專利名稱：化合物硼酸鋰銫非線性光學(xué)晶體及其制備方法和用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及化合物硼酸鋰銫非線性光學(xué)晶體及其制備方法和用途。
背景技術(shù)：
目前應(yīng)用于紫外、深紫外波段變頻的主要非線性光學(xué)材料有ΒΒΟ(β-ΒΒΟ)、 LBO (LiB3O5)晶體、CBO(CsB3O5)晶體、CLBO(CsLiB6Oltl)晶體、SBBO(Sr2B2Be2O7)和 KABO(K2Al2B2O7)和KBBF(KBe2BO3F2)晶體。雖然這些材料的晶體生長技術(shù)已日趨成熟，但仍 存在著明顯的不足之處如晶體易潮解、生長周期長、層狀生長習(xí)性嚴重及價格昂貴等。因 此，尋找新的非線性光學(xué)晶體材料仍然是一個非常重要而艱巨的工作。全固態(tài)激光器要輸出紫外、深紫外波長，必須依賴于非線性光學(xué)晶體通過諧波方 式產(chǎn)生，因此紫外、深紫外非線性光學(xué)晶體是紫外、深紫外全固態(tài)激光器的關(guān)鍵部件。此類 晶體的光學(xué)性能，決定這類激光器相干光輸出的波長和光學(xué)品質(zhì)。因而近年來，在發(fā)展新型非線性光學(xué)晶體時，不僅注重晶體的光學(xué)性能和機械性 能，而且越來越重視晶體的制備特性，希望新晶體材料容易制備，從而可以獲得價格低廉的 大尺寸高質(zhì)量的非線性光學(xué)晶體。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于，為解決應(yīng)用于全固態(tài)紫外/深紫外激光系統(tǒng)的非線性光學(xué)材料 的需要，本發(fā)明提供一種化合物硼酸鋰銫非線性光學(xué)晶體，化學(xué)式為=Li4Cs3B7O14,晶體屬三 方晶系，空間群P3i21，分子量為726. 14，空間群為Ρ3ρ ，晶胞參數(shù)為a = 6. 9313(6) A，b = 6. 9312(6) K, c = 26. 799(4) Α,Ζ = 3, V = 1115.01(19) Α3，莫氏硬度為 2-3，該化合物采 用助熔劑法生長晶體，通過該方法獲得的硼酸鋰銫非線性光學(xué)晶體作為制備非線性光學(xué)器 件的用途。該化合物非同成份熔融化合物；該晶體具有至少厘米級的大尺寸；該晶體具有 制備速度快，操作簡單，成本低，所制晶體尺寸大，透光波段寬，機械性能好，不易碎裂，物化 性質(zhì)穩(wěn)定，易加工等優(yōu)點。本發(fā)明所述的化合物硼酸鋰銫非線性光學(xué)晶體，該化合物的化學(xué)式為Li4Cs3B7O14, 分子量為 726. 14，空間群為 P3i21，晶胞參數(shù)為 a = 6. 9313(6) A，b = 6. 9312(6) A, c = 26. 799(4) Α,Ζ = 3, V = 1115. 01(19) A3，莫氏硬度為 2-3。所述的化合物硼酸鋰銫非線性光學(xué)晶體的制備方法，采用化合物助熔劑法生長晶 體，具體操作步驟按下列進行a、將化合物硼酸鋰銫中加入助熔劑含鈉或含銫的氧化物、氫氧化物、硝酸鹽、草酸 鹽或次碳酸鹽，其中硼酸鋰銫與助熔劑的摩爾比為1 0. 1-1，加熱至800-700°C，再降溫至 630-6400C，得到硼酸鋰銫與助熔劑的混合熔體；b、以0. 5-10°C /h的速率緩慢降溫至室溫結(jié)晶，獲得籽晶或在降溫中使用鉬絲懸 掛法獲得小晶體作為籽晶；C、然后在硼酸鋰銫和助熔劑的混合熔體表面或混合熔體中生長晶體以籽晶生長
3為例，將固定于籽晶桿上的籽晶從晶體生長爐頂部下籽晶，使籽晶與硼酸鋰銫和助熔劑的 混合熔體表面接觸或伸入至硼酸鋰銫和助熔劑的熔體中，降溫至飽和溫度，以O(shè)-IOOrpm的 轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)籽晶和/或坩堝；d、待晶體生長到所需尺度后，使晶體脫離熔體液面，以l-100°c /h的速率降至室 溫，然后緩慢從爐膛中取出晶體，即可得到硼酸鋰銫非線性光學(xué)晶體。步驟a所述硼酸鋰銫化合物為同當(dāng)量比的含鋰、含鋅和含硼的化合物。其中含鋰的化合物為Li20、Li2C03、LiN03、Li2C204 'H2OaiOHaiC2H3O2^LiF 或 LiCl ； 含銫的化合物為 Cs20、Cs2CO3> CsNO3> Cs2C2O4 · H2O, CsOH, CsC2H3O2, CsF 或 CsCl ；含硼化合物 為 H3BO3 或 B2O3。步驟a所述中助熔劑含鈉或銫的氧化物、氫氧化物、硝酸鹽、草酸鹽或次碳酸鹽為 同劑量的 Na20、Na2C03、NaNO3> Na2C2O4 · H2O, NaOH、NaC2H3O2 或 Cs20。所述的硼酸鋰銫非線性光學(xué)晶體作為制備倍頻發(fā)生器、上頻率轉(zhuǎn)換器、下頻率轉(zhuǎn) 換器或光參量振蕩器的用途。所述倍頻發(fā)生器、上頻率轉(zhuǎn)換器、下頻率轉(zhuǎn)換器或光參量振蕩器包含至少一束入 射電磁輻射通過至少一塊非線性光學(xué)晶體后產(chǎn)生至少一束頻率不同于入射電磁輻射的輸 出輻射的裝置。本發(fā)明的硼酸鋰銫非線性光學(xué)晶體，該晶體在制備過程中，提供使用助熔劑法制 備硼酸鋰銫非線性光學(xué)晶體的方法，是采用化合物硼酸鋰銫為原料加入助熔劑進行晶體生 長，通過該方法獲得的晶體具有至少厘米級的大尺寸；該晶體具有制備速度快，操作簡單， 成本低，所制晶體尺寸大，透光波段寬，機械性能好，不易碎裂，物化性質(zhì)穩(wěn)定，易加工等優(yōu) 點，適合紫外光波段激光變頻的需要，可用其制作非線性光學(xué)器件。本發(fā)明原則上，采用一般化學(xué)合成方法都可以制備硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)多晶原 料，優(yōu)選固相反應(yīng)法，即將含Li、Cs和B摩爾比為4 3 7的化合物原料混合均勻后，加 熱進行固相反應(yīng)，可得到化學(xué)式為Li4Cs3B7O14的化合物。制備硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)化合物的化學(xué)反應(yīng)式(l)Li20+H3B03+Cs20 — Li4Cs3B7014+H20 個；(2) Li2C03+B203+Cs2C03 — Li4Cs3B7014+C02 個；(3)Li0H+H3B03+Cs20 — Li4Cs3B7014+H20 個；(4) LiN03+B203+Cs2C03 — Li4Cs3B7014+N02 個 +O2 個；(5) Li2C2O4 · nH20+H3B03+Cs20+02 — Li4Cs3B7014+C02 +H2O 個；(6) LiCH3COO · nH20+B203+Cs2C03+02 — Li4Cs3B7014+C02 +H2O ；(7)LiCl+B203+Cs20+02 — Li4Cs3B7014+Cl2 +H2O 個。本發(fā)明中含Li、含Cs和含B化合物可采用市售的試劑及原料。本發(fā)明所述的大尺寸硼酸鋰銫Li4Cs3B7O14非線性光學(xué)晶體作為制備非線性光 學(xué)器件，包括制作倍頻發(fā)生器、上或下頻率轉(zhuǎn)換器和光參量振蕩器。所述的用硼酸鋰銫 (Li4Cs3B7O14)非線性光學(xué)晶體制作的非線性器件包含將透過至少一束入射基波光產(chǎn)生至少 一束頻率不同于入射光的相干光。所述硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)非線性光學(xué)晶體對光學(xué)加工精度無特殊要求。本發(fā)明所述制備方法與現(xiàn)有應(yīng)用于紫外/深紫外光波段變頻的非線性光學(xué)晶體
4制備技術(shù)相比較，晶體極易長大且透明無包裹體，具有操作簡單，生長速度快，成本低，容易 獲得較大尺寸晶體等優(yōu)點。


圖1為本發(fā)明硼酸鋰銫的粉末X-射線衍射圖譜；圖2為本發(fā)明硼酸鋰銫單晶結(jié)構(gòu)圖；圖3為本發(fā)明硼酸鋰銫非線性光學(xué)晶體照片；圖4為本發(fā)明硼酸鋰銫晶體制作的非線性光學(xué)器件的工作原理圖。其中1為激光器，2為發(fā)出光束，3為射入晶體，4為光束，5為濾波片。
具體實施例方式以下結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進行詳細說明實施例1 合成硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)化合物采用固態(tài)合成方法在高溫550°C下進行燒結(jié)，其化學(xué)方程式是Li2C03+B203+Cs2C03 —Li4Cs3B7014+N02 個 +O2 個；將Li2C03、Cs2C03、H3BO3以化學(xué)計量比2 1. 5 7放入研缽中，混合并仔細研 磨，然后裝入Φ IOOmmX IOOmm的開口剛玉坩堝中，將其壓緊，放入馬弗爐中，緩慢升溫至 450°C，恒溫5小時，盡量將氣體趕出，待冷卻后取出坩堝，取出樣品重新研磨均勻，再置于 坩堝中，在馬福爐內(nèi)于550°C恒溫48小時，將其取出，放入研缽中搗碎研磨即得硼酸鋰銫 (Li4Cs3B7O14)化合物，再對該化合物進行X射線分析，所得X射線譜圖與成品硼酸鋰銫單晶 研磨成粉末后的X射線譜圖是一致的；在混合熔體中生長大尺寸硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)晶體將合成的化合物硼酸鋰銫與助熔劑Cs2CO3按摩爾比Li4Cs3B7O14 Cs2CO3 = 1 0. 5裝入080mmX80mm的開口鉬坩堝中，放入晶體生長爐中，升溫至750°C，恒溫30小 時后，降溫至640°C ；將固定在籽晶桿下端的硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)籽晶從爐頂部小孔導(dǎo)入坩堝， 使籽晶與熔體液面接觸，降溫至634°C，籽晶桿旋轉(zhuǎn)速度為50rpm，結(jié)束生長使晶體脫離 熔體液面，以80°C /h的速率降至室溫，然后緩慢地從爐膛中取出晶體，即可獲得尺寸為 3(kimX3(kimXl(kim 的硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)晶體。按實施例1所述方法，反應(yīng)式Li20+B203+Cs20+02 — Li4Cs3B7014+Cl2丨+H2O丨合成 Li4Cs3B7O14化合物，亦可獲得硼酸鋰銫晶體。實施例2 反應(yīng)式Li0H+H3B03+Cs0H — Li4Cs3B7014+H20 丨合成 Li4Cs3B7O14 化合物，具體操作步 驟依據(jù)實施例1進行；將合成的硼酸鋰銫化合物與助熔劑Cs2O按摩爾比Li4Cs3B7O14 Cs2O = 1 0.5 放入Φ IOOmmX IOOmm的開口鉬坩堝中，將坩堝放入晶體生長爐中，升溫至780°C，恒溫20小 時后，降溫至680°C，將沿c軸切割的Li4Cs3B7O14籽晶用鉬絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小 孔將籽晶導(dǎo)入坩堝，使籽晶與熔體液面接觸，降溫至640°C，籽晶桿旋轉(zhuǎn)速度20rpm，結(jié)束生
5長時使晶體脫離熔體液面，以40°C /h的速率降至室溫，然后緩慢地從爐膛中取出晶體，即 可獲得尺寸為70_X70_X15mm的硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)晶體。按實施例2所述方法，反應(yīng)式Cs2C03+B203+Li2C03 — Li4Cs3B7014+C02丨合成 Li4Cs3B7O14化合物，亦可獲得硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)晶體。實施例3 反應(yīng)式 Li2C2O4 · nH20+H3B03+Cs2C204 · ηΗ20+02 — Li4Cs3B7014+C02 +H2O 合成 Li4Cs3B7O14化合物，具體操作步驟依據(jù)實施例1進行；將合成的硼酸鋰銫化合物與助熔劑CsOH按摩爾比Li4Cs3B7O14 CsOH = 1 1放 入Φ 80mm X 80mm的開口鉬坩堝中，將坩堝放入晶體生長爐中，升溫至700 V，恒溫1小時后， 降溫至632°C，將沿任意軸切割的硼酸鋰銫籽晶用鉬絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小孔將 籽晶導(dǎo)入坩堝，使籽晶與熔體液面接觸，籽晶桿旋轉(zhuǎn)速度lOOrpm，以5°C /天的速率降溫，幾 天后晶體生長結(jié)束，將晶體提離熔體液面，以100°C /h的速率降至室溫，然后緩慢地從爐膛 中取出晶體，獲得尺寸為Φ32mmX32mmX25mm的硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)晶體。按實施例3 所述方法，反應(yīng)式 Li20+H3B03+Cs20 — Li4Cs3B7014+H20 丨合成 Li4Cs3B7O14 化合物，亦可獲得硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)晶體。實施例4 反應(yīng)式Li0H+H3B03+Cs0H — Li4Cs3B7014+H20 丨合成 Li4Cs3B7O14 化合物，具體操作步 驟依據(jù)實施例1進行；將合成的硼酸鋰銫化合物與助熔劑Cs2CO3按摩爾比Li4Cs3B7O14 Cs2CO3 = 1 1 放入Φ IOOmmX IOOmm的開口鉬坩堝中，將坩堝放入晶體生長爐中，升溫至700°C，恒溫40小 時后，降溫至635°C，將沿任意軸切割的硼酸鋰銫籽晶用鉬絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部 小孔將籽晶導(dǎo)入坩堝，使籽晶浸入熔體中，降溫至630°C，籽晶桿旋轉(zhuǎn)速度為O (不旋轉(zhuǎn))，以 O0C /天的速率降溫(恒溫)，幾天后晶體生長結(jié)束，將晶體提離熔體液面，以60°C /h的速 率降至室溫，然后緩慢地從爐膛中取出晶體，即可獲得尺寸為0 37mmX37mmX15mm的硼酸 鋰銫(Li4Cs3B7O14)晶體。按實施例4所述方法，反應(yīng)式止N03+B203+CsN03 — Li4Cs3B7014+N02丨+O2丨合成 Li4Cs3B7O14化合物，亦可獲得硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)晶體。實施例5 反應(yīng)式Li2C03+B203+Cs20 — Li4Cs3B7014+C02 丨合成 Li4Cs3B7O14 化合物，具體操作步 驟依據(jù)實施例1進行；將合成的硼酸鋰銫化合物與助熔劑Cs2CO3按摩爾比Li4Cs3B7O14 Cs2CO3 = 1 1 放入ΦΙΟΟπιπιΧΙΟΟπιπι的開口鉬坩堝中，將坩堝放入晶體生長爐中，升溫至700°C，恒溫60 小時后，降溫至635°C，將沿任意軸切割的硼酸鋰銫籽晶用鉬絲固定在籽晶桿下端，從爐頂 部小孔將籽晶導(dǎo)入坩堝，使籽晶浸入熔體中，降溫至630°C，籽晶桿旋轉(zhuǎn)速度為70，以0°C / 天的速率降溫(恒溫)，幾天后晶體生長結(jié)束，將晶體提離熔體液面，以70°C /h的速率降 至室溫，然后緩慢地從爐膛中取出晶體，即可獲得尺寸為17mmX17mmX18mm的硼酸鋰銫 (Li4Cs3B7O14)晶體。按實施例5 所述方法，反應(yīng)式 Li2C2O4 ^nH2CHH3BOJCs2C2O4 ·ηΗ20+02 — Li4Cs3B7014+C02 +H2O 合成Li4Cs3B7O14化合物，亦可獲得Li4Cs3B7O14晶體。
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實施例6:反應(yīng)式LiCl+B203+Cs0H+02 — Li4Cs3B7014+Cl2 丨 +H2O 丨合成 Li4Cs3B7O14 化合物，具 體操作步驟依據(jù)實施例1進行；將合成的硼酸鋰銫化合物與助熔劑NaOH按摩爾比Li4Cs3B7O14 NaOH = 1 0.5 裝入0100_\100_的開口鉬坩堝中，升溫至8001，恒溫100小時后降溫至640°C，將沿 c軸切割的硼酸鋰銫籽晶用鉬絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小孔將籽晶導(dǎo)入坩堝，浸入液 面下，籽晶以10轉(zhuǎn)/分的速率旋轉(zhuǎn)，恒溫0.5小時，快速降溫至636°C，然后以5°C/天的速 率降溫，待晶體生長結(jié)束后，使晶體脫離液面，以20°C /小時速率降至室溫，即可獲得尺寸 為50_X70_X15mm的透明硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)晶體。按實施例6 所述方法，反應(yīng)式 Li2C2O4 Ch2Chh3BOJCs2C2O4 ·ηΗ20+02 — Li4Cs3B7014+C02 +H2O丨合成Li4Cs3B7O14化合物，亦可獲得硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)晶體。實施例7 反應(yīng)式Li2C03+B203+Cs20 — Li4Cs3B7014+C02 丨合成 Li4Cs3B7O14 化合物，具體操作步 驟依據(jù)實施例1進行；將合成的硼酸鋰銫化合物與助熔劑NaOH按摩爾比Li4Cs3B7O14 NaOH = 1 1 入Φ IOOmmX IOOmm的開口鉬坩堝中，升溫至800 °C，恒溫70小時后降溫至638 V，將沿 任意軸切割的硼酸鋰銫籽晶用鉬絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小孔將籽晶導(dǎo)入坩堝， 使之與液面接觸，籽晶以85轉(zhuǎn)/分的速率旋轉(zhuǎn)，恒溫1小時，然后以0. 1°C /天的速率降 溫，待晶體生長結(jié)束后，使晶體脫離液面，以10°C /小時速率降至室溫，即可獲得尺寸為 50_X50_X14mm的透明硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)晶體。按實施例7所述方法，按反應(yīng)式Li20+B203+Cs20 — Li4Cs3B7014+H20丨合成 Li4Cs3B7O14化合物，亦可獲得硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)晶體。實施例8 按反應(yīng)式LiN03+B203+CsN03 — Li4Cs3B7014+N02 +O2 合成 Li4Cs3B7O14 化合物，具 體操作步驟依據(jù)實施例1進行；將合成的硼酸鋰銫化合物與助熔劑Na2CO3按摩爾比Li4Cs3B7O14 Na2CO3 = 1 1 裝入Φ 150mmX 150mm的開口鉬坩堝中，升溫至800°C，恒溫50小時后降溫至650°C，將沿任 意軸切割的硼酸鋰銫籽晶用鉬絲固定在籽晶桿下端，從爐頂部小孔將籽晶導(dǎo)入坩堝，使之 與液面接觸，籽晶以15轉(zhuǎn)/分的速率旋轉(zhuǎn)，恒溫1小時，快速降溫至640°C，然后以0°C /天 的速率降溫(恒溫)，待晶體生長結(jié)束后，使晶體脫離液面，以1°C /小時速率降至室溫，即 可獲得尺寸為70mmX70mmX20mm的透明硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)晶體。按實施例8 所述方法，反應(yīng)式 LiCH3COO ·ηΗ20+Β203+082003+02 — Li4Cs3B7014+C02 +H2 0個合成Li4Cs3B7O14化合物，亦可獲得硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)晶體。實施例9 將實施例1-8中所獲得的任意的硼酸鋰銫(Li4Cs3B7O14)晶體按相匹配方向加工 一塊尺寸4mmX4mmX8mm的倍頻器件，按附圖3所示安置在3的位置上，在室溫下，用調(diào)Q Nd: YAG激光器作光源，入射波長為1064nm，由調(diào)Q Nd: YAG激光器1發(fā)出波長為1064nm的 紅外光束2射入Li4Cs3B7O14晶體3，產(chǎn)生波長為532nm的綠色倍頻光，出射光束4含有波長 為1064nm的紅外光和532nm的綠光，濾波片5濾去紅外光成分，得到波長為532nm的綠色
7激光。
權(quán)利要求
一種化合物硼酸鋰銫非線性光學(xué)晶體，其特征在于該化合物的化學(xué)式為Li4Cs3B7O14，分子量為726.14，空間群為P3121，晶胞參數(shù)為a＝6.9313(6)b＝6.9312(6)c＝26.799(4)Z＝3，V＝1115.01(19)莫氏硬度為2 3。FSA00000314453200011.tif,FSA00000314453200012.tif,FSA00000314453200013.tif,FSA00000314453200014.tif
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物硼酸鋰銫非線性光學(xué)晶體的制備方法，其特征在于采 用化合物助熔劑法生長晶體，具體操作步驟按下列進行a、將化合物硼酸鋰銫中加入助熔劑含鈉或含銫的氧化物、氫氧化物、硝酸鹽、草酸鹽 或次碳酸鹽，其中硼酸鋰銫與助熔劑的摩爾比為1 0. 1-1，加熱至700-800°C，再降溫至 630-6400C，得到硼酸鋰銫與助熔劑的混合熔體；b、以0.5-10°C /h的速率緩慢降溫至室溫結(jié)晶，獲得籽晶或在降溫中使用鉬絲懸掛法 獲得小晶體作為籽晶；c、然后在硼酸鋰銫和助熔劑的混合熔體表面或混合熔體中生長晶體以籽晶生長為 例，將固定于籽晶桿上的籽晶從晶體生長爐頂部下籽晶，使籽晶與硼酸鋰銫和助熔劑的混 合熔體表面接觸或伸入至硼酸鋰銫和助熔劑的熔體中，降溫至飽和溫度，以O(shè)-IOOrpm的轉(zhuǎn) 速旋轉(zhuǎn)籽晶和/或坩堝；d、待晶體生長到所需尺度后，使晶體脫離熔體液面，以1-100°C/h的速率降至室溫，然 后緩慢從爐膛中取出晶體，即可得到硼酸鋰銫非線性光學(xué)晶體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于步驟a所述硼酸鋰銫化合物為同當(dāng)量比的 含鋰、含鋅和含硼的化合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化合物，其特征在于其中含鋰的化合物為Li20、Li2C03、LiN03、 Li2C2O4 'H2OaiOHaiC2H3O2,LiF 或 LiCl ；含銫的化合物為 Cs20、Cs2C03、CsN03、Cs2C2O4 ·Η20、 CsOH、CsC2H3O2, CsF 或 CsCl ；含硼化合物為 H3BO3 或 B203。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于步驟a所述中助熔劑含鈉或銫的氧化物、 氫氧化物、硝酸鹽、草酸鹽或次碳酸鹽為同劑量的Na20、Na2CO3^ NaNO3> Na2C2O4 · H2O, NaOH, NaC2H3O2 或 Cs2O。
6.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的硼酸鋰銫非線性光學(xué)晶體作為制備倍頻發(fā)生器、上頻率 轉(zhuǎn)換器、下頻率轉(zhuǎn)換器或光參量振蕩器的用途。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種化合物硼酸鋰銫非線性光學(xué)晶體，化學(xué)式為Li4Cs3B7O14，晶體屬三方晶系，分子量為726.14，空間群為P3121，晶胞參數(shù)為a＝6.9313(6)b＝6.9312(6)c＝26.799(4)Z＝3，V＝1115.01(19)莫氏硬度為2-3，該化合物采用助熔劑法生長晶體，通過該方法獲得的硼酸鋰銫非線性光學(xué)晶體作為制備非線性光學(xué)器件的用途。該化合物非同成份熔融化合物；該晶體具有至少厘米級的大尺寸；具有制備速度快，操作簡單，成本低，所制晶體尺寸大，透光波段寬，機械性能好，不易碎裂，物化性質(zhì)穩(wěn)定，易加工等優(yōu)點。
文檔編號C30B29/22GK101974783SQ20101051622
公開日2011年2月16日 申請日期2010年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月22日
發(fā)明者楊云, 潘世烈 申請人:中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所