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面向3.7~4.2微米全固體激光器的中紅外鈥釹雙摻激光晶體的制作方法

文檔序號:11182083閱讀:1229來源:國知局
面向3.7~4.2微米全固體激光器的中紅外鈥釹雙摻激光晶體的制造方法與工藝

本發(fā)明涉及激光晶體增益材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種面向3.7~4.2微米全固體激光器的中紅外鈥釹雙摻激光晶體。



背景技術(shù):

3.7~4.2微米波段激光在大氣污染監(jiān)控、傳感、醫(yī)療、海洋探測、工程控制、光譜學(xué)、遙感、激光雷達、光電對抗等民用和軍用領(lǐng)域具有等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。在眾多稀土離子中,ho3+離子是實現(xiàn)3~5微米波段激光輸出的有效稀土離子之一,其中5i5→5i6的能級躍遷可產(chǎn)生3.7~4.2微米波段的激光。

在國外,2004年,stutz等在ho:bay2f8(byf)晶體中獲得3.9微米的脈沖激光輸出,抽運光為889nm的cr3+:lisaf脈沖激光,當ho:byf的摻雜濃度為30%時,采用雙向泵浦方式,在253k的溫度下,獲得最高90mj的3.9微米脈沖激光輸出。目前最好的結(jié)果是由美國軍工生產(chǎn)廠家northropgrumman公司在ho:ylf晶體中獲得的,已經(jīng)實現(xiàn)180mj的3.9微米脈沖激光輸出。然而依然存在這樣的問題:泵浦源局限于889nm的cr3+:lisaf脈沖激光、系統(tǒng)復(fù)雜、穩(wěn)定性差、激光輸出能量低、效率低等。

而在國內(nèi),該方面的研究遠遠落后于國外,目前只有長春理工大學(xué)、天津大學(xué)、清華大學(xué)以及四川大學(xué)等在ho3+摻雜ylf和byf晶體的生長與光學(xué)性能方面進行過少量相關(guān)報道。

綜上所述,目前基于ho3+摻雜激光晶體實現(xiàn)3.7~4.2微米激光輸出仍難以被廣泛應(yīng)用,泵浦源局限于889nm的cr3+:lisaf脈沖激光、系統(tǒng)復(fù)雜、穩(wěn)定性差、激光輸出能量低、效率低等,通過分析其主要原因在于:缺乏高效3.7~4.2微米熒光發(fā)射的中紅外激光增益材料。主要表現(xiàn)在以下幾個方面:(i)ho3+上能級5i5的熒光壽命遠遠低于下能級5i6的熒光壽命,難于形成粒子數(shù)反轉(zhuǎn),導(dǎo)致激光自終止;(ii)ho3+離子在889nm吸收弱,需要高摻雜濃度來提高泵浦吸收效率,反而增加晶體缺陷,降低激光輸出效率;(iii)相比目前發(fā)展成熟的ld,cr3+:lisaf脈沖激光作為泵浦源使得系統(tǒng)復(fù)雜、穩(wěn)定性差、成本高。

因此研究面向3.7~4.2微米全固體激光器的中紅外鈥釹雙摻激光晶體對發(fā)展3.7~4.2微米的激光輸出具有重要意義。目前,國內(nèi)外未見有鈥釹雙摻晶體作為3.7~4.2微米中紅外激光晶體的相關(guān)報道。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷,提供一種面向3.7~4.2微米全固體激光器的中紅外鈥釹雙摻激光晶體,該晶體可以實現(xiàn)3.7~4.2微米的激光輸出,在醫(yī)療、科研及軍事等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用前景。

本發(fā)明的目的可以通過采取如下技術(shù)方案達到:

一種面向3.7~4.2微米全固體激光器的中紅外鈥釹雙摻激光晶體,所述激光晶體的摻雜離子為ho3+和nd3+共摻雜,其中所述ho3+作為激活離子,所述nd3+既作為所述ho3+的敏化離子,又作為所述ho3+的退激活離子;

所述激光晶體在半導(dǎo)體激光器泵浦下,nd3+有效吸收能量,然后在基質(zhì)材料聲子能量的輔助下,發(fā)生從nd3+:4f3/2到ho3+:5i5的能量傳遞,將能量轉(zhuǎn)移給ho3+離子,實現(xiàn)nd3+離子的敏化功能,使晶體適合半導(dǎo)體激光器泵浦;接著,發(fā)生ho3+5i5→5i6的能級躍遷,發(fā)出3.7~4.2微米的熒光,然后在基質(zhì)材料聲子能量的輔助下,發(fā)生從ho3+:5i6到nd3+:4i15/2的能量傳遞,加快ho3+下能級5i6的粒子抽空速率,達到退激活作用,降低下能級5i6的能級壽命,利于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)的形成。

進一步地,所述ho3+的摻雜濃度范圍為:0.1~50mol%,所述nd3+的摻雜濃度范圍為:0.1~20mol%。

進一步地,所述基質(zhì)材料包括氟化釔鋇、氟化镥鋰、氟化銥鋰、氟化鉛、氟化鈣、氟化鎂、氟化鍶、氟化鑭、釔鋁石榴石、鋁酸镥石榴石、鋁酸釔、鋁酸镥、釓鎵石榴石、srgdga3o7、srlaga3o7、cayalo4、cagdalo4、y3sc2ga3o12、gd3sc2ga3o12、pbga2s4、kpb2br5和kpb2cl5。

進一步地,所述半導(dǎo)體激光器所采用的泵浦源為780~830納米。

進一步地,所述激光晶體用于實現(xiàn)3.7~4.2微米波段全固態(tài)激光輸出。

本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)具有如下的優(yōu)點及效果:

本發(fā)明首次提出通過三價釹離子(nd3+離子)共摻來敏化三價鈥離子(ho3+離子)和降低三價鈥離子(ho3+離子)激光下能級5i6壽命的學(xué)術(shù)思想,達到同時實現(xiàn)晶體的ld泵浦和增強3.7~4.2微米中紅外熒光發(fā)射的雙重目的,利于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)的形成,進而提高ho3+激活中紅外激光晶體的激光輸出效率。

附圖說明

圖1為ho3+,nd3+能級躍遷示意圖;

圖2為ho3+/nd3+:pbf2晶體和ho3+:pbf2晶體的熒光光譜;

圖3為ho3+/nd3+:pbf2晶體5i6能級的熒光衰減曲線;

圖4為ho3+:pbf2晶體5i6能級的熒光衰減曲線。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。

實施例一

本實施例公開了一種面向3.7~4.2微米全固體激光器的中紅外鈥釹雙摻激光晶體,其中,三價鈥離子(ho3+)作為激活離子,能夠發(fā)出3.7~4.2微米的熒光,對應(yīng)的能級躍遷為ho3+5i5→5i6;三價釹離子(nd3+)具有雙重作用,既可作為三價鈥離子的敏化離子,又可作為三價鈥離子的退激活離子,如圖1所示:在發(fā)展成熟的半導(dǎo)體激光器(ld)泵浦下,中心波長范圍為:780~830nm(即采用泵浦源為780~830納米的半導(dǎo)體激光器),nd3+有效吸收能量,然后在基質(zhì)材料聲子能量的輔助下,發(fā)生從nd3+:4f3/2到ho3+:5i5的能量傳遞,將能量轉(zhuǎn)移給ho3+離子,實現(xiàn)nd3+離子的敏化功能,使晶體適合半導(dǎo)體激光器(ld)泵浦;接著,發(fā)生ho3+5i5→5i6的能級躍遷,發(fā)出3.7~4.2微米的熒光,然后在基質(zhì)材料聲子能量的輔助下,發(fā)生從ho3+:5i6到nd3+:4i15/2的能量傳遞,加快ho3+下能級5i6的粒子抽空速率,達到退激活作用,降低下能級5i6的能級壽命,利于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)的形成。

此類晶體中,三價鈥離子(ho3+)的摻雜濃度范圍為:0.1~50mol%,三價釹離子(nd3+)的摻雜濃度范圍為:0.1~20mol%。

該類晶體的基質(zhì)材料聲子能量低,基質(zhì)材料包括氟化釔鋇(bay2f8),氟化镥鋰(lulif4),氟化銥鋰(ylif4),氟化鉛(pbf2),氟化鈣(caf2),氟化鎂(mgf2),氟化鍶(srf3),氟化鑭(laf3),釔鋁石榴石(y3al5o12),鋁酸镥石榴石(lu3al5o12),鋁酸釔(yalo3),鋁酸镥(lualo3),釓鎵石榴石(gd3ga5o12),srgdga3o7,srlaga3o7,cayalo4,cagdalo4,y3sc2ga3o12,gd3sc2ga3o12,pbga2s4,kpb2br5,kpb2cl5等晶體。

本實施例中公開的新型高效中紅外鈥釹雙摻激光晶體能夠用于實現(xiàn)3.7~4.2微米波段激光輸出。

實施例二

本實施例中選用純度大于99.99%的原料pbf2、ndf3和hof3,采用坩堝下降法進行晶體生長,成功生長了鈥釹共摻雜氟化鉛中紅外激光晶體,其中三價鈥離子(ho3+)的摻雜濃度為2mol%,三價釹離子(nd3+)的摻雜濃度為2mol%。成功生長晶體后,加工尺寸為8×8×1mm3的樣品進行光譜測試,在808nmld激發(fā)下,成功測試到3.7~4.2微米中紅外熒光發(fā)射光譜曲線,結(jié)果如圖2所示,證明了釹離子對鈥離子的敏化作用。同時,采用坩堝下降法成功生長了鈥離子單摻的氟化鉛晶體,其中鈥離子的摻雜濃度為2mol%,同樣對其進行光譜性能測試,測試了該晶體的3.7~4.2微米中紅外熒光發(fā)射光譜曲線,并且與鈥釹雙摻氟化鉛晶體進行對比,結(jié)果如圖2所示,可以看出,釹離子的摻入,能夠有效地增強晶體的3.7~4.2微米中紅外熒光發(fā)射。為了進一步對釹離子的退激活效應(yīng)進行研究,測試了晶體激光下能級的熒光壽命,結(jié)果如圖3和圖4所示,由圖可見,釹離子的摻入,能夠有效地降低激光下能級熒光壽命,從單摻鈥離子的5.4ms下降到鈥釹共摻的2.0ms,下降幅度達到63%,直接從實驗上證明了釹離子對鈥離子的退激活效應(yīng)。

這是國際上首次在ho3+離子激活激光晶體上直接ld激發(fā)產(chǎn)生增強的3.7~4.2微米波段熒光發(fā)射,具有重要的研究價值和應(yīng)用前景。同時也表明:鈥釹共摻新型中紅外激光晶體有望成為一種既適合ld泵浦,又具備高效3.7~4.2微米熒光發(fā)射的新型中紅外激光增益材料,實現(xiàn)高效的激光輸出。

綜上所述,本發(fā)明首次提出了通過在ho3+激活晶體中共摻具有敏化與退激活雙重作用的nd3+離子的學(xué)術(shù)思想,實現(xiàn)了晶體的ld泵浦和降低下能級壽命、增強3.7~4.2微米熒光發(fā)射的雙層目的。

上述實施例為本發(fā)明較佳的實施方式,但本發(fā)明的實施方式并不受上述實施例的限制,其他的任何未背離本發(fā)明的精神實質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化,均應(yīng)為等效的置換方式,都包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。

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