專利名稱：用印刷方式制作電路基板導(dǎo)通孔及線路的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種以印刷(printing)制作電路基板的導(dǎo)通孔及線路的方法，特別是涉及以含不大于微米級(micro-)尺寸粒子的導(dǎo)電膏(conductivepaste)對各通孔及線路開口結(jié)構(gòu)進(jìn)行填塞，并填住介電層上的各該導(dǎo)通孔位置處形成導(dǎo)通孔(via)及線路的集成電路基板的制作過程。
請參閱

圖1A至圖1D所示，為現(xiàn)有技術(shù)于集成電路基板進(jìn)行通孔的制作過程，其步驟包括(a)提供一基材作為集成電路基板10的主體基材，在該集成電路基板10的上、下側(cè)表面分別覆上有上、下金屬層11、12，以作為后續(xù)定義電路布局之用；(b)在集成電路基板10表面預(yù)定位置處定位出通孔位置，以機(jī)械鉆孔等方式打穿，形成復(fù)數(shù)個貫穿該集成電路基板10的通孔13；(c)在上述通孔13的內(nèi)側(cè)表面上鍍上一層完整面銅14，以形成具導(dǎo)通作用的導(dǎo)通孔13a(Plated Through Hole，簡稱PTH)；(d)對集成電路基板10的上、下側(cè)表面的上、下金屬層11、12依所設(shè)計的電路布局態(tài)樣進(jìn)行微影、蝕刻等步驟，以定義出上、下電路層11a、12a；(e)以填充材如絕緣漆等材質(zhì)，對所述各導(dǎo)通孔13a進(jìn)行塞孔，以形成完整的導(dǎo)電栓14結(jié)構(gòu)。最后通常會再以將保護(hù)層(圖中未示)覆蓋于集成電路基板10的上、下電路層11a、12a表面作保護(hù)。
以上所述僅為兩層集成電路基板的一般制作過程，然而多層集成電路基板也只要將各單層電路基板施以定義通孔的上述標(biāo)準(zhǔn)制作過程，疊合各該電路基板后，再重復(fù)通孔及線路制作過程并完成外層保護(hù)覆蓋，即可制成多層復(fù)雜的集成電路基板。
以上所述為現(xiàn)有技術(shù)的集成電路基板10的制作過程，但即使發(fā)展至今，現(xiàn)有技術(shù)的集成電路基板10仍具有可靠度不佳、合格率不高等缺點(diǎn)。究其原因主要是因?yàn)?.現(xiàn)有技術(shù)的金屬層圖案化(pattern)及通孔或盲孔(blind via)的定義都無法避免以濕式電鍍方式(electroplating)進(jìn)行，制作過程相當(dāng)復(fù)雜，且成本不斐。
2.現(xiàn)有技術(shù)是以絕緣漆對導(dǎo)通孔14進(jìn)行塞孔，然而卻容易在各該導(dǎo)電栓15內(nèi)部造成空隙，因此容易會有Popcorn現(xiàn)象產(chǎn)生，造成塞孔困難、填塞不易，因此不僅通孔孔徑大小易受限，且電性連接品質(zhì)也不佳，造成可靠度較差。
3.良好的通孔制作難度頗高，制作過程煩雜，影響合格率，生產(chǎn)時間過長，且機(jī)臺設(shè)備費(fèi)用非常昂貴，成本過高。
由上述說明可知，利用現(xiàn)有制作過程所制造的集成電路的基板具有可靠度不佳、導(dǎo)電栓與通孔銅壁塞孔強(qiáng)度差等缺點(diǎn)，經(jīng)常無法達(dá)到客戶的要求標(biāo)準(zhǔn)，不僅降低市場的競爭力也造成生產(chǎn)成本的浪費(fèi)，所以對于從事基板生產(chǎn)的廠商而言，莫不致力于通孔制作過程的改良，以提高基板的可靠度進(jìn)而達(dá)到增加市場競爭力和降低生產(chǎn)成本的目標(biāo)。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種用印刷方式制作電路基板導(dǎo)通孔及線路的方法，利用含納米級尺寸粒子的導(dǎo)電膏，如日本HAMMA、CHEMICALS的NPseries產(chǎn)品，對各極微小開口結(jié)構(gòu)進(jìn)行塞孔，含通孔、微小盲孔及微細(xì)線路，再施以平坦化，即可完成微細(xì)線路開口及微小盲孔的制作。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種用印刷方式制作電路基板導(dǎo)通孔及線路的方法，以導(dǎo)電膏直接作塞孔動作，制作導(dǎo)通孔，不需再額外設(shè)計通孔的外環(huán)(或稱面環(huán)，capture pad)，大幅提高導(dǎo)電線路的布局密度，相對的基板的品質(zhì)可加以提高。
本發(fā)明提供一種用印刷方式制作電路基板導(dǎo)通孔及線路的方法，其較佳實(shí)施步驟包括(a)提供一已完成前段制作過程電路基板。
(b)在該電路基板的的至少一表面外覆上一介電層。
(c)于所述介電層上定義出若干導(dǎo)通孔(via)及線路開口。
(d)以印刷方式(printing)將含不大于微米級(micro-)尺寸粒子的導(dǎo)電膏(conductive paste)覆上于該介電層的表面，并填住介電層上的各該導(dǎo)通孔開口及線路，以使形成完整的導(dǎo)通孔型態(tài)。其中該導(dǎo)電膏的粒子是不大于微米級尺寸，也包括在納米級(nano-)尺寸以下。
(e)對所述電路基板表面的導(dǎo)電膏進(jìn)行平坦化，以使通孔結(jié)構(gòu)及填住各該導(dǎo)通孔開口的部分導(dǎo)電膏共形成完整的導(dǎo)通孔及線路結(jié)構(gòu)。
最后，再進(jìn)行電路基板增層制作過程(build-up)以制作多層電路基板。最后，再進(jìn)行光阻覆蓋、曝光、顯影、固化等制作過程，于既定位置處電鍍鎳/金層，作為焊墊(pad)。
較佳者，可再重復(fù)制作過程以形成所需的導(dǎo)通孔及微細(xì)線路結(jié)構(gòu)。
較佳者，在定義導(dǎo)通孔開口時，可先覆上離型膜作保護(hù)，待導(dǎo)電膏填充完成后再移除。
(b)在該電路基板100的表面外覆上一介電層102a，為感光介電層(photo-imagible dielectric，簡稱PID)。
(c)于所述介電層102a對應(yīng)于通孔結(jié)構(gòu)101的位置及線路區(qū)域定義出若干導(dǎo)通孔(via)開口103，使用曝光、顯影等熟知技術(shù)，再固化(curing)。
(d)接下所述為本發(fā)明的重點(diǎn)之一，以印刷方式(printing)將含不大于微米級(micro-)尺寸粒子的導(dǎo)電膏(conductive paste)104覆于該介電層102a的表面，并填住介電層102a上的各該導(dǎo)通孔開口103，以使形成完整的導(dǎo)通孔型態(tài)及線路110。其中該導(dǎo)電膏104的粒子是不大于微米級尺寸，也包括在納米級(nano-)尺寸以下者，如日本HARIMA、CHEMICALS的NP series產(chǎn)品，且材質(zhì)是選自下列中至少一種所組成銅膏、銀膏、碳膏以及其它金屬等材質(zhì)。
(e)對所述電路基板100表面的導(dǎo)電膏104進(jìn)行平坦化，以使通孔結(jié)構(gòu)101及填住各該導(dǎo)通孔開口103的部分導(dǎo)電膏104共形成完整的導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)105。其進(jìn)行平坦化方式是包含
(e1)以研磨(grinding)或/和化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)方式或表面平整蝕刻(surface uniform etching process，簡稱SUEP)進(jìn)行，如圖6A所示；(e2)以滾輪裝置150進(jìn)行，該滾輪裝置150可包含滾輪(roller)方式和/或膏吸收器(paste absorber)方式，如圖6B所示；(e3)以溶劑噴射清洗(solvent spray cleaning)160方式進(jìn)行，該溶劑是使用Bufylcellulose或醚醇類溶劑，其是可同時加上高速旋轉(zhuǎn)(spin)該電路基板100的動作進(jìn)行，如圖6C所示。
(f)在所述導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)105暨介電層102a外再覆上一絕緣的介電層102b，同樣可為感光介電層(PID)，與前述介電層102a屬同一材質(zhì)，共合成一新介電層102。
(g)于所述介電層102b對應(yīng)于導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)105的位置上再定義出若干開口(圖中未標(biāo)示)，使用曝光、顯影等熟知技術(shù)，再固化(curing)。
(h)以印刷方式將含不大于微米級(micro-)尺寸粒子的導(dǎo)電膏106覆上于該介電層102的表面，并填住介電層102b上的各該開口，以使形成完整的導(dǎo)通孔型態(tài)。其中該導(dǎo)電膏106的粒子是不大于微米級尺寸，也包括在納米級(nano-)尺寸以下者，如日本HARIMA、CHEMICALS的NP series產(chǎn)品，且材質(zhì)是選自下列中至少一種所組成銅膏、銀膏、碳膏以及其它金屬等材質(zhì)。
(i)對所述電路基板100最外表面的導(dǎo)電膏106進(jìn)行平坦化，以使通孔結(jié)構(gòu)105及填住各該開口的部分導(dǎo)電膏106再共形成完整的導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)107。其進(jìn)行平坦化方式如以研磨(grinding)和/或化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)等方式進(jìn)行。
(j)然而，如同一般電路基板制作過程，再進(jìn)行電路基板增層制作過程(build-up)以制作多層電路基板。最后，再進(jìn)行光阻覆蓋、曝光、顯影、固化等制作過程，于既定位置處電鍍鎳/金層，作為焊墊(pad)，此為一般熟知制作過程非本發(fā)明重點(diǎn)所在，不再贅述，也不再以附圖表示。
第二實(shí)施例請參閱圖11至19是本發(fā)明第二實(shí)施例以印刷制作電路基板方法制作過程示意圖，其步驟包括(a)提供一單位電路基板(unit substrate)200，其材質(zhì)與性質(zhì)都與第一實(shí)施例所提相同，不再贅述。在該電路基板200的預(yù)定位置處，以機(jī)械鉆孔等方式形成若干貫穿電路基板的通孔，再施以塞孔步驟填充導(dǎo)電質(zhì)完成通孔結(jié)構(gòu)201。
(b)在該電路基板200的表面外覆上一介電層202a，為激光質(zhì)的介電層(laserable dielectric)；以及一離型膜(release film)250作保護(hù)。
(c)以激光燒蝕(laser ablation)方式于所述介電層202a對應(yīng)于通孔結(jié)構(gòu)201的位置上定義出若干導(dǎo)通孔(via)開口203及線路區(qū)域。
(d)如同前述實(shí)施例，以印刷方式(printing)將含不大于微米級(micro-)尺寸粒子的導(dǎo)電膏(conductive paste)204覆上于該介電層202a的表面，并填住介電層202a上的各該導(dǎo)通孔開口203，以使形成完整的導(dǎo)通孔型態(tài)及線路210。其中該導(dǎo)電膏204的粒子是不大于微米級尺寸，也包括在納米級(nano-)尺寸以下者，如日本HARIMA、CHEMICALS的NP series產(chǎn)品，且材質(zhì)是選自下列中至少一種所組成銅膏、銀膏，碳膏以及其它金屬等材質(zhì)。
(e)移除該離型膜250，使所述電路基板200表面的導(dǎo)電膏204平坦化，以使通孔結(jié)構(gòu)201及填住各該導(dǎo)通孔開口203的部分導(dǎo)電膏204共形成完整的導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)205。
(f)在所述導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)205暨介電層202a外再覆上一絕緣的介電層202b，同樣為激光質(zhì)的介電層(laserable dielectric)，與前述介電層202a屬同一材質(zhì)，共合成一新介電層202。
(g)覆上一離型膜260作保護(hù)，于所述離型膜260暨介電層202b對應(yīng)于導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)205的位置上再定義出若干開口(圖中未標(biāo)示)，其也以激光燒蝕進(jìn)行的。
(h)以印刷方式將含不大于微米級(micro-)尺寸粒子的導(dǎo)電膏206覆上于該介電層202的表面，并填住介電層202b上的各該開口，以使形成完整的導(dǎo)通孔型態(tài)。其中該導(dǎo)電膏206的粒子是不大于微米級尺寸，也包括在納米級(nano-)尺寸以下者，如日本HARIMA、CHEMICALS的NP series產(chǎn)品，且材質(zhì)是選自下列中至少一種所組成銅膏、銀膏、碳膏以及其它金屬等材質(zhì)。
(i)移除離型膜260。
(j)可再進(jìn)行電路基板增層制作過程以制作多層電路基板。最后，再進(jìn)行光阻覆蓋、曝光、顯影、固化等制作過程，于既定位置處電鍍鎳/金層，作為焊墊(pad)等與上述實(shí)施例相同的制作過程。
為對應(yīng)實(shí)際應(yīng)用上的多層集成電路基板的需求，本實(shí)施例同樣可應(yīng)用于增層法制作過程(build-up process)，以形成廣泛應(yīng)用的多層集成電路基板。
由于本實(shí)施例是以離型膜作保護(hù)，因此當(dāng)離型膜移除時，可同時省去后續(xù)表面處理的步驟。
第三實(shí)施例請參閱圖20至圖29是本發(fā)明第三實(shí)施例以印刷制作電路基板方法制作過程示意圖，其步驟包括(a)提供一單位電路基板300，在該電路基板300的預(yù)定位置處，以機(jī)械鉆孔等方式形成若干貫穿電路基板的通孔，再施以塞孔步驟填充導(dǎo)電質(zhì)完成通孔結(jié)構(gòu)301。
(b)在該電路基板300的表面外覆上一介電膜(dielectric film)302a。
(c)在該介電膜302a外覆上一金屬屏蔽圖案350，以激光燒蝕(laserablation)方式于所述介電膜302a對應(yīng)于通孔結(jié)構(gòu)301的位置上及線路區(qū)定義出若干導(dǎo)通孔(via)開口303。之后移除該金屬屏蔽圖案350。然而也可不需金屬屏蔽圖案350輔助，直接進(jìn)行激光燒蝕，圖21中僅以一面制作過程示意，另一面為相同制作過程。
(d)以印刷方式(printing)將含不大于微米級(micro-)尺寸粒子的導(dǎo)電膏(conductive paste)304覆上于該介電膜302a的表面，并填住介電膜302a上的各該導(dǎo)通孔開口303，以便形成完整的導(dǎo)通孔型態(tài)及線路310。其中該導(dǎo)電膏304的粒子是不大于微米級尺寸，也包括在納米級(nano-)尺寸以下者，如日本HARIMA、CHEMICALS的NP series產(chǎn)品，且材質(zhì)是選自下列中至少一種所組成銅膏、銀膏、碳膏以及其它金屬等材質(zhì)。
(e)對所述電路基板300表面的導(dǎo)電膏304進(jìn)行平坦化，使通孔結(jié)構(gòu)301及填住各該導(dǎo)通孔開口303的部分導(dǎo)電膏304共形成完整的導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)305。其進(jìn)行平坦化方式是包含研磨(grinding)暨化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)方式或表面平整蝕刻(SUEP)；滾輪裝置進(jìn)行，包含滾輪(roller)方式和/或膏吸收器(paste absorber)方式；溶劑噴射清洗(solvent spray cleaning)方式，可同時加上高速旋轉(zhuǎn)該電路基板300的動作進(jìn)行。之后再進(jìn)行固化及表面處理等步驟，表面處理包括電漿蝕刻(plasma etching)及研磨(grinding)等。
(f)在所述導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)305暨介電膜302a外再覆上一絕緣的介電膜302b，與前述介電膜302a屬同一材質(zhì)，共形成一新介電膜302。
(g)于所述介電膜302b對應(yīng)于導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)305的位置上再定義出若干開口(圖中未標(biāo)示)，其也以激光燒蝕進(jìn)行的。
(h)以印刷方式將含不大于微米級(micro-)尺寸粒子的導(dǎo)電膏306覆上于該介電膜302的表面，并填住介電膜302b上的各該開口，以使形成完整的導(dǎo)通孔型態(tài)。其中該導(dǎo)電膏306的粒子是不大于微米級尺寸，也包括在納米級(nano-)尺寸以下者，如日本HARIMA、CHEMICALS的NP series產(chǎn)品，且材質(zhì)是選自下列中至少一種所組成銅膏、銀膏、碳膏以及其它金屬等材質(zhì)。
(i)對所述電路基板300最外表面的導(dǎo)電膏306進(jìn)行平坦化，以使通孔結(jié)構(gòu)305及填住各該開口的部分導(dǎo)電膏306再共形成完整的導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)307。其進(jìn)行平坦化方式如以研磨暨化學(xué)機(jī)械研磨方式或表面平整蝕刻；滾輪裝置進(jìn)行，包含滾輪方式和/或膏吸收器方式；溶劑清洗方式，可同時加上高速旋轉(zhuǎn)該電路基板300的動作等方式進(jìn)行。
第四實(shí)施例請參閱圖30至圖40是本發(fā)明第四實(shí)施例以印刷制作電路基板方法制作過程示意圖，其步驟包括(a)在一單位電路基板400的預(yù)定位置處，以機(jī)械鉆孔等方式形成若干貫穿電路基板的通孔，再施以塞孔步驟填充導(dǎo)電質(zhì)完成通孔結(jié)構(gòu)401。
(b)在該電路基板400的表面外覆上一介電膜(dielectric film)402a及離型膜450a。
(c)在該離型膜450a外覆上一金屬屏蔽圖案460，以激光燒蝕(laserablation)方式于所述介電膜402a暨離型膜450a對應(yīng)于通孔結(jié)構(gòu)401的位置及線路區(qū)上定義出若干導(dǎo)通孔(via)開口403。之后移除該金屬屏蔽圖案450。然而也可不需金屬屏蔽圖案450輔助，直接進(jìn)行激光燒蝕。
(d)以印刷方式(printing)將含不大于微米級(micro-)尺寸粒子的導(dǎo)電膏(conductive paste)404覆上于該介電膜402a暨離型膜450a的表面，并填住各該導(dǎo)通孔開口403，以使形成完整的導(dǎo)通孔型態(tài)及線路410。其中該導(dǎo)電膏404的粒子是不大于微米級尺寸，也包括在納米級(nano-)尺寸以下者，如日本HARIMA、CHEMICALS的NP series產(chǎn)品，且材質(zhì)是選自下列中至少一種所組成銅膏、銀膏、碳膏以及其它金屬等材質(zhì)。
(e)移除該離型膜450a，使該電路基板400表面的導(dǎo)電膏404平坦化，使通孔結(jié)構(gòu)401及填住各該導(dǎo)通孔開口403的部分導(dǎo)電膏404共形成完整的導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)405。
(f)在所述導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)405暨介電膜402a外再覆上一絕緣的介電膜402b及離型膜450b，介電膜402b與前述介電膜402a屬同一材質(zhì)，共形成一新介電膜402。
(g)于所述介電膜402b暨離型膜450b對應(yīng)于導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)405的位置及線路區(qū)上再定義出若干開口(圖中未標(biāo)示)，其也以激光燒蝕進(jìn)行的。
(h)以印刷方式將含不大于微米級(micro-)尺寸粒子的導(dǎo)電膏406覆上于該介電膜402的表面，并填住介電膜402b暨離型膜450b上的各該開口，以便形成完整的導(dǎo)通孔型態(tài)。其中該導(dǎo)電膏406的粒子是不大于微米級尺寸，也包括在納米級(nano-)尺寸以下者，如日本HARIMA、CHEMICALS的NP series產(chǎn)品，且材質(zhì)是選自下列中至少一種所組成銅膏、銀膏、碳膏以及其它金屬等材質(zhì)。
(i)移除該離型膜450b，使該電路基板400表面的導(dǎo)電膏406平坦化，使通孔結(jié)構(gòu)405及填住各開口的部分導(dǎo)電膏406共形成完整的導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)405再共形成完整的導(dǎo)通孔結(jié)構(gòu)407。
如同上述實(shí)施例，可再進(jìn)行電路基板增層制作過程以制作多層電路基板。最后，再進(jìn)行光阻覆蓋、曝光、顯影、固化等制作過程，于既定位置處電鍍鎳/金層，作為焊墊(pad)等與上述實(shí)施例相同的制作過程。
當(dāng)然本實(shí)施例也可應(yīng)用于的另一態(tài)樣一增層法制作過程(build-upprocess)。如圖40所示，在一核心的電路基板400上下層疊上若干介電層402，以形成一多層電路基板形式，以印刷方式(printing)將含不大于微米級(micro-)尺寸粒子的導(dǎo)電膏(conductive paste)覆上該介電膜，并填住各開口，而形成若干電路層410、盲孔(blind via)或不等程度貫穿基板的導(dǎo)通孔(PTH)407等。圖中僅以上下兩層介電層402表示，當(dāng)然，視實(shí)務(wù)所需，以增層法制作過程可制作出更多層介電層的多層電路基板形式。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)的最大不同處，是以印刷方式(printing)將含不大于微米級(micro-)尺寸粒子甚至納米級(nano-)的導(dǎo)電膏(conductive paste)進(jìn)行填塞，再以離型膜及金屬屏蔽圖案等輔助進(jìn)行塞孔，完整填實(shí)形成各該通孔，而舍棄一般以綠漆(solder mask)等填充材進(jìn)行塞孔制作過程，可對各極微小開口結(jié)構(gòu)進(jìn)行塞孔，含通孔、微小盲孔及微細(xì)線路，再施以平坦化，即可完成微細(xì)線路開口及微小盲孔的制作，且同時具備優(yōu)良品質(zhì)的電路基板。
另外，本發(fā)明不需再額外設(shè)計通孔的外環(huán)(或稱面環(huán)，capture pad)，也不需昂貴的設(shè)備機(jī)臺，大幅提高導(dǎo)電線路的布局密度，相對的基板的品質(zhì)可更加提高。另外，不僅制制作過程簡易方便，應(yīng)用范圍廣，適合于各種尺寸的集成電路構(gòu)成，完全克服常用技術(shù)的種種缺點(diǎn)。
權(quán)利要求
1.一種用印刷方式制作電路基板導(dǎo)通孔及線路的方法，其特征在于，其步驟包括(a)提供一已完成前段制作過程的電路基板；(b)在該電路基板的至少一表面外覆上一介電層；(c)圖案化該介電層以定義出導(dǎo)通孔及線路開口；(d)以印刷方式將含不大于微米級(micro-)尺寸粒子的導(dǎo)電膏(conductive paste)覆蓋于該介電層的表面，并填住介電層上的各該導(dǎo)通孔及線路開口，以形成完整的導(dǎo)通孔及線路結(jié)構(gòu)；(e)對所述電路基板表面的導(dǎo)電膏進(jìn)行平坦化。
2.如權(quán)利要求1所述用印刷方式制作電路基板導(dǎo)通孔及線路的方法，其特征在于，步驟(e)之后，還可包括一步驟(f)對所述電路基板表面的導(dǎo)電膏再進(jìn)行固化及表面處理(surface treatment)步驟。
3.如權(quán)利要求2所述用印刷方式制作電路基板導(dǎo)通孔及線路的方法，其特征在于，所述的表面處理步驟包括電漿蝕刻(plasma etching)及研磨(grinding)。
4.如權(quán)利要求1所述用印刷方式制作電路基板導(dǎo)通孔及線路的方法，其特征在于，所述的平坦化是以下列至少其中之一方式進(jìn)行研磨(grinding)、化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)、表面平整蝕刻(SUEP)、滾輪(roller swiping)、膏吸收器(paste absorber)及溶劑噴射清洗(solvent spray cleaning)。
5.如權(quán)利要求4所述用印刷方式制作電路基板導(dǎo)通孔及線路的方法，其特征在于，所述的溶劑噴射清洗方式是可同時加上高速旋轉(zhuǎn)該電路基板的動作進(jìn)行。
6.如權(quán)利要求1所述用印刷方式制作電路基板導(dǎo)通孔及線路的方法，其特征在于，所述的微米級尺寸以下粒子的導(dǎo)電膏可為在納米級(nano-)尺寸以下。
7.如權(quán)利要求1所述用印刷方式制作電路基板導(dǎo)通孔及線路的方法，其特征在于，所述的圖案化是以激光燒蝕方式(laser ablation)進(jìn)行。
8.如權(quán)利要求7所述用印刷方式制作電路基板導(dǎo)通孔及線路的方法，其特征在于，所述步驟(c)之前可先覆上一層金屬屏蔽圖案于該介電層表面，再進(jìn)行所述激光燒蝕。
9.如權(quán)利要求7所述用印刷方式制作電路基板導(dǎo)通孔及線路的方法，其特征在于，所述步驟(c)之前可先鋪上一離型膜(release film)于該電路基板的表面作保護(hù)，再進(jìn)行所述激光燒蝕定義出所述導(dǎo)通孔及線路開口，于各開口填塞完成之后再移除該離型膜。
10.如權(quán)利要求9所述以印刷制作電路基板方法，其特征在于，于鋪上該離型膜之后、進(jìn)行步驟(c)之前可再覆上一層金屬屏蔽圖案于該離型膜表面，再進(jìn)行所述激光燒蝕。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用印刷方式制作電路基板導(dǎo)通孔及線路的方法，其步驟包括提供一已完成前段制作過程的電路基板；在該電路基板的至少一表面外覆上一介電層；于所述介電層上定義出若干導(dǎo)通孔及線路開口；以印刷方式將含不大于微米級(micro－)尺寸粒子的導(dǎo)電膏(conductive paste)覆蓋于該介電層的表面，并填住介電層上的各該導(dǎo)通孔及線路開口，以形成完整的導(dǎo)通孔及線路結(jié)構(gòu)。最后對所述電路基板表面的導(dǎo)電膏進(jìn)行平坦化，以使通孔結(jié)構(gòu)及填住各該導(dǎo)通孔及線路開口的部分導(dǎo)電膏共形成完整的導(dǎo)通線路結(jié)構(gòu)。
文檔編號H05K3/46GK1464767SQ0212471
公開日2003年12月31日 申請日期2002年6月24日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月24日
發(fā)明者宮振越 申請人:威盛電子股份有限公司