專利名稱:制備熒光從紫外到紅的硫硒化鎘鋅納米線的方法及裝置的制作方法
技術領域:
本發(fā)明涉及制備硫硒化鎘鋅納米線的方法及裝置,具體為制備一種熒光從紫外到紅單調連續(xù)變化的硫硒化鎘鋅納米線的方法及裝置。
背景技術:
納米線是目前材料、化學、光電子學和納米技術等領域的研究熱點之一。半導體納米線,因其具有優(yōu)異的物理特性,被廣泛應用于傳感、激光、波導、光電子器件等領域,受到廣泛的關注。由于這些器件的功能和性能在很大程度上取決于納米線的能帶結構,因此, 在單根納米線上進行能帶調控是這些功能材料的研究目標之一。II-IV族化合物是一種可調的寬帶隙半導體材料,比如硫硒化鎘鋅可以通過改變硫硒鎘鋅四種元素的比例來調節(jié)帶隙,從而獲得單一的半導體材料和二元化合物所無法實現的帶隙寬度。浙江大學光電系微納光子學研究組提出在VLS生長方法中移動硒化鎘蒸發(fā)源, 研制出材料成分和晶格參數沿長度方向均勻過渡的硫硒化鎘納米線,在單色紫外光激發(fā)下可觀察到波長連續(xù)變化的熒光發(fā)射,首次在單納米線上實現了大范圍連續(xù)能帶調控, 研究結果發(fā)表在《美國化學學會會刊》[F. X. Gu*,Ζ. Y. Yang*,et al.,"Spatial bandgap engineering along single alloy nanowires,,,J. Am. Chem. Soc. 133, 2037-2039 (2011)], 并在中國申請專利,專利公開號為CN101941681A。但是,所制備的硫硒化鎘納米線熒光的波長僅有510nm到710nm范圍,而要實現白光輸出至少要熒光波長從450nm到700nm范圍。 熒光不能覆蓋整個可見光范圍的缺陷嚴重限制了材料的應用,所以要拓寬光譜,使之覆蓋整個可見光區(qū)域,最好還能覆蓋紫外光區(qū)域,這樣的納米線就可以在白光LED光源以及白光激光器等領域發(fā)揮作用。另外,該專利公開的制作硫硒化鎘納米材料的方法僅能適用于熔沸點相近的硫化鎘和硒化鎘,當制備原料的熔沸點相差較大時,該方法不能滿足要求。通過實驗證明,用硫化鋅代替硫化鎘,硒化鎘仍然不變,生長出的納米線單根熒光范圍可從350nm到710nm,能覆蓋紫外和可見光區(qū)域。但由于硫化鋅代替了硫化鎘,而硫化鋅和硒化鎘的熔沸點相差很大,兩種材料的沉積生長區(qū)在不同的位置,所以不能使用專利公開號為CN101941681A的中國發(fā)明專利的制備方法來得到硫硒化鎘鋅納米線。 文獻“A· L Pan,H. Yang,R. B. Liu, R. C. Yu, B. S. Zou, Ζ. L Wang,Color-Tunable Photoluminescence of AlloyedCdSxSel-xNanobelts. J. Am. Chem.Soc.2005,127, 15692-15693”雖然已經公幵成功合成了硫化鎘鋅和硫硒化鎘納米帶,但是這種方法一次只能合成一種組分的納米材料,獲得連續(xù)組份難度很大。文獻“A. LPm,R. B. Liu, Μ. H. Sun, and C. Ζ. Ning, Quaternary AlloySemiconductor Nanobelts with Bandgap Spanningthe Entire Visible Spectrum. J. Am. Chem. Soc. 2009,131,9502_9503” 公開了通過氣相沉積溫度梯度分布合成了在基片上組份連續(xù)變化的硫硒化鋅鎘納米帶的方法,即生長基片上的溫度連續(xù)變化,導致在不同的位置上生長出的納米材料元素組份和帶隙不同。這種方法可以獲得熒光從紫外到紅色的所有光譜,但每種光譜只能在一根材料上,即獲得的單根納米材料熒光不能連續(xù)單調變化,限制了它的應用。
發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種制備硫硒化鎘鋅納米線的方法及其制備裝置,采用本方法制備的硫硒化鎘鋅納米線的熒光光譜可從紫外到紅單調連續(xù)變化,及熒光的波長可從350nm到7IOnm連續(xù)單調變化。為 了實現上述技術目的,本發(fā)明首先提出了一種熒光從紫外到紅的硫硒化鎘鋅納米線的制備方法,該方法包括如下步驟1)將用于制備硫硒化鎘鋅納米線的硫化鋅和硒化鎘分別放置在位于制備環(huán)境中的硫化鋅揮發(fā)區(qū)和硒化鎘揮發(fā)區(qū),將生長載體放置在位于制備環(huán)境中的生長區(qū);將制備環(huán)境抽真空,保持制備環(huán)境的真空度為100 40000Pa,并保持制備環(huán)境內具有適當流速的惰性氣體或氮氣;所述硫化鋅揮發(fā)區(qū)、硒化鎘揮發(fā)區(qū)和生長區(qū)為相通,所述生長載體具有鍍金表面;2)快速提升制備環(huán)境的溫度,使所述硫化鋅揮發(fā)區(qū)的溫度達到900 1050°C,所述硒化鎘揮發(fā)區(qū)的溫度達到600 850°C,所述生長區(qū)的溫度達到600 900°C,且生長載體置于生長區(qū)的高溫端,并保持一定時間;3)以0. 1 2cm/min的速度將生長載體從生長區(qū)的高溫端移到生長區(qū)的低溫端;4)當生長載體從生長區(qū)域的低溫端移出時,保持氣壓和氣流不變,使制備環(huán)境降溫到室溫,然后,將制備環(huán)境的氣壓上升到大氣壓,取出生長載體,得到熒光從紫外到紅單調連續(xù)變化的硫硒化鎘鋅納米線。該制備方法通過將硫化鋅和硒化鎘放置在各自的揮發(fā)溫度區(qū)域內,使硫化鋅和硒化鎘揮發(fā),并在位于生長區(qū)的生長載體上生成硫硒化鎘鋅納米線。在移動生長載體的過程中,生長載體表面的硫化鋅蒸汽和硒化鎘蒸汽濃度比例從1 0連續(xù)變化到0 1,通過金的催化,生長載體上生長出在單根上硫化鋅和硒化鎘比例從1 0到0 1連續(xù)變化的納米線,即得到熒光可從紫外到紅,且熒光波長范圍為350nm到710nm連續(xù)單調變化的硫硒化鎘鋅納米材料。進一步的,所述硫化鋅和硒化鎘的質量比為(0.5 5) 1,且當硫化鋅和硒化鎘的質量比為1 1時,得到的硫硒化鎘鋅納米材料的熒光個顏色區(qū)域更均等。進一步的,所述步驟2)中,硫化鋅揮發(fā)區(qū)的溫度為950-1000°C,制備得到的硫硒化鎘鋅納米線的熒光顏色分布最均勻;硫化鋅揮發(fā)區(qū)的溫度越高,得到的硫硒化鎘鋅納米線的短波段熒光區(qū)較長,硫化鋅揮發(fā)區(qū)的溫度越低,得到的硫硒化鎘鋅納米線的長波段熒光區(qū)較長。進一步的,所述生長載體為鍍金硅片或鍍金陶瓷片,且生長載體的鍍金厚度為 2 lOnm。生長載體上鍍金可作為硫化鋅和硒化鎘的催化劑??傊?,本發(fā)明不僅能制備硫硒化鎘鋅納米線,而且制備得到的硫硒化鎘鋅納米線的熒光范圍從紫外到紅連續(xù)單調變化,即熒光的波長范圍為350nm 710nm ;本方法還克服硫化鋅與硒化鎘熔沸點相差較大時,制備不便的限制。本發(fā)明還提出了一種熒光從紫外到紅的硫硒化鎘鋅納米線的制備裝置,包括高溫爐、可置于高溫爐內加熱的箱體、真空泵、氣瓶和移動裝置。所述箱體內設有一安裝有磁鐵的連接棒,在與所述磁鐵對應的箱體上或箱體外側設有與該磁鐵同極的磁鐵,連接棒在磁力作用下懸浮在箱體中。在所述連接棒上還設有兩只盛具,在兩盛具的同一側設有安裝在箱體上的載體平臺。所述移動裝置包括電機、滑軌以及置于滑軌內的滑塊與螺桿,所述滑塊與箱體相連并設有與螺桿相匹配的螺孔,所述螺桿延伸穿過位于滑塊上的螺孔并與電機相連;所述真空泵和氣瓶分別與箱體兩端相連。采用該裝置在制備硫硒化鎘鋅納米線時,將硫化鋅和硒化鎘置于各自對應的盛具中,將生長載體放置在載體平臺上,通過對高溫爐加熱溫度的測量,調整盛具和載體平臺的位置,使各自的溫度達到硫硒化鎘鋅制備方法中的要求;在硫硒化鎘鋅制備方法中,需要移動生長載體從生長區(qū)的高溫端到低溫端,本發(fā)明通過設置移動裝置,可推動箱體和載體平臺移動,且盛放硫化鋅和硒化鎘的盛具均通過磁力作用懸浮于箱體中不移動,能滿足硫硒化鎘鋅制備要求;氣瓶內可裝滿足制備要求的有惰性氣體或氮氣,并通過分別連接在箱體兩側的真空泵和氣瓶,可在硫硒化鎘鋅納米線制備過程中通入適量流速的氣體,且保持制備環(huán)境的真空度不變。進一步的,所述箱體兩端采用密封圈密封,能加強箱體的密封性能;所述箱體、盛具和連接棒均采用石英材料制作,且所述箱體為石英管,所述高溫爐為與該箱體相匹配的管式高溫爐,石英材質能耐高溫且透明,能夠直接觀察硫硒化鎘鋅納米線的制備過程??傊局苽溲b置不僅能滿足硫硒化鎘鋅納米線的制備要求,而且結構簡單,成本低,且能時刻觀察硫硒化鎘鋅納米線的制備過程。
圖1為本發(fā)明硫硒化鎘鋅納米線制備裝置實施例的結構示意圖;圖2為制備環(huán)境區(qū)域示意圖;圖3為硫硒化鎘鋅納米線的光譜圖。附圖標記說明10-箱體;11-連接棒;12-第一盛具;13-第二盛具;14-載體平臺;15a_磁鐵; 15b-磁鐵;20-移動裝置;21-電機;22-滑軌;23-螺桿;24-滑塊。
具體實施例方式下面結合附圖對本發(fā)明制備裝置的具體實施方式
作詳細說明。如圖1所示,為本發(fā)明硫硒化鎘鋅納米線制備裝置實施例的結構示意圖,本實施例的制備裝置包括高溫爐16、可置于高溫爐16內加熱的箱體10、真空泵、氣瓶和移動裝置 20。所述箱體10內設有一安裝有磁鐵15a的連接棒11,在與磁鐵15a對應的箱體10上或箱體外側設有與磁鐵1 同極的磁鐵15b,通過磁鐵同性相斥的原理,連接棒11在磁力作用下懸浮在箱體10中。在連接棒11上間隔設有第一盛具12和第二盛具13,在第一盛具12 和第二盛具13的同一側設有安裝在箱體10上的載體平臺14。移動裝置20包括電機21、滑軌22以及置于滑軌內的滑塊M與螺桿23,滑塊M 與箱體10相連并設有與螺桿23相匹配的螺孔,所述螺桿23延伸穿過位于滑塊M上的螺孔并與電機21相連。本實施例的電機21采用直線電機,當電機21轉動時,帶動螺桿23轉動,通過螺桿23與滑塊M之間的配合,滑塊M可在滑軌22內移動,進而帶動箱體10移動。真空泵和氣瓶分別連接在箱體10的兩端,氣瓶內可裝有不會與硫化鋅和硒化鎘發(fā)生化學反應的惰性氣體或氮氣,并通過與真空泵搭配使用,可往箱體10內注入適當流量的氣體,且能保持箱體10內的真空度不變。
優(yōu)選的,本實施例的箱體10兩端采用密封圈密封,能加強箱體的密封性能;箱體 10、第一盛具12、第二盛具13和連接棒11均采用石英材料制作,且所述箱體10為石英管, 所述高溫爐16為與該箱體10相匹配的管式高溫爐,采用石英材質能耐高溫且透明,能夠直接觀察硫硒化鎘鋅納米線的制備過程。如圖2所示,為采用本制備裝置的制備環(huán)境區(qū)域示意圖,當高溫爐16設定的最高加熱溫度為1050°C時,通過高溫爐16內的溫度曲線可知處于溫度范圍為900 1050°C 的區(qū)域為硫化鋅揮發(fā)區(qū),第一盛具12置于該區(qū)域內,通過調節(jié)第一盛具12在該區(qū)域的位置,可調節(jié)硫化鋅所處位置的制備溫度;處于溫度范圍為600 850°C的區(qū)域為硒化鎘揮發(fā)區(qū),第二盛具13位于該區(qū)域內,且通過調節(jié)該區(qū)域的位置,可調節(jié)硒化鎘所處位置的制備溫度;處于溫度區(qū)域范圍為600 900°C的區(qū)域為生長區(qū),載體平臺14位于該區(qū)域內,通過移動裝置20調節(jié)箱體10的位置,可改變載體平臺14在生長區(qū)的位置。如圖可知,硒化鎘揮發(fā)區(qū)和生長區(qū)分別位于硫化鋅揮發(fā)區(qū)的兩側。下面介紹使用本制備裝置制備硫硒化鎘鋅納米線的實施方式。第一步,在第一盛具12和第二盛具13中分別裝入適量的硫化鋅和硒化鎘,并放置在懸浮于箱體10內的連接棒11上,將生長載體放置在載體平臺14上,將箱體10放入高溫爐,通過高溫爐16的溫度特性曲線劃定硫化鋅揮發(fā)區(qū)、硒化鎘揮發(fā)區(qū)和生長區(qū),將第一盛具12和第二盛具13分別置于硫化鋅揮發(fā)區(qū)和硒化鎘揮發(fā)區(qū),調節(jié)位置可以設定硫化鋅和硒化鎘的制備溫度,并使生長載體位于生長區(qū)的高溫端;第二步,密閉箱體10,通過真空泵抽真空,當箱體內的壓強為20 時,通過氣瓶向箱體內注入惰性氣體或氮氣,使箱體內恢復大大氣壓,再抽真空到20Pa,往復3 5次,最后使箱體10內的真空度為100 40kPa,并保持真空泵抽真空和氣瓶向箱體內注入氣體,且調節(jié)真空泵和氣瓶,使箱體10內的真空度不變;第三步,開啟高溫爐迅速加熱,使箱體10內的溫度滿足制備要求,在一定時間后, 開啟電機21,帶動箱體10和載體平臺14從生長區(qū)的高溫端向生長區(qū)的低溫端移動,當載體平臺14移出生長區(qū)后,關閉電機;第四步,自然冷卻到環(huán)境溫度,恢復箱體內的氣壓到大氣壓,并關閉真空本和氣瓶,取出生長載體14,即可得到制備的硫硒化鎘鋅納米線。下面通過實施例介紹硫硒化鎘鋅納米線制備方法的具體實施方式
。實施例一取硫化鋅0. Sg放入第一盛具12中,取硒化鎘0. 4g放入第二盛具13中,硫化鋅與硒化鎘的質量比為2 1,將第一盛具12和第二盛具13安裝在連接棒11上,將生長載體放置在載體平臺14上,本實施例的生長載體為鍍金硅片,且該鍍金硅片的鍍金厚度為5nm。 調節(jié)第一盛具12、第二盛具13和載體平臺14的位置,設定硫化鋅的制備溫度為1000°C,硒化鎘的制備溫度為800°C。抽真空,保持箱體內的制備環(huán)境的真空度為1. 3kPa,制備過程中保持制備環(huán)境中氮氣氣流為lOOml/min。開啟高溫爐16加熱,使硫化鋅所處位置的溫度在20分鐘從室溫20°C到達 1000°C,硒化鎘的溫度達到800°C,硫化鋅的溫度達到1000°C后,再保持載體平臺14的位置 7分鐘,此時鍍金硅片處的硫化鋅蒸汽和硒化鎘蒸汽濃度比例為1 0,在金的催化作用下, 開始生成熒光為短波段區(qū)域的納米線。
開啟電機21,使鍍金硅片以0. 5cm/min的速度從生長區(qū)的高溫端向低溫端移動, 生長區(qū)的高溫端的溫度為900°C,低溫端的溫度為600°C,此時生長區(qū)低溫端的硫化鋅蒸汽和硒化鎘蒸汽濃度比例為0 1,生成熒光為長波段區(qū)域的納米線。當鍍金硅片移出生長區(qū)的低溫端后,關閉高溫爐,并使制備環(huán)境自然冷卻到室溫, 恢復制備環(huán)境的氣壓到大氣壓,取出鍍金硅片,及得到硫硒化鎘鋅納米線,本實施例得到的硫硒化鎘鋅納米線長30um,直徑lOOnm,且得到的納米線的熒光各個顏色區(qū)域分布均勻,熒光區(qū)域可從紫外到紅連續(xù)單調變化,即熒光的波長范圍為350nm 710nm,該硫硒化鎘鋅納米線光譜如圖3所示。實施例二 本實施例的硫化鋅和硒化鎘的用量均為0. 3g,且硫化鋅的制備溫度為950°C,硒化鎘的制備溫度為750°C,生在載體采用表面鍍金厚度為8nm的鍍金硅片;制備環(huán)境的真空度為1. 2kPa,并在制備過程中保持制備環(huán)境的氮氣氣流為lOOml/min ;加熱,使硫化鋅的溫度在18分鐘從室溫20°C到達950°C,相應的,此時硒化鎘的溫度為750°C,生長區(qū)的高溫端的溫度為900°C ;溫度到達后,保持鍍金硅片的位置9分鐘不變,然后以lcm/min的速度使鍍金硅片從生長區(qū)的高溫端向低溫端移動。本實施例的其他制備條件與實施例一相同,且最終制備的到得硫硒化鎘鋅納米線長15um,直徑lOOnm,納米線熒光的各個顏色區(qū)域分布均勻,熒光區(qū)域可從紫外到紅連續(xù)單調變化,即熒光的波長范圍為350nm 710nm。實施例三本實施例的硫化鋅和硒化鎘的用量分別為Ig和0. 2g,且硫化鋅的制備溫度為 900°C,硒化鎘的制備溫度為600°C,生在載體采用表面鍍金厚度為2nm的鍍金陶瓷片;制備環(huán)境的真空度為30kPa,并在制備過程中保持制備環(huán)境的氮氣氣流為500ml/min ;加熱,使硫化鋅的溫度在30分鐘從室溫20°C到達900°C,相應的,此時硒化鎘的溫度為600°C,生長區(qū)的高溫端的溫度為900°C ;溫度到達后,保持鍍金陶瓷片的位置5分鐘不變,然后以2cm/ min的速度使鍍金硅片從生長區(qū)的高溫端向低溫端移動。本實施例的其他制備條件與實施例一相同,且最終制備的到得硫硒化鎘鋅納米線長5um,直徑80nm,納米線熒光顏色的長波段區(qū)域分布較長,熒光區(qū)域可從紫外到紅連續(xù)單調變化,即熒光的波長范圍為350nm 710nmo實施例四本實施例的硫化鋅和硒化鎘的用量分別為0. 3g和0. 6g,且硫化鋅的制備溫度為 1050°C,硒化鎘的制備溫度為850°C,生在載體采用表面鍍金厚度為IOnm的鍍金陶瓷片;制備環(huán)境的真空度為IOkPa,并在制備過程中保持制備環(huán)境的氖氣氣流為50ml/min ;加熱,使硫化鋅的溫度在25分鐘從室溫20°C到達1050°C,相應的,此時硒化鎘的溫度為850°C,生長區(qū)的高溫端的溫度為900°C ;溫度到達后,保持鍍金陶瓷片的位置15分鐘不變,然后以 0. 5cm/min的速度使鍍金硅片從生長區(qū)的高溫端向低溫端移動。本實施例的其他制備條件與實施例一相同,且最終制備的到得硫硒化鎘鋅納米線長40um,直徑150nm,納米線熒光顏色的短波段區(qū)域分布較長,熒光區(qū)域可從紫外到紅連續(xù)單調變化,即熒光的波長范圍為 35Onm 710nmo實施例五本實施例的硫化鋅和硒化鎘的用量分別為0. 5g和0. 6g,且硫化鋅的制備溫度為1050°C,硒化鎘的制備溫度為650°C,生在載體采用表面鍍金厚度為5nm的鍍金陶瓷片;制備環(huán)境的真空度為5kPa,并在制備過程中保持制備環(huán)境的氬氣氣流為200ml/min ;加熱, 使硫化鋅的溫度在20分鐘從室溫20°C到達1050°C,相應的,此時硒化鎘的溫度為650°C, 生長區(qū)的高溫端的溫度為900°C ;溫度到達后,保持鍍金陶瓷片的位置5分鐘不變,然后以 1. 5cm/min的速度使鍍金硅片從生長區(qū)的高溫端向低溫端移動。本實施例的其他制備條件與實施例一相同,且最終制備的到得硫硒化鎘鋅納米線長45um,直徑180nm,納米線熒光顏色的短波段區(qū)域分布較長,熒光區(qū)域可從紫外到紅連續(xù)單調變化,即熒光的波長范圍為 350nm 710nmo實施例六本實施例在制備過程中保持制備環(huán)境的真空度為300Pa,并在制備過程中保持制備環(huán)境中氦氣氣流為50ml/min,其他制備條件與實施例一相同。最終制備的到得硫硒化鎘鋅納米線長35um,直徑100·,納米線熒光的各個顏色區(qū)域分布均勻,熒光區(qū)域可從紫外到紅連續(xù)單調變化,即熒光的波長范圍為350nm 710nm。上面對本發(fā)明的實施方式作了詳細說明,但是本發(fā)明并不限于上述實施方式,在所屬技術領域普通技術人員所具備的知識范圍內,還可以在不脫離本發(fā)明宗旨的前提下作出各種變化。
權利要求
1. 一種熒光從紫外到紅的硫硒化鎘鋅納米線的制備方法,其特征在于該方法包括如下步驟1)將用于制備硫硒化鎘鋅納米線的硫化鋅和硒化鎘分別放置在位于制備環(huán)境中的硫化鋅揮發(fā)區(qū)和硒化鎘揮發(fā)區(qū),將生長載體放置在位于制備環(huán)境中的生長區(qū);將制備環(huán)境抽真空,保持制備環(huán)境的真空度為100 40000Pa,并保持制備環(huán)境內具有適當流速的惰性氣體或氮氣;所述硫化鋅揮發(fā)區(qū)、硒化鎘揮發(fā)區(qū)和生長區(qū)為相通,所述生長載體具有鍍金表2)快速提升制備環(huán)境的溫度,使所述硫化鋅揮發(fā)區(qū)的溫度達到900 1050°C,所述硒化鎘揮發(fā)區(qū)的溫度達到600 850°C,所述生長區(qū)的溫度達到600 900°C,且生長載體置于生長區(qū)的高溫端,并保持一定時間;3)以0.1 2cm/min的速度將生長載體從生長區(qū)的高溫端移到生長區(qū)的低溫端;4)當生長載體從生長區(qū)域的低溫端移出時,保持氣壓和氣流不變,使制備環(huán)境降溫到室溫,然后,將制備環(huán)境的氣壓上升到大氣壓,取出生長載體,得到熒光從紫外到紅單調連續(xù)變化的硫硒化鎘鋅納米線。
2.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述硫化鋅和硒化鎘的質量比為 (0.5 5) 1。
3.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述硫化鋅和硒化鎘的質量比為1 1。
4.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟幻中,硫化鋅揮發(fā)區(qū)的溫度為 950-1000°C。
5.如權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述生長載體為鍍金硅片或鍍金陶瓷片,且生長載體的鍍金厚度為2 10nm。
6.一種用于權利要求1-5任一項所述制備方法的硫硒化鎘鋅納米線的制備裝置,其特征在于包括高溫爐、可置于高溫爐內加熱的箱體、真空泵、氣瓶和移動裝置;所述箱體內設有一安裝有磁鐵的連接棒,在與所述磁鐵對應的箱體上或箱體外側設有與該磁鐵同極的磁鐵,連接棒在磁力作用下懸浮在箱體中;在所述連接棒上還設有兩只盛具,在兩盛具的同一側設有安裝在箱體上的載體平臺;所述移動裝置包括電機、滑軌以及置于滑軌內的滑塊與螺桿,所述滑塊與箱體相連并設有與螺桿相匹配的螺孔,所述螺桿延伸穿過位于滑塊上的螺孔并與電機相連;所述真空泵和氣瓶分別與箱體兩端相連。
7.如權利要求6所述的制備裝置,其特征在于,所述箱體兩端采用密封圈密封。
8.如權利要求6或7所述的制備裝置,其特征在于,所述箱體、盛具和連接棒均采用石英材料制作。
9.如權利要求8所述的制備裝置,其特征在于,所述箱體為石英管,所述高溫爐為與該箱體相匹配的管式高溫爐。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制備熒光從紫外到紅的硫硒化鎘鋅納米線的方法及裝置,所述制備方法為采用高溫使位于硫化鋅揮發(fā)區(qū)的硫化鋅和位于硒化鎘揮發(fā)區(qū)的硒化鎘揮發(fā),并在一定的真空度和氣流的環(huán)境下,利用沉積法在位于生長區(qū)的生長載體上生成硫硒化鎘鋅納米線,且通過生長載體在生長區(qū)的移動,使得納米線的成分有硫化鋅與硒化鎘之比為1∶0到0∶1連續(xù)變化。所述制備設備包括高溫爐、箱體、真空泵、氣瓶和移動裝置,并在箱體內設有一懸浮在箱體中的連接棒,在連接棒上還設有兩只盛具,在兩盛具的同一側設有安裝在箱體上的載體平臺,并可利用移動裝置以一定的速度移動箱體和載體平臺。本發(fā)明制備的硫硒化鎘鋅納米線的熒光光譜可從紫外到紅單調連續(xù)變化。
文檔編號C30B23/00GK102181920SQ201110100749
公開日2011年9月14日 申請日期2011年4月21日 優(yōu)先權日2011年4月21日
發(fā)明者楊宗銀, 童利民 申請人:浙江大學