一種無引線電鍍金手指的處理方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種無引線電鍍金手指的處理方法，其中，包括步驟：A、在進(jìn)行線路制作后，對(duì)印制電路板進(jìn)行化學(xué)沉銅處理，得到化學(xué)沉銅層；B、再進(jìn)行二次線路制作，露出金手指位；C、利用所述化學(xué)沉銅層作為導(dǎo)體對(duì)金手指進(jìn)行電鍍處理，然后進(jìn)行褪膜處理；D、對(duì)化學(xué)沉銅層進(jìn)行微蝕處理，之后進(jìn)行綠油制作。通過本發(fā)明的方法。在后續(xù)的微蝕處理中就能清除完全厚度較薄的化學(xué)沉銅層，避免了殘留引線的問題，不會(huì)產(chǎn)生電鍍引線開路引起的金手指電鍍不上鍍層的問題，提高了產(chǎn)品品質(zhì)，并且整個(gè)流程無需增加設(shè)備，只是對(duì)常規(guī)工藝進(jìn)行修改，未增加總成本，同時(shí)不需要在外層線路進(jìn)行金手指引線設(shè)計(jì)，不存在金手指引線殘留長(zhǎng)短不一的問題。
【專利說明】一種無引線電鍍金手指的處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及PCB表面處理工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種無引線電鍍金手指的PCB表面處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，常規(guī)的帶金手指的PCB印制電路板，一般要求金手指做電鍍鎳金(硬金)處理，以保證金手指位頻繁的插拔帶來較小的金面損傷，常規(guī)的電鍍金手指流程為:線路制作(含金手指電鍍引線)一綠油制作一外層圖形(露出電鍍金手指位)一電鍍鎳金一二鉆(鉆斷電鍍引線)一蝕刻金手指電鍍引線一褪膜一字符一正常流程。
[0003]如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的處理工藝需要在印制電路板100上使用電鍍引線120做為導(dǎo)體才能使金手指110電鍍上鎳金，而電鍍引線120本身在電鍍完成后沒有任何存在的意義，反而需要去除才能使成品PCB不受電氣性能和外觀影響。但是，如圖2所示，圓形黑點(diǎn)處表示鉆斷位置，由于二鉆(鉆斷電鍍引線)的設(shè)備本身下鉆位置精度存在一定的偏差(約+/-4mil),因此目前在PCB行業(yè)的金手指PCB印制電路板上，都存在著金手指位置殘留一定的電鍍引線的問題，如圖2所示，殘留的電鍍引線長(zhǎng)度約0-6mil不等甚至更大，成為PCB行業(yè)無法解決卻又不得不面對(duì)的難題。
[0004]因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種無引線電鍍金手指的處理方法，旨在解決現(xiàn)有的金手指電鍍工藝存在殘留電鍍引線的問題。
[0006]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
一種無引線電鍍金手指的處理方法，其中，包括步驟:
A、在進(jìn)行線路制作后，對(duì)印制電路板進(jìn)行化學(xué)沉銅處理，得到化學(xué)沉銅層；
B、再進(jìn)行二次線路制作，露出金手指位；
C、利用所述化學(xué)沉銅層作為導(dǎo)體對(duì)金手指進(jìn)行電鍍處理，然后進(jìn)行褪膜處理；
D、對(duì)化學(xué)沉銅層進(jìn)行微蝕處理，之后進(jìn)行綠油制作。
[0007]所述的無引線電鍍金手指的處理方法，其中，所述步驟A中，化學(xué)沉銅處理的工藝條件為:沉銅缸溫度控制在31 ±3°C，銅離子控制在1.8-2.2g/L，NaOH控制在9-1 lg/L，HCHO控制在5-7 g/L。
[0008]所述的無引線電鍍金手指的處理方法，其中，所述步驟B中，二次線路制作采用抗電鍍干膜制作，金手指位開窗按單邊2-3mil制作。
[0009]所述的無引線電鍍金手指的處理方法，其中，所述步驟D中，微蝕處理的工藝條件為=H2SO4:2%-4%, H2O2:2%-4%, Cu2+ S 45g/L。
[0010]所述的無引線電鍍金手指的處理方法，其中，所述步驟D中，微蝕速率為1.2?L 5 μ m/min。[0011]有益效果:本發(fā)明的方法對(duì)傳統(tǒng)的金手指制作工藝進(jìn)行改進(jìn)，利用沉銅后形成的化學(xué)沉銅層作為導(dǎo)體對(duì)金手指進(jìn)行電鍍處理，這樣在后續(xù)的微蝕處理中就能清除完全厚度較薄的化學(xué)沉銅層，避免了殘留引線的問題，不會(huì)產(chǎn)生電鍍引線開路引起的金手指電鍍不上鍍層的問題，提高了產(chǎn)品品質(zhì)，并且整個(gè)流程無需增加設(shè)備，只是對(duì)常規(guī)工藝進(jìn)行修改，未增加總成本，同時(shí)不需要在外層線路進(jìn)行金手指引線設(shè)計(jì)，不存在金手指引線殘留長(zhǎng)短不一的問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中無引線電鍍金手指的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中無引線電鍍金手指除去電鍍引線時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖3為本發(fā)明所制作的無引線電鍍金手指的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]本發(fā)明提供一種無引線電鍍金手指的處理方法，為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0016]本發(fā)明所提供的一種無引線電鍍金手指的處理方法較佳實(shí)施例，其包括步驟:
51、在進(jìn)行線路制作后，對(duì)印制電路板進(jìn)行化學(xué)沉銅處理，得到化學(xué)沉銅層；
52、再進(jìn)行二次線路制作，露出金手指位；
53、利用所述化學(xué)沉銅層作為導(dǎo)體對(duì)金手指進(jìn)行電鍍處理，然后進(jìn)行褪膜處理；
54、對(duì)化學(xué)沉銅層進(jìn)行微蝕處理，之后進(jìn)行綠油制作。
[0017]通過對(duì)傳統(tǒng)的工藝流程進(jìn)行改進(jìn)，通過制得的化學(xué)沉銅層作為導(dǎo)體來進(jìn)行電鍍金手指，而不需要電鍍的地方則采用抗電鍍干膜覆蓋，整個(gè)流程中增加了沉銅和微蝕兩個(gè)工序，減少了二鉆和蝕刻兩個(gè)工序，生產(chǎn)總流程沒有額外增加，所以不會(huì)增加成本。
[0018]本發(fā)明通過對(duì)金手指電鍍工藝的改進(jìn)來實(shí)現(xiàn)電鍍金手指的批量制作，同時(shí)消除了電鍍金手指引線殘留的問題，具體體現(xiàn)在:
1、采用化學(xué)沉銅層作為導(dǎo)電體來進(jìn)行金手指電鍍，外層線路不需額外進(jìn)行金手指電鍍引線設(shè)計(jì)，所以無需擔(dān)心電鍍引線開路引起的金手指電鍍不上鍍層的問題。
[0019]2、由于化學(xué)沉銅層厚度較薄，金手指電鍍完成后只需過微蝕即可將化學(xué)沉銅層清洗完全，操作簡(jiǎn)單。
[0020]3、解決了傳統(tǒng)電鍍金手指引線殘留的問題，因?yàn)椴恍柙谕鈱泳€路進(jìn)行金手指引線設(shè)計(jì)，不存在金手指電鍍后二鉆流程及機(jī)械偏差問題，也就不存在金手指引線殘留長(zhǎng)短的問題，如圖3所示，最后制得的印制電路板100上金手指110位沒有殘留電鍍引線。
[0021]進(jìn)一步，本實(shí)施例步驟SI中的化學(xué)沉銅處理的工藝條件為:沉銅缸溫度控制在31±3°C，銅離子控制在 1.8-2.2g/L，NaOH 控制在 9-1 lg/L，HCHO 控制在 5-7 g/L。
[0022]例如一具體實(shí)施例中，沉銅缸溫度控制在31°C，銅離子控制在2.0g/L, NaOH控制在10g/L，HCHO控制在6 g/L ;或者沉銅缸溫度控制在31°C，銅離子控制在1.8g/L，NaOH控制在9g/L，HCH0控制在5 g/L ;或者沉銅缸溫度控制在31°C，銅離子控制在2.2g/L，Na0H控制在llg/L，HCH0控制在7g/L。上述實(shí)施例所制作的化學(xué)沉銅層厚度較佳，便于清除，且可保證較佳的電鍍效果。
[0023]另外，較佳的是沉銅速率控制在0.03 μ m/min,該速率可保證化學(xué)沉銅層的厚度較佳，其中，較佳的厚度為保持在Iym的厚度，該厚度即可保證作為導(dǎo)體的作用，又容易清除完全，所以效果較好。
[0024]進(jìn)一步，在步驟S2 二次線路制作中采用抗電鍍干膜制作，金手指位開窗按單邊2-3mil制作。即不需要電鍍的地方采用抗電鍍干膜來覆蓋，而金手指位開窗按照單邊2-3mil制作，以制得較佳的金手指。
[0025]進(jìn)一步，微蝕處理的工藝條件為=H2SO4:2%-4%，H2O2:2%_4%，Cu2+:( 45g/L。在褪膜處理之后，可直接采用微蝕處理來清除化學(xué)沉銅層，為完整去除化學(xué)沉銅層，微蝕量稍微過
渡一些。
[0026]具體實(shí)施例中，微蝕處理的工藝條件為=H2SO4:3%，H2O2:2%，Cu2+:=20g/L ;或者微蝕處理的工藝條件為=H2SO4:2%，H2O2:4%，Cu2+:=28g/L ;微蝕處理的工藝條件為=H2SO4:4%，H2O2:3%，Cu2+:=36g/L0上述工藝條件可保證微蝕效果較好，可清除完全電鍍引線，避免殘
&3甶O
[0027]微蝕速率控制在1.2^1.5 μ m/min,例如控制微蝕速率為1.2、1.3、1.4或1.5 μ m/min,較佳的是控制為1.3 μ m/min,微蝕效果較佳。而速度為2m/min。
[0028]綜上所述，本發(fā)明的方法對(duì)傳統(tǒng)的金手指制作工藝進(jìn)行改進(jìn)，利用沉銅后形成的化學(xué)沉銅層作為導(dǎo)體對(duì)金手指進(jìn)行電鍍處理，這樣在后續(xù)的微蝕處理中就能清除完全厚度較薄的化學(xué)沉銅層，避免了殘留引線的問題，不會(huì)產(chǎn)生電鍍引線開路引起的金手指電鍍不上鍍層的問題，提高了產(chǎn)品品質(zhì)，并且整`個(gè)流程無需增加設(shè)備，只是對(duì)常規(guī)工藝進(jìn)行修改，未增加總成本，同時(shí)不需要在外層線路進(jìn)行金手指引線設(shè)計(jì)，不存在金手指引線殘留長(zhǎng)短不一的問題。
[0029]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的應(yīng)用不限于上述的舉例，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)上述說明加以改進(jìn)或變換，所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種無引線電鍍金手指的處理方法，其特征在于，包括步驟: A、在進(jìn)行線路制作后，對(duì)印制電路板進(jìn)行化學(xué)沉銅處理，得到化學(xué)沉銅層； B、再進(jìn)行二次線路制作，露出金手指位； C、利用所述化學(xué)沉銅層作為導(dǎo)體對(duì)金手指進(jìn)行電鍍處理，然后進(jìn)行褪膜處理； D、對(duì)化學(xué)沉銅層進(jìn)行微蝕處理，之后進(jìn)行綠油制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無引線電鍍金手指的處理方法，其特征在于，所述步驟A中，化學(xué)沉銅處理的工藝條件為:沉銅缸溫度控制在31±3°C，銅離子控制在1.8-2.2g/L，NaOH控制在 9-1 lg/L，HCHO 控制在 5-7 g/L。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無引線電鍍金手指的處理方法，其特征在于，所述步驟B中，二次線路制作采用抗電鍍干膜制作，金手指位開窗按單邊2-3mil制作。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無引線電鍍金手指的處理方法，其特征在于，所述步驟D中，微蝕處理的工藝條件為:H2S04:2%-4%，H2O2:2%-4%，Cu2+:≤45g/L。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無引線電鍍金手指的處理方法，其特征在于，所述步驟D中，微蝕速率為1.2^1.5 μ m/min。
【文檔編號(hào)】H05K3/40GK103702526SQ201310742466
【公開日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月30日
【發(fā)明者】張柏勇, 彭再德 申請(qǐng)人:景旺電子科技(龍川)有限公司