專利名稱：組合型內(nèi)存散熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新涉及一種電信技術(shù)的散熱裝置，尤指一種附著于內(nèi)存兩側(cè)且具有較 佳散熱效能的組合型內(nèi)存散熱裝置。
背景技術(shù)：
在當前服務器用ra - DI麗(全緩沖內(nèi)存模組)內(nèi)存中，在FB- DI麗內(nèi)存上 增加了一枚體積較大的緩沖芯片，它的名稱為"Advanced Memory Buffer (高級 內(nèi)存緩存，簡稱AMB)，并在緩沖芯片的兩側(cè)排列有數(shù)個體積較小的芯片。在內(nèi)存 工作時，緩沖芯片會釋放較大熱量，使得該部分的溫度達到80-10(TC，周圍芯片 的溫度也可達到50-7(TC。在這樣的溫度狀況下，必須采用輔助散熱方式來幫助內(nèi) 存散熱。
目前市場上的內(nèi)存散熱裝置-大都采用一體成型的鋁金屬片。首先，鋁的導熱 系數(shù)相對較低，不利于整個散熱片的熱量傳遞，可供選擇的材料還有金屬銅，銅 的導熱系數(shù)比鋁大很多，但是銅的價格相對昂貴，不滿足經(jīng)濟要求。其次，這種 一體式的散熱片，由于加工限制，使得散熱片只與緩沖芯片上的DIE接觸，大大 減小了換熱面積，因此，對于這種具有中央緩沖芯片的內(nèi)存而言，現(xiàn)有市場上的 散熱裝置并不能有效降低內(nèi)存、特別是中央緩沖芯片部位的溫度，有待改善。

實用新型內(nèi)容
本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種增大中央緩沖芯片區(qū)域換熱面積 并采用不同材料的組合型內(nèi)存散熱裝置，克服背景技術(shù)中的不足。
本實用新型是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的，本實用新型所述的組合型內(nèi)存散熱 裝置，它夾制于具有中央緩沖芯片的內(nèi)存兩側(cè)，包括一與內(nèi)存正面相接觸的前散 熱片、 一與內(nèi)存背面相接觸的后散熱片和一嵌套在前散熱片內(nèi)與中央緩沖芯片相
接觸的散熱塊。前散熱片上設(shè)有一凹槽，散熱塊嵌入其中，散熱塊與中央緩沖芯 片緊密接觸。
所述散熱塊上設(shè)有兩個凹坑，其中一個保證緩沖芯片上突起的DIE(中央芯片)
與散熱塊接觸良好，另一個凹坑用于隔開中央緩沖芯片上外露針腳與散熱塊。 所述前散熱片和后散熱片與內(nèi)存之間粘貼有具有緩沖作用的片狀導熱膠。 所述散熱塊和緩沖芯片的接觸面上涂有膏狀的導熱膠。 所述前散熱片、后散熱片兩側(cè)設(shè)有安裝定位用扣部和扣槽。 所述前散熱片、后散熱片上方扣入一對夾制散熱片的夾持件。 所述散熱塊采用導熱系數(shù)高、價格相對昂貴的金屬，如銅。 所以前散熱片和后散熱片采用導熱系數(shù)和價格相對較低的金屬，如鋁。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的優(yōu)點是本實用新型在一定程度上解決了成 本和效能的矛盾，與中央緩沖芯片接觸的銅制散熱塊，可及時將緩沖芯片產(chǎn)生的 熱量向散熱片傳導，由于該散熱塊體積較小，并不會對整個散熱裝置帶來較大成 本附加。同時，該銅制散熱塊表面加工的凹坑，可有效增大溫度最高區(qū)域的換熱 面積。這樣，可較大幅度降低中央緩沖芯片的溫度，并減少熱量向兩側(cè)芯片的傳 遞。另外，本實用新型所述銅制散熱塊，在成本允許的情況下可增大體積向兩側(cè) 延伸，同中央緩沖芯片兩側(cè)的芯片進行接觸，進一步提高散熱能力。

圖1代表本實用新型散熱裝置的分解圖。
圖2代表本實用新型散熱裝置中前散熱片與散熱塊的分解圖和組合圖； 其中2a為分解圖，2b為組合圖。
圖3代表本實用新型散熱裝置中前散熱片、散熱塊與內(nèi)存的分解圖和組合其中3a為分解圖，3b為組合圖。
圖4代表本實用新型散熱裝置與內(nèi)存的組合其中4a為前散熱片側(cè)，4b為后散熱片側(cè)。
圖5代表本實用新型散熱裝置中散熱塊的另外實施例；
其中5a和5b分別為不同的散熱塊結(jié)構(gòu)方案；
圖號說明ll前散熱片，lll置散熱塊凹坑，112定位扣部，12后散熱片， 121定位扣槽，13內(nèi)嵌散熱塊，131置外露針腳凹坑，132置DIE凹坑，14夾持件， 15內(nèi)存，151中央緩沖芯片，152外露針腳，153 DIE (中央芯片)，161內(nèi)嵌散 熱塊替代結(jié)構(gòu)一，162內(nèi)嵌散熱塊替代結(jié)構(gòu)二。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型的實施例作詳細說明本實施例在以本實用新型
技術(shù)方案為前提下進行實施，給出了詳細的實施方式和具體的操作過程，但本實 用新型的保護范圍不限于下述的實施例。
請參見圖1至圖4，本實用新型的散熱裝置主要包括了一前散熱片11和一后 散熱片12，兩散熱片夾制于內(nèi)存15的兩側(cè)，兩散熱片與內(nèi)存之間粘貼有具有緩沖 作用的片狀導熱膠， 一方面保護芯片，另一方面減少接觸熱阻，強化傳導效果。 前散熱片11、后散熱片12上方扣入一對夾持件14，將前散熱片11、后散熱片12 穩(wěn)固夾制。
所述前散熱片11、后散熱片12兩側(cè)設(shè)有扣部112和扣槽121，用于定于和快 速安裝。
本實用新型最重要的設(shè)計點，請參見圖2和圖3，在與中央緩沖芯片151接觸 的前散熱片11中間設(shè)有一凹坑，其中嵌套一與中央緩沖芯片151直接接觸的散熱 塊13，散熱板13由高導熱系數(shù)材料加工而成。參見圖2，在安裝內(nèi)存15之前， 先將散熱塊13嵌入前散熱片11，在接觸面上涂抹膏狀的導熱膠，減小接觸面的接 觸熱阻，強化傳熱。散熱塊13上設(shè)有一凹坑，即置DIE凹坑132，保證中央緩沖 芯片151上突起的DIE (中央芯片)153與散熱塊13接觸良好；散熱塊13上還設(shè) 有另一凹坑，即置外露針腳凹坑131，避免中央緩沖芯片151上外露針腳151與金 屬散熱塊13接觸。
所述散熱塊13采用金屬銅(導熱系數(shù)為398W/m. k)，前散熱片11和后散熱片 12采用金屬鋁(導熱系數(shù)為198398W/m.k)。
另外，上述的散熱塊13還可以采取別的結(jié)構(gòu)形式，如圖5所示，其中5a、 5b 分別表示不同的散熱塊結(jié)構(gòu)，由于內(nèi)嵌散熱塊替代結(jié)構(gòu)一161、內(nèi)嵌散熱塊替代結(jié) 構(gòu)二 162與散熱塊13相比長度有不同程度的增加，所以能進一步增強散熱裝置的 散熱效果，但另一方面會增大散熱裝置的總成本，可在具體應用中加以選擇。
綜上所述，本實用新型組合型內(nèi)存散熱裝置配合服務器用高速計算機需求使 用，有效提高了內(nèi)存散熱效能和穩(wěn)定性。而依此技術(shù)所作的簡單等效變化，仍屬 本實用新型專利保護范圍之中。
權(quán)利要求1.一種組合型內(nèi)存散熱裝置，它夾置于具有中央緩沖芯片(151)的內(nèi)存兩側(cè)，包括一前散熱片(11)、一后散熱片(12)和一與內(nèi)存中央緩沖芯片相接觸的散熱塊(13)，其特征在于在前散熱片(11)上設(shè)有一凹槽(111)，散熱塊(13)嵌入其中，散熱塊(13)與中央緩沖芯片(151)緊密接觸。
2. 如權(quán)利要求l所述的組合型內(nèi)存散熱裝置，其特征是所述散熱塊(13) 設(shè)有置中央芯片凹坑(132)，中央緩沖芯片(151)上的中央芯片(153)與散熱 塊(13)通過該凹坑(132)接觸。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的組合型內(nèi)存散熱裝置，其特征是所述散熱塊 (13)上設(shè)有置外露針腳凹坑(131)，中央緩沖芯片(151)上外露針腳與散熱塊(13)通過該凹坑(131)隔開。
4. 如權(quán)利要求l所述的組合型內(nèi)存散熱裝置，其特征是所述散熱塊(13) 和中央緩沖芯片(151)的接觸面以及散熱塊(13)與前散熱片(11)的接觸面 上涂有膏狀的導熱膠。
5. 如權(quán)利要求1或2或4所述的組合型內(nèi)存散熱裝置，其特征是所述散 熱塊(13)，其材料為金屬銅，導熱系數(shù)為398W/m. k。
6. 如權(quán)利要求1所述的組合型內(nèi)存散熱裝置，其特征是:所述前散熱片(ll) 和后散熱片(12)與內(nèi)存(15)之間粘貼有片狀導熱膠。
7. 如權(quán)利要求1所述的組合型內(nèi)存散熱裝置，其特征是所述前散熱片 (11)、后散熱片(12)兩側(cè)設(shè)有安裝定位用扣部(112)和扣槽(121)。
8. 如權(quán)利要求1所述的組合型內(nèi)存散熱裝置，其特征是所述前散熱片 (11)、后散熱片(12)上方扣入一對夾制散熱片的夾持件(14)。
9. 如權(quán)利要求1或7或8所述的組合型內(nèi)存散熱裝置，其特征是所述前 散熱片(11)和后散熱片(12)，其材料為金屬鋁，導熱系數(shù)為198398W/m. k。
專利摘要本實用新型公開了一種組合型內(nèi)存散熱裝置，它夾制于具有中央緩沖芯片的內(nèi)存兩側(cè)，包括一與內(nèi)存正面相接觸的前散熱片、一與內(nèi)存背面相接觸的后散熱片和一嵌套在前散熱片內(nèi)與中央緩沖芯片相接觸的散熱塊；所述內(nèi)存散熱片的兩端設(shè)有相對的扣槽和扣部，可快速定位將兩散熱片安裝在內(nèi)存上；所述內(nèi)存散熱裝置還包括一組背夾，自所述兩散熱片上部扣入。本實用新型使得內(nèi)存、特別是溫度最高的中央緩沖芯片區(qū)域的散熱和保護效果大幅提高。
文檔編號H05K7/20GK201199521SQ20082005817
公開日2009年2月25日 申請日期2008年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月8日
發(fā)明者文 王, 邰曉亮, 邵世婷 申請人:力優(yōu)勤電子技術(shù)(上海)有限公司