一種單晶爐兩段式均熱石墨坩堝的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種單晶爐兩段式均熱石墨坩堝，包括坩堝主體和坩堝座，坩堝主體放置在坩堝座上，坩堝主體由四塊相同的且內(nèi)壁上設(shè)有一層防粘層的坩堝板通過石墨紙封帶相互拼接圍成，坩堝主體呈錐臺形，每個坩堝板的外壁上盤設(shè)螺旋狀上升的均熱石墨凸紋條，坩堝主體的頂部設(shè)置有石墨環(huán)，石墨環(huán)呈圓環(huán)狀。每個坩堝板的下端設(shè)有定位卡腳，定位卡腳呈倒置的圓錐臺形，坩堝座與坩堝板下端的定位卡腳相對應(yīng)的位置上設(shè)有定位凹槽，定位凹槽呈圓柱狀，定位凹槽的槽深與定位卡腳的高度相一致，定位凹槽的直徑與定位卡腳的最大直徑相一致。本實(shí)用新型很好的解決了傳統(tǒng)石墨坩堝各部位溫度不均勻的技術(shù)缺陷問題，延長了石墨坩堝的使用壽命。
【專利說明】一種單晶爐兩段式均熱石墨坩堝
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及單晶爐石墨坩堝，具體來說是一種單晶爐兩段式均熱石墨坩堝?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]現(xiàn)有石墨坩堝均為簡單的整體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，其外表面為相對標(biāo)準(zhǔn)的曲面，這樣的結(jié)構(gòu)無論是發(fā)熱還是散熱都存在底部溫度高于上部的情況，坩堝的受熱不均勻進(jìn)而導(dǎo)致坩堝的開裂、報(bào)廢；同時石墨坩堝缺乏有效的固定裝置，另外在使用過程中坩堝上部極容易濺上硅液，一旦發(fā)生這種情況，整個坩堝便不得不報(bào)廢處理，嚴(yán)重縮短了坩堝的使用壽命，同時也增加了成本。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題就是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種發(fā)熱均勻的單晶爐石墨坩堝。
[0004]本實(shí)用新型是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:
[0005]一種單晶爐兩段式均熱石墨坩堝，包括坩堝主體和坩堝座，其特征是:所述坩堝主體放置在所述坩堝座上，所述坩堝主體由四塊相同的且內(nèi)壁上設(shè)有一層防粘層的坩堝板通過石墨紙封帶相互拼接圍成，所述坩堝主體呈錐臺形，每個所述坩堝板的外壁上盤設(shè)螺旋狀上升的均熱石墨凸紋條。
[0006]作為優(yōu)化，所述坩堝主體的頂部設(shè)置有石墨環(huán)，所述石墨環(huán)呈圓環(huán)狀，所述石墨環(huán)的下端設(shè)有環(huán)形的內(nèi)卡沿，所述坩堝主體的頂部設(shè)有與所述內(nèi)卡沿相適配的外卡沿。
[0007]作為優(yōu)化，每個所述坩堝板的下端設(shè)有定位卡腳，所述定位卡腳呈倒置的圓錐臺形，所述坩堝座與所述坩堝·板下端的定位卡腳相對應(yīng)的位置上設(shè)有定位凹槽，所述定位凹槽呈圓柱狀，所述定位凹槽的槽深與所述定位卡腳的高度相一致，所述定位凹槽的直徑與所述定位卡腳的最大直徑相一致。
[0008]本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、使用方便、設(shè)計(jì)巧妙等優(yōu)點(diǎn)，很好的解決了傳統(tǒng)石墨坩堝各部位溫度不均勻的技術(shù)缺陷問題，延長了石墨坩堝的使用壽命，同時克服了傳統(tǒng)石墨坩堝一旦上部濺上硅液，必須整個坩堝報(bào)廢的缺陷，能夠廣泛應(yīng)用于石墨坩堝的生產(chǎn)制造。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是本單晶爐兩段式均熱石墨坩堝的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0010]圖2是本單晶爐兩段式均熱石墨坩堝的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0011]圖中:1_樹禍主體、2_ ?甘禍座、3_ ?甘禍板、4_石墨紙封帶、5_防粘層、6_石墨凸紋條、7-石墨環(huán)、8-內(nèi)卡沿、9-外卡沿。
【具體實(shí)施方式】[0012]結(jié)合圖1與圖2，石墨坩堝包括坩堝主體I和坩堝座2，坩堝主體I放置在坩堝座2上，坩堝主體I由四塊相同的且內(nèi)壁上設(shè)有一層防粘層5的坩堝板3通過石墨紙封帶4相互拼接圍成，坩堝主體I呈錐臺形，每個坩堝板3的外壁上盤設(shè)螺旋狀上升的均熱石墨凸紋條6 ;坩堝主體的頂部設(shè)置有石墨環(huán)7，石墨環(huán)7呈圓環(huán)狀，石墨環(huán)7的下端設(shè)有環(huán)形的內(nèi)卡沿8，坩堝主體I的頂部設(shè)有與內(nèi)卡沿8相適配的外卡沿9，石墨環(huán)7通過內(nèi)卡沿8與外卡沿9可拆卸的連接在坩堝主體I上；每個坩堝板3的下端設(shè)有定位卡腳，定位卡腳呈倒置的圓錐臺形，坩堝座2與坩堝板3下端的定位卡腳相對應(yīng)的位置上設(shè)有定位凹槽，定位凹槽呈圓柱狀，定位凹槽的槽深與定位卡腳的高度相一致，定位凹槽的直徑與定位卡腳的最大直徑相一致。
[0013]本實(shí)用新型包括但不限于上述實(shí)施方式，任何符合本權(quán)利要求書描述的產(chǎn)品，均落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種單晶爐兩段式均熱石墨坩堝，包括坩堝主體和坩堝座，其特征是:所述坩堝主體放置在所述坩堝座上，所述坩堝主體由四塊相同的且內(nèi)壁上設(shè)有一層防粘層的坩堝板通過石墨紙封帶相互拼接圍成，所述坩堝主體呈錐臺形，每個所述坩堝板的外壁上盤設(shè)螺旋狀上升的均熱石墨凸紋條。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐兩段式均熱石墨坩堝，其特征是:所述坩堝主體的頂部設(shè)置有石墨環(huán)，所述石墨環(huán)呈圓環(huán)狀，所述石墨環(huán)的下端設(shè)有環(huán)形的內(nèi)卡沿，所述坩堝主體的頂部設(shè)有與所述內(nèi)卡沿相適配的外卡沿。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的單晶爐兩段式均熱石墨坩堝，其特征是:每個所述坩堝板的下端設(shè)有定位卡腳，所述定位卡腳呈倒置的圓錐臺形，所述坩堝座與所述坩堝板下端的定位卡腳相對應(yīng)的位置上設(shè)有定位凹槽，所述定位凹槽呈圓柱狀，所述定位凹槽的槽深與所述定位卡腳的高度相一致，所述定位凹槽的直徑與所述定位卡腳的最大直徑相一致。
【文檔編號】C30B35/00GK203411662SQ201320310077
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年5月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月31日
【發(fā)明者】張賢虎 申請人:西格里特種石墨(上海)有限公司