專利名稱：多功能聚合膜材及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供多功能聚合膜材及其系統(tǒng)裝置。現(xiàn)有技術(shù)中的聚合薄膜裝置材料，以單一功能為主。對于較大的社會資訊要求顯然不足，特別是應(yīng)用于人類心腦的數(shù)據(jù)處理收集，需要多功能的創(chuàng)新技術(shù)。
人類大腦，經(jīng)過30萬年的進化，由約300克重的大腦進化至今1000克以上，以嘴嚼運動刺激大腦進化，早期已完成進化，但是對于日常學(xué)習記憶大量的新資訊，仍然未能進一步增加。模擬人類大腦和心智的運算模式中神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和內(nèi)部設(shè)計來達到引導(dǎo)器官組織的運作，這種引導(dǎo)可表現(xiàn)為物質(zhì)本身的多元模態(tài)。在多層次類比式三度空間共振網(wǎng)絡(luò)，相位性對稱的元件可以經(jīng)由傳導(dǎo)共振等形式調(diào)整正確生物信號，并使其趨向于和諧穩(wěn)定，進而直接作用在生物分子的量子結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下多功能貼層膜材及其系統(tǒng)裝置，1.包括八層貼合膜材及其數(shù)據(jù)儲存器處理裝置以及連接在側(cè)面的數(shù)據(jù)無線發(fā)射裝置，所述多功能貼合膜材裝置分別連接在數(shù)據(jù)儲存器的編碼驅(qū)動器A1快閃記憶控制器能及人工智能反應(yīng)知覺裝置。個人化的腦電波心電圖被編碼后輸入數(shù)據(jù)處理器，數(shù)據(jù)儲存器，通過3G，互連網(wǎng)將數(shù)據(jù)資料輸入智能身份證。


圖1、是本發(fā)明多功能聚合膜及其系統(tǒng)裝置主視2、是其ABF貼層的平面結(jié)構(gòu)連接圖。圖3、是所述多功能聚合膜裝置的三維結(jié)構(gòu)排列圖。圖4、是所述聚合膜植入中空絲內(nèi)存微球剖視圖。圖5、是所述裝置連接流程圖。
下面結(jié)合附圖進一步詳細說明本發(fā)明最佳施例。
從圖1、圖2中可以看出多功能聚合膜及其裝置，包括由八層聚合膜(A-H)，智能數(shù)據(jù)集中器(9)一數(shù)據(jù)儲存處理器，(10)，數(shù)據(jù)資料集中器(11)所述的B層中神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片N1、N2、N3輸出連接在突觸修飾模式端口C3-C8，C1-C2貼合在一氧化氮合酶結(jié)構(gòu)區(qū)的NH2以及COOH突起位置，當綠葉體，紫視質(zhì)，光合電子流動導(dǎo)電致神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片發(fā)出掃視記憶生物信號通過一氧化氮合酶結(jié)構(gòu)區(qū)與記憶蛋白質(zhì)層，G蛋白放大信號一層引導(dǎo)大腦，增加記憶信號，由于一氧化氮合酶及其控制劑(PIN)是控制大腦海馬區(qū)學(xué)習記憶重要信息分子，該結(jié)構(gòu)區(qū)是電子信號轉(zhuǎn)換器，生物信號經(jīng)過功能結(jié)構(gòu)區(qū)，信號直接發(fā)生轉(zhuǎn)換作用，本發(fā)明由仿生物工程學(xué)設(shè)計多功能聚合膜有感應(yīng)溫度---電---機械---化學(xué)信號能量轉(zhuǎn)換生物貼層聚合膜材，輸出輔助掃視生物信息脈沖信號，加強前額葉與波層聯(lián)系的視覺輸入記憶作用，視覺輸入記憶需要眼睛掃視中視覺輸入通常連貫不足，而且被介于其中的注視停頓期的穩(wěn)定視網(wǎng)膜象所遮蔽。產(chǎn)生一次掃視所需要的控制信號是一種脈沖——階梯式支配，即相變式脈沖控制眼球運動速度，在眼球式覺運動過程中，記錄單個運動神經(jīng)元的放電活動證實了脈沖——階梯式的存在，當眼睛直視覺前方水平，動眼神經(jīng)元的放電頻率較高而規(guī)則。視覺引導(dǎo)的掃視輸入要經(jīng)由紋狀皮層和前紋狀皮層而接收。在頂葉皮層中、部分細胞的放電與對視標的眼睛掃視聯(lián)系。前額葉的輔助運動區(qū)細胞的掃視放電對行為狀態(tài)或視角刺激，上丘和前額的第八區(qū)為視覺引導(dǎo)性能掃視提供表觀上的平行通路，神經(jīng)元通過突觸的脈沖溝通，增加記憶以及所有細胞的DNA傳遞記憶儲存。當圖(2)F層膜是抽出后與A膜層貼合一起使用，所述的貼層中的沸石納米隧道薄膜T1入口A區(qū)與B位置，當膜材中液體介質(zhì)通過T字隧道進入上述七個跨膜區(qū)a螺旋結(jié)構(gòu)通道，相連分揀信號T4、T5、T6、T7，包含化學(xué)與電信號效應(yīng)，在該區(qū)的量子尺寸效應(yīng)相近神經(jīng)元產(chǎn)生的化學(xué)遞質(zhì)同電信號，神經(jīng)元內(nèi)線粒體DNA由16569b.p組成，由于線粒體內(nèi)NDA無組蛋白保護，容易氧自由基侵襲，而被氧化損傷，同時未有像細胞核有一套完整的修復(fù)程式對損傷的DNA進行修復(fù)，因此其突變率是細胞核的10-100倍，線粒體的氧化損傷在代榭率高，耗氧量多的組織，如心腦尤多見，鈣離子到達線粒體后放出致細胞凋亡的連續(xù)信號。所述的聚合膜材中F的BC1-2蛋白及其配方中的滲透劑在AB入口層與隧道薄膜催化，在特定區(qū)域引導(dǎo)增強合成BC1-2蛋白，阻止發(fā)出凋亡信號連續(xù)傳遞。
從圖3可以看出，所述多功能聚合膜材及其裝置CD層圖形數(shù)據(jù)傳遞到數(shù)據(jù)集中器在電腦顯示屏三維結(jié)構(gòu)腦電波心電圖波幅上排列個人化DNA與蛋白質(zhì)結(jié)構(gòu)由3.3H2開始編碼，形成個人化數(shù)據(jù)資料后輸入回型結(jié)構(gòu)智能知覺反應(yīng)裝置的T2、T3位置。
從圖5可以看出(H)，所述多層聚合膜及其裝置，第八層由一組發(fā)光涂料光致蓄光型混合納米磁流體導(dǎo)電材料形成貼合層(1)、第二組由發(fā)光二極管裝在貼層側(cè)面，以及裝上微型電池紅外激器其中所流的控制電路連接在一個嵌入式數(shù)字分析器，上層裝存編讀取表面數(shù)據(jù)裝置；(2)、連接在表面?zhèn)鞲衅餮b對正于數(shù)字轉(zhuǎn)換器上面的傾斜位置(3)，儲電池及電池充電器(4)，中空內(nèi)存顯示薄膜(5)與光波長變換層折射層(9)相連，表面數(shù)據(jù)讀取控制器T2連接在智能數(shù)據(jù)儲存器(6)的K1端口位置，K2端口連接編碼驅(qū)動器(7)以及A1快閃記憶控制器(8)，所述的數(shù)據(jù)集中器(10)B1位置連接在智能數(shù)據(jù)無線發(fā)射裝置(11)C1位置，與無線數(shù)據(jù)接收裝置(12)配合使用。
上述(H)貼層適合于表面讀取數(shù)據(jù)抄表應(yīng)用。
權(quán)利要求
1.多功能貼層膜材及其系統(tǒng)裝置，包括由八層貼合材料膜(1)、數(shù)據(jù)資料處理器(2)、數(shù)據(jù)集中器以及智能無線發(fā)射裝置(3)組成其特征在于A、所述第一層膜材由100nm超微磁流體貼合膜上面噴涂綠葉體與紫視質(zhì)貼合在記憶蛋白質(zhì)排列分布在一氧化氮合酶薄膜基底上(1)、包含與神經(jīng)元分子環(huán)磷酸腺苷25％，聚氨酸彈性蛋白20％，聚丙烯酸氨20％，芳旋聚酰氨酸10％，組成共聚合導(dǎo)電薄膜。B、所述第二層貼合膜材裝置由神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片起動記憶脈沖信號N1端連接C5，C6神經(jīng)元突觸修飾模式通道端口，由神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片N2端位輸出模擬腦電a節(jié)律頻率；連接在神經(jīng)元突觸修飾模式端口C4，C7位置，所述神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片N3端位掃視記憶生物脈沖信號輸出口位置連接于神經(jīng)元突觸修飾模型通道C3，C8位置。C、所述多層貼合膜第三層膜材由納米磁流記憶體輸入a波信號，R1連接腦電地形圖BEAM譜R2，由分流器T1連接腦電壓縮譜陣圖CSA，T2連接腦電圖頻譜息壓縮分析信號，T3連接腦電波脈沖分析彌漫性增多δ、θ頻帶功率增高圖形T4。D、所述第四層貼合膜材中納米磁流體記憶膜輸入個人化腦電波立體三維圖在波幅表面排列個人DNA，RNA，記憶蛋白質(zhì)結(jié)構(gòu)起點由3.3H2-36H2開始排列末端結(jié)尾點連接一組回型拓撲結(jié)構(gòu)智能知覺反應(yīng)裝置在T2，T3位置。E、第五層貼合膜材由肌球蛋白55％，肌動蛋白20％，聚氨酸彈性蛋白10％，芳旋聚酰氨酸15％，聚合折疊形成雙層回型中空薄膜，內(nèi)層包含上下層相連接的管道A端微型動力泵同B端的壓力泵。F、所述第六層貼合薄膜由BC1-2蛋白30％，月桂氮卓酮5％，月桂醇二乙醇5％，甲殼素液體20％，中藥止痛配劑20％，端粒酶10％，膠原蛋白10％，混合在低溫中聚合形成薄膜，包含A與B位置貼上沸石納米隧道薄膜T1輸出口連接在T2一組七個跨膜區(qū)a螺旋結(jié)構(gòu)通道，在T3端口連接在N-末端帶正電荷放大棟信號結(jié)構(gòu)的T4，T5，T6，T7相連位置。G、所述的第七層貼合膜材由聚二甲甲基矽氧烷彈性體55％，聚氧化乙烯微球15％，聚氨基酸10％，MPO+SOD10％，共聚合形成導(dǎo)電膜材，在兩邊介面的電極施加H2交流電場，在膜材表層植入多層中空內(nèi)存微球天線絲束，所述的聚合膜下層基底平面裝接H2調(diào)頻信號放大器K1與離子敏元件K2相連，CGMP，CAMP薄膜K3連接陣列信號整流器K4，和G蛋白環(huán)化酶K5，連接在一嵌入式量測圖譜存儲器K6輸出端口，以及基底吸盤導(dǎo)程構(gòu)成。H、所述貼合膜第八層由一組發(fā)光涂料光致蓄光型混合納米磁流體導(dǎo)電材料形成貼合層(1)、第二組由發(fā)光二極管裝在貼層側(cè)面，以及裝上微型電池紅外激光器其中所說的控制電路連接在一個嵌入式數(shù)字分析器，上層裝存編讀取表面數(shù)據(jù)裝置；(2)、連接在表面?zhèn)鞲衅餮b對正于數(shù)字轉(zhuǎn)換器上面的傾斜位置(3)，儲電池及電池充電器(4)，中空內(nèi)存顯示薄膜(5)與光波長變換層折射層(9)相連，表面數(shù)據(jù)讀取控制器T2連接在智能數(shù)據(jù)儲存器(6)的K1端口位置，K2端口連接編碼驅(qū)動器(7)以及A1快閃記憶控制器(8)，所述的數(shù)據(jù)集中器(10)B1位置連接在智能數(shù)據(jù)無線發(fā)射裝置(11)C1位置，與無線數(shù)據(jù)接收裝置(12)配合使用。
2.根據(jù)權(quán)利要求1-AB所述的多層貼合膜裝置，其特征在于，所述的-氧化氮合酶結(jié)構(gòu)NH2位置，與B膜中的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片突觸修飾模式C1連接，界面COOH位置與C2連接，上述的膜材制作成長方形，圓形，棱形或帽形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1-CDE所述的多層貼合膜裝置，其特征在于所述的輸入圖形與波幅排列數(shù)據(jù)連接回型結(jié)構(gòu)人工智能知覺反應(yīng)裝置作信息數(shù)字處理及診斷用途。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-FG所述的多層貼合膜材裝置，其特征在于所述的沸石納米隧道薄膜A與B入口處同G貼膜中的MPO+SOD包含共有物質(zhì)結(jié)合轉(zhuǎn)化成小分子通過隧道催化效應(yīng)，由一組七個跨膜結(jié)構(gòu)區(qū)和分析信號結(jié)構(gòu)區(qū)T4，T5，T6，T7輸出。G貼合膜材設(shè)定3.3Hz-36Hz頻率接收信號，生產(chǎn)100ms與神經(jīng)元電信號同頻，由中空絲內(nèi)存的納米碳管組裝天線接收人腦電波發(fā)出短句信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-AG所述多層貼合膜材聚合物適合由固體或液體形成后，導(dǎo)入基因與酶在聚合膜內(nèi)層中催化。
6.根據(jù)權(quán)利要示1A-H所述多功能貼合膜所獲取的信息數(shù)據(jù)資料是通過數(shù)據(jù)集中器(10)B1經(jīng)紅外線、互聯(lián)網(wǎng)、手機3G傳送，個人化數(shù)據(jù)適合儲存在智能身份證內(nèi)。
全文摘要
一種多功能聚合膜及其裝置，包括由八層聚合膜材1(A－H)智能數(shù)據(jù)儲存器9，數(shù)據(jù)集中處理器10，智能數(shù)據(jù)發(fā)射裝置11，無線數(shù)據(jù)接收裝置12，其上下各層貼合膜材將獲取的數(shù)據(jù)與信息，由導(dǎo)電膜貼合層，智能卡表面?zhèn)鞲衅餮b置傳送至讀取控制器。組合成八層結(jié)構(gòu)層按需要時抽出貼合使用，本發(fā)明的聚合膜材有感應(yīng)溫度—電—機械—化學(xué)信號能量轉(zhuǎn)換的貼合膜材及其裝置，存有生物性能又同時有物理測計性能的貼層組合。
文檔編號C12Q1/68GK1458285SQ0211521
公開日2003年11月26日 申請日期2002年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月14日
發(fā)明者鄭國雄 申請人:鄭國雄