專利名稱：含稀土離子的氟硼酸鹽、晶體及晶體的生長方法和用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電子功能技術(shù)領(lǐng)域中的人工晶體和晶體生長領(lǐng)域，特別涉及一種含稀 土離子的氟硼酸鹽、晶體及晶體的生長方法和用途。
背景技術(shù)：
隨著激光技術(shù)的發(fā)展，在實際應(yīng)用中對不同波長的激光都有需求。而倍頻就是激光 技術(shù)中經(jīng)常應(yīng)甩到的一種改變激光束輸出波長的—友法。它通常采用一塊專門的非線性光 學(xué)晶體，置于激光束前面來改變激光束輸出波長。目前應(yīng)用于藍(lán)綠光波段的非線性光學(xué) 晶體材料主要有KTP(KTiOP04), BBO(BaB204)和LBO(LiB30s)晶體等。
此外，長期以來人們希望獲得具有復(fù)合功能的晶體材料，能夠把激光性能和倍頻性 能復(fù)合在一起即自倍頻激光晶體，以減小損耗，提高激光器的工作效率，所以說自倍頻 激光晶體是制造緊湊的高效的微小型激光器的理想材料。20世紀(jì)60年代，美國BELL 實驗室Johnson等人在LiNb03晶體中摻入激活離子Tm3+，成功生長出Tm3+: LiNb03晶 體，首次實現(xiàn)了自倍頻激光運(yùn)轉(zhuǎn)，從而揭開了激光自倍頻晶體研究的序幕。目前應(yīng)用的 激光自倍頻晶體主要是摻Nd"和Yb3+的ReAl3(B03)4和ReCa40(B03)3(Re為Gd和Y)系 列，但由于熔劑揮發(fā)等一系列問題，存在著生長困難和晶體質(zhì)量等問題。
目前，氟硼酸鹽的非線性光學(xué)晶體主要有CBF(Ca5(B03)3F), KBBF (MBe2B03F2, M為Li， Na， K,Rb， Cs)系列，BCBF (BaCaB03F)禾卩BABF(BaAlB03F2)。迄今為 止，含稀土的氟硼酸鹽(CakRex)5(B03)3F^05x((KxO.2)以及其作為非線性光學(xué)晶體的應(yīng) 用還未見報道。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種含稀土的氟硼酸鹽；其化學(xué)式為 (Ca,-xRex)5(B03)3FL5x05x，其中0<x<0.2， Re"為Sc3+、 Y3+、稀土離子或激光激活稀土離子；所述稀土離子為La3+、 Ce3+、 Pr3+、 Nd3+、 Sm3+,Eu3+、 Gd3+、 Tb3+、 Dy3+、 Ho3+、 Er3+、 Tm3+、 Yb3+、 Li^+或所述稀土離子的混合；所述激光激活稀土離子為Nd3+、 Pr3+、 Sm3+、 Eu3+、 Dy3+、 Ho3+、 Er3+、 Tm3M Yb3+。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種含稀土的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體；其化學(xué)式
為(CauxRex)5(B03)3F!.5x05x，其中(Kx0.2, Re3+為Sc3+、 Y3+、稀土離子或激光激活稀 土離子；所述稀土離子為La3+、 Ce3+、 Pr3+、 Nd3+、 Sm3+, Eu3+、 Gd3+、 Tb3+、 Dy3+、 Ho3+、 Er3+、 Tm3+、 Yb3+、 Li^+或所述稀土離子的混合；所述激光激活稀土離子為Nd3+、 Pr3+、 Sm3+、 Eu3+、 Dy3+、 Ho3+、 Er3+、 Tm3^ Yb3+;該氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體具有 非線性光學(xué)效應(yīng)或具有可產(chǎn)生自倍頻激光的激光與非線性復(fù)合光學(xué)效應(yīng)；可用于制作非 線性光學(xué)器件，并可用于產(chǎn)生藍(lán)綠色波段的激光輸出。
本發(fā)明的再一目的是提供一種含稀土的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體的生長方法，該方
法可以較容易生長高質(zhì)量、較大尺寸的(Ca!-xRex)5(B03)3Fwx05x晶體。
本發(fā)明還有一個目的就是提供一種氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體的用途，該氟硼酸鹽非 線性光學(xué)晶體具有非線性光學(xué)效應(yīng)或具有可產(chǎn)生自倍頻激光的激光與非線性復(fù)合光學(xué)效 應(yīng)；可用于制作非線性光學(xué)器件，并可用于產(chǎn)生藍(lán)綠色波段的激光輸出。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下
本發(fā)明提供的含稀土離子的氟硼酸鹽化合物，其化學(xué)式為
(Ca!-xRex)5(B03)3Fwx05x，其中0<x<0.2， Re"為Sc3+、 丫3+或稀土離子； 所述稀土離子為La3+、 Ce3+、 Pr3+、 Nd3+、 Sm3+,Eu3+、 Gd3+、 Tb3+、 Dy3+、 Ho3+、 Er3+、 Tm3+、 Yb3+、 iV+或所述稀土離子的混合；
本發(fā)明提供的含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體，該含稀土離子的氟硼酸鹽非 線性光學(xué)晶體屬于單斜晶系，空間群為Cm，具有非線性光學(xué)效應(yīng)或具有非線性光學(xué)效應(yīng) 和可產(chǎn)生自倍頻激光的激光的復(fù)合光學(xué)效應(yīng)；該含稀土離子的氟硼酸鹽晶體的化學(xué)式為
(Cai.xRex)5(B03)3FN5x05x，其中0<x<0.2， Re3+》Sc3+、 丫3+或稀土離子；
所述稀土離子為La3+、 Ce3+、 Pr3+、 Nd3+、 Sm3+,Eu3+、 Gd3+、 Tb3+、 Dy3+、 Ho3+、 Er3+、 Tm3+、 Yb3+、 1^3+或所述稀土離子的混合。本發(fā)明提供的含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體的生長方法，采用助熔劑方法 生長，其步驟如下
1) 將含稀土離子的氟硼酸鹽化合物與助熔劑按比例混合后置入坩堝中，10-3(TC/小 時的升溫速率將其加熱到950-1050°C，恒溫10-40小時，再冷卻到飽和點(diǎn)溫度以上5-10°C， 得到含稀土離子的氟硼酸鹽和助熔劑的混合熔體；
2) 將裝在籽晶桿上的籽晶引入上述步驟l)的混合熔體表面或混合熔體之中，以 0-50rpm的速率旋轉(zhuǎn)籽晶桿，降溫至飽和點(diǎn)溫度，然后以0.2-1 GC/天的速率降溫，待 單晶生長到所需尺寸后，使該晶體脫離熔體表面，并以不大100'C/h的降溫速率退火 至室溫，制得本發(fā)明的含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體；
所述助熔劑為B203-Li20-CaF2-LiF;
所述含稀土離子的氟硼酸鹽化合物與助熔劑各組分之間的摩爾配比為
(Ca卜xRex)5(B03)3F卜5x05x: B203: Li20: CaF2: LiF=l: 0.5-1: 0-2: 0-1:
6-10;
所制得的含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體的化學(xué)式為
(CaLxRex)5(B03)3Fwx05x，其中0<x<0.2, Re"為Sc3+、 丫3+或稀土離子；
所述稀土離子為La3+、 Ce3+、 Pr3+、 Nd3+、 Sm3+, Eu3+、 Gd3+、 Tb3+、 Dy3+、 Ho3+、
Er3+、 Tm3+、 Yb3+、 Lu"或所述稀土離子的混合。
所述含稀土離子的氟硼酸鹽化合物由含Ca離子、稀土離子、B離子和F離子的氧化
物、碳酸鹽、鹵化物、硝酸鹽、草酸鹽或硼酸鹽。
本發(fā)明提供的含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體的用途，在于，將該含 稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體用于非線性光學(xué)器件，該非線性光學(xué)器件包含將至 少一束入射電磁波通過至少一塊該含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體后產(chǎn)生至少一 束頻率不同于入射電磁波。
將該含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體用于激光非線性光學(xué)復(fù)合器件，置于光 學(xué)諧振腔內(nèi)，經(jīng)光泵浦作用，產(chǎn)生基頻光和至少一束頻率不同于基頻光的激光輸出。 所述含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體用于產(chǎn)生406nm藍(lán)光和532nm綠光輸出
的激光器。
6以含Ca的化合物為CaC03，含硼的氧化物用H3B03替代，含氟化合物為CaF2時為 例，具體的化學(xué)反應(yīng)方程式如下
(9-5x)CaC03+5xRe203+6H3B03+(l-5x)CaF2—2(Ca!-xRex)5(B03)3FL5xOsx+(9-5x)C02+9 H20， x取值為0-0.2， Re203的量根據(jù)需要加入。
本方法的含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體的透過光譜，吸收譜，熒光光譜和 熒光壽命等分析測試表明，該晶體在808nm附近有強(qiáng)的吸收帶，非常適合采用AlGaAs 激光二極管泵浦；通過自倍頻可獲得404nm左右的藍(lán)光；此外當(dāng)激光輸出波長為1064nrn， 同樣也可以通過自倍頻獲得532nm的綠光；用該晶體制成的激光器可用于光譜學(xué)、生物 醫(yī)學(xué)及軍事等諸多領(lǐng)域。


附圖l為本發(fā)明的含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體用途的一個實例，即用于 產(chǎn)生倍頻或自倍頻激光輸出的示意激光器1 第一反射鏡2 第二反射鏡3
半波片4 第一透鏡組5 第一透鏡組6
非線性光學(xué)晶體7 色散棱鏡8
具體實施例方式
實施例1:制備粉末狀(Cao.84SC(U6)5(B03)3F().20().8化合物。
將15.88gCaC03， 2.21gSc203， 7.42gH3B03和0.31gCaF2混合均勻后，裝入040 X40mm開口的鉑金坩堝中，把坩堝放入馬弗爐(加熱電爐)內(nèi)，1100oC恒溫48小時使
之燒結(jié)，研磨后得到(Cao.84SC(U6)5(B03)3Fo.20o.8化合物。
實施例2:制備粉末狀(Cao.98Ndo.02)5(B03)3Fo.90ai化合物。
將17.81gCaC03， 0.67gNd2O3， 7.42gH3B03和1.41gCaF2混合均勻后，裝入040 X40開口的鉑金坩堝中，把坩堝放入馬弗爐(加熱電爐)內(nèi)，105(^C恒溫72小時使之 燒結(jié)，研磨后得到(Ca固N(yùn)do.o2)5(B03)3Fo.90(u化合物粉末，化合物
(Cao.98Nd,)5(B03)3Fo.90(H具有發(fā)光性能。實施例3:采用B203-Li20-CaF2-LiF助熔劑泡生法生長(Cao.96Yo.o4)5(B03)3Fo.80().2晶體。
將72.24gCaO， 65.14gH3B03, 17.57gCaF2, 22.87gLi2C03, 110.25gLiF14.75gY2O3， 混合研磨均勻，在馬弗爐中100()Oc下熔化于cI)60X60rmn鉑金塒堝中，將塒堝放入晶體 生長爐(自制的電阻絲加熱爐)中，快速升溫到1000GC，攪拌1天，快速降溫到800GC， 引入籽晶，使籽晶在熔體液面以下0.5cm，籽晶桿旋轉(zhuǎn)速率為30rpm，以每天0.5QC的速 率降溫(控溫設(shè)備為A1-708P可編程自動控溫儀)，生長2周，待晶體生長結(jié)束后，將晶 體提離熔體表面，以每小時4()GC的速率退火降溫至室溫，獲得(Ca,Y謹(jǐn))5(B03)3Fo.800.2 單晶，該晶體具有非線性光學(xué)效應(yīng)。
實施例4:采用B203-Li20-CaF2-LiF助熔劑提拉法生長(Cao.96Ndo.o4)5(B03)3Fo.80(u自 倍頻晶體。
將129.11gCaC03, 44.22gB203, 35.08gCaF2, 11.41g Li2C03 ， 121.54gLiF和 21.97gNd203，混合研磨均勻，在馬弗爐中100()Gc下熔化于O70X70inm柏金坩堝中， 將坩堝放入晶體生長爐中，快速升溫到1000GC，攪拌2天，快速降溫到805QC，引入籽 晶，使籽晶接觸在熔體表面，籽晶桿旋轉(zhuǎn)速率為30rpm，提拉速度為lmm/h,以每天0.2QC 的速率降溫，生長l-2周，待晶體生長結(jié)束后，將晶體提離熔體表面，以每小時4(^C的 速率退火降溫至室溫，獲得(Cao.96Ndo.o4)5(B03)3F(n0().2單晶。該晶體是激光自倍頻晶體， 可以用作激光非線性復(fù)合功能材料。
實施例5:采用B2OrLi20-CaF2-LiF助熔劑，泡生法生長(Cao.92Yb謹(jǐn)MB03)3Fo.600.4 自倍頻晶體。
將158.74gCaC204, 47.39gB203, 35.08gCaF2, 12.43g Li2C03 ， 108.01gLiF和 51.48gYb203，混合研磨均勻，在馬弗爐中1000 0C下熔化于O70X70mm鉬金坩堝中， 將坩堝放入晶體生長爐(自制的電阻絲加熱爐)中，快速升溫到100()GC，攪拌2天，快 速降溫到803GC，引入籽晶，使籽晶在熔體液面以下0.5cm，籽晶桿旋轉(zhuǎn)速率為30rpm， 以每天0.3GC的速率降溫(控溫設(shè)備為A1-708P可編程自動控溫儀)，生長2周，待晶體 生長結(jié)束后，將晶體提離熔體表面，以每小時30 oC的速率退火降溫至室溫，獲得 (Cao.92Ybo.08)5(B03)3F().60().4單晶。該晶體是激光自倍頻晶體，可以用作激光非線性復(fù)合功 能材料。實施例6:采用B203-Li20 -LiF助熔劑，泡生法生長(Cao.98Tm嫌)5(B03)3Fo.90(u自倍 頻晶體。
將132.11gCaC03, 80.58gH3BO3， 11.08gLi2CO3, 90.24gLiF和23.18gTm(N03)3, 混合研磨均勻，在馬弗爐中105()GC下熔化于①60X50mm鉑金坩堝中，將坩堝放入晶體 生長爐(自制的電阻絲加熱爐)中，快速升溫到100(^C，攪拌l天，快速降溫到795GC， 引入籽晶，使籽晶在熔體液面以下0.5cm，籽晶桿旋轉(zhuǎn)速率為30rpm，以每天0.5QC的速 率降溫(控溫設(shè)備為A1-708P可編程自動控溫儀)，生長2周，待晶體生長結(jié)束后，將晶 體提離熔體表面，以每小時30。C的速率退火降溫至室溫，獲得(Ca固Tm。.。2)5(B03)3Fo.90(H 單晶，該晶體是激光自倍頻晶體，可以用作激光非線性復(fù)合功能材料。
實施例7:頂部籽晶法生長(Cao.9Gd(uMB03)3Fo.50o.5倍頻晶體。
將170.1gCaCO3，100.24gH3BO3 17.56gCaF2， 18.56g Li2C03， 120.41gLiF和 24.35gGd203，混合均勻后，裝入①70X70mm開口的鉑金坩堝中，將坩堝放入晶體生長 爐中，快速升溫到1040QC，攪拌1天，快速降溫到810GC，引入籽晶，使籽晶在熔體表 面剛好接觸，籽晶桿旋轉(zhuǎn)速率為30rpm，提拉速度為lmm/h,以每天0.3QC的速率降溫， 生長l-2周，待晶體生長結(jié)束后，將晶體提離熔體表面，以每小時40^的速率退火降溫
至室溫，獲得(Cao.9Gd(U)5(B03)3Fo.50().5倍頻晶體。
實施例8:泡生法生長(Cao.96Ybo.02Er().()2)5(B03)3Fc).80().2雙摻的激光自倍頻晶體。
將129.1 lgCaC03, 65.14gH3B03， 17.57gCaF2, 22.87gLi2C03, 110.25gLiF， 12.49gEr20"B 12.87gYb203，混合研磨均勻，在馬弗爐中10000C下熔化于O60X60mm 鉑金坩堝中，將坩堝放入晶體生長爐中，快速升溫到100(^C，攪拌1天，快速降溫到 794QC，引入籽晶，使籽晶在熔體液面以下0.5cm，籽晶桿旋轉(zhuǎn)速率為30rpm，以每天0.5QC 的速率降溫，生長2周，待晶體生長結(jié)束后，將晶體提離熔體表面，以每小時4(^C的
速率退火降溫至室溫，獲得(Cao.96YbQ.Q2Ero.。2)5(B03)3F。.80().2雙摻的激光自倍頻晶體。
實施例9:頂部籽晶提拉法生長(Cao.96Euo.o2Er,)5(B03)3Fo.80(j.2雙摻的激光自倍頻晶體。 將129.11gCaC03， 65.14gH3B03， 17.57gCaF2, 22.87gLi2C03, 110.25gLiF， 11.57gEu203和12.49gEr203，混合研磨均勻，在馬弗爐中1000QC下熔化于O60X60mm鉑金坩堝中，將坩堝放入晶體生長爐中，快速升溫到ioooGc，攪拌1天，快速降溫到
800QC,引入籽晶，使籽晶在熔體表面剛好接觸，籽晶桿旋轉(zhuǎn)速率為30rpm，提拉速度為 lmm/h,以每天0.3GC的速率降溫，生長l-2周，待晶體生長結(jié)束后，將晶體提離熔體表
面，以每小時40^的速率退火降溫至室溫，獲得(Cao.96Eu證Ero.o2)5(B03)3FG.80o,2雙摻的
激光自倍頻晶體。
實施例10:用(Ca,La,)5(B03)3Fo.80(j.2晶體制成產(chǎn)生綠光輸出的倍頻器件
將實施例3生長出的(Cao.96Yo.04)5(B03)3Fo.A).2晶體制作成倍頻器件，按附圖1所示
安裝在7的位置，在室溫下，用調(diào)QNd: YAG激光器作為光源，入射波長為1064nm的 紅外光，輸出波長為532nm的綠色激光。圖1中，1為激光器， 2為第
一反射鏡，3為第二反射鏡，4為半波片，5為第一透鏡組，6為第一透鏡組，7為本發(fā)明 的含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體，8為色散棱鏡。
本發(fā)明的含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體，具有不潮解，物化性能穩(wěn)定，而且
可供替代的稀土離子具有多樣性。 實施例11:
將實施例4生長出的(Cao.98HOQ.02)5(B03)3Fo.90(n晶體制作成的激光自倍頻器件，置于
由全反鏡和輸出鏡組成的光學(xué)諧振腔中，用AlGaAs激光二極管泵浦，可獲得自倍頻藍(lán) 光輸出。
權(quán)利要求
1、一種含稀土離子的氟硼酸鹽化合物，其特征在于，該含稀土離子的氟硼酸鹽化合物的化學(xué)式為(Ca1-xRex)5(BO3)3F1-5xO5x，其中0＜x＜0.2，Re3+為Sc3+、Y3+或稀土離子；所述稀土離子為La3+、Ce3+、Pr3+、Nd3+、Sm3+，Eu3+、Gd3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+、Yb3+、Lu3+或所述稀土離子的混合。
2、 一種含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體，其特征在于，該含稀土離子的氟硼 酸鹽非線性光學(xué)晶體屬于單斜晶系，空間群為Cm，具有非線性光學(xué)效應(yīng)或具有非線性光 學(xué)效應(yīng)和可產(chǎn)生自倍頻激光的激光的復(fù)合光學(xué)效應(yīng)；該含稀土離子的氟硼酸鹽晶體的化 學(xué)式為(Ca,-xRex)5(B03)3FL5x05x，其中0〈x〈0.2， Re3+為Sc3+、 ￥3+或稀土離子；所述稀土離子為La3+、 Ce3+、 Pr3+、 Nd3+、 Sm3+， Eu3+、 Gd3+、 Tb3+、 Dy3+、 Ho3+、 Er3+、 Tm3+、 Yb3+、 L」+或所述稀土離子的混合。
3、 一種權(quán)利要求2所述的含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體的生長方法，其特 征在于，采用助熔劑方法生長，其步驟如下1) 將含稀土離子的氟硼酸鹽化合物與助熔劑按比例混合后置入坩堝中，10-30。C/小 時的升溫速率將其加熱到950-1050°C，恒溫10-40小時，再冷卻到飽和點(diǎn)溫度以上5-10°C， 得到含稀土離子的氟硼酸鹽和助熔劑的混合熔體；2) 將裝在籽晶桿上的籽晶引入上述步驟1)的混合瑢體表面或混合熔體之中，以 0-50rpm的速率旋轉(zhuǎn)籽晶桿，降溫至飽和點(diǎn)溫度，然后以0.2-1 QC/天的速率降溫，待 單晶生長到所需尺寸后，使該晶體脫離熔體表面，并以不大100"C/h的降溫速率退火 至室溫，制得本發(fā)明的含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體；所述助熔劑為B203-Li20-CaFrLiF;所述含稀土離子的氟硼酸鹽化合物與助熔劑各組分之間的摩爾配比為 (Ca!-xRex)5(B03)3Fwx05x: B203: Li20: CaF2: LiF=l: 0.5-1: 0-2: 0-1:6隱10;所制得的含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體的化學(xué)式為(Ca,.xRex)5(B03)3Fwx05x，其中0<x<0.2， Re"為Sc3+、 丫3+或稀土離子；所述稀土離子為La3+、 Ce3+、 Pr3+、 Nd3+、 Sm3+,Eu3+、 Gd3+、 Tb3+、 Dy3+、 Ho3+、 Er3+、 Tm3+、 Yb3+、 1^3+或所述稀土離子的混合。
4、 按權(quán)利要求3所述的含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體的生長方法，其特征 在于，所述含稀土離子的氟硼酸鹽化合物由含Ca離子、稀土離子、B離子和F離子的氧 化物、碳酸鹽、鹵化物、硝酸鹽、草酸鹽或硼酸鹽。
5、 一種按權(quán)利要求2所述的含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體的用途，其特征 在于，將該含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體用于非線性光學(xué)器件，該非線性光學(xué) 器件包含將至少一束入射電磁波通過至少一塊該含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體 后產(chǎn)生至少一束頻率不同于入射電磁波。
6、 一種按權(quán)利要求2所述的含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體的用途，其特征 在于，將該含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體用于激光非線性光學(xué)復(fù)合器件，置于光 學(xué)諧振腔內(nèi)，經(jīng)光泵浦作用，產(chǎn)生基頻光和至少一束頻率不同于基頻光的激光輸出。
7、 一種按權(quán)利要求2所述的含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體的用途，其特征 在于，所述含稀土離子的氟硼酸鹽非線性光學(xué)晶體用于產(chǎn)生406nm藍(lán)光和532nm綠光輸 出的激光器。
全文摘要
本發(fā)明涉及含稀土離子的氟硼酸鹽、晶體和制備方法，其化學(xué)式為(Ca_1-xRe_x)₅(BO₃)₃F_1-5xO_5x，其中0＜x＜0.2，Re³⁺為Sc³⁺、Y³⁺或稀土離子；稀土離子為La³⁺、Ce³⁺、Pr³⁺、Nd³⁺、Sm³⁺，Eu³⁺、Gd³⁺、Tb³⁺、Dy³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Tm³⁺、Yb³⁺、Lu³⁺或稀土離子的混合；采用助熔劑法生長高質(zhì)量、較大尺寸的含稀土的氟硼酸鹽晶體；該晶體適合藍(lán)綠光波段激光變頻的需要；可用于制造非線性光學(xué)器件，摻雜有稀土激光激活離子的單晶體可制作激光非線性光學(xué)復(fù)合功能器件；用該晶體制成的激光器可用于光譜學(xué)、生物醫(yī)學(xué)及軍事等領(lǐng)域。
文檔編號C30B11/00GK101514489SQ20081010083
公開日2009年8月26日 申請日期2008年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月22日
發(fā)明者夏明軍, 李如康 申請人:中國科學(xué)院理化技術(shù)研究所