專利名稱：單晶硅生長爐的石墨坩堝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及單晶硅生長設(shè)備，尤其涉及單晶硅生長爐的石墨坩堝。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的太陽能單晶硅生長爐的石墨坩堝基本選用單瓣式的，單瓣式石墨坩堝的坩堝底部保溫較差，坩堝內(nèi)部盛裝的硅料熔體上下溫差較大，最終導(dǎo)致單晶硅生產(chǎn)中的氧含量提高，降低了單晶硅的生產(chǎn)質(zhì)量。因此，應(yīng)該提供一些新的技術(shù)方案解決上述問題。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是針對上述不足，提供一種能降低單晶硅生產(chǎn)中的氧含量，傳 熱效率聞，加熱迅速的單晶娃生長爐的石墨i甘禍。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是單晶硅生長爐的石墨坩堝，包括坩堝本體，所述坩堝本體由大小相同的至少三瓣坩堝片和一個坩堝托盤組成，所述相鄰的坩堝片的頂部通過連接件連接，所述坩堝本體外表面具有間隔均勻且高度相同的凸臺。所述連接件為兩頭彎曲的金屬卡線。本實用新型單晶硅生長爐的石墨坩堝，坩堝本體由大小相同的至少三瓣坩堝片組成，相鄰的坩堝片的頂部通過連接件連接。由于單晶硅生長爐需要經(jīng)常開爐和停爐，在溫度急劇變化的惡劣エ況下，石墨坩堝在使用一段時間后容易產(chǎn)生開裂，所以坩堝片的頂部通過連接件連接，對石墨坩堝起到有效的保護作用。在坩堝本體外表面具有間隔均勻且高度相同的凸臺，凸臺的設(shè)置增加了石墨坩堝外表面積，也増加了石墨坩堝的傳熱面積，達到加大傳輸量，快速加熱的目的。本實用新型的優(yōu)點是能降低單晶硅生產(chǎn)中的氧含量，傳熱效率高，加熱迅速。以下結(jié)合附圖
和具體實施方式
對本實用新型作進ー步詳細敘述。圖I為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖。其中1、坩堝本體，2、坩堝片，3、坩堝托盤，4、連接件，5、凸臺。
具體實施方式
如圖I所示，本實用新型單晶硅生長爐的石墨坩堝，包括坩堝本體1，坩堝本體I由大小相同的至少三瓣坩堝片2和ー個坩堝托盤3組成，相鄰的坩堝片2的頂部通過連接件4連接，坩堝本體I外表面具有間隔均勻且高度相同的凸臺5，連接件4為兩頭彎曲的金屬卡線。坩堝片2的頂部通過連接件4連接，對石墨坩堝起到有效的保護作用。在坩堝本體I外表面具有間隔均勻且高度相同的凸臺5，凸臺5的設(shè)置增加了石墨坩堝外表面積，也増加了石墨坩堝的傳熱面積，達到加大傳輸量，快速加熱的目的。
權(quán)利要求1.單晶硅生長爐的石墨坩堝，其特征是包括坩堝本體，所述坩堝本體由大小相同的至少三瓣坩堝片和一個坩堝托盤組成，所述相鄰的坩堝片的頂部通過連接件連接，所述坩堝本體外表面具有間隔均勻且高度相同的凸臺。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的單晶硅生長爐的石墨坩堝，其特征是所述連接件為兩頭彎曲的金屬卡線。
專利摘要本實用新型公開了單晶硅生長爐的石墨坩堝，其特征是包括坩堝本體，所述坩堝本體由大小相同的至少三瓣坩堝片和一個坩堝托盤組成，所述相鄰的坩堝片的頂部通過連接件連接，所述坩堝本體外表面具有間隔均勻且高度相同的凸臺。本實用新型的優(yōu)點是能降低單晶硅生產(chǎn)中的氧含量，傳熱效率高，加熱迅速。
文檔編號C30B35/00GK202390577SQ20112043528
公開日2012年8月22日 申請日期2011年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月7日
發(fā)明者周兵 申請人:周兵