專利名稱：制造超低缺陷半導(dǎo)體單晶錠的方法及設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造超低缺陷半導(dǎo)體單晶錠的設(shè)備及方法，更具體地，涉及用于制造其中在單晶4t ( single crystalline ingot，單晶 晶塊)的徑向上的溫度梯度一致以及在單晶錠的縱向方向保持無缺 陷容許范圍(defect-free margin )的超低缺陷半導(dǎo)體單晶錠的方法及 設(shè)備。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體器件工藝趨向更精細(xì)的水平，例如，納米水平，甚至具有幾十倍于納米的尺寸的晶體缺陷導(dǎo)致器件產(chǎn)量的降低。因 此，半導(dǎo)體器件制造者越來越多地使用具有可控晶體缺陷的晶片作為半導(dǎo)體坤十底。然而，基于沃龍科夫(Voronkov)理論，在無缺陷單晶錠的制 造中的工藝范圍(process margin,工藝條件)受徑向的垂直溫度梯 度的影響，以及因此，徑向的溫度梯度將總是較大且一致。根據(jù)沃龍科夫理論，如圖1所示，在由于高速生長而導(dǎo)致的 V/G值大于臨界值的情況下，形成了可由空穴導(dǎo)致形成的多孔(多 V)區(qū)。在由于低速生長而導(dǎo)致的V/G值小于臨界值的情況下，在 晶體附近形成OSF (氧4匕"i秀生堆i呆層4晉，oxidation induced stacking fault)區(qū)。在較低速生長的情況下，形成了由通過空隙硅的集中形 成的位錯(cuò)環(huán)導(dǎo)致的多間隙原子(多I)區(qū)。并且，在多V區(qū)和多I區(qū)之間形成既不是多V區(qū)也不是多I區(qū)的無缺陷區(qū)。無缺陷區(qū)包括Pv區(qū)、或剩余孔型無缺陷區(qū)以及Pi區(qū)，或剩余間隙型無缺陷區(qū)。 在V/G中，V表示單晶錠的拉晶速度，并且其是硅單晶體中的點(diǎn)缺 陷的對流項(xiàng)。并且，G表示接近熔體界面的軸向溫度梯度，并且其 是晶體中的溫度梯度的點(diǎn)缺陷的擴(kuò)散項(xiàng)。一般地，在單晶晶片的制造中，無缺陷區(qū)容許范圍受徑向溫度 梯度的影響，并因此，在單晶錠的中心部分和邊緣部分之間的G值 的差值(AG)應(yīng)當(dāng)較小，以在徑向產(chǎn)生一致的溫度梯度。傳統(tǒng)地，為制造具有高無缺陷區(qū)容許范圍的單晶晶片，做出了 許多嘗試以:沒計(jì)出各種形狀的位于固-液界面上的隔熱結(jié)構(gòu)的熱帶(HZ， heat zone )以控制單晶錠的G值，或?qū)⑾鄬ξ恢脧募訜崞鞯?最大熱發(fā)生部分調(diào)整到熔體的表面以控制熔體的對流或熱傳遞鴻^ 徑。并且，做出了許多研究以改善諸如氬(Ar)的流率、籽晶旋轉(zhuǎn)(SR)速度和坩堝旋轉(zhuǎn)(CR)速度之間的比例、或電^茲場的類型 的參凄t。 在例如7>開號為第2005-015296 、 2006-069803和 2004-137093號的JP爿^開專利中/>開了相關(guān)才支術(shù)。然而，熱帶i殳計(jì)的改進(jìn)需要附加裝置，并且不可避免地導(dǎo)致裝 備體積的增力口，并且在改善單晶4t的中心部分和邊緣部分中的任意 一個(gè)的G^直的情況下，另一個(gè)部分的G 4直會劣4匕。例如，如果隔 熱結(jié)構(gòu)的底部被設(shè)計(jì)得大或厚，則與邊緣部分G值增加的程度相 比，中心部分G值增加的程度是4艮小的。因此，AG值劣化。另一方面，在電石茲場改善的情況下，電^茲場的改變導(dǎo)致熔體對 流類型的改變，并因此會減小G值或使AG值劣化。并且，得知使 諸如Ar、壓力或SR/CR比例的參數(shù)最優(yōu)化的方法只有很小的影響。如圖2(a)所示，由于邊纟彖部分的G值的減小，用于制造12 英寸直徑和至少300kg或400kg重量的單晶錠的傳統(tǒng)技術(shù)展現(xiàn)出窄 的工藝容許范圍，并且當(dāng)制造Si晶片時(shí)，在晶片的外圍部分處造成 環(huán)形的DSOD (直接表面氧化缺陷)缺陷(見圖2 ( b )),從而沒能 成功的制造出無缺陷晶片，在無缺陷晶片中，無缺陷容許范圍均勻 地保持在徑向中。并且，如/>開號為第2005-015296號的日本7〉開專利中所公開 的，在#4居凝固比率來控制加熱器的位置以確保容許范圍的情況 下，單晶錠的實(shí)際生長包括凝固的潛熱，以及從結(jié)晶的初始階段到 最后階段由于由凝固造成的硅殘余熔體的量的改變導(dǎo)致的晶體和 熔體的G值的改變，所以熱平衡中的平衡被改變，以及坩堝向上移 動以保持熔體水平，從而改變從加熱器到固-液界面的熱傳遞路徑。 如此，在晶體的縱向方向中保持G/AG具有局限性。并且，在料批 (charge)尺寸較小的情況下，例如單晶錠生長到400kg或300kg 或更少，固體潛熱相對較小，并且因此，從生長的初始階段到最后 階段的拉晶速度應(yīng)當(dāng)被均勻地控制以保持容許范圍一致，這會減少 生產(chǎn)率。作為現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)例，圖3示出了隨著單晶錠的邊緣部分的G 值在單晶錠生長過程的最后階段的減小，與初始階段的無缺陷容許 范圍相比，在最后階段的無缺陷容許范圍顯著減小。如上所述，這 主要是由剩余熔體中的改變造成的潛熱的改變、以及由熱帶造成的 熔體流的形狀和熱傳遞的改變所導(dǎo)致的邊緣部分的G值的減少造 成的。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明被設(shè)計(jì)用于解決現(xiàn)有4支術(shù)中的問題。所以，本發(fā)明的目 的是提供一種制造超低缺陷半導(dǎo)體單晶錠的方法及設(shè)備，其根據(jù)單晶錠的長度來控制單晶錠的冷卻效率，以在整個(gè)工藝中均勻地保持 或增加無缺陷容許范圍并改善4立晶速度。為達(dá)到本發(fā)明的目的，本發(fā)明提供了一種制造超低缺陷半導(dǎo)體 單晶錠的方法，該方法使用利用將籽晶浸沒在容納在石英坩堝中的 半導(dǎo)體熔體中、并在旋轉(zhuǎn)籽晶的同時(shí)將其緩慢地提拉而通過固-液界面生長半導(dǎo)體單晶錠的Czochralski工藝，其中，通過根據(jù)單晶錠的 長度隨著單晶錠生長過程進(jìn)展的變化來增加或減少半導(dǎo)體熔體的 表面上的熱區(qū)來控制無缺陷容許范圍。優(yōu)選地，可通過根據(jù)單晶錠的長度來不同地改變與單晶錠外周 分隔開的隔熱結(jié)構(gòu)的底部和半導(dǎo)體熔體的表面之間的熔體間隙來 i曾力口或;咸少熱區(qū)。優(yōu)選地，將熔體間隙控制在25mm或更小的范圍內(nèi)。優(yōu)選地，改變單晶4t的拉晶速度(V)以滿足等式V=a+b*L+c* (AGap) (a、 b、 c:常凄t; L:單晶4t的長度； △ Gap:纟容體間隙的改變量)?？赏ㄟ^根據(jù)單晶錠的長度來不同地改變與單晶錠外周分隔開 的隔熱結(jié)構(gòu)和單晶4走的外周之間的間隔來增加或減少熱區(qū)。根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，用于制造超低缺陷半導(dǎo)體單晶錠的設(shè) 備包括用于通過根據(jù)單晶錠的長度隨著單晶錠生長過程進(jìn)展的變 化來增加或減少半導(dǎo)體熔體表面上的熱區(qū)來控制無缺陷容許范圍 的熱區(qū)控制單元，該設(shè)備使用利用將籽晶浸沒在容納在石英坩堝中 的半導(dǎo)體熔體中、并在旋轉(zhuǎn)籽晶的同時(shí)將其緩慢地提拉而通過固-液界面生長半導(dǎo)體單晶4走的Czochmlski工藝。


在下面參照附圖的詳細(xì)描述中，將對本發(fā)明進(jìn)行更完整的描 述，然而，本文中列出的描述只用于示出優(yōu)選實(shí)例的目的，不是為 了限制本發(fā)明的范圍。圖1是示出當(dāng)生長直徑為12英寸重量為400kg的硅單晶錠時(shí) 的垂直缺陷分布的缺陷分布圖；圖2(a)是示出圖1的硅單晶錠的實(shí)際缺陷分布的溫度分布圖， 以及圖2(b)是示出圖1的硅單晶錠的實(shí)際缺陷分布的截面的照片；圖3是示出通過傳統(tǒng)單晶錠生長過程的無缺陷容許范圍中的改 變的缺陷分布圖；圖4是示意性示出根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于描述制造超低 缺陷單晶錠的方法的硅熔體上的熱區(qū)的側(cè)視圖；晶錠的方法來均勻保持的無缺陷容許范圍的缺陷分布圖；圖6是示出本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的使用單晶錠的實(shí)際缺陷的銅煙 霧方法的分析的截面照片；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例所控制的根據(jù)單晶錠的長度 的熔體間隙的改變量以及拉晶速度的增加率的曲線圖；圖8是示出才艮據(jù)熔體間隙的改變的無缺陷容許范圍的改變的曲 線圖；以及圖9是示出根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于制造單晶錠的設(shè)備的主要構(gòu)造的視圖。
具體實(shí)施方式
在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。在描 述之前，應(yīng)該理解，在說明書中和所附權(quán)利要求書中使用的術(shù)語不 應(yīng)被理解為限于通用的以及和字典含義，而應(yīng)該以發(fā)明人允許定義 適于最好解釋的術(shù)語的原則為基礎(chǔ)，基于對應(yīng)于本發(fā)明的技術(shù)方面 的含義和概念加以解釋。所以本文中做出的描述只是用于說明目的 的實(shí)例，而不用于限制本發(fā)明的范圍，因此應(yīng)當(dāng)理解，在不背離本 發(fā)明精神和范圍的情況下，可以做出其它等同替換和改進(jìn)。圖4是示意性示出才艮據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于描述用于制造 超低缺陷單晶錠的方法的硅熔體的熱區(qū)的側(cè)視圖。本發(fā)明執(zhí)行利用將籽晶浸沒在容納在石英坩堝中的半導(dǎo)體熔 體中、并在旋轉(zhuǎn)籽晶的同時(shí)將其緩慢地提拉而通過固-液界面生長半 導(dǎo)體單晶錠100的Czochralski工藝，并且在晶錠的生長期間，控制 硅熔體表面上的熱區(qū)(斜線)或熱區(qū)的效率來控制無缺陷容許范圍。熱區(qū)包括單晶4t 100的外周和隔熱結(jié)構(gòu)101之間的空間，以及 硅熔體的表面核隔熱結(jié)構(gòu)101的底部之間的空間，并且其為累積從 硅單晶錠IOO中散發(fā)出的熱量的空間。優(yōu)選地，通過根據(jù)硅單晶錠100長度隨著單晶錠生長過程進(jìn)展 的變化來改變隔熱結(jié)構(gòu)101的位置來增大或減小熱區(qū)。例如，可通 過在石圭熔體表面和隔熱結(jié)構(gòu)101的底部之間的間隙或纟容體間隙 (A)、或硅單晶錠100的外周和隔熱結(jié)構(gòu)101之間的間隔(B)、或它們的組合來控制熱區(qū)。本發(fā)明在單晶錠生長過程期間根據(jù)單晶錠的長度來改變?nèi)垠w間隙，因此，在徑向中的溫度梯度從晶錠生長的初始階段(見圖5(a) )均勻地保持到晶錠生長的中間階段以及以后的階段(見圖5(b) )。因此，可以均勻地保持無缺陷容許范圍，并增加中心部分 的G值和邊纟彖部分的G值二者以4是高4立晶速度。圖6示出了使用銅煙霧方法分析的根據(jù)本發(fā)明的單晶錠生長的 垂直缺陷分布的分析結(jié)果。參照圖6,可以看出無缺陷容許范圍是 通過根據(jù)單晶錠長度的改變?nèi)垠w間隙來保持的，具體地，是在晶錠 生長的中間階段之后，盡管拉晶速度改變?yōu)檫_(dá)到0.02mm/分鐘或更 大，但保持了晶錠生長的初始階段的無缺陷容許范圍，從而改善了 早期出現(xiàn)在單晶錠的邊緣部分的小尺寸空位缺陷，以及如DSOD(直 接表面氧化缺陷)測量結(jié)果所示(見圖6(b)),無缺陷區(qū)分布在整 個(gè)晶片表面上。圖7示出了實(shí)際的實(shí)驗(yàn)實(shí)例，其中，通過根據(jù)生長單晶錠長度 的改變減少熔體間隙來減小熱區(qū)以平滑熱輻射。在該曲線圖中，水 平軸是根據(jù)晶錠生長改變的單晶錠長度，左縱軸是熔體間隙的改變 (減小)量，以及右縱軸是拉晶速度(PS)的增加率。此處，PS 增加率表示增加的PS值相對于之前的PS值的增加程度的百分比。參照圖7,可以看出熔體間隙的減小開始于晶錠生長的初始階 段，以及在中間階段之后拉晶速度的增加率開始顯著增加，以及在 最后階段中進(jìn)一步增加。此處，優(yōu)選地，單晶錠的拉晶速度(V) 凈皮i殳置以滿足以下等式。[等式l]<formula>formula see original document page 11</formula>圖8是示出熱區(qū)通過熔體間隙的減小而減小的水平的無缺陷容 許范圍的改變實(shí)例的曲線圖?？梢钥闯觯S著熔體間隙減d、到12mm 到14mm，在初始點(diǎn)為0.01mm/min的無缺陷容"i午范圍增加到 0.025mm/min或更大，并在其后減小。這示出了隨著才艮據(jù)熔體間隙 水平而改善的單晶錠的邊緣部分的G值的減小，質(zhì)量容許范圍得到 了改善，但是與傳統(tǒng)現(xiàn)象相反，在G值超出臨界值的情況下，邊緣 部分的G值過分增加造成單晶4定中心部分的G值的相對減小。因 此，優(yōu)選地，在圖8中所示的實(shí)例中炫體間隙減'J、到12mm到14mm。 如上所述，本發(fā)明適當(dāng)?shù)乜刂茻釁^(qū)以均勻地控制單晶4定徑向的溫度 梯度，以保證足夠的無缺陷容許范圍并且可以通過單晶錠的整個(gè)G 值的增加來改善拉晶速度。在本發(fā)明中，能夠才艮據(jù)隔熱結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)或形狀來可變地改變熱 區(qū)的控制模式。即，例如，在由隔熱結(jié)構(gòu)圍成的空間相對較窄的情 況下，可以通過將熔體間隙的改變水平設(shè)置得4交對較小來控制熱 區(qū)?？紤]到一般隔熱結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)、形狀或尺寸，如圖7所示，優(yōu)選 地將熔體間隙的減'J、水平i殳置為25mm或更小。并且，可以通過根據(jù)單晶4t的中心部分和邊緣部分的G值以及 △ G水平來緩慢地增加熔體間隙以控制熱區(qū)。圖9是示出根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于制造單晶錠的設(shè)備的 主要構(gòu)造的視圖。參照圖9，制造設(shè)備包括石英坩堝10、蚶堝支架20、石英蚶堝 轉(zhuǎn)動裝置30、加熱裝置40、隔熱裝置50、單晶4t纟是拉裝置60、隔 熱結(jié)構(gòu)IOI，惰性氣體提供裝置(未示出)、以及熱區(qū)控制單元200。 石英坩堝10容納高溫熔化多晶石圭得到的石圭熔體(SM)。坩堝支架 20圍繞石英坩堝10的外周，并在高溫環(huán)境中以始終如一的形狀來 支持石英坩堝10。石英坩堝轉(zhuǎn)換裝置30安裝在坩堝支架20下方，用于轉(zhuǎn)動坩堝支架20和石英坩堝10，并^f吏石英坩堝IO纟爰'I"曼地向上 移動以一致地保持固-液界面的高度。加熱裝置40位于距坩堝支架 20側(cè)壁預(yù)定3巨離處，并加熱石英坩堝10。隔熱裝置50安裝在加熱 裝置40外側(cè)，并防止由加熱裝置40產(chǎn)生的熱量散發(fā)到外界環(huán)境中。 單晶錠提拉裝置60利用在預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)的籽晶從容納在石英坩堝 10中的硅熔體(SM)中提拉出硅單晶錠100。隔熱結(jié)構(gòu)101位于 距硅單晶錠100的外周預(yù)定距離處，并隔離從珪單晶錠100中散發(fā) 出來的熱量。惰性氣體提供裝置(未示出)將惰性氣體(例如，氬 氣)沿硅單晶錠100的外周提供到硅熔體(SM)的上表面。熱區(qū) 控制單元200控制石圭熔體(SM)上的熱區(qū)。熱區(qū)控制單元200控制熱區(qū)，例如，根據(jù)單晶錠的長度隨著單 晶錠生長過程進(jìn)展的變化來增加或減小熱區(qū)。可通過改變隔熱結(jié)構(gòu) 的位置來控制熱區(qū)，但是，本發(fā)明不限于此。盡管圖9中沒有示出， 但熱區(qū)控制單元200包括預(yù)定驅(qū)動工具以及用于通過移動隔熱結(jié)構(gòu) 101來控制驅(qū)動工具以增加或減小熱區(qū)的控制器。在通過改變隔熱結(jié)構(gòu)101的位置來控制熱區(qū)的情況下，熱區(qū)控 制單元200可執(zhí)行驅(qū)動控制以改變硅熔體(SM)表面和隔熱結(jié)構(gòu) 101之間的熔體間隙、或石圭單晶4t的外周和隔熱結(jié)構(gòu)之間的間隔或 它們的纟且合。優(yōu)選地，熱區(qū)控制單元200通過根據(jù)單晶4定的長度隨單晶錠生 長過程進(jìn)展而發(fā)生變化來將隔熱結(jié)構(gòu)101向下移動來減小熔體間 隙。此時(shí)，如圖7所示，考慮到拉晶速度的增長率或無缺陷容許范 圍，熔體間隙優(yōu)選地被控制在25mm或更小的范圍內(nèi)。除熱區(qū)控制單元200以外，根據(jù)本發(fā)明用于制造單晶錠的設(shè)備 具有與使用本領(lǐng)域中已知的Czochralski法制造單晶錠的一般設(shè)備 相同的配置，并省略對相同配置的詳細(xì)描述。本發(fā)明在控制硅熔體上的熱區(qū)以均勻地保持從單晶錠的中心 部分到邊緣部分范圍內(nèi)的徑向溫度梯度，從而基本充分地確保從晶 錠生長的初始階段到晶錠生長的最終階段的無缺陷容許范圍。根據(jù)本發(fā)明，增加根據(jù)單晶錠的長度的整個(gè)G值以改善拉晶速 度，并因此提高生產(chǎn)率，以及消除對隔熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)改變的需要，從 而降低了安裝成本。具體地，本發(fā)明能夠有利地應(yīng)用于12英寸無缺陷石圭單晶《定生 長。即，在以至少300kg或400kg的大分量料批制造的12英寸硅 單晶4定的情況下，要增加容納石圭熔體的坩堝和圍繞坩堝的隔熱結(jié)構(gòu) 的尺寸，并因此顯著地增加了隔熱結(jié)構(gòu)中累積的熱量。另夕卜，硅熔 體的對流受處理期間施加的至少2000G或3000G的強(qiáng)電f茲場的抑 制，從而抑制了散熱，所以降低了單晶錠的邊緣部分的G值。然而， 本發(fā)明可以通過減小熱區(qū)解決上述問題。上文中，參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)4亍了詳細(xì)描述。然 出了詳細(xì)描述和具體實(shí)例，因此通過這些詳細(xì)描述，在本發(fā)明精神 而易見。
權(quán)利要求
1.一種用于制造超低缺陷半導(dǎo)體單晶錠的方法，所述方法使用利用將籽晶浸沒到容納在石英坩堝中的半導(dǎo)體熔體中、并在旋轉(zhuǎn)所述籽晶的同時(shí)緩慢地提拉所述籽晶而通過固-液界面生長半導(dǎo)體單晶錠的Czochralski工藝，其中，通過根據(jù)所述單晶錠的長度隨著所述單晶錠生長過程進(jìn)展的改變來增加或減少所述半導(dǎo)體熔體表面上的熱區(qū)來控制無缺陷容許范圍。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造超低缺陷半導(dǎo)體單晶錠的方 法，其中，通過沖艮據(jù)所述單晶4定的長度來不同地改變遠(yuǎn)離所 述單晶錠外周的隔熱結(jié)構(gòu)的底部和所述半導(dǎo)體熔體的表面之間的熔體間隙來控制所述熱區(qū)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于制造超低缺陷半導(dǎo)體單晶錠的方 法，其中，將所述熔體間隙控制在25mm或更小的范圍內(nèi)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于制造超低缺陷半導(dǎo)體單晶錠的方 法，其中，將所述單晶錠的拉晶速度(V)改變?yōu)闈M足等式V=a+b*L+c* (AGap) (a、 b、 c:常凄t; L:單晶4t的 長度；AGap:熔體間隙的改變量)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造超低缺陷半導(dǎo)體單晶錠的方 法，其中，通過根據(jù)所述單晶錠的長度來不同地改變遠(yuǎn)離所 述單晶錠的外周的隔熱結(jié)構(gòu)和所述單晶4t的外周之間的間隔 來控制所述熱區(qū)。
6. —種用于制造超低缺陷半導(dǎo)體單晶錠的設(shè)備，所述設(shè)備執(zhí)行利 用將籽晶浸沒到容納在石英坩堝中的半導(dǎo)體熔體中、并在旋轉(zhuǎn) 所述籽晶的同時(shí)緩慢地提拉所述籽晶而通過固-液界面生長半 導(dǎo)體單晶錠的Czochralski工藝，所述設(shè)備包括熱區(qū)控制單元，用于通過根據(jù)所述單晶錠的長度隨著所 述單晶錠生長過程進(jìn)展的變化來增加或減小所述半導(dǎo)體熔體 表面上的熱區(qū)來控制無缺陷容許范圍。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于制造超低缺陷半導(dǎo)體單晶錠的設(shè) 備，其中，所述熱區(qū)控制單元通過根據(jù)所述單晶錠的長度不 同地改變遠(yuǎn)離所述單晶4走外周的隔熱結(jié)構(gòu)的底部和所述半導(dǎo) 體熔體表面之間的熔體間隙來控制所述熱區(qū)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于制造超低缺陷半導(dǎo)體單晶錠的設(shè) 備，其中，所述熱區(qū)控制單元將所述熔體間隙控制在25mm 或更小的范圍內(nèi)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于制造超低缺陷半導(dǎo)體單晶錠的設(shè) 備，其中，所述熱區(qū)控制單元通過根據(jù)所述單晶錠的長度不 同地改變遠(yuǎn)離所述單晶錠外周的隔熱結(jié)構(gòu)和所述單晶錠的外 周之間的間隔來控制所述熱區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于制造超低缺陷半導(dǎo)體單晶錠的方法，該方法使用利用將籽晶浸沒在容納在石英坩堝中的半導(dǎo)體熔體中、并在旋轉(zhuǎn)籽晶的同時(shí)將其緩慢地提拉而通過固-液界面生長半導(dǎo)體單晶錠的Czochralski工藝，其中，通過根據(jù)單晶錠的長度隨著單晶錠生長過程進(jìn)展的變化來增加或減少半導(dǎo)體熔體的表面上的熱區(qū)來控制無缺陷容許范圍。
文檔編號C30B29/06GK101403137SQ20081016822
公開日2009年4月8日 申請日期2008年10月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月4日
發(fā)明者李晟永, 李洪雨, 洪寧皓, 申丞鎬, 趙鉉鼎 申請人:斯?fàn)柸鸲鞴?br>