專利名稱：印刷電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有即使搭載了高速驅(qū)動(dòng)的IC也不會(huì)產(chǎn)生由串音、信號(hào)傳送延遲等引起的誤動(dòng)作的微細(xì)布線構(gòu)造的印刷電路板。

背景技術(shù)：
積層式印刷電路板是作為由在導(dǎo)體電路之間填充絕緣材料而形成的印刷電路板的一例子。這樣的印刷電路板是例如在芯基板上交替層疊導(dǎo)體電路和層間樹脂絕緣層，位于下層的導(dǎo)體電路和位于上層的導(dǎo)體電路通過(guò)所謂的導(dǎo)通孔而被電連接。該導(dǎo)通孔是使層間樹脂絕緣層開口并在其開口設(shè)置鍍膜而形成的(參照日本公開專利公報(bào)11-176985號(hào)或日本公開專利公報(bào)11-243279號(hào))。
在這樣的印刷電路板中，在構(gòu)成各導(dǎo)體電路的布線圖案之間的間隙中填充有由電介體構(gòu)成的層間絕緣層，各布線圖案形成為其截面形狀為大致矩形。
但是，在IC的高速驅(qū)動(dòng)化和搭載這樣的IC的印刷電路板的微細(xì)布線化同時(shí)發(fā)展的過(guò)程中，會(huì)存在因具有最小導(dǎo)體寬度L/最小間隔S＝15/15μm以下的微細(xì)的布線圖案的印刷電路板內(nèi)的串音、信號(hào)延遲而導(dǎo)致IC發(fā)生誤動(dòng)作的情況。


發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決以往技術(shù)的上述問(wèn)題點(diǎn)，提供一種即使將最小導(dǎo)體寬度L/最小間隔S微細(xì)化也可以抑制串音、信號(hào)延遲的印刷電路板。
發(fā)明人為實(shí)現(xiàn)上述目的而反復(fù)進(jìn)行了銳意研究，結(jié)果完成了以以下內(nèi)容為主要構(gòu)成的發(fā)明。
即，本發(fā)明的印刷電路板，是在導(dǎo)體電路之間填充絕緣材料而成，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的截面形狀實(shí)質(zhì)上為梯形，在將相鄰的導(dǎo)體電路之間的間隔中的、導(dǎo)體電路上表面?zhèn)乳g隔設(shè)為W1、導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔設(shè)為W2時(shí)，這些間隔與導(dǎo)體電路的厚度T的關(guān)系滿足下式的要求 0.10T≤|W1-W2|≤0.73T……(1)。
采用這樣的構(gòu)造，在將導(dǎo)體電路的厚度設(shè)為T時(shí)，在導(dǎo)體電路上側(cè)間隔W1與導(dǎo)體電路下側(cè)間隔W2之差的絕對(duì)值|W1-W2|為0.10T～0.73T的情況下，由于相鄰的導(dǎo)體電路的相對(duì)的側(cè)壁互相不平行，因此可以減小相鄰的導(dǎo)體電路之間的電容量。因此，即使搭載了高速驅(qū)動(dòng)的IC也可以抑制串音、信號(hào)延遲。
另外，在本發(fā)明中，“導(dǎo)體電路的截面形狀實(shí)質(zhì)上為梯形”的意思是指，不只是認(rèn)為導(dǎo)體電路上側(cè)的角部為幾何學(xué)上的銳角或鈍角，也包括稍微帶有圓形的形狀的情況，或?qū)w電路的斜邊不是直線而有些稍微曲線的情況，或在導(dǎo)體電路的上表面整個(gè)稍微帶有圓形的形狀的情況，或在導(dǎo)體電路的上表面及/或斜面上形成有由不規(guī)則的凹凸構(gòu)成的粗糙化面的情況，是在視覺(jué)上認(rèn)定為導(dǎo)體電路的截面形狀不是矩形而是整體為梯形的意思。
在本發(fā)明中，導(dǎo)體電路優(yōu)選通過(guò)添加法(全添加法、半添加法)形成，也可以通過(guò)蒸鍍等來(lái)形成導(dǎo)體電路。
在此，例如日本特開平06-57453號(hào)公報(bào)所公開的那樣，在基板上形成了由抗蝕液性的樹脂膜等構(gòu)成的抗蝕層，并通過(guò)曝光、顯影而形成了所期望的抗蝕圖案之后，溶解除去未形成抗蝕層的部位上的金屬層部分，再剝離抗蝕層，從而得到處于抗蝕層下的金屬層部分作為所期望的圖案的導(dǎo)體電路，其中，上述基板是通過(guò)在基體材料的表面上形成了由金屬鍍層或金屬箔構(gòu)成的金屬層而形成的，本發(fā)明不包括由這樣的金屬面腐蝕法、壓凹(tenting)法等形成的導(dǎo)體電路(參照日本特開平06-57453號(hào)公報(bào)的圖1)。通過(guò)這樣的方法形成的導(dǎo)體電路是通過(guò)蝕刻除去在未形成抗蝕層的部分露出的金屬層而形成的，但由于不只是在與基體材料的表面垂直的方向上、在水平方向上也被蝕刻，因此導(dǎo)體電路的截面積變小。結(jié)果，與通過(guò)添加法形成的導(dǎo)體電路相比，導(dǎo)體電阻變大了。
上述“導(dǎo)體電路上側(cè)間隔W1”是指，在導(dǎo)體電路上側(cè)的角部被認(rèn)為是幾何學(xué)上的銳角或鈍角時(shí)，其被定義為相鄰的導(dǎo)體電路上端之間的距離，“導(dǎo)體電路下側(cè)間隔為W2”被定義為在互相相鄰的導(dǎo)體電路的垂直截面上相對(duì)的2個(gè)斜邊的下端部之間的距離。
另外，在上述角部為稍微帶有圓形的形狀的情況下，上述W1被定義為在互相相鄰的導(dǎo)體電路的垂直截面上，相對(duì)的2個(gè)斜邊的直線部分的延長(zhǎng)線與上邊直線部的延長(zhǎng)線相交的2點(diǎn)之間的距離；在上述導(dǎo)體電路的上表面整個(gè)稍微帶有圓形的情況下，上述W1被定義為在互相相鄰的導(dǎo)體電路的垂直截面上，相對(duì)的2個(gè)斜邊的各自的延長(zhǎng)線與和圓形的頂點(diǎn)相切、且與電路板平行的直線相交的2點(diǎn)之間的距離。
另外，在上述導(dǎo)體電路的上表面及/或斜面上形成了粗糙化面的情況下可以將成為粗糙化面的凹凸的山頂線視為導(dǎo)體電路的上邊及/或斜邊而對(duì)上述W1及W2進(jìn)行近似計(jì)算。
在本發(fā)明中，對(duì)于|W1-W2|，其優(yōu)選范圍是0.10T～0.35T，并且更優(yōu)選范圍是0.35T～0.73T。另外，導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔W2優(yōu)選為15μm以下，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ優(yōu)選為(0.04T+2)以下。
并且，在本發(fā)明中，優(yōu)選在導(dǎo)體電路的表面上設(shè)置粗糙化層。



圖1(a)～(e)是表示制造本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板的工序的一部分的圖。
圖2(a)～(d)是同樣表示制造本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板的工序的一部分的圖。
圖3(a)～(c)是同樣表示制造本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板的工序的一部分的圖。
圖4(a)～(c)是同樣表示制造本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板的工序的一部分的圖。
圖5(a)～(d)是同樣表示制造本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板的工序的一部分的圖。
圖6(a)～(d)是同樣表示制造本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板的工序的一部分的圖。
圖7(a)～(d)是同樣表示制造本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板的工序的一部分的圖。
圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板的圖。
圖9是表示在本發(fā)明的實(shí)施例1的多層印刷電路板上安裝了IC芯片的狀態(tài)的圖。
圖10是用于說(shuō)明本發(fā)明的印刷電路板上的導(dǎo)體電路的截面形狀的概略圖。
圖11用于說(shuō)明由添加法形成的導(dǎo)體電路的截面形狀的優(yōu)選實(shí)施例的概略圖。

具體實(shí)施例方式 如圖1所示，本發(fā)明的印刷電路板是在導(dǎo)體電路之間填充絕緣材料，且各導(dǎo)體電路具有實(shí)質(zhì)上為梯形的截面形狀而成的，其特征在于，在將相鄰的導(dǎo)體電路之間的間隔的導(dǎo)體電路上側(cè)間隔設(shè)為W1、導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔設(shè)為W2時(shí)，這些間隔與導(dǎo)體電路的厚度T的關(guān)系滿足0.10T≤|W1-W2|≤0.73T。
之所以這樣的關(guān)系式中包含導(dǎo)體電路的厚度T，是因?yàn)閷?dǎo)體電路的厚度T對(duì)相鄰的導(dǎo)體電路之間的電容量產(chǎn)生影響。在相鄰的導(dǎo)體電路的相對(duì)的側(cè)壁不平行而以傾斜的狀態(tài)相對(duì)的情況下，與相對(duì)的側(cè)壁為平行的情況相比，導(dǎo)體電路之間的電容量減少，但若|W1-W2|處于0.10T～0.73T的范圍內(nèi)，則即使搭載了2.6GHz以上的IC也難以產(chǎn)生誤動(dòng)作。
另一方面，在|W1-W2|不足0.10T時(shí)，由于相鄰的導(dǎo)體電路之間的電容量變大，則不利于高速信號(hào)傳送，在|W1-W2|超過(guò)0.73T時(shí)，容易產(chǎn)生信號(hào)延遲。究其原因，是因?yàn)殡S著導(dǎo)體電路的截面形狀的梯形化，導(dǎo)體體積減小，結(jié)果，導(dǎo)體電路的電阻值變大而不利于高速信號(hào)傳送。
|W1-W2|的更優(yōu)選范圍為0.35T～0.73T，最佳范圍為0.10T～0.35T。在處于該范圍時(shí)，即使具有L/S＝12.5/12.5μm以下的導(dǎo)體電路也能夠確保充分的導(dǎo)體體積。另外，導(dǎo)體電路之間的電容量也會(huì)變小。
在本發(fā)明中，在導(dǎo)體電路的L/S越細(xì)導(dǎo)體電路之間的電容量(靜電容量)越大這一點(diǎn)上具有較重大的意義，但導(dǎo)體電路的L/S優(yōu)選處于5/5μm～15/15μm的范圍。
其理由是因?yàn)樵贚/S不足5μm/5μm的情況下，導(dǎo)體體積過(guò)小而使導(dǎo)體電路的電阻值上升，結(jié)果會(huì)產(chǎn)生信號(hào)延遲。另一方面，在L/S超過(guò)15/15μm時(shí)，由于信號(hào)線之間的空間變大而相鄰的導(dǎo)體電路之間的靜電容量變小，因此難以產(chǎn)生串音噪音。
在本發(fā)明中，導(dǎo)體電路的厚度優(yōu)選為5～25μm。其理由是因?yàn)椋诤穸炔蛔?μm的情況下，導(dǎo)體電路的電阻值變大，另一方面，在厚度超過(guò)25μm時(shí)，由于電容量變大，因此不利于高速信號(hào)傳送，在搭載了2.6GHz以上的IC芯片時(shí)容易產(chǎn)生誤動(dòng)作。
通常，印刷電路板包括多個(gè)產(chǎn)品，由例如尺寸為340×510mm的片構(gòu)成，在本發(fā)明中，1個(gè)制品內(nèi)的|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差(由將1個(gè)制品平均分成4份，并從該分割后的各區(qū)段中隨機(jī)抽取8個(gè)部位的數(shù)據(jù)(從分割后的區(qū)段各抽取2個(gè)數(shù)據(jù))算出的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ表示)與導(dǎo)體電路的厚度T的關(guān)系優(yōu)選為(0.04×T+2)以下。
在該范圍之內(nèi)時(shí)，由于各信號(hào)線的傳送速度恒定，因此在各信號(hào)線之間不會(huì)產(chǎn)生傳送速度差。另一方面，在|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ超過(guò)(0.04×T+2)時(shí)，各信號(hào)線上的傳送速度差變大而容易產(chǎn)生誤動(dòng)作。
另外，在本發(fā)明中優(yōu)選是在導(dǎo)體電路的至少側(cè)壁上形成有粗糙化面。在存在粗糙化面時(shí)，導(dǎo)體電路側(cè)壁的表面積顯著增大。由于導(dǎo)體電路之間的電容量也隨之增大，因此對(duì)在導(dǎo)體電路側(cè)壁具有粗糙化面的印刷電路板應(yīng)用于本發(fā)明時(shí)效果較好。粗糙化面并沒(méi)有特別的限定，可以通過(guò)黑化、內(nèi)插板、Cz處理等蝕刻處理等形成。
另外，如圖11概略所示，在本發(fā)明中，對(duì)于通過(guò)添加法形成的導(dǎo)體電路，在將連結(jié)了導(dǎo)體電路的截面上的4個(gè)頂點(diǎn)A、B、C、D的梯形的面積設(shè)為S0、將導(dǎo)體電路的截面積設(shè)為S1時(shí)，也優(yōu)選是0.8≤S1/S0≤1.2。其理由是因?yàn)?，如果處于該范圍，則使導(dǎo)體電路保持為低電阻并可使導(dǎo)體電路間隔較寬。
下面，基于實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的多層印刷電路板及其制造方法。
實(shí)施例1 (A)含有鱗片狀粒子的混煉物的制作 在20g丁酮(以下稱作“MEK”)和80g二甲苯的混合溶劑中添加15g鱗片狀粒子(株式會(huì)社ホ一ジユン(HOJUN)社制、商品名稱“エスベンC”、分散時(shí)的縱橫尺寸比～500、結(jié)晶尺寸～0.5μm)，并用三根輥進(jìn)行混煉而做成含有鱗片狀粒子的混煉物。
(B)含有環(huán)氧樹脂的溶液的制作 在6.8gMEK和27.2g二甲苯的混合溶劑中添加混合85g固態(tài)環(huán)氧樹脂(ジヤパン·エポキシ·レジン(JAPAN·EP OXY·RESIN)社制、商品名稱“エピコ一ト1007”)而做成含有環(huán)氧樹脂的溶液。
(C)層間絕緣層用樹脂膜的制作 用三根輥對(duì)在上述(A)中制作出的含有鱗片狀粒子的混煉物、在上述(B)中制作出的含有環(huán)氧樹脂的溶液、作為固化劑的雙氰胺(ビイ·テイ·アイ·ジヤパン(BTA JAPAN)社制、商品名稱“CG-1200”、相對(duì)于每100g的固態(tài)環(huán)氧樹脂的量為3.3g)、固化催化劑(四國(guó)化成社制、商品名稱“キュアゾ一ル2E4HZ”、相對(duì)于每100g的固態(tài)環(huán)氧樹脂的量為3.3g)進(jìn)行混煉而得到粘接劑溶液。
使用涂膠輥(サ一マトロニクス(CERMATRONICS)貿(mào)易社制)將該粘接劑溶液涂敷在聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯的片上，之后，在160℃的條件下加熱干燥5分鐘而除去溶劑，從而制作出厚度為40μm的絕緣性膜。
在使用透視型電子顯微鏡(5萬(wàn)～10萬(wàn)倍)觀察該絕緣膜所含有的鱗片狀粒子時(shí)，由于分散時(shí)的最小結(jié)晶尺寸(粒子的最小寬度或最小長(zhǎng)度中的任意較小的一方)為0.1μm，因此本實(shí)施例中的鱗片狀粒子的縱橫尺寸比為100～500。
(D)多層印刷電路板的制造 參照?qǐng)D1～圖8說(shuō)明如圖9所示的多層印刷電路板的制造方法。
(1)形成芯金屬層 首先，在如圖1(a)所示的厚度為50～400μm的金屬板10上設(shè)有貫通表背面的開口12(圖1(b))。該金屬板的材質(zhì)可以采用銅、鎳、鋅、鋁、鐵等金屬或這些金屬的合金等。在此，由于在采用熱膨脹系數(shù)較低的36合金或42合金時(shí)可以使芯基板的熱膨脹系數(shù)接近IC的熱膨脹系數(shù)，因此可以降低熱應(yīng)力。
利用沖孔、蝕刻、鉆孔、激光等穿設(shè)上述開口12，在包括該開口12在內(nèi)的金屬層10的整個(gè)平面上，通過(guò)電解電鍍、無(wú)電解電鍍、置換電鍍、濺鍍等覆蓋金屬膜13而做成芯金屬層(圖1(c))。
另外，金屬板10可以是單層，也可以是2層以上的多層。
另外，優(yōu)選是在設(shè)于金屬板10上的開口12的角部實(shí)施倒角加工，使該角部成為曲面。由此，由于不存在應(yīng)力集中的點(diǎn)，因此可以抑制在角部周邊上產(chǎn)生裂紋。
(2)形成內(nèi)層的絕緣層及導(dǎo)體層 形成覆蓋整個(gè)金屬層10、且掩埋開口12那樣的樹脂絕緣層14，并且在該樹脂絕緣層14上形成導(dǎo)體層15。在該金屬層10上設(shè)有上述開口12。
作為形成該絕緣層的材料，可以采用聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、BT樹脂等熱固化性樹脂、或使用在玻璃纖維布、芳香族聚酰胺無(wú)紡布等芯材中浸滲了該熱固化性樹脂而成的B階的預(yù)浸樹脂片等。
具體地說(shuō)，將在玻璃纖維布浸滲了環(huán)氧樹脂而成的、厚度為30～200μm左右的預(yù)浸樹脂片以覆蓋金屬膜13的狀態(tài)配置在金屬板10的兩面上，并在該預(yù)浸樹脂片的外側(cè)層疊厚度為12～275μm的銅等金屬箔之后，從該金屬箔上進(jìn)行加熱加壓，從而使預(yù)浸樹脂片的樹脂填充到開口12內(nèi)，并且預(yù)浸樹脂片與金屬箔在覆蓋金屬板10的兩面的狀態(tài)下被壓接而形成一體，由此形成了內(nèi)層的絕緣層14及導(dǎo)體層15(圖1(d))。
上述內(nèi)層的絕緣層14也可以通過(guò)在金屬層10的兩面上涂敷樹脂液來(lái)填充開口12的方法，或在涂敷樹脂液的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步在金屬層10的兩面上對(duì)樹脂膜進(jìn)行加熱加壓使其壓接而形成。
設(shè)在上述內(nèi)層的絕緣層14上的導(dǎo)體層15由金屬箔形成，但也可以通過(guò)電解電鍍或無(wú)電解電鍍等增加厚度而由2層以上的金屬層形成。
(3)形成內(nèi)層導(dǎo)體電路 對(duì)上述內(nèi)層導(dǎo)體層15實(shí)施采用了壓凹法的蝕刻處理，而形成由電源層16P及接地層16E構(gòu)成的內(nèi)層的導(dǎo)體電路16(圖1(e))。
這些內(nèi)層導(dǎo)體電路16的厚度優(yōu)選處于10～250μm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選處于30～100μm的范圍內(nèi)。其理由是因?yàn)?，在厚度不?0μm的情況下，導(dǎo)體的電阻過(guò)大，在IC的電壓下降時(shí)不能瞬時(shí)供給電源，即不能瞬時(shí)間恢復(fù)至IC的驅(qū)動(dòng)電壓，另一方面，在厚度超過(guò)250μm時(shí)，由于形成回路的部位與未形成回路的部位的凹凸的影響而使層間絕緣層的厚度不均勻。另外，由于電路板厚度變厚，因此不能減小環(huán)路電感。
在該實(shí)施例中，將內(nèi)層導(dǎo)體電路的厚度設(shè)為60μm。
另外，在與IC等電子部件的電源電連接的電源用通孔貫穿接地層16E時(shí)，最好是不具有從電源用通孔延伸出的布線圖案。同樣，在與IC等的電子部件的接地線電連接的接地用通孔貫穿電源層16P時(shí)，最好是不具有從接地用通孔延伸出的布線圖案。
通過(guò)做成這樣的構(gòu)造可以縮小通孔間距。另外，由于可以縮小通孔與內(nèi)層導(dǎo)體電路之間的間隔，因此可以減小相互的互感。
另外，內(nèi)層的導(dǎo)體電路是通過(guò)蝕刻處理形成的，但也可以通過(guò)添加法形成。
(4)形成外層的絕緣層及導(dǎo)體電路 與上述(2)相同，形成用于覆蓋內(nèi)層的導(dǎo)體電路、且掩埋該回路之間的縫隙的樹脂絕緣層18，并在該樹脂絕緣層18上形成了外層的導(dǎo)體電路20。
具體地說(shuō)，將在玻璃纖維布浸滲了環(huán)氧樹脂而形成的、厚度為30～200μm左右的預(yù)浸樹脂片配置在上述(1)～(3)中形成的基板的兩面上，并在該預(yù)浸樹脂片的外側(cè)層疊厚度為12～275μm的銅等金屬箔之后，從該金屬箔上進(jìn)行加熱加壓，從而使預(yù)浸樹脂片的樹脂填充到導(dǎo)體電路之間，并且預(yù)浸樹脂片與金屬箔在覆蓋導(dǎo)體電路16的兩面的狀態(tài)下被壓接而形成一體，由此形成了外層的絕緣層18及外層的導(dǎo)體電路20(圖2(a))。
與內(nèi)層的絕緣層14相同，上述外層的絕緣層18也可以通過(guò)在基板的兩面上涂敷樹脂液來(lái)覆蓋內(nèi)層導(dǎo)體電路、并對(duì)導(dǎo)體電路之間進(jìn)行填充的方法，或在涂敷樹脂液的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步對(duì)樹脂膜進(jìn)行加熱加壓使其壓接而形成。另外，在這樣的加熱加壓的方法中，可以使絕緣層表面平坦。
另外，在本實(shí)施例中，是將金屬板10作為芯體而在其兩面上形成內(nèi)層的絕緣層14及導(dǎo)體電路，并進(jìn)一步形成外層的絕緣層18及外層的導(dǎo)體電路20，但并不一定要將金屬板10用作芯體，也可以通過(guò)在單面或雙面覆銅層壓板上層疊形成了回路的構(gòu)件來(lái)形成芯基板。
(5)形成電鍍通孔用貫通孔 形成貫通在上述(4)中形成的芯基板的、開口直徑為50～400μm的貫通孔21(圖2(b))。該貫通孔21與設(shè)于金屬板10上的開口12的位置對(duì)應(yīng)形成，通過(guò)鉆孔加工、或激光加工、或者同時(shí)使用激光加工和鉆孔加工而形成。該貫通孔的形狀優(yōu)選是具有直線狀側(cè)壁的構(gòu)造，也可以根據(jù)需要做成錐形。
(6)形成電鍍通孔 為了對(duì)在上述(5)中形成的貫通孔21的側(cè)壁上施加導(dǎo)電性，在側(cè)壁上形成鍍膜22并使該鍍膜22的表面粗糙化之后(圖2(c))，在貫通孔內(nèi)填充樹脂填充材料24，從而形成了電鍍通孔26(圖2(d))。
對(duì)于被填充到該貫通孔21中的樹脂填充材料24，優(yōu)選在將其臨時(shí)干燥之后，通過(guò)研磨除去附著在基板表面的鍍膜22上的多余的樹脂填充材料，并進(jìn)一步在150℃的條件下干燥1小時(shí)，從而使其完全固化。
通過(guò)電解電鍍、或無(wú)電解電鍍、配電板電鍍(無(wú)電解電鍍和電解電鍍)等形成上述鍍膜22，該電鍍金屬采用了含有銅、鎳、鈷、磷等的金屬。
另外，鍍膜22的厚度優(yōu)選為5～30μm的范圍。
作為上述樹脂填充材料24，采用例如在樹脂材料中含有固化劑、粒子等的絕緣性樹脂材料，或在樹脂材料中含有金、銅等金屬粒子、固化劑等的導(dǎo)電性樹脂材料中的任一種材料。
作為上述絕緣性樹脂材料的樹脂，采用了例如雙酚型環(huán)氧樹脂、酚醛環(huán)氧樹脂等環(huán)氧樹脂、雙酚樹脂等的熱固化性樹脂、具有感光性的紫外線固化樹脂、或者熱塑性樹脂等。這些樹脂材料可以采用單一種類的樹脂，或也可以采用復(fù)合了多種這些樹脂而成的材料。
作為上述粒子，采用了二氧化硅、氧化鋁等無(wú)機(jī)粒子、金、銀、銅等金屬粒子、或者樹脂粒子等。這些粒子可以采用單一種類的粒子，或者也可以采用混合了多種這些粒子而成的材料。
上述粒子的粒子直徑優(yōu)選處于0.1～5μm的范圍，可以采用相同直徑的粒子、或者混合了粒子直徑不同的粒子的材料。
作為上述固化劑，可以采用咪唑系固化劑、胺系固化劑等。除此之外也可以含有固化穩(wěn)定劑、反應(yīng)穩(wěn)定劑、粒子等。
另外，作為上述導(dǎo)電性樹脂材料，采用了在樹脂成分中含有金屬粒子、固化劑等而成的導(dǎo)電性膏。
另外，也可以代替導(dǎo)電性膏而電鍍填充貫通孔21。在進(jìn)行電鍍填充時(shí)，像導(dǎo)電性膏那樣，不會(huì)隨著固化收縮而在表層上形成凹部。
(7)形成芯基板的外層導(dǎo)體層及導(dǎo)體電路 在上述(6)中在形成了電鍍通孔26的基板的兩面的整面上覆蓋形成了鍍膜(圖3(a))之后，實(shí)施采用了壓凹法的蝕刻處理，并在電鍍通孔26的上方并與其緊鄰地形成蓋鍍層28，并且形成了由電源層30P及接地層30E構(gòu)成的外層導(dǎo)體電路30(圖3(b))。
這些外層導(dǎo)體電路30的厚度優(yōu)選處于10～75μm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選處于20～40μm的范圍內(nèi)。其理由是因?yàn)椋诤穸炔蛔?0μm的情況下，導(dǎo)體電阻較大，在厚度超過(guò)75μm時(shí)，難以使形成于芯基板上的層間絕緣層變平坦，或基板會(huì)變厚。在該實(shí)施例中，將外層導(dǎo)體電路30的厚度設(shè)為35μm。
通過(guò)上述(1)～(7)的工序，形成了通過(guò)電鍍通孔26使基板兩面的外層導(dǎo)體電路30相互電連接、并且也通過(guò)電鍍通孔26進(jìn)行內(nèi)層導(dǎo)體電路16與外層導(dǎo)體電路30之間的電連接的多層芯基板32。
(8)在外層導(dǎo)體電路上形成粗糙化層 在上述多層芯基板32的兩面上進(jìn)行黑化處理及還原處理，在外層的導(dǎo)體電路30的側(cè)面及上表面(包括通孔的連接盤表面在內(nèi))形成了粗糙化層34(圖3(c))。
(9)填充樹脂填充材料 在上述多層芯基板32的外層的未形成導(dǎo)體電路的部位、即外層的導(dǎo)體電路之間的間隙中填充了樹脂填充材料36(圖4(a))。該樹脂填充材料可以采用與在上述(6)的工序中填充到貫通孔21內(nèi)的樹脂填充材料24相同的材料。
(10)研磨外層導(dǎo)體電路上表面 通過(guò)帶式研磨器等對(duì)完成了上述樹脂填充的基板的單面進(jìn)行研磨，除去設(shè)于外層導(dǎo)體電路30的側(cè)面及上表面的粗糙化面34中的、設(shè)于上表面的粗糙化層，并且使得在導(dǎo)體電路30的外緣部上未殘留樹脂填充材料36，接著，為了去除由上述研磨造成的傷痕，再用拋光輪等對(duì)外層導(dǎo)體電路30的上表面進(jìn)一步進(jìn)行研磨。對(duì)基板的另一面也同樣地進(jìn)行這樣的一系列的研磨而使其平滑。接著，進(jìn)行在100℃的條件下加熱1小時(shí)、在150℃的條件下加熱1小時(shí)的加熱處理，使樹脂填充材料36固化(圖4(b))。
另外，可以根據(jù)需要省略向外層導(dǎo)體電路之間的間隙填充樹脂填充材料的步驟，在這種情況下，通過(guò)層疊于多層芯基板上的層間絕緣層的樹脂層也可以同時(shí)進(jìn)行層間絕緣層的形成和對(duì)外層導(dǎo)體電路之間間隙的填充。
(11)在外層導(dǎo)體電路上表面形成粗糙化層 用噴射器將蝕刻液噴涂到上述(10)工序中平滑化了的外層導(dǎo)體電路30P、30E的表面(包括通孔的連接盤在內(nèi))，從而在外層導(dǎo)體電路的上表面形成了粗糙化層38(圖4(c))。
(12)形成層間樹脂絕緣層 在形成了上述粗糙化層38的外層的導(dǎo)體電路表面上載置在上述(C)中形成的樹脂膜40，并對(duì)其進(jìn)行臨時(shí)壓接來(lái)裁斷之后，再采用真空層壓裝置將其貼付到基板表面上，從而形成了層間樹脂絕緣層42(圖5(a))。
(13)形成導(dǎo)通孔形成用開口 接著，在層間樹脂絕緣層上隔著形成有厚度為1.2mm的貫通孔的掩模，使用波長(zhǎng)為10.4μm的二氧化碳激光并在光束直徑為4.0mm、凹帽頭模式、脈沖寬度為10～25μ秒、掩模的貫通孔直徑為Φ1.0～2.2mm、發(fā)射1～3次的照射條件下，在層間樹脂絕緣層42上形成了直徑為30～70μm的導(dǎo)通孔用開口44(圖5(b))。
(14)形成粗糙化層 在將設(shè)有上述導(dǎo)通孔用開口44的基板32浸漬在膨潤(rùn)液中并對(duì)其進(jìn)行水洗之后，將其浸漬在含有60g/l的高錳酸的80℃的溶液中10分鐘，從而使分散于層間樹脂絕緣層42的固化樹脂中的鱗片狀粒子自層間樹脂絕緣層表面上脫落，而在包括導(dǎo)通孔用開口44的內(nèi)壁在內(nèi)的層間樹脂絕緣層42的表面上形成了粗糙化層46(圖5(c))。該粗糙化層46的粗糙度為0.01～2μm。
(15)施加催化劑核 接著，在將完成了上述處理的基板32浸漬于中和溶液(シプレイ(Shipley)社制)后對(duì)其進(jìn)行水洗。之后，也可以通過(guò)O2等離子、或CF4等粒子等物理方法來(lái)實(shí)施除去殘存于導(dǎo)通孔底部上的樹脂或粒子的殘?jiān)娜ノ厶幚怼?br> 并且，在經(jīng)過(guò)了粗面化處理的該基板的表面上施加鈀催化劑，使催化劑核附著在層間樹脂絕緣層42的表面及導(dǎo)通孔用開口44的內(nèi)壁面上。
(16)形成無(wú)電解鍍銅膜 接著，將在上述(15)的工序中施加了催化劑的基板32浸漬于下述那樣組成的無(wú)電解鍍銅水溶液中，而在粗糙化層46的整個(gè)表面上形成厚度為0.6～3.0μm的無(wú)電解鍍銅膜48，從而得到了在包括導(dǎo)通孔用開口44的內(nèi)壁在內(nèi)的層間樹脂絕緣層42的表面上形成有導(dǎo)體層的基板(圖5(d))。
(無(wú)電解鍍銅溶液) 硫酸銅0.03mol/l EDTA 0.200mol/l HCHO 0.18g/l NaOH 0.100mol/l α、α′-聯(lián)二呲啶 100mg/l 聚乙二醇 0.10g/l (電鍍條件) 以34℃的液體溫度浸漬40分鐘 (17)在形成有無(wú)電解鍍銅膜48的基板上涂敷市場(chǎng)上出售的液態(tài)類型的感光性堿型蝕刻油墨(例如，太陽(yáng)油墨社制、P ER-20系列)，使其臨時(shí)干燥之后，在基板上載置掩模并進(jìn)行曝光、顯影處理，從而設(shè)置了厚度為7.5～30μm的阻鍍層50(圖6(a))。另外，之后成為信號(hào)線的部分形成為L(zhǎng)/S＝5/5μm。
作為阻鍍層，也可以采用除上述之外的例如ニチゴ一モ一トン(Nichigo-Morton)社制的商品名稱為“NIT225”或“NIT215”、或日本公開專利公報(bào)2004-317874所記載的感光性樹脂組成物。
(18)接著，對(duì)基板32實(shí)施電解電鍍，在未形成阻鍍層50的部位形成了厚度為7.5～17.5μm的電解鍍銅膜52(圖6(b))。另外，這次以下述的電鍍液和條件進(jìn)行，從而得到了7.5μm的電解鍍銅膜。
(電解鍍銅液) 硫酸2.24mol/l 硫酸銅 0.26mol/l 添加劑 19.5ml/l (アトテツクジヤパン(ATOTECH JAPAN)社制、商品名稱カパラシドGL) (電解電鍍條件) 電流密度1A/dm2 時(shí)間35±5分鐘 溫度22±2℃ (19)并且，在剝離除去了阻鍍層之后，以下述的蝕刻方法溶解除去該阻鍍層下面的無(wú)電解電鍍膜，而制成了獨(dú)立的導(dǎo)體電路54及導(dǎo)通孔56(圖6(c))。
另外，將信號(hào)布線做成L/S＝5/5μm(L、S都是層間絕緣層上的間隔)，并使其內(nèi)的5根信號(hào)線形成大致平行，做成了第1、3、5根信號(hào)布線與I C連接，而第2、4根信號(hào)布線未與IC連接而作為測(cè)定用布線(相當(dāng)于在后述的評(píng)價(jià)試驗(yàn)1中所采用的試驗(yàn)用布線)。
(蝕刻方法) 將印刷電路板用基板搬入到蝕刻處理區(qū)域中，并采用具有在蝕刻處理區(qū)域進(jìn)行搬運(yùn)的傳送帶、和噴射噴嘴的水平搬運(yùn)蝕刻裝置進(jìn)行蝕刻。從印刷電路板用電路板的上下自可調(diào)整多個(gè)噴射噴霧壓力的上述噴射噴嘴中噴霧出蝕刻液。
在本實(shí)施例中，為了使導(dǎo)體電路的形狀成為梯形，一邊使狹縫噴嘴等的直進(jìn)型噴射噴嘴的頭部搖動(dòng)一邊進(jìn)行蝕刻。
(蝕刻條件) 噴嘴與工件間隔50mm 噴射噴霧壓力 0.05MPa～0.3MPa 蝕刻液的種類 氯化銅 蝕刻溫度 45℃ 蝕刻時(shí)間 10～60秒 對(duì)于由這樣的蝕刻條件形成的截面形狀的調(diào)整，是通過(guò)改變噴霧壓力、或調(diào)整蝕刻時(shí)間，只使用設(shè)于蝕刻裝置上部的噴嘴或設(shè)于下部的噴嘴中的任一噴嘴而進(jìn)行的。
在該實(shí)施例中，采用狹縫噴嘴、將蝕刻時(shí)間設(shè)為10秒、使被蝕刻面朝上，只采用設(shè)于蝕刻裝置上部的噴嘴來(lái)進(jìn)行蝕刻。之后，通過(guò)表面研磨等將導(dǎo)體電路的厚度調(diào)整至5μm(T)以下。
(20)接著，進(jìn)行表面粗糙化處理(例如，通過(guò)采用メツク(ME C)株式會(huì)社制、商品名稱“メツクエツチボンドCz-8100”的蝕刻進(jìn)行的粗糙化處理或黑化處理)，從而在導(dǎo)體電路54及導(dǎo)通孔56的表面(包括側(cè)面)上形成了粗糙化面58(圖6(d))。
之后，按照上述(1)～(20)的工序制作出1張相同的基板，并通過(guò)沖孔等對(duì)應(yīng)測(cè)定|W1-W2|的部位進(jìn)行穿孔，而做成測(cè)定用樣品。
將該測(cè)定用樣品的導(dǎo)體電路及導(dǎo)體電路之間的垂直截面研磨成可以觀察的程度，以100～3500倍對(duì)該研磨部分進(jìn)行了SEM觀察之后拍攝照片，使用標(biāo)尺測(cè)定了完成后的線間寬度W1(導(dǎo)體上部側(cè)間隔)及W2(導(dǎo)體下部側(cè)間隔)。
結(jié)果，如表1所示，上述那樣的8部位的數(shù)據(jù)(與上述的用于算出σ的數(shù)據(jù)相同的部位的值)的|W1-W2|的值為0.5μm(8個(gè)數(shù)據(jù)中的最小值)～1.75μm(8個(gè)數(shù)據(jù)中的最大值)，基本滿足了(0.10×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.35×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.23μm。
(21)對(duì)在上述(20)中形成了粗糙化面58的基板重復(fù)進(jìn)行上述(12)～(20)的工序，形成了第2層層間樹脂絕緣層60，并在該層間樹脂絕緣層60上進(jìn)一步形成上層導(dǎo)體電路62及導(dǎo)通孔64，從而得到了多層電路板(圖7(a))。
(22)形成阻焊劑層 接著，在上述(21)中得到的多層電路板的兩面上涂覆了12～30μm厚度的市場(chǎng)上出售的阻焊劑組成物，并以70℃加熱20分鐘、70℃加熱30分鐘的條件進(jìn)行干燥處理，而形成了阻焊劑層66(圖7(b))。之后，使描畫有阻焊劑開口部的圖案的厚度為5mm的光掩模緊貼在阻焊劑層66上，并以1000mJ/cm2的紫外線進(jìn)行曝光，在DMTG溶液中進(jìn)行顯影處理，從而形成了直徑為200μm開口68(圖7(c))。
然后，再以80℃加熱1小時(shí)、100℃加熱1小時(shí)、120℃加熱1小時(shí)、150℃加熱3小時(shí)的條件分別進(jìn)行加熱處理而使阻焊劑層66固化，形成了具有露出了上層導(dǎo)體電路62的表面那樣的開口68、厚度為10～25μm的阻焊劑圖案。
(23)形成鎳-金層 接著，將形成了阻焊劑圖案的基板浸漬在無(wú)電解鍍鎳液中，在從開口68中露出的上層導(dǎo)體電路62的表面上形成了厚度為5μm的鍍鎳層，再將該電路板浸漬于無(wú)電解鍍金液中，在鍍鎳層上形成了厚度為0.03μm的鍍金層，形成鎳-金層70(圖7(d))。除了該鎳-金層之外，也可以形成單層的錫或貴金屬(金、銀、鈀、鉑等)層。
(24)形成錫焊凸塊 之后，在上述電路板的一面?zhèn)?IC芯片安裝側(cè))的從上述阻焊劑層66的開口68露出的上層導(dǎo)體電路62的表面上印刷含有錫-鉛的錫焊膏，并在另一面?zhèn)壬贤瑯佑∷⒑绣a-銻的錫焊膏之后，以200℃進(jìn)行回流焊而形成了外部端子，從而制造出具有錫焊凸塊72的多層印刷電路板(圖8)。
通過(guò)錫焊凸塊72在上述多層印刷電路板上安裝IC芯片74，進(jìn)而安裝芯片電容器76。
然后，通過(guò)外部端子78將安裝有IC芯片74及芯片電容器76的多層印刷電路板安裝在母板80上(圖9)。
實(shí)施例2 改變阻鍍層的圖案形成用掩模，并且改變電解鍍銅條件及膜厚調(diào)整后的導(dǎo)體電路的厚度而使信號(hào)線的L/S為7.5μm/7.5μm、導(dǎo)體電路厚度T為7.5μm，除此之外與實(shí)施例1相同地制造出多層印刷電路板。
在該實(shí)施例中，|W1-W2|的值為0.675μm～2.775μm，基本滿足(0.10×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.35×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.33μm。
實(shí)施例3 改變阻鍍層的圖案形成用掩模，并且改變電解鍍銅條件及膜厚調(diào)整后的導(dǎo)體電路的厚度而使信號(hào)線的L/S為10.0μm/10.0μm、導(dǎo)體電路厚度T為10.0μm，除此之外與實(shí)施例1相同地制造出多層印刷電路板。
在該實(shí)施例中，|W1-W2|的值為0.9μm～3.6μm，基本滿足(0.10×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.35×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.27μm。
實(shí)施例4 改變阻鍍層的圖案形成用掩模，并且改變電解鍍銅條件及膜厚調(diào)整后的導(dǎo)體電路的厚度而使信號(hào)線的L/S為12.5μm/12.5μm、導(dǎo)體電路厚度T為12.5μm，除此之外與實(shí)施例1相同地制造出多層印刷電路板。
在本實(shí)施例中，|W1-W2|的值為1.25μm～4.375μm，基本滿足(0.10×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.35×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.34μm。
實(shí)施例5 改變阻鍍層的圖案形成用掩模，并且改變電解鍍銅條件及膜厚調(diào)整后的導(dǎo)體電路的厚度而使信號(hào)線的L/S為15.0μm/15.0μm、導(dǎo)體電路厚度T為15.0μm，除此之外與實(shí)施例1相同地制造出多層印刷電路板。
在本實(shí)施例中，|W1-W2|的值為1.35μm～5.25μm，基本滿足(0.10×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.35×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.35μm。
實(shí)施例6 除了將蝕刻時(shí)間變更為30秒之外，其余與實(shí)施例1相同地制造出多層印刷電路板。
在本實(shí)施例中，|W 1-W2|的值為1.7μm～3.7μm，基本滿足(0.35×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.73×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.77μm。
實(shí)施例7 除了將蝕刻時(shí)間變更為30秒之外，其余與實(shí)施例2相同地制造出多層印刷電路板。
在本實(shí)施例中，|W1-W2|的值為2.475μm～5.475μm，基本滿足(0.35×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.73×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.76μm。
實(shí)施例8 除了將蝕刻時(shí)間變更為30秒之外，其余與實(shí)施例3相同地制造出多層印刷電路板。
在本實(shí)施例中，|W1-W2|的值為3.5μm～7.3μm，基本滿足(0.35×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.73×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.78μm。
實(shí)施例9 除了將蝕刻時(shí)間變更為30秒之外，其余與實(shí)施例4相同地制造出多層印刷電路板。
在本實(shí)施例中，|W1-W2|的值為4.25μm～9.25μm，基本滿足(0.35×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.73×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.65μm。
實(shí)施例10 除了將蝕刻時(shí)間變更為30秒之外，其余與實(shí)施例5相同地制造出多層印刷電路板。
在本實(shí)施例中，|W1-W2|的值為5.25μm～10.95μm，基本滿足(0.35×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.73×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.72μm。
實(shí)施例11 除了如下述地變更蝕刻方法之外，其余與實(shí)施例1相同地制造出多層印刷電路板。
與實(shí)施例1不同，進(jìn)行了2次蝕刻。第1次蝕刻與實(shí)施例1相同。之后，在1個(gè)制品的被分割出的4個(gè)區(qū)域(為了采集數(shù)據(jù)而分割成的4個(gè)區(qū)域)內(nèi)，用聚酰亞胺膠帶(kapton tape)等覆蓋2個(gè)區(qū)域。并且，一邊使狹縫噴嘴搖頭一邊只對(duì)未覆蓋的部分進(jìn)行20秒鐘的蝕刻，之后剝離聚酰亞胺膠帶等。另外，使用的噴嘴與被蝕刻面的朝向與實(shí)施例1相同。
在本實(shí)施例中，|W1-W2|的值為0.5μm～3.65μm，基本滿足(0.10×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.73×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為2.01μm。
實(shí)施例12 除了將蝕刻方法變更為與實(shí)施例11相同的蝕刻方法之外，其余與實(shí)施例2相同地制造出多層印刷電路板。
在本實(shí)施例中，|W1-W2|的值為0.675μm～5.625μm，基本滿足(0.10×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.73×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為2.13μm。
實(shí)施例13 除了將蝕刻方法變更為與實(shí)施例11相同的蝕刻方法之外，其余與實(shí)施例3相同地制造出多層印刷電路板。
在本實(shí)施例中，|W1-W2|的值為0.9μm～7.6μm，基本滿足(0.10×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.73×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為2.2μm。
實(shí)施例14 除了將蝕刻方法變更為與實(shí)施例11相同的蝕刻方法之外，其余與實(shí)施例4相同地制造出多層印刷電路板。
在本實(shí)施例中，|W1-W2|的值為1.25μm～9.25μm，基本滿足(0.10×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.73×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為2.45μm。
實(shí)施例15 除了將蝕刻方法變更為與實(shí)施例11相同的蝕刻方法之外，其余與實(shí)施例5相同地制造出多層印刷電路板。
在本實(shí)施例中，|W1-W2|的值為1.5μm～10.95μm，基本滿足(0.10×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.73×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為2.58μm。
實(shí)施例16 除了在導(dǎo)體電路54及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例1相同地制造出多層印刷電路板。
另外，在導(dǎo)體電路形成之后對(duì)W1和W2進(jìn)行測(cè)定。
實(shí)施例17 除了在導(dǎo)體電路54及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例2相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例18 除了在導(dǎo)體電路54及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例3相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例19 除了在導(dǎo)體電路54及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例4相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例20 除了在導(dǎo)體電路54及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例5相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例21 除了在導(dǎo)體電路54及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例6相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例22 除了在導(dǎo)體電路54及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例7相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例23 除了在導(dǎo)體電路54及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例8相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例24 除了在導(dǎo)體電路54及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例9相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例25 除了在導(dǎo)體電路54及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例10相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例26 除了在導(dǎo)體電路54及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例11相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例27 除了在導(dǎo)體電路54及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例12相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例28 除了在導(dǎo)體電路54及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例13相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例29 除了在導(dǎo)體電路54及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例14相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例30 除了在導(dǎo)體電路54及導(dǎo)通孔56的表面上未形成粗糙化面58之外，其余與實(shí)施例15相同地制造出多層印刷電路板。
參考例1 除了第2次蝕刻不是由狹縫噴嘴進(jìn)行的蝕刻，而是在與第1次蝕刻相同的蝕刻液中浸漬1分鐘之外，其余與實(shí)施例14相同地制造出多層印刷電路板。
在本參考例中，|W1-W2|的值為1.25μm～9.25μm，基本滿足(0.10×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.73×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。但是，在本實(shí)施例中，由于同時(shí)采用了蝕刻液不流動(dòng)的浸漬蝕刻，因此蝕刻速度隨部位不同而有較大差異，結(jié)果，各布線的回路形狀相差較大，因此|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為2.58μm。
參考例2 除了未在導(dǎo)體電路形成之后形成粗糙化面之外，其余與參考例1相同地制造出多層印刷電路板。
比較例1 除了不使狹縫噴嘴搖頭之外，其余與實(shí)施例16相同地制造出多層印刷電路板。
結(jié)果，導(dǎo)體電路的截面形狀成為矩形。
比較例2 除了不使狹縫噴嘴搖頭之外，其余與實(shí)施例17相同地制造出多層印刷電路板。
結(jié)果，導(dǎo)體電路的截面形狀成為矩形。
比較例3 除了不使狹縫噴嘴搖頭之外，其余與實(shí)施例18相同地制造出多層印刷電路板。
結(jié)果，導(dǎo)體電路的截面形狀成為矩形。
比較例4 除了不使狹縫噴嘴搖頭之外，其余與實(shí)施例19相同地制造出多層印刷電路板。
結(jié)果，導(dǎo)體電路的截面形狀成為矩形。
比較例5 除了不使狹縫噴嘴搖頭之外，其余與實(shí)施例20相同地制造出多層印刷電路板。
結(jié)果，導(dǎo)體電路的截面形狀成為矩形。
比較例6 除了將蝕刻時(shí)間從30秒變更為50秒之外，其余與實(shí)施例16相同地制造出多層印刷電路板。
在本比較例中，|W1-W2|的值為3.9μm～4.3μm，與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系相當(dāng)于0.78T～0.86T。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.58μm。
比較例7 除了將蝕刻時(shí)間從30秒變更為50秒之外，其余與實(shí)施例17相同地制造出多層印刷電路板。
在本比較例中，|W1-W2|的值為6.075μm～6.6μm，與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系相當(dāng)于0.81T～0.88T。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.78μm。
比較例8 除了將蝕刻時(shí)間從30秒變更為50秒之外，其余與實(shí)施例18相同地制造出多層印刷電路板。
在本比較例中，|W1-W2|的值為7.7μm～8.6μm，與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系相當(dāng)于0.77T～0.86T。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.62μm。
比較例9 除了將蝕刻時(shí)間從30秒變更為50秒之外，其余與實(shí)施例19相同地制造出多層印刷電路板。
在本比較例中，|W1-W2|的值為9.625μm～10.875μm，與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系相當(dāng)于0.77T～0.87T。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.73μm。
比較例10 除了將蝕刻時(shí)間從30秒變更為50秒之外，其余與實(shí)施例20相同地制造出多層印刷電路板。
在本比較例中，|W1-W2|的值為12μm～12.75μm，與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系相當(dāng)于0.8T～0.85T。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.88μm。
比較例11 除了使蝕刻時(shí)間為5秒之外，其余與實(shí)施例16相同地制造出多層印刷電路板。
比較例12 除了使蝕刻時(shí)間為5秒之外，其余與實(shí)施例17相同地制造出多層印刷電路板。
比較例13 除了使蝕刻時(shí)間為5秒之外，其余與實(shí)施例18相同地制造出多層印刷電路板。
比較例14 除了使蝕刻時(shí)間為5秒之外，其余與實(shí)施例19相同地制造出多層印刷電路板。
比較例15 除了使蝕刻時(shí)間為5秒之外，其余與實(shí)施例20相同地制造出多層印刷電路板。
參考例3 除了在導(dǎo)體電路的表面上形成了粗糙化面之外，其余與比較例11相同地制造出多層印刷電路板。
參考例4 在實(shí)施例1中，改變阻鍍層的圖案形成用掩模，并且改變電解鍍銅條件及研磨之后的導(dǎo)體電路的厚度而使信號(hào)線的L/S為20.0μm/20.0μm、導(dǎo)體電路厚度T為20.0μm。另外，不使狹縫噴嘴搖頭。結(jié)果，導(dǎo)體電路的截面形狀成為矩形。
參考例5 在實(shí)施例16中，改變阻鍍層的圖案形成用掩模，并且改變電解鍍銅條件及研磨之后的導(dǎo)體電路的厚度而使信號(hào)線的L/S為20.0μm/20.0μm、導(dǎo)體電路厚度T為20.0μm。另外，不使狹縫噴嘴搖頭。結(jié)果，導(dǎo)體電路的截面形狀成為矩形。
參考例6 在實(shí)施例1中，改變阻鍍層的圖案形成用掩模，并且改變電解鍍銅條件及研磨之后的導(dǎo)體電路的厚度而使信號(hào)線的L/S為20.0μm/20.0μm、導(dǎo)體電路厚度T為20.0μm。將蝕刻時(shí)間從30秒變更為50秒。結(jié)果，|W1-W2|的值為15.4μm～17.2μm，與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系相當(dāng)于0.77T～0.86T。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.58μm。
參考例7 在實(shí)施例16中，改變阻鍍層的圖案形成用掩模，并且改變電解鍍銅條件及研磨之后的導(dǎo)體電路的厚度而使信號(hào)線的L/S為20.0μm/20.0μm、導(dǎo)體電路厚度T為20.0μm。而且，將蝕刻時(shí)間從30秒變更為50秒。結(jié)果，|W1-W2|的值為15.6μm～17.0μm，與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系相當(dāng)于0.78T～0.85T。并且，|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為1.77μm。
參考例8 在實(shí)施例11中，除了第2次蝕刻不使用狹縫噴嘴，而是在與第1次蝕刻相同的蝕刻溶液中浸漬1分鐘來(lái)進(jìn)行蝕刻之外，其余與實(shí)施例11相同地制造出多層印刷電路板。
在本參考例中，|W1-W2|的值為0.5μm～3.65μm，基本滿足(0.10×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.73×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。
但是，在本參考例中，由于同時(shí)采用了蝕刻液不流動(dòng)的浸滲蝕刻，因此蝕刻速度隨部位不同而有較大差異，結(jié)果，各布線的回路形狀相差較大，因此|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為2.43μm。
參考例9 除了在導(dǎo)體電路形成之后未在該導(dǎo)體電路表面上形成粗糙化面之外，其余與參考例8相同地制造出多層印刷電路板。
參考例10 在實(shí)施例12中，除了第2次蝕刻不使用狹縫噴嘴，而是在與第1次蝕刻相同的蝕刻溶液中浸漬1分鐘來(lái)進(jìn)行蝕刻之外，其余與實(shí)施例12相同地制造出多層印刷電路板。
在本參考例中，|W1-W2|的值為0.75μm～5.475μm，基本滿足(0.10×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.73×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。
但是，在本參考例中，由于同時(shí)采用了蝕刻液不流動(dòng)的浸漬蝕刻，因此蝕刻速度隨部位不同而有較大差異，結(jié)果，各布線的回路形狀相差較大，因此|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為2.34μm。
參考例11 除了在導(dǎo)體電路形成之后未在該導(dǎo)體電路表面上形成粗糙化面之外，其余與參考例10相同地制造出多層印刷電路板。
參考例12 在實(shí)施例13中，除了第2次蝕刻不使用狹縫噴嘴，而是在與第1次蝕刻相同的蝕刻溶液中浸漬1分鐘來(lái)進(jìn)行蝕刻之外，其余與實(shí)施例13相同地制造出多層印刷電路板。
在本參考例中，|W1-W2|的值為1.0μm～7.3μm，基本滿足(0.10×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.73×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。
但是，在本參考例中，由于同時(shí)采用了蝕刻液不流動(dòng)的浸漬蝕刻，因此蝕刻速度隨部位的不同而有較大差異，結(jié)果，各布線的回路形狀相差較大，因此|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為2.45μm。
參考例13 除了在導(dǎo)體電路形成之后未在導(dǎo)體電路表面上形成粗糙化面之外，其余與參考例12相同地制造出多層印刷電路板。
參考例14 在實(shí)施例15中，除了第2次蝕刻不使用狹縫噴嘴，而是在與第1次蝕刻相同的蝕刻溶液中浸漬1分鐘來(lái)進(jìn)行蝕刻之外，其余與實(shí)施例15相同地制造出多層印刷電路板。
在本參考例中，|W1-W2|的值為1.50μm～10.95μm，基本滿足(0.10×導(dǎo)體電路厚度T)～(0.73×導(dǎo)體電路厚度T)的關(guān)系。
但是，在本參考例中，由于同時(shí)采用了蝕刻液不流動(dòng)的浸漬蝕刻，因此蝕刻速度隨部位的不同而有較大差異，結(jié)果，各布線的回路形狀相差較大，因此|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為2.62μm。
參考例15 除了在導(dǎo)體電路形成之后未在導(dǎo)體電路表面上形成粗糙化面之外，其余與參考例14相同地制造出多層印刷電路板。
對(duì)按照以上說(shuō)明的實(shí)施例1～30、參考例1～15、比較例1～15制造出的多層印刷電路板進(jìn)行下述的評(píng)價(jià)試驗(yàn)。
另外，制造出的各多層印刷電路板上的導(dǎo)體電路的最小導(dǎo)體電路寬度L(μm)、最小導(dǎo)體電路之間距S(μm)、導(dǎo)體電路厚度T(μm)、|W1-W2|(μm)的最小值(min)、最大值(max)、|W1-W2|的最小值(min)與厚度T的關(guān)系、|W 1-W2|的最大值(max)與厚度T的關(guān)系、|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ(μm)及粗糙化面的有無(wú)示于表1-1及表1-2。
另外，在表1-1及表1-2中省略了L、S、T、|W1-W2|及σ的單位。
表1-1 表1-2 ※注對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)偏差σ的()內(nèi)的標(biāo)記，若σ在(0.04T+2)以下則記為○，若σ超過(guò)(0.04T+2)則記為×。
(評(píng)價(jià)試驗(yàn)1)噪音確認(rèn)試驗(yàn) 通過(guò)下面說(shuō)明的方法對(duì)按照上述實(shí)施例1～30、參考例3及比較例1～5及11～15制造出的多層印刷電路板的導(dǎo)體電路的電壓波形進(jìn)行觀察，從而調(diào)查出在將6種I C芯片(No.1～No.6)安裝于多層印刷電路板時(shí)是否存在噪音。
首先，使相鄰的5根試驗(yàn)用布線1～5在同一導(dǎo)體電路層內(nèi)形成為大致平行，并使第1、3、5根布線與IC芯片連接，而使第2、4根布線未與IC芯片連接而作為測(cè)定用布線。在將下面的No.1～No.6中任一個(gè)IC芯片作為IC芯片90安裝在各多層印刷電路板上并驅(qū)動(dòng)IC的狀態(tài)下，使用示波器(テクトロニクス(Tektronix)社制、制品名稱“11801C”)對(duì)布線2、4的電壓波形進(jìn)行觀察，調(diào)查出是否存在來(lái)自第1、3、5根布線的噪音。
No.1驅(qū)動(dòng)頻率3.2GHz、總線時(shí)鐘(FSB)1066MHz No.2驅(qū)動(dòng)頻率3.0GHz、總線時(shí)鐘(FSB)800MHz No.3驅(qū)動(dòng)頻率2.8GHz、總線時(shí)鐘(FSB)533MHz No.4驅(qū)動(dòng)頻率2.6GHz、總線時(shí)鐘(FSB)400MHz No.5驅(qū)動(dòng)頻率1.4GHz、總線時(shí)鐘(FSB)133MHz No.6驅(qū)動(dòng)頻率1.1GHz、總線時(shí)鐘(FSB)100MHz 其試驗(yàn)結(jié)果示于表2。另外，在第2、4根布線上觀察到電壓波形的記為×，未觀察到電壓波形的記為○。
表2
由安裝了No.3及No.4IC芯片的實(shí)驗(yàn)結(jié)果可知，在最容易產(chǎn)生噪音的L/S＝5μm/5μm的導(dǎo)體電路，在|W1-W2|處于0.10T～0.73T的范圍內(nèi)的實(shí)施例1、6、11、16、21、26中未產(chǎn)生噪音。
相對(duì)于此，在比較例1中觀察到了噪音。推測(cè)其原因是由于相鄰的導(dǎo)體電路之間的電容量較大，因此在相鄰的導(dǎo)體電路上觀察到了串音噪音。
另外，在將安裝了No.5IC芯片的按照參考例3和比較例11制作出的多層印刷電路板的實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行比較時(shí)，在參考例3中的驅(qū)動(dòng)頻率較低的IC上觀察到了噪音。但是，雖與該參考例3同為L(zhǎng)/S＝5μm/5μm，但在未設(shè)置粗糙化層的比較例11中未觀察到噪音。
由此可知，在導(dǎo)體電路表面被粗面化了的印刷電路板中容易產(chǎn)生噪音，但通過(guò)采用本發(fā)明，即，將|W1-W2|設(shè)定在0.10T～0.73T的范圍內(nèi)可以抑制噪音。之所以在導(dǎo)體電路表面被粗面化了的印刷電路板(參考例3)中容易產(chǎn)生噪音，可以推測(cè)其原因?yàn)橛捎趯?dǎo)體電路表面被粗面化而使得導(dǎo)體電路之間的電容量大于比較例11的導(dǎo)體電路之間電容量。
(評(píng)價(jià)試驗(yàn)2)誤動(dòng)作確認(rèn)試驗(yàn) 通過(guò)下面說(shuō)明的方法對(duì)按照上述實(shí)施例1～30、參考例1～2、8～15及比較例1～15制造出的多層印刷電路板在搭載IC芯片的過(guò)程中是否存在誤動(dòng)作進(jìn)行確認(rèn)。
將從下面的No.1～No.6中選取的任一個(gè)IC芯片作為IC芯片90安裝于各多層印刷電路板上，并向與IC芯片90的信號(hào)電連接的外部端子78輸入測(cè)試信號(hào)，IC芯片所運(yùn)算的結(jié)果從IC芯片輸出，使用例如脈沖波形產(chǎn)生器/錯(cuò)誤檢測(cè)器(アドバンテスト(ADVANTEST)社制、商品名稱“D3186/3286”)對(duì)再次到達(dá)外部端子的數(shù)據(jù)是否被正確輸出進(jìn)行確認(rèn)。
No.1驅(qū)動(dòng)頻率3.2GHz、總線時(shí)鐘(FSB)1066MHz No.2驅(qū)動(dòng)頻率3.0GHz、總線時(shí)鐘(FSB)800MHz No.3驅(qū)動(dòng)頻率2.8GHz、總線時(shí)鐘(FSB)533MHz No.4驅(qū)動(dòng)頻率2.6GHz、總線時(shí)鐘(FSB)400MHz No.5驅(qū)動(dòng)頻率1.4GHz、總線時(shí)鐘(FSB)133MHz No.6驅(qū)動(dòng)頻率1.1GHz、總線時(shí)鐘(FSB)100MHz 其結(jié)果示于表3-1及3-2。另外，在輸出數(shù)據(jù)有誤時(shí)記為×，在輸出數(shù)據(jù)正確時(shí)記為○。
表3-1
表3-2
在將搭載驅(qū)動(dòng)頻率為2.6GH z的I C芯片No.4的各多層印刷電路板相比較時(shí)可知，在相鄰的導(dǎo)體電路間隔的關(guān)系|W1-W2|處于0.10T～0.73T的范圍內(nèi)時(shí)(實(shí)施例1～30)不存在誤動(dòng)作，除此之外(比較例1～15)會(huì)產(chǎn)生誤動(dòng)作。
其差異可以推測(cè)為是由于存在導(dǎo)體電路之間的電容量和導(dǎo)體電路的導(dǎo)體體積的差，若為本發(fā)明的印刷電路板，則不存在噪音和信號(hào)延遲地將信號(hào)傳遞至IC芯片。
另外，對(duì)于按照|W1-W2|的值大致為相同程度的實(shí)施例14和參考例1制造出的多層印刷電路板，在將搭載了驅(qū)動(dòng)頻率為2.8GHz的IC芯片No.3的各多層印刷電路板相比較時(shí)可知，在|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為(0.04T+2)以下的實(shí)施例14中不存在誤動(dòng)作，得到了良好的結(jié)果，但在參考例1中產(chǎn)生了誤動(dòng)作。越是進(jìn)行高速驅(qū)動(dòng)，則各信號(hào)之間的到達(dá)晶體管的時(shí)刻越會(huì)成為問(wèn)題，但可以推測(cè)出在標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為(0.04T+2)以下時(shí)，各布線上的傳送速度的差異變小而難以產(chǎn)生誤動(dòng)作。同樣的情況也符合實(shí)施例29和參考例2。
另外，在將搭載了驅(qū)動(dòng)頻率為3.0GHz的IC芯片No.2的各多層印刷電路板相比較時(shí)，由實(shí)施例1～10與實(shí)施例11～15的比較、實(shí)施例16～25與實(shí)施例26～30的比較可知，在|W1-W2|處于0.35T～0.73T的范圍內(nèi)時(shí)可以得到更好的結(jié)果。
其原因可以推測(cè)為由于通過(guò)使|W1-W2|的范圍變小，則各信號(hào)之間的傳送速度之差變得更小，并且導(dǎo)體電路之間的電容量變小，因此更加難以產(chǎn)生誤動(dòng)作。并且可知，|W1-W2|處于0.10T～0.35T的范圍為宜。其原因可以推測(cè)為是由于在將導(dǎo)體的電阻保持得較低的狀態(tài)下，各信號(hào)之間的傳送速度之差和導(dǎo)體電路之間的電容量變小的緣故。
(評(píng)價(jià)試驗(yàn)3)噪音確認(rèn)試驗(yàn) 將評(píng)價(jià)試驗(yàn)1中的No.3IC芯片安裝于按照上述參考例4、5制造出的多層印刷電路板，而對(duì)其進(jìn)行了與評(píng)價(jià)試驗(yàn)1相同的試驗(yàn)。其結(jié)果為○(未觀察到電壓波形)。
在將參考例4、5與比較例進(jìn)行比較時(shí)，即使是同樣的截面形狀，在L/S＝20μm/20μm的導(dǎo)體電路上也未觀察到噪音。其原因可以推測(cè)為是由于L/S較大的緣故。由該結(jié)果可知，本發(fā)明采用具有L/S＝15μm/15μm以下的導(dǎo)體電路的多層印刷電路板的意義是重大的。
(評(píng)價(jià)試驗(yàn)4)誤動(dòng)作確認(rèn)試驗(yàn) 將評(píng)價(jià)試驗(yàn)2中的No.3IC芯片安裝于按照上述參考例4、5、6、7制造出的多層印刷電路板，對(duì)其進(jìn)行了與評(píng)價(jià)試驗(yàn)2相同的試驗(yàn)。其結(jié)果為○(沒(méi)有誤動(dòng)作)。在將參考例4～7與比較例進(jìn)行比較時(shí)，即使是同樣的截面形狀，在L/S＝20μm/20μm的導(dǎo)體電路上也未觀察到誤動(dòng)作。其原因可以推測(cè)為是由于L/S較大的緣故。由該結(jié)果可知，本發(fā)明采用具有L/S＝15μm/15μm以下的導(dǎo)體電路的多層印刷電路板的意義是重大的。
實(shí)施例31 使被蝕刻面朝下，并只使用配置在蝕刻裝置上下的噴嘴中的下側(cè)噴嘴來(lái)進(jìn)行15秒的蝕刻，除此之外與實(shí)施例1相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例32 使被蝕刻面朝下，并只使用配置在蝕刻裝置上下的噴嘴中的下側(cè)噴嘴來(lái)進(jìn)行15秒的蝕刻，除此之外與實(shí)施例2相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例33 使被蝕刻面朝下，并只使用配置在蝕刻裝置上下的噴嘴中的下側(cè)噴嘴來(lái)進(jìn)行15秒的蝕刻，除此之外與實(shí)施例3相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例34 使被蝕刻面朝下，并只使用配置在蝕刻裝置上下的噴嘴中的下側(cè)噴嘴來(lái)進(jìn)行15秒的蝕刻，除此之外與實(shí)施例4相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例35 使被蝕刻面朝下，并只使用配置在蝕刻裝置上下的噴嘴中的下側(cè)噴嘴來(lái)進(jìn)行15秒的蝕刻，除此之外與實(shí)施例5相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例36 使被蝕刻面朝下，并只使用配置在蝕刻裝置上下的噴嘴中的下側(cè)噴嘴來(lái)進(jìn)行15秒的蝕刻，除此之外與實(shí)施例16相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例37 使被蝕刻面朝下，并只使用配置在蝕刻裝置的上下的噴嘴中的下側(cè)噴嘴來(lái)進(jìn)行15秒的蝕刻，除此之外與實(shí)施例17相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例38 使被蝕刻面朝下，并只使用配置在蝕刻裝置的上下的噴嘴中的下側(cè)噴嘴來(lái)進(jìn)行15秒的蝕刻，除此之外與實(shí)施例18相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例39 使被蝕刻面朝下，并只使用被配置在蝕刻裝置的上下的噴嘴中的下側(cè)噴嘴來(lái)進(jìn)行15秒的蝕刻，除此之外與實(shí)施例19相同地制造出多層印刷電路板。
實(shí)施例40 使被蝕刻面朝下，并只使用配置在蝕刻裝置的上下的噴嘴中的下側(cè)噴嘴來(lái)進(jìn)行15秒的蝕刻，除此之外與實(shí)施例20相同地制造出多層印刷電路板。
在測(cè)定上述實(shí)施例31～40的|W1-W2|的值時(shí)，其與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系均滿足0.10T～0.35T的范圍。另外，與上述評(píng)價(jià)試驗(yàn)1及評(píng)價(jià)試驗(yàn)2相同，調(diào)查了在將驅(qū)動(dòng)頻率為3.46GHz、總線時(shí)鐘(FSB)為1066MHz的IC芯片安裝于按照實(shí)施例31～40制造出的多層印刷電路板時(shí)是否存在噪音，并且確認(rèn)了在搭載的IC芯片上是否存在誤動(dòng)作。其結(jié)果均為○。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性 如上述說(shuō)明的那樣，本發(fā)明的印刷電路板，將導(dǎo)體電路的截面形狀形成為在將相鄰的導(dǎo)體電路的上表面?zhèn)鹊拈g隔設(shè)為W1、將下表面?zhèn)鹊拈g隔設(shè)為W2時(shí)，這些間隔與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系滿足0.10T≤|W1-W2|≤0.73T。形成了具有這樣的截面形狀的導(dǎo)體電路的印刷電路板，即使搭載了被高速驅(qū)動(dòng)的IC，也可以抑制串音和信號(hào)延遲，防止IC的誤動(dòng)作。
權(quán)利要求
1.一種印刷電路板，是在導(dǎo)體電路之間填充絕緣材料而成，其特征在于，上述導(dǎo)體電路采用添加法形成，其截面形狀實(shí)質(zhì)上為梯形，在將相鄰的導(dǎo)體電路之間的間隔中的導(dǎo)體電路上表面?zhèn)乳g隔設(shè)為W1、導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔設(shè)為W2時(shí)，這些間隔與導(dǎo)體電路的厚度T的關(guān)系滿足下式的要求
0.10T≤|W1-W2|≤0.73T……(1)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的厚度T為5μm以上、25μm以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路板，其特征在于，上述|W1-W2|為0.35T以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的印刷電路板，其特征在于，上述|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為(0.04T+2)以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔W2為5μm以上、15μm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔W2為5μm以上、15μm以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的表面被粗糙化。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的表面被粗糙化。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的表面被粗糙化。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的表面被粗糙化。
11.一種印刷電路板，是在導(dǎo)體電路之間填充絕緣材料而成，其特征在于，上述導(dǎo)體電路采用添加法形成，其截面形狀實(shí)質(zhì)上為梯形，將上述導(dǎo)體電路的截面上的4個(gè)點(diǎn)設(shè)為A、B、C、D，并將連接這些A、B、C、D所形成的梯形的面積設(shè)為S0，將上述導(dǎo)體電路的截面面積設(shè)為S1，則0.8≤S1/S0≤1.2。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的印刷電路板，其特征在于，在將相鄰的導(dǎo)體電路之間的間隔中的導(dǎo)體電路上表面?zhèn)乳g隔設(shè)為W1、導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔設(shè)為W2時(shí)，這些間隔與導(dǎo)體電路的厚度T的關(guān)系滿足下式的要求
0.10T≤|W1-W2|≤0.73T……(1)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的印刷電路板，其特征在于，上述|W1-W2|為0.35T以下。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的印刷電路板，其特征在于，上述|W1-W2|的標(biāo)準(zhǔn)偏差σ為(0.04T+2)以下。
15.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔W2為5μm以上、15μm以下。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔W2為5μm以上、15μm以下。
17.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的表面被粗糙化。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的表面被粗糙化。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的表面被粗糙化。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的表面被粗糙化。
21.一種印刷電路板，是在導(dǎo)體電路之間填充絕緣材料而成，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的截面形狀實(shí)質(zhì)上為梯形，在將相鄰的導(dǎo)體電路之間的間隔中的導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔設(shè)為W2時(shí)，W2為5μm以上、15μm以下；
將上述導(dǎo)體電路的截面上的4個(gè)點(diǎn)設(shè)為A、B、C、D，并將連接這些A、B、C、D所形成的梯形的面積設(shè)為S0，將上述導(dǎo)體電路的截面面積設(shè)為S1，則0.8≤S1/S0≤1.2。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的厚度T為5μm以上、25μm以下。
23.根據(jù)權(quán)利要求21或22所述的印刷電路板，其特征在于，上述導(dǎo)體電路的表面被粗糙化。
全文摘要
本發(fā)明提供一種印刷電路板，交替層疊絕緣層和導(dǎo)體電路而成，各導(dǎo)體電路采用添加法形成、且具有梯形截面，其中，在將相鄰的導(dǎo)體電路之間的間隔中的導(dǎo)體電路上側(cè)間隔設(shè)為W1、導(dǎo)體電路下表面?zhèn)乳g隔設(shè)為W2時(shí)，這些間隔與導(dǎo)體電路厚度T的關(guān)系滿足0.10T≤|W1-W2|≤0.73T。根據(jù)這樣的構(gòu)成，即使搭載了被高速驅(qū)動(dòng)的IC，也可以抑制串音和信號(hào)延遲，防止IC的誤動(dòng)作。
文檔編號(hào)H05K1/02GK101646301SQ20091017129
公開日2010年2月10日 申請(qǐng)日期2005年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月15日
發(fā)明者中井通, 玉木昌德 申請(qǐng)人:揖斐電株式會(huì)社