專利名稱：適用于修復(fù)電路的施體基板總成的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型大體上涉及電路修復(fù)。
背景技術(shù)：
據(jù)信，以下出版物代表了技術(shù)現(xiàn)狀美國專利4，752，455,4, 970，196,4, 987，006,5, 173，441 以及 5，292，559 ；"Metal deposition from a supported metal film"Bohandy> B. F. Kim 以及 F. J. Adrian,應(yīng)用物理學期刊60 (1986) 1538 ；以及"A study of the mechanism of metal deposition by the laser-induced forward transfer process，，F(xiàn). J. Adrian、J. Bohandy > B.F.Kim 以及 A. N. Jette,真空禾斗技期刊 B5,1490(1989)，第 1490-1494 頁。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種施體基板總成(donor substrate assembly)，其用于進行電路修復(fù)的系統(tǒng)及方法中。因此，根據(jù)本實用新型的一個實施例，提供一種施體基板總成，該施體基板總成適用于采用激光器或至少一個激光束傳遞路徑來修復(fù)電路的方法及/或系統(tǒng)中。該施體基板總成包括施體基板以及施體基板支撐基座，該施體基板支撐基座用以使施體基板保持與電路基板上所形成的導(dǎo)體的至少一個導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域相距預(yù)定的垂直間距。根據(jù)本實用新型的另一較佳實施例，還提供一種適用于修復(fù)電路的施體基板總成，該施體基板總成包括施體基板以及施體基板支撐基座，該施體基板支撐基座用以使施體基板保持與電路上的至少一個導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域相距預(yù)定的垂直間距。較佳地，施體基板是由板形成，該板在一側(cè)上涂覆有導(dǎo)體材料薄層。另外，導(dǎo)體材料薄層是由0.5微米至3微米厚的銅形成。另外，板是由1毫米厚的玻璃形成，且導(dǎo)體材料層是1微米厚的銅。根據(jù)本實用新型的較佳實施例，施體基板支撐基座大致為U形的且包括大致平面狀的中心部以及臂。另外，大致平面狀的中心部形成有最內(nèi)側(cè)凹槽，在最內(nèi)側(cè)凹槽中設(shè)置有粘合劑層。另外，大致平面狀的中心部形成有最外側(cè)凹槽，在最外側(cè)凹槽中設(shè)置有由順磁性材料形成的盤，該盤是由粘合劑層進行固定。根據(jù)本實用新型的較佳實施例，施體基板支撐基座在其頂面上包括一對定位導(dǎo)向件，所述一對定位導(dǎo)向件包括傾斜表面，傾斜表面被設(shè)置成用以與接駁模塊的對應(yīng)表面進行精確嚙合，以相對于接駁模塊對施體基板提供精確且穩(wěn)定的定位。[0014]較佳地，施體基板支撐基座在其大致平面狀的中心部及臂的朝向底部的內(nèi)邊緣上包括用于施體基板的支撐面。另外，朝向底部的內(nèi)邊緣設(shè)置有粘合劑層，該粘合劑層嚙合施體基板的對應(yīng)邊緣，從而將施體基板固定至基座。根據(jù)本實用新型的較佳實施例，導(dǎo)體材料層的底面從基座的底面凹陷達精確的預(yù)定距離，該精確的預(yù)定距離對應(yīng)于預(yù)定間距。另外，該精確的預(yù)定距離介于50微米與300 微米之間。作為另外一種選擇，該精確的預(yù)定距離為50微米。根據(jù)本實用新型的又一較佳實施例，進一步提供一種適用于修復(fù)電路的施體基板總成。該施體基板總成包括施體基板、施體基板支撐基座以及可磁性嚙合的元件。施體基板支撐基座用于支撐施體基板?？纱判試Ш系脑惭b于施體基板支撐基座上，用于可移除地將施體基板可移除地固定于接駁模塊上。根據(jù)本實用新型的再一較佳實施例，還提供一種適用于修復(fù)電路的施體基板總成。該施體基板總成包括施體基板以及施體基板支撐基座，該施體基板支撐基座用于支撐施體基板。施體基板支撐基座在其頂面上包括一對定位導(dǎo)向件，所述一對定位導(dǎo)向件包括傾斜表面，傾斜表面被設(shè)置成與接駁模塊的對應(yīng)表面進行精確嚙合，以相對于接駁模塊對施體基板提供精確且穩(wěn)定的定位。本實用新型的有益技術(shù)效果是本實用新型的施體基板總成，能夠使施體基板總成相對于接駁模塊進行所期望的精確且穩(wěn)定的定位。

結(jié)合附圖閱讀以下詳細說明，將能更全面地理解和領(lǐng)會本實用新型，在附圖中圖1為在用于修復(fù)電路的系統(tǒng)的環(huán)境中根據(jù)本實用新型實施例進行構(gòu)造和操作的施體基板總成的簡化示意圖；圖2為根據(jù)本實用新型實施例進行構(gòu)造和操作的施體基板總成在與接駁模塊嚙合之前的簡化示意圖，形成圖1所示的用于修復(fù)電路的系統(tǒng)的一部分；圖3為根據(jù)本實用新型實施例進行構(gòu)造和操作的施體基板總成與接駁模塊嚙合的的簡化示意圖，形成圖1所示的用于修復(fù)電路的系統(tǒng)的一部分；圖4A及圖4B分別為顯示在圖1至圖3的環(huán)境中根據(jù)本實用新型實施例進行構(gòu)造和操作的施體基板總成的頂部及底部的簡化示意圖；以及圖5為圖4A及圖4B的施體基板總成沿圖4A中的線V-V截取的剖面簡化示意圖。
具體實施方式
現(xiàn)在，請參見圖1，其為在用于修復(fù)電路的系統(tǒng)的環(huán)境中，根據(jù)本實用新型實施例進行構(gòu)造和操作的施體基板總成100的簡化示意圖。如圖1所示，系統(tǒng)較佳包括框架101，框架101較佳安裝于傳統(tǒng)光學平臺102上。 框架101界定電路檢查/修復(fù)位置104，可將所要檢查/修復(fù)的電路(例如印刷電路板 (printed circuit board ；PCB) 106)放置到電路檢查/修復(fù)位置104上。PCB106通常具有例如導(dǎo)體過量缺陷以及導(dǎo)體缺失缺陷等各種類型的缺陷中的一種或多種，例如切口 110。橋接器(bridge) 112被設(shè)置成沿第一檢查/修復(fù)軸線114相對于檢查/修復(fù)位置 104進行線性運動，其中第一檢查/修復(fù)軸114是相對于框架101進行界定。光學頭總成116被設(shè)置成沿第二檢查/修復(fù)軸線118相對于橋接器112進行線性運動，其中第二檢查/ 修復(fù)軸線118垂直于第一檢查/修復(fù)軸線114。根據(jù)本實用新型的實施例，光學頭總成116較佳包括檢查/修復(fù)子總成120。該系統(tǒng)較佳還包括控制總成124，控制總成IM較佳包括具有用戶界面128的計算機1 并包括用于操作檢查/修復(fù)子總成120的軟件模塊?？刂瓶偝蒊M較佳從自動光學檢查系統(tǒng)(圖未示出)接收缺陷位置輸入，該自動光學檢查系統(tǒng)例如為可從位于以色列 Yavne的Orbotech有限公司商購獲得的Discovery 8000系統(tǒng)等。檢查/修復(fù)子總成120較佳包括基座130，基座130上支撐有照相機132，例如可從位于美國賓夕法尼亞州Exton的Basler公司獲得的Basler CMOS照相機。照相機132 通過聚焦物鏡139、局部反射鏡142以及物鏡模塊144沿光軸136觀察PCB 106上的成像位置134，其中聚焦物鏡139具有IOOmm至150mm的典型焦距，物鏡模塊144例如為可從日本的Mitutoyo有限公司商購獲得的切/0. 14物鏡模塊。基座130的底面上安裝有三維電動致動器140，例如可從位于美國加利福尼亞州 Santa Clara 的 New Focus 公司或從 Newport 公司(http://www.newport.com/)商購獲得的New Focus Model 9064或9065。接駁模塊150安裝于致動器140上，并適于在其上面可移除地安裝施體基板總成100。電動致動器140在至少一個維上且較佳在兩個或三個維上，相對于基座130對接駁模塊150并因此對施體基板總成100提供可選擇的定位。檢查/修復(fù)子總成120較佳包括用于產(chǎn)生脈沖激光束巧4的脈沖激光源152，例如可從位于法國Grenoble的1Teem Photonics公司獲得的被動式Q開關(guān)顯微激光器(passive Q-switch micro laser)。根據(jù)應(yīng)用而定，適合的顯微激光器可選自例如用于以532nm的波長或以1064nm的波長輸出光束的激光頭。脈沖束154穿過用于使激光束154準直至為0. 5mm至3. Omm的較佳光點大小的準直光學器件158，準直光學器件158可包括焦距分別為80mm及-150mm的兩個透鏡160及 162。然后，激光束IM被反射鏡174反射并被擴束器176調(diào)整至特定直徑，擴束器176包括多個透鏡178，這些透鏡178被放置和調(diào)整成使準直的輸出光束具有所需的大小。透鏡 178可分別包括例如^mm平凸透鏡、-IOmm雙凹透鏡以及129mm平凸透鏡等透鏡。接著，透鏡180對激光束IM進行定向，以照射于可從Newport公司商購獲得的雙軸式快速控制反射鏡(fast steering mirror ;FSM) 182，并然后經(jīng)過透鏡184 (例如108mm 彎月形透鏡)、反射鏡186以及透鏡188(例如平凸338mm透鏡)。透鏡180、184及188用于保持光束在FSM 182上的位置。接著，光束巧4照射于分束器190上，分束器190引導(dǎo)光束1 沿軸線136穿過物鏡模塊144并穿過安裝于接駁模塊150上的施體基板總成100，從而執(zhí)行修復(fù)功能?，F(xiàn)在，請參見圖2及圖3，其例示將施體基板總成100安裝在接駁模塊150上的情形。圖2為施體基板總成100在與接駁模塊150嚙合之前的簡化示意圖，并且圖3為與接駁模塊150嚙合的施體基板總成100的簡化示意圖。如圖2所示，接駁模塊150較佳包括外殼192，具有安裝銷196的安裝托架194附裝至外殼192上，安裝托架194則可安裝至致動器140上。外殼192較佳包括一對傾斜側(cè)面197，所述一對傾斜側(cè)面197用于使施體基板總成 100相對于外殼192精確地放置，如下文所述。[0037]電磁鐵198安裝在外殼192中，并在其下側(cè)上界定磁性嚙合表面199，以在接駁模塊150與施體基板總成100之間提供可移除的嚙合，如下文所進一步說明?，F(xiàn)在，請參見圖4A及圖4B，其分別為顯示施體基板總成100的頂部及底部的簡化示意圖，并參見圖5，其為圖4A及圖4B的施體基板總成沿圖4A中的線V-V截取的剖面簡化示意圖。如圖4A、圖4B及圖5所示，施體基板總成100較佳包括施體基板200以及施體基板支撐基座202，施體基板支撐基座202用以使施體基板200保持與PCB 106 (圖1)上所形成的導(dǎo)體的導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域相距預(yù)定的垂直間距。施體基板200較佳為平面狀的，具有0. 5mm至3mm的厚度，并且通常是由具有對激光束154(圖1)的波長透明的材質(zhì)(例如玻璃或塑料)的板204形成，板204在其下側(cè)表面上涂覆有至少一個導(dǎo)體材料薄層206，例如0. 5微米至3微米厚的銅。在所例示的實施例中，板204是由1毫米(mm)厚的玻璃形成，且導(dǎo)體材料層206是1微米厚的銅。尤其如圖5所示，施體基板支撐基座202較佳為大致U形的，且包括大致平面狀的中心部210以及臂212。大致平面狀的中心部210較佳形成有最內(nèi)側(cè)凹槽214，在最內(nèi)側(cè)凹槽214的至少一部分中設(shè)置有粘合劑218，例如可從位于阿根廷Villa Ballester Buenos Aires 的 Akapol S. Α.公司(http://www.akapol.com/)商購獲得的POXIPOL 10MINUTE CLEAR EPOXY(http://www. poxipol. com/)。由順磁性材料形成的盤220位于最外側(cè)凹槽 222中，并由粘合劑218固定在最外側(cè)凹槽222中。電磁鐵198與盤220之間的磁性吸引能夠?qū)崿F(xiàn)施體基板總成100在接駁模塊150上的可移除安裝嚙合。尤其如圖4A所示，基座202的頂面上形成有一對定位導(dǎo)向件230，所述一對定位導(dǎo)向件230包括傾斜表面232，傾斜表面232被設(shè)置成用以與接駁模塊150的對應(yīng)傾斜表面 197進行精確嚙合，以相對于接駁模塊150對施體基板200提供精確定位。本實用新型的一具體特點在于，傾斜表面232與接駁模塊150的對應(yīng)傾斜表面197進行精確的接觸嚙合，尤其如圖3所示。此種精確的接觸嚙合能夠使施體基板總成100相對于接駁模塊150進行所期望的精確且穩(wěn)定的定位。尤其如圖4B所示，大致平面狀的中心部210及臂212的朝向底部的內(nèi)邊緣240界定用于施體基板200的支撐面。邊緣240較佳設(shè)置有粘合劑層M2，粘合劑層242包括粘合劑，例如可從位于阿根廷 Villa Ballester Buenos Aires 的 Akapol S. Α.公司(http:// www.akapol.com/)商購獲得的POXIPOL 10MINUTE CLEAR EPOXY (http //www. poxipol. com/)。粘合劑層242嚙合板204的對應(yīng)的朝向頂部的邊緣，從而將施體基板200固定至基座202上。尤其如圖5所示，可以看出，導(dǎo)體材料層206的外表面從基座202的底面凹陷達精確的預(yù)定距離D，該精確的預(yù)定距離D介于50微米與300微米之間且較佳為50微米。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，本實用新型并不僅限于上文所具體顯示及說明的內(nèi)容。相反，本實用新型包括本文所述各種特征的組合和子組合以及所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀以上說明之后所聯(lián)想到的并且不屬于現(xiàn)有技術(shù)的改進形式和變化形式。
權(quán)利要求1.一種適用于修復(fù)電路的施體基板總成，其特征在于，所述施體基板總成包括施體基板；以及施體基板支撐基座，設(shè)置成使所述施體基板保持與電路上的至少一個導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域相距預(yù)定的垂直間距。
2.如權(quán)利要求1所述的施體基板總成，其特征在于，所述施體基板是由板形成，所述板在一側(cè)上涂覆有導(dǎo)體材料薄層。
3.如權(quán)利要求2所述的施體基板總成，其特征在于，所述導(dǎo)體材料薄層是由0.5微米至 3微米厚的銅形成。
4.如權(quán)利要求3所述的施體基板總成，其特征在于，所述板是由1毫米厚的玻璃形成， 且所述導(dǎo)體材料層是1微米厚的銅。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的施體基板總成，其特征在于，所述施體基板支撐基座大致為U形，且所述施體基板支撐基座包括大致平面狀的中心部以及臂。
6.如權(quán)利要求5所述的施體基板總成，其特征在于，所述大致平面狀的中心部形成有最內(nèi)側(cè)凹槽，在所述最內(nèi)側(cè)凹槽中設(shè)置有粘合劑層。
7.如權(quán)利要求6所述的施體基板總成，其特征在于，所述大致平面狀的中心部形成有最外側(cè)凹槽，在所述最外側(cè)凹槽中設(shè)置有由順磁性材料形成的盤，所述盤是由所述粘合劑層進行固定。
8.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的施體基板總成，其特征在于，所述施體基板支撐基座在其頂面上包括一對定位導(dǎo)向件，所述一對定位導(dǎo)向件包括傾斜表面，所述傾斜表面被設(shè)置成用以與接駁模塊的對應(yīng)表面進行精確嚙合，以相對于所述接駁模塊對所述施體基板提供精確且穩(wěn)定的定位。
9.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的施體基板總成，其特征在于，所述施體基板支撐基座包括用于所述施體基板的支撐面，所述支撐面位在所述支撐基座的大致平面狀的中心部及臂的朝向底部的內(nèi)邊緣上。
10.如權(quán)利要求9所述的施體基板總成，其特征在于，所述朝向底部的內(nèi)邊緣設(shè)置有粘合劑層，所述粘合劑層嚙合所述施體基板的對應(yīng)邊緣，從而將所述施體基板固定至所述基座。
11.如權(quán)利要求2至4中任一項所述的施體基板總成，其特征在于，所述導(dǎo)體材料層的底面從所述基座的底面凹陷達精確的預(yù)定距離，所述精確的預(yù)定距離對應(yīng)于所述預(yù)定間距。
12.如權(quán)利要求11所述的施體基板總成，其特征在于，所述精確的預(yù)定距離介于50微米與300微米之間。
13.如權(quán)利要求11所述的施體基板總成，其特征在于，所述精確的預(yù)定距離為50微米。
14.一種適用于修復(fù)電路的施體基板總成，其特征在于，所述施體基板總成包括施體基板；施體基板支撐基座，支撐所述施體基板；以及可磁性嚙合的元件，安裝于所述施體基板支撐基座上，用于將所述施體基板可移除地固定于接駁模塊上。
15.一種適用于修復(fù)電路的施體基板總成，其特征在于，所述施體基板總成包括施體基板；以及施體基板支撐基座，支撐所述施體基板，所述施體基板支撐基座在其頂面上包括一對定位導(dǎo)向件，所述一對定位導(dǎo)向件包括傾斜表面，所述傾斜表面被設(shè)置成用于與接駁模塊的對應(yīng)表面進行精確嚙合，以相對于所述接駁模塊對所述施體基板提供精確且穩(wěn)定的定位。
專利摘要本實用新型揭露一種適用于修復(fù)電路的施體基板總成，以修復(fù)電路的缺陷。該施體基板總成包括施體基板以及施體基板支撐基座，該施體基板支撐基座設(shè)置成使施體基板保持與電路上的至少一個導(dǎo)體修復(fù)區(qū)域相距預(yù)定的垂直間距。
文檔編號H05K3/00GK201976350SQ201120014868
公開日2011年9月14日 申請日期2011年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月17日
發(fā)明者A·卡茲, G·克洛斯, M·謝里丹, R·歐龍, U·古爾德 申請人:以色列商奧寶科技股份有限公司