與此相伴，也要求進行氧化硅玻璃坩堝的大型化。因此，在制造氧化硅玻璃坩堝的時，為了熔化氧化硅粉層，需要增加電力量，需要提高施加到電極上電力，同時，對于表面積廣的氧化硅粉層的內表面整體，需要均勻地照射電極所放出的電弧。然而，隨著氧化硅玻璃坩堝的大型化，坩堝內部的表面積會增大，因此，對側壁內面整體進行均勻地照射變得更加困難。因此，根據火拋光來去除氣泡的去除處理變得不完整，制造后的氧化硅玻璃坩堝的內表面特性發(fā)生顯著的惡化。并且，如上所述，當使用具有內表面特性的缺陷的氧化硅玻璃坩堝來提拉硅單晶時，會發(fā)生硅單晶的生長不理想的問題。在氧化硅玻璃坩堝的制造工程中，為了防止內表面特性的缺陷，如專利文獻1中記載的技術，通過去除從熔化的氧化硅粉原料中發(fā)生的氧化硅蒸汽來去除裝置內發(fā)生的雜質等。而且，為了進一步提高氧化硅玻璃坩堝的內表面特性，如專利文獻2，3中記載了將非晶質的合成氧化硅粉作為形成氧化硅玻璃坩堝的內表面的氧化硅粉的方法。[背景技術文獻][專利文獻]專利文獻1 日本公開專利特開2002-1M894號公報專利文獻2 日本授權專利特許第觀11四0號公報專利文獻3 日本授權專利特許第四33404號公報

發(fā)明內容
然而，即使根據上述專利文獻1 3中的任何文獻記載的技術，在氧化硅粉層的側壁內面中難以去除熔融原料中產生的氣泡等，而導致制造出的氧化硅玻璃坩堝的側壁內面的特性發(fā)生局部惡化的問題。因此，利用專利文獻1 3中記載的技術所獲得的氧化硅玻璃坩堝來制造硅單晶時，出現了硅單晶的生長不理想的問題。鑒于上述課題，本發(fā)明提供了可實現如下目的的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置及氧化硅玻璃坩堝的制造方法。1.在氧化硅玻璃坩堝的制造工程的制造過程中，采用火拋光技術來可靠地去除在坩堝內的熔融原料中所產生的氣泡等。2.尤其是，可靠地去除熔融的氧化硅粉層的側壁內面中所產生的氣泡等。3.防止氧化硅玻璃坩堝的內表面整體的特性降低，并提高其特性。4.降低產品特性偏差的發(fā)生，可進行穩(wěn)定的質量管理。為了解決上述課題，本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置，具備限定氧化硅玻璃坩堝外形的模具；以及，具備多個電極以及電力供給單元的電弧放電單元；其中，上述多個電極中的各個電極，具有朝向上述模具的前端部、作為上述前端部的相反側端部的他端部， 以及設置于上述前端部和上述他端部之間的彎曲部。優(yōu)選的，由上述前端部的軸線和上述他端部的軸線所構成的角度為90 175度。 更優(yōu)選的，上述角度為90 150度。上述彎曲部也可以具有急劇彎折的彎折部。而且，可選的，上述多個電極的各個電極的他端部具有形成略呈多角形形狀的配置。
優(yōu)選的，本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置還包括變位控制單元，其對上述模具和上述電極之間的相對位置狀態(tài)、上述模具的位置狀態(tài)、上述電極的位置狀態(tài)中的至少一個狀態(tài)進行變位。優(yōu)選的，上述變位控制單元至少進行水平方向移動、傾斜、旋轉或者回轉上述模具的動作，以及，在垂直相對位置上移動上述電極和上述模具的動作中的一種變位控制。還有，為了解決上述課題，本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝的制造方法是使用上述制造裝置的氧化硅玻璃坩堝的制造方法，該方法包括將上述氧化硅粉放入模具內部形成氧化硅粉層的氧化硅粉供給工序；以及，用上述多個電極的電弧放電來熔化上述氧化硅粉層的電弧熔化工序；其中，在上述電弧熔化工序中，從上述多個電極的各個前端部對著上述氧化硅粉層進行電弧放電并熔化上述氧化硅粉層。優(yōu)選的，在上述電弧熔化工序中，對上述模具和上述電極的相對位置狀態(tài)、上述模具的位置狀態(tài)、上述電極的位置狀態(tài)中的至少一種狀態(tài)進行變位，并對放入上述模具內的上述氧化硅粉層進行熔化。優(yōu)選的，在上述電弧熔化工序中，至少進行水平方向移動、傾斜、旋轉或者回轉上述模具的動作，以及，在垂直相對位置上移動上述電極和上述模具的動作中的一種變位控制。由于在現有的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置中，電極是直線狀的，因此未能將電極的前端部充分靠近到氧化硅粉層的側壁內面上。在電極的前端部附近存在高溫部，通過靠近該高溫部來改善利用火拋光進行的氣泡去除效率(去除熔融材料中產生的氣泡等的效率)，然而在現有技術中，由于不能將電極的前端部充分靠近到氧化硅粉層的側壁內面上， 因此去除側壁內面中的氣泡等的消除效率低。根據本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置， 由于電極具有彎曲部，因此能夠將電極前端部的高溫不充分地靠近到氧化硅粉層的側壁內面上，由此改善側壁內面的氣泡去除效率。從而，根據本發(fā)明能夠制造內表面特性，尤其是側壁內面的特性優(yōu)越的氧化硅玻璃坩堝。這里所說的氧化硅玻璃坩堝的內表面特性，意味著對在氧化硅玻璃坩堝中進行提拉的半導體單晶的特性產生影響的所有要因，特別是，包含是否與提拉時成為單晶原料的硅熔液接觸或者因提拉過程中的溶損而與硅熔液接觸的范圍的坩堝內面?zhèn)鹊奶匦裕约埃?對處于長時間加熱狀態(tài)的坩堝的強度產生影響的坩堝特性的要素。具體地說，所謂氧化硅玻璃坩堝的內表面特性是，把在坩堝的厚度方向以及沿坩堝內表面方向上的分布狀態(tài)(均勻性，不均勻性)的氣泡密度、氣泡大小、雜質濃度、坩堝內表面形狀的表面凹凸、玻璃化狀態(tài)、OH基的含有量等為對象的要素。而且，氧化硅玻璃坩堝的內表面特性還意味著，是對坩堝厚度方向上的氣泡分布以及氣泡的大小分布、坩堝內表面附近的雜質分布、表面的凹凸， 以及除此之外的玻璃化狀態(tài)、OH基的含有量以及這些坩堝高度方向上的不均勻等的分布狀態(tài)等，在氧化硅玻璃坩堝中進行提拉而成的半導體單晶的特性產生影響的要因。根據本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝的制造方法，可將電極的前端部靠近到溶化的氧化硅粉層的側壁內面，并根據上述理由，能夠改善氣泡去除效率。從而，根據本發(fā)明能夠制造出內表面特性，特別是側壁內面特性優(yōu)越的氧化硅玻璃坩堝。在本發(fā)明的上述電弧熔化工序中，對上述模具和上述電極的相對位置狀態(tài)、上述模具的位置狀態(tài)、上述電極的位置狀態(tài)中的至少一種狀態(tài)進行變位，并對放入上述模具內的上述氧化硅粉層進行熔化，以此針對氧化硅粉層的側壁內面能夠更均勻地進行電弧放電，并且能夠用火拋光可靠地去除熔融材料中產生的氣泡等。而且，在本發(fā)明中的上述電弧熔融工序中，通過至少進行水平方向移動、傾斜、旋轉或者回轉上述模具的動作，以及，在垂直相對位置上移動上述電極和上述模具的動作中的至少一種變位控制，如上所述，能夠針對氧化硅粉層的側壁內面進行更均勻的電弧放電， 并且能夠用火拋光可靠地去除熔融材料中產生的氣泡等。另外，作為氧化硅粉，針對內層可主要使用合成氧化硅粉，針對外層可使用天然氧化硅粉。這里所謂的合成氧化硅粉，是指由合成氧化硅而成的物質。合成氧化硅是化學性地合成·制造的原料。合成氧化硅粉是非晶質的。由于合成氧化硅的原料是氣體或液體的， 因此能容易地進行精制，而且合成氧化硅粉的純度能比天然氧化硅粉的純度更高。作為合成氧化硅的原料，有四氯化碳等氣體的原料來源和如硅醇鹽的液體的原料來源。合成氧化硅玻璃，可以把全部雜質控制到0. Ippm以下。在合成氧化硅粉內，根據溶膠-凝膠法而成的物質中，殘留有經醇鹽的加水分解生成的50 IOOppm的硅烷醇。在四氯化碳作為原料的合成氧化硅中，可以將硅烷醇控制在0 IOOOppm的廣范圍內，但通常其中會含有IOOppm左右以上的氯。把醇鹽作為原料的情況下，能輕易獲得不含有氯的合成氧化硅。而且如述所述，根據溶膠-凝膠法而成的合成氧化硅粉在熔融前含有50 IOOppm左右的硅烷醇。若對其進行真空熔融，則會發(fā)生硅烷醇的脫離，而所獲得的合成氧化硅玻璃的硅烷醇會減少到5 30ppm左右。此外，硅烷醇量根據熔融溫度，升溫溫度等的熔融條件的不同而不同。在相同條件下熔化天然氧化硅粉而獲得的天然氧化硅玻璃的硅烷醇量不滿50ppm。通常，比起熔化天然氧化硅粉而獲得的天然氧化硅玻璃，合成氧化硅玻璃在高溫下的粘度更低。作為其原因之一，硅烷醇或鹵素切斷SiO4四面體的網眼結構。對熔化合成氧化硅粉所獲得的玻璃進行光透射率的測量，發(fā)現其易于透過波長200nm左右為止的紫外線，從而可以認為其具有與把紫外線光學用途的四氯化碳作為原料的合成氧化硅玻璃相近的特性。在熔化合成氧化硅粉所獲得的玻璃中，對用波長為M5nm的紫外線激發(fā)所獲得的熒光光譜進行測量，但未能發(fā)現如天然氧化硅粉的熔化物質的熒光光譜。而且，所謂的天然氧化硅粉是指由天然氧化硅而成的物質。所謂天然氧化硅是挖出自然界中存在的石英原石，并經過破碎·精制等的工序所獲得的氧化硅。天然氧化硅粉由α-石英的結晶所形成。天然氧化硅粉中含有Ippm以上的Al、Ti。而且，其他金屬雜質的含量也比合成氧化硅粉高。天然氧化硅粉幾乎不含硅烷醇。熔化天然氧化硅粉所獲得的天然氧化硅玻璃的硅烷醇量小于50ppm。對從天然氧化硅粉中獲得的玻璃進行光透射率的測量，由于作為主要的雜質含有約Ippm的Ti，因此在波長為250nm以下時會急劇地降低透射率，在波長為200nm下幾乎不發(fā)生透射。而且，在M5nm附近發(fā)現了因缺氧缺陷所導致的峰值吸收。而且，在天然氧化硅粉的熔融物質中，對用波長M5nm的紫外線激發(fā)所獲得的熒光光譜進行測量，則在280nm和390nm上觀測到了熒光峰值。這些熒光峰值是因玻璃中的缺氧缺陷所導致的。通過測量所含有的雜質濃度、硅烷醇量的差異，或是測量光透射率、對用波長M5nm的紫外線激發(fā)所得的熒光光譜進行測量，能夠判斷玻璃的原料是天然氧化硅還是合成氧化硅。
在本發(fā)明中，作為原料使用了氧化硅粉，所使用的氧化硅粉既可以是合成氧化硅粉，也可以是天然氧化硅。天然氧化硅粉可以是石英粉，也可以是水晶，硅砂等作為氧化硅玻璃坩堝的原材料而周知的材料。并且，氧化硅粉可以有結晶狀態(tài)、非結晶狀態(tài)、玻璃狀態(tài)。根據本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝的制造方法制造出的氧化硅玻璃坩堝，其形成為內部可以貯存硅熔液的上部開口的碗狀結構，并由大致呈圓筒形狀的側壁，連接于側壁下部的彎曲部，以及連接彎曲部的周邊并閉合坩堝下部的底部所形成。而且，氧化硅玻璃坩堝的內表面也被分為底部和壁部和彎曲部的3個區(qū)域，其中，彎曲部位于例如形成為圓筒形狀的壁部與具有一定曲率半徑的底部之間，并光滑地連接這些的部分。換句話說，沿著坩堝內表面從底部向著開口部上端，從設置在底部上的曲率半徑開始變化的部分到成為壁部的曲率半徑(圓筒形狀時為無限大)的部分為止是彎曲部。發(fā)明效果根據本發(fā)明，從分別具有彎曲部多個電極的各個前端部，向著形成在模具的內表面上的氧化硅粉層進行電弧放電，因此，可以在將電極的前端部的靠近側壁內面的狀態(tài)下進行電弧放電。根據這種結構，溫度較高的前端部會靠近側壁內面，從而改善利用火拋光進行的氣泡去除效率，能夠制造出具有優(yōu)越的內表面特性，特別是側壁內面特性的氧化硅玻璃坩堝。而且，使用本發(fā)明所提供的氧化硅玻璃坩堝提拉硅單晶，而制造出硅單晶錠的情況下，抑制了結晶缺陷，從而獲得具有優(yōu)良結晶性的硅單晶。


圖1是說明本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置的一實施方式的主視圖。圖2是表示圖1中的碳電極的詳細結構的立體圖。圖3是表示圖2中的碳電極的其他類型的詳細結構的立體圖。圖4是表示圖1中的模具的詳細結構的主視圖。圖5是涉及本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝的制造方法的一實施方式相關的，表示各工程的流程圖。圖6是在本發(fā)明的實施方式中，表示氧化硅玻璃坩堝內面中的氣泡分布的照片。圖7是表示現有技術中的氧化硅玻璃坩堝內面中的氣泡分布的照片。圖8是說明現有技術中的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置的主視圖。
具體實施例方式以下，參照

涉及本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置以及氧化硅玻璃坩堝的制造方法的一實施方式。圖1是表示本實施方式的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置1的正面圖。另外，在以下說明中所參照的附圖中示出的各部的大小、厚度、尺寸等，僅為示意，與實際的尺寸關系無關。利用本發(fā)明所涉及的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置1以及根據氧化硅玻璃坩堝的制造方法所制造的氧化硅玻璃坩堝50，在其內部放入熔化硅多結晶原料而得的硅熔液，對其進行旋轉，同時將硅單晶的晶種浸入到坩堝中并徐徐提升，以晶種為中心進行硅單晶的生長并提拉時被使用。
(氧化硅玻璃坩堝的制造裝置)1-1.整體結構如圖1所示，根據本實施方式的氧化硅玻璃坩堝制造裝置1，可通過未圖示的旋轉單元進行旋轉，該裝置具備可限定氧化硅玻璃坩堝的外形的模具10，在模具10的內表面堆積氧化硅粉并形成氧化硅粉層11。該模具10內表面上形成有與其貫通的多個通氣口 12， 該通氣口 12連接到未圖示的減壓單元上，可以對形成有氧化硅粉層11的模具10內部進行減壓。而且，模具10上側位置上設置有連接在電力供給單元40上的碳電極13，并可以用此來加熱氧化硅粉層11。由多個碳電極13以及對其提供電力的電力供給單元40構成電弧放電單元。氧化硅玻璃坩堝制造裝置1是，在300kVA 12000kVA的輸出范圍內，通過用多個碳電極13的電弧放電來加熱熔化非導電性對象物(氧化硅粉)的高輸出的裝置。而且，由電力供給單元40向碳電極13提供的電力，可以用后述的變位控制單元35來進行控制。1-2.碳電極 13其次，參照圖2說明碳電極13。圖2是表示碳電極13的詳細結構的立體圖。多個碳電極13各自分別具有前端部13a和，作為前端部13a的相反側端部的他端部13b。前端部13a朝向模具10而設。前端部13a和他端部1 之間設有彎曲部13a。彎曲部13a可以是具有較大曲率的彎曲部(參照圖2)，也可以具有急劇彎折的彎折部13d(參照圖3)。由于碳電極13具有彎曲部13a，因此他端部13b中的軸線Jl和前端部13a中的軸線J2不重合。由軸線Jl和軸線J2構成的角度，例如為90 175度。這個角度例如可以是90度、100度、110度、120度、130度、140度、150度、160度、170度、175度，也可以是這些所列舉的任意2個角度之間的角度。另外，把彎曲部13a的，靠近他端部13b的一側部分稱為基部13c?；?3c的軸線和他端部13b的軸線相重合，即都是軸線Jl?；?3c和前端部13a之間的彎曲部13a 的長度，例如是 100 1100mm。這個長度，可以是 100mm、200mm、300mm、400mm、500mm、600mm、 700mm、800mm、900mm、1000mm、1100mm，也可以是這些所列舉的任意2個長度之間的長度。由于碳電極13具有彎曲部13a，碳電極13前端部13a偏離模具10的中心而偏向模具的10內側側面方向。因此，多個碳電極13的各自的前端部13a對模具10內的氧化硅粉層11進行電弧放電的加熱熔化時，不僅加熱垂直下方的底部內面11a，對側壁內面lib也能進行均勻的加熱。也就是說，氧化硅玻璃坩堝的制造裝置1能夠對自氧化硅粉層11的底部內面Ila到側壁內面lib的部分進行均勻地加熱。并且，雖然碳電極13前端部13a的溫度比較高，但由于在本實施方式中，可以將該前端部13a充分靠近側壁內面lib而設，從而能夠用火拋光來有效地去除電弧融化氧化硅粉層時產生的氣泡等。具有彎曲部13a的碳電極13，重復進行電弧放電而被消耗，由此基部13c和前端部 13a之間的角度變小而逐漸接近直線狀。這樣，通過放電使用而消耗碳電極時，例如，由基部的軸線和前端部的軸線所成的角度脫離本實施方式規(guī)定的范圍時，進行電極交換即可。而且在本實施方式中，例如，針對基部13c可以自如地進行彎曲部13a的裝卸，尤其是，可以只更換消耗嚴重的前端側的彎曲部13a。具有這種結構時，與更換整個碳電極相比，能大幅度削減更換時間、運轉成本以及制造成本等。碳電極13例如是可進行交流3相(R相，S相，T相)的電弧放電的各具有相同形狀的電極棒。各個碳電極13中，基部13c和前端部13a之間的彎曲部13a，形成為具有規(guī)定曲率半徑R(R1，R2，R3)的彎曲形狀。該彎曲部13a的曲率半徑R處于450 1500mm的范圍內為宜。圖3所示，碳電極13彎曲部13a也可以發(fā)生急劇彎折的彎折部13d。彎折部的個數，可以是1個也可以是2個以上。從前端部13a到彎折部13d的長度，例如是100 1100mm。該長度可以是 100mm、200mm、300mm、400mm、500mm、600mm、700mm、800mm、900mm、 1000mm、1100mm，也可以是這些所列舉的任意2個長度之間的長度。如果有多個彎折部時， 該長度意味著到最靠近他端部13b的彎折部分為止的長度。而且，在本實施方式中，如圖2所示，碳電極13還可以配置在各自的他端部1 大致形成三角形的位置上。而且，各個碳電極13的他端部1 也可以形成多角形，例如4角形、6角形、8角形、9角形、12角形、15角形、16角形，并各種情況分別具有對應數量的碳電極。這個情況下，在具有2相交流4根電極、2相交流6根電極、2相交流8根電極、2相交流 10根電極、3相交流3根電極、3相交流6根電極、3相交流9根電極、3相交流12根電極、3 相交流15根電極、4相交流4根電極、4相交流8根電極、4相交流12根電極或者4相交流 16根電極中的，任意的電極結構的同時，可以將相鄰的電極配置成環(huán)狀，使得交流電流的相位差θ的絕對值處于90° ( θ <180°的范圍內。另外，電極的數量、配置狀態(tài)、供給電力的方式等，并不局限于上述說明，可以采用其他的結構。作為電極結構(電極位置關系)的一個例子，對3相交流電6根電極進行說明。在此例中，對于3相交流電使用了 6根電極，與各個碳電極13的他端部13b相對應的部分，例如具有俯視下形成El、E2、E3、E4、E5、E6的大致為6角形的配置。該3相6 根的電極結構中，相鄰電極的前端部分互相以等間隔配設，并形成連接各電極前端而成的6 角形的環(huán)。相對3相交流電流相鄰的電極具有120°的相位差，隔著環(huán)的中央部相對的電極互為同相。具體地說，各電極連接成在3相交流電流電極El為R相時，隔著環(huán)的中央部相對的電極E4同樣成為R相，電極El兩側的電極E2成為T相，電極E6成為S相，電極E5成為T相。從而，電極El和電極E4，電極E2和電極E5，電極E3和電極E6分別互為同相，且互相對其他的電極為異相。在該電極結構中，對電極El來說，因其兩側的電極E2和電極E6因為是異相，因此在該兩側的電極之間形成有穩(wěn)定的電弧，從而，形成了連接沿著坩堝內表面的互為相鄰的電極的環(huán)狀電弧。另一方面，由于隔著環(huán)的中央部而相對的電極El和電極E4是同相，因此不會形成橫切換的中央部的電弧，從而能夠避免對坩堝中央部進行過度的加熱。而且，即使為了擴大上述電極結構的加熱范圍而加大相鄰電極之間的距離，由于電弧會對互相最為鄰近的電子之間進行連接，因此也難以切斷電弧，從而能夠維持穩(wěn)定的電弧。另外，在本實施方式中，所謂沿著坩堝內表的面的環(huán)狀的電弧，不限于插入到坩堝內側的電極說形成的電弧，也包括位于坩堝開口部上方的電極所形成的，對坩堝內周面以同心狀形成的電弧。優(yōu)選的，本實施方式涉及的各個碳電極13，由粒子直徑是0. 3mm以下的，優(yōu)選的是 0. Imm以下的，更為優(yōu)選的粒子直徑是0. 05mm以下的高純度碳粒子所形成。而且，碳電極 13是，其各自的密度是1. 30g/cm3 1. 80g/cm3,或是1. 30g/cm3 1. 70g/cm3時，配置為各相的碳電極13相互之間的密度差是0. 2g/cm3以下的，具有高均勻性的物質為宜。如以上所述，制造具有彎曲部13a的碳電極13時，例如可以采用如下要說明的方法。首先，作為碳電極13的材料，可以使用粒子是焦炭等的原料，例如，石炭類浙青焦炭和煤焦油浙青等的結合材料，例如，碳化了石炭類煤焦油浙青的混煉物。而且，使用這些材料，并根據射出成型或CIP成型等的方法，可以制造出全體形成為圓柱形狀且前端部形成為尖細形狀的碳電極。例如，在根據射出成型的碳電極的制造方法中，加熱混煉被調整的碳質原料與結合材料而獲得所希望的粒子直徑，在130 200°C溫度下對所得的混煉物進行射出成型， 進行燒結后，2600 310(TC溫度下獲得石墨化的石墨材料，之后對此材料進行加工，在 2000°C以上溫度的加熱條件下，用氯等的鹵素類氣體進行純化處理。而且，在根據CIP成型的碳電極的制造方法中，對加熱混煉被調整的碳質原料與結合材料而成的混煉物進行粉碎而獲得所希望的粒子直徑，之后對篩選所得的2次粒子進行CIP成型。接著，對成型物進行燒結，2600 310(TC溫度下獲得石墨化的石墨材料之后， 對此材料進行加工，在2000°C以上溫度的加熱條件下用氯等的鹵素類氣體進行純化處理。1-3.變位移控制單元35本實施方式的氧化硅玻璃坩堝制造裝置1具備變位控制單元35，其可以對模具10 與碳電極13之間的相對位置狀態(tài)、模具10位置狀態(tài)、碳電極13的位置狀態(tài)中的至少一種狀態(tài)進行變位。變位控制單元35，可以進行將模具10水平方向移動、傾斜、旋轉或者回轉的動作，或者，將碳電極13與模具10在垂直相對位置上移動的動作中的一種變位控制。
變位控制單元35具備例如由CPU等組成的運算處理部，其連接在電極位置設定單元20以及模具位置設定單元21上，電極位置設定單元20用于設定對模具10內的氧化硅粉層11的熔化狀態(tài)等、制造中的各種特性進行檢測的溫度檢測部等(未圖示)以及碳電極 13的位置，根據溫度檢測部等的檢測結果來控制電極位置設定單元20以及模具位置設定單元21，以此進行模具10與碳電極13的位置變位控制。根據該位置變位控制，可以對模具10的內面中的電弧火焰的照射位置進行變動，或者可以控制氧化硅玻璃的熔化狀態(tài)。而且，變位控制單元35可以連接到電力供給單元40上，根據來自溫度檢測裝置的檢測結果來控制電力供給單元40向碳電極13供給的電力。1-3-1.電極位置設定單元20圖1以及圖2所示的碳電極13，通過連接在變位控制單元35上的電極位置設定單元20，可以如圖中箭頭符號T所示進行上下移動，從而可以進行高度方向位置H的設定。 而且，通過電極位置設定單元20，碳電極13可以進行寬度方向D的設定，由此，還能設定與模具10之間的高度以外的相對位置。而且，電極位置設定單元20以及電力供給單元40，分別被連接在變位控制單元35上。如圖1所示，電極位置設定單元20具備圖中未示出的，針對碳電極13可設定地支撐其寬度方向D的位置的支撐部、可將該支撐部沿水平方向移動的水平移動單元、以及，將多個支撐部以及水平移動單元作為一體沿上下方向移動上下移動單元。在上述的支撐部中，碳電極13可轉動地被支撐在角度設定軸(未圖示)的周圍，并進行旋轉或回轉的同時， 可以對放入模具10內的氧化硅粉層11的底部內面Ila和側壁內面lib的整個面進行均勻的電弧放電。而且，電極位置設定單元20通過上下移動單元(未圖示)對支持部的高度位置進行控制，從而能對位于碳電極13的前端部13a上的氧化硅粉層11的上端位置(模具10開口 10A)的高度位置H進行控制。1-3-2.模具位置設定單元21其次，參照圖4來說明模具位置設定單元21。圖4是表示涉及本實施方式的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置中的模具10以及模具位置設定單元21的正面圖。如圖4所示，模具10通過連接在變位控制單元35上的模具位置設定單元21并借助工作軸22，進行水平方向移動(圖中的箭頭符號Y所示方向)、傾斜(圖中的箭頭符號F 所示方向)的動作，此外還進行旋轉(圖中的箭頭符號R所示方向)或回轉(圖中箭形符號S方向)動作。并且，氧化硅玻璃坩堝制造裝置1，如圖4中的箭頭符號X所示，可以在垂直相對的位置上移動碳電極13(參照圖1以及圖2、和模具10。模具位置設定單元21基于上述溫度檢測裝置等的檢測結果而被控制，可在上述各種動作方向上移動模具10。如圖1以及圖4所示，模具位置設定單元21是借助工作軸22將模具10沿各方向進行動作的單元，雖然省略了詳細的圖示，但是，在其內部裝設有使工作軸22以及模具10 沿所希望的方向進行動作的電動機、凸輪機構、升降裝置等。通過用本實施方式涉及的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置1來制造氧化硅玻璃坩堝 50，能夠防止內表面，特別是側壁內面50b的特性下降，并能逐次控制原料熔化狀態(tài)及內表面狀態(tài)。從而，能夠減少產品特性的偏差發(fā)生，可進行穩(wěn)定的質量控制，制造處內表面特性優(yōu)越的的氧化硅玻璃坩堝50。2.氧化硅玻璃坩堝的制造方法接著，參照

使用了氧化硅玻璃坩堝的制造裝置1的氧化硅玻璃坩堝的制造方法。本實施方式涉及的氧化硅玻璃坩堝的制造方法，包括向模具10的內部供給氧化硅粉并形成氧化硅粉層11的氧化硅粉供給工序；以及，用多跟碳電極13發(fā)出的電弧放電來熔化氧化硅粉層11的電弧熔化工序。其中，電弧熔化工序是，從多個碳電極13的各自的前端部13a向著氧化硅粉層11進行電弧放電而熔化氧化硅粉層11的方法。圖5是表示本實施方式所涉及的氧化硅玻璃坩堝的制造方法的流程圖。本實施方式涉及的氧化硅玻璃坩堝的制造方法是，使用了圖1所示的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置1的旋轉模具法，如圖5所示，包括氧化硅粉供給工序Sl ；電極初期位置設定工序S2 ；模具初期位置設定工序S3 ；電弧熔化工序S4 ；冷卻工序S5 ；取出工序S6 ；完成處理工序S7。首先，在氧化硅粉供給工序Sl中，將氧化硅粉堆積到模具10的內表面上，以此將氧化硅粉層11形成為所希望的形狀，即形成為坩堝形狀。該氧化硅粉層11，根據旋轉模具 10時產生的離心力而被保持在模具10的內壁面上。其次，在電極初期位置設定工序S2中，如圖1以及圖2所示，用電極位置設定單元 20設定電極初期位置，使得各個碳電極13的前端部13a朝向模具10側在下方具有頂點，而且，各自的軸線J維持合理角度的同時，在前端部13a互相接觸。與此同時，通過設定從模具10的邊緣到電極前端為止的高度尺寸即電極高度位置H，或是寬度方向D的位置，來設定模具-電極的相對位置狀態(tài)的初期狀態(tài)。其次，在模具初期位置設定工序S3中，如圖1以及圖4所示，通過模具位置設定單元21，設定模具10的初期狀態(tài)，使得其以開口 IOA為上側呈垂直狀態(tài)。其次，在電弧熔化工序S4中，通過設定電極13的位置來用電弧放電單元加熱被保持的氧化硅粉層11，同時經由減壓道路12而減少模具10與氧化硅粉層11之間的壓力，以此來熔化氧化硅粉層11并作為氧化硅玻璃層。而且，本實施方式涉及的電弧熔化工序S4，包括電力供給開始工序S41、電極位置調整工序S42、模具位置調整工序S43以及電力供給終止工序S44的各個子工序。其中，在電力供給開始工序S41中，如上所述，開始進行從電力供給單元40向碳電極13供給規(guī)定電力量的動作。另外，在此狀態(tài)下，不進行電弧放電。在電極位置調整工序S42中，如上所述，通過電極位置設定單元20，在使各個前端部13a處于朝向模具10側在下方具有頂點的狀態(tài)下，擴大各個前端部13a之間間隔。與此同時，在各個碳電極13之間開始進行放電。此時，通過電力供給單元40來控制電力的供給動作，使得各個碳電極13的電力密度達到如40kVA/cm2 1700kVA/cm2范圍。并且，通過電極位置設定單元20來設定模具-電極之間的相對位置狀態(tài)，使得滿足作為熔化氧化硅粉層 11所需的熱源的條件。另外，本實施方式中所稱的電力密度是，在電極中，對正交于電極中心軸的電極截面中的每單位截面積供給的電力量。具體是，在從電極前端起軸方向的長度為15 25mm左右，優(yōu)選為20mm的位置中，對于正交于電極中心軸的電極的截面積，提供到1根電極上的電力的比例，即，由表達式“供給的電力量(kVA)/電極截面積(cm2)”表示。更為具體地，設定上述范圍時，在20mm的位置中，優(yōu)選的電極直徑尺寸是Φ 20 40mm，更為優(yōu)選的是Φ 25 35mm，最為優(yōu)選的是Φ 30mm。在模具位置調整工序S43中，基于上述溫度檢測裝置等，以及其他的輸入單元(未圖示)等的設定，進行模具位置設定單元21以及電極位置設定單元20的動作控制。本實施方式中，基于上述檢測信號或設定信號等，并通過變位控制單元35來變動模具10與碳電極 13之間的相對位置狀態(tài)、模具10位置狀態(tài)以及碳電極13的位置狀態(tài)中的至少一種狀態(tài)， 以此，對熔融的氧化硅粉層11的底部內面Ila以及側壁內面lib的整體進行均勻的電弧照射。由此，根據火拋光的作用可以有效地去除氧化硅粉層11上產生的氣泡等，從而對內表面特性進行控制使其處于良好的狀態(tài)，同時，適宜地控制模具10內的氧化硅玻璃的熔融狀態(tài)并制造氧化硅玻璃坩堝50。而且，可以通過變位控制單元35來適宜地控制向碳電極13 供給的電力，并制造氧化硅玻璃坩堝50。而且，在模具位置調整工序S43中，基于上述溫度檢測裝置等，以及其他的輸入單元(未圖示)等的各種設定，如上所述并如圖4所示，控制模具10優(yōu)選進行水平方向移動 (圖中箭頭符號Y的方向)、傾斜(圖中箭頭符號F的方向)移動之外，還進行旋轉(圖中箭頭符號R的方向)或回轉(圖中箭頭符號S的方向)動作，或者，如箭頭符號X的方向所示，在垂直相對位置上移動碳電極13與模具10的動作。由此，熔化提供到模具10內的氧化硅粉層11時，可以進一步可靠地去除熔融材料中產生的氣泡等，從而控制內表面狀態(tài)， 特別是側壁內面50b具有良好的特性并制造氧化硅玻璃坩堝50。其次，在電力供給結束工序S44中，氧化硅粉層11熔融狀態(tài)達到規(guī)定狀態(tài)之后，停止由電力供給單元40進行的電力供給。通過以上所述的電弧熔化工序S4，對氧化硅粉層11進行熔化，并將其成形為氧化硅玻璃層51。其次，在冷卻工序S5中，停止對電極13的電力供給之后，冷卻氧化硅玻璃層51，并作為氧化硅玻璃坩堝50。其次，在取出工序S6中，從模具10中取出形成的氧化硅玻璃坩堝半成品52。其后，在完成處理工序S7中，進行將高壓水噴射到外周面上而進行的珩磨處理、 將坩堝高度尺寸調整為規(guī)定狀態(tài)的開口緣部切割處理、對坩堝內表面進行的HF處理等沖洗處理，以此能夠制造出氧化硅玻璃坩堝50。本實施方式中，在上述的電弧熔化工序S4中，使用各自具有彎曲部13a的多個碳電極13來熔化模具10內的氧化硅粉層11。此時，使用具有上述結構的碳電極13來進行電弧放電，因此能將溫度較高的前端部13a的靠近側壁內面lib的狀態(tài)下進行電弧放電，從而能夠提高根據火拋光去除氣泡的效率，可以制造出具有優(yōu)越的內表面特性的氧化硅玻璃坩堝50。并且，通過改變具有上述結構的碳電極13(或者模具10)位置，可以對熔化的氧化硅粉層11的整個內表面，特別是對側壁內面lib均勻地進行電弧發(fā)射，從而可以更可靠地去除氧化硅粉層11中所產生的氣泡等。此時，作為表示氧化硅玻璃坩堝50底部內面50a或側壁內面50b等的表面特性的指標，可以采用在從表面到規(guī)定深度的部分中單位面積內的氣泡含有率。這種情況下，例如可以采用如下方法。即，先通過比重測量來獲得透明的內層與不透明的外層的氣泡含有率之后，用光學顯微鏡對側壁內面以及底部內面的各表面進行攝影，并用該光學顯微鏡照片來測量透明層中的氣泡含有率。在本實施方式中所說明的氣泡含有率是，在氧化硅玻璃坩堝的側壁內面以及底部內面中，存在于一邊為4mm的四方且深度方向上的Omm至0. 5mm范圍內的，0. 05mm以上的氣泡的體積比。因此，在利用本實施方式所提供的氧化硅玻璃坩堝50來提拉硅單晶，并制造硅單晶錠時，結晶缺陷被抑制而能獲得結晶性優(yōu)越的硅單晶?！磳嵤├狄韵?，以具體實施例來詳細說明本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置以及氧化硅玻璃坩堝的制造方法，當然，本發(fā)明并不局限于以下實施例。在本發(fā)明的實施方式中，按照以下所說明的各實施例以及比較例的條件，分別利用旋轉模具法來制造了氧化硅玻璃坩堝。此時，使用了口徑為868. 8mm(34. 2英寸)的模具，并使堆積到模具內表面上的氧化硅粉層的平均層厚達到^mm,由此制造出了口徑為 812.8mm(32英寸)的氧化硅玻璃坩堝。而且，將熔化氧化硅粉層的通電時間設定為60min， 同樣地，從通電開始經過60min后進行了氧化硅粉層的真空吸引。[實施例1 6]按照如表1所記載的條件，利用具有彎曲部的多個碳電極，且將這些碳電極配置成各自的前端部向著模具側在下方具有頂點的結構，并電弧熔化堆積在模具內表面上的氧化硅粉層而實現玻璃化。此時，將電弧放電條件設定為表1中記載的條件，制造出了實施例 1 6所涉及的氧化硅玻璃坩堝。并且，在制造的氧化硅玻璃坩堝的內表面，即側壁內面以及底部內面中的氣泡含有率，通過以下說明的方法進行了測量。首先，根據比重測量來求得內層(透明層)和外層(不透明層)的氣泡含有率。
接著，用光學顯微鏡對側壁內面及底部內面的各表面進行攝影，以此測量了透明層中的氣泡含有率，測量結果如表2所記載。在本實施方式中所說明的氣泡含有率是，在氧化硅玻璃坩堝的側壁內面以及底部內面中，存在于一邊為4mm的四方且深度方向上的Omm至0. 5mm范圍內的，0. 05mm以上的氣泡的體積比。(1) ◎(優(yōu)良)…平均直徑為50μπι以上的氣泡含有率不滿0.2%，非常低。(2)〇(良)···平均直徑為50 μπι以上的氣泡含有率在0.2%以上且不滿0.4%的
容許范圍內。(3) X (有問題)…平均直徑為50 μ m以上的氣泡含有率是0. 4%以上，非常高。而且，利用制造出的氧化硅玻璃坩堝來提拉硅單晶錠，并調查被拉出的錠的單晶收獲率，按照以下所示的基準進行判定，其結果被記載于表2中。(1) ◎(優(yōu)良)…單晶收獲率超過70%，顯示出優(yōu)越的結晶特性。(2)〇(良)…單晶收獲率在50 70%的容許范圍內。(3) X (有問題)…單晶收獲率不滿50%，結晶缺陷多。[比較例1 3]如圖8所示，使用具有現有技術結構的直線狀電極的裝置，除了對形成于模具內的氧化硅粉層進行了電弧放電之外，按照與上述實施例1 6相同的步驟，制造了比較例 1 3的氧化硅玻璃坩堝。接著，按照與上述實施例1 6相同的步驟，測量氧化硅玻璃坩堝的側壁內面以及底部內面中的氣泡含有率，并根據相同于上述基準的基準進行判定，其結果被記載于表2 中。并且，與上述實施例1 6—樣，制造了使用氧化硅玻璃坩堝提拉硅單晶，并調查被拉出的錠的單晶收獲率，其結果被記載于表2中。S卩，表1是記載了上述各個實施例以及比較例中的氧化硅玻璃坩堝的制造條件的一覽表，表2是記載其各個評價結果一覽表。表1
權利要求
1.一種氧化硅玻璃坩堝的制造裝置，其特征在于具備限定氧化硅玻璃坩堝外形的模具；以及具備多個電極以及電力供給單元的電弧放電單元；其中，上述多個電極中的各個電極具有朝向上述模具的前端部、作為上述前端部的相反側端部的他端部，以及設置于上述前端部和上述他端部之間的彎曲部。
2.如權利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置，其特征在于由上述前端部的軸線和上述他端部的軸線所構成的角度為90 175度。
3.如權利要求2所述的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置，其特征在于 上述角度為90 150度。
4.如權利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置，其特征在于 上述彎曲部的曲率半徑為450 1500mm。
5.根據權利要求4所述的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置，其特征在于 上述彎曲部的長度為100 1100mm。
6.根據權利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置，其特征在于 上述彎曲部具有急劇彎折的彎折部。
7.根據權利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置，其特征在于 在上述多個電極中，各個電極的他端部配置成略多角形狀。
8.根據權利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置，其特征在于還包括變位控制單元，其對上述模具和上述電極之間的相對位置狀態(tài)、上述模具的位置狀態(tài)、上述電極的位置狀態(tài)中的至少一種狀態(tài)進行變位。
9.根據權利要求8所述的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置，其特征在于上述變位控制單元進行使上述模具水平方向移動、傾斜、旋轉或者回轉的動作，或者，使上述電極和上述模具在垂直相對位置上移動的動作中的至少一種變位控制。
10.一種氧化硅玻璃坩堝的制造方法，是使用權利要求1所述的裝置制造氧化硅玻璃坩堝，該制造方法的特征在于包括將上述氧化硅粉放入模具內部形成氧化硅粉層的氧化硅粉供給工序；以及用上述多個電極的電弧放電來熔化上述氧化硅粉層的電弧熔化工序； 其中，在上述電弧熔化工序中，從上述多個電極的各個前端部對著上述氧化硅粉層進行電弧放電并熔化上述氧化硅粉層。
11.根據權利要求10所述的氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于在上述電弧熔化工序中，對上述模具和上述電極的相對位置狀態(tài)、上述模具的位置狀態(tài)、上述電極的位置狀態(tài)中的至少一種狀態(tài)進行變位，同時對放入上述模具內的上述氧化硅粉層進行熔化。
12.根據權利要求11所述的氧化硅玻璃坩堝的制造方法，其特征在于在上述電弧熔化工序中，進行使上述模具水平方向移動、傾斜、旋轉或者回轉的動作，或者，使上述電極和上述模具在垂直相對位置上移動的動作中的至少一種變位控制。
全文摘要
在氧化硅玻璃坩堝的制造工程中，提供可防止內表面特性的降低的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置，以及氧化硅玻璃坩堝的制造方法。本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝的制造裝置，具備限定氧化硅玻璃坩堝的外形的模具，具有多個電極以及電力供給單元的電弧放電單元，上述多個電極各自分別具有朝向上述模具的前端部，作為該前端部的相反側端部的他端部，以及設置與上述前端部與上述他端部之間的彎曲部。
文檔編號C03B20/00GK102471126SQ20108003520
公開日2012年5月23日 申請日期2010年8月9日 優(yōu)先權日2009年8月12日
發(fā)明者岸弘史, 藤田剛司, 鈴木江梨子, 須藤俊明 申請人:日本超精石英株式會社