專利名稱：通信模塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明的特定方面涉及通信模塊。
背景技術：
近來，隨著移動通信系統(tǒng)的發(fā)展，移動電話單元迅速普及。諸如移動電話單元這樣的無線通信裝置覆蓋多頻帶并且被系統(tǒng)化。單個無線通信設備具有多個無線通信裝置。例如，覆蓋多個頻率帶的移動電話單元是已知的。該移動電話單元具有多個天線雙工器，以便覆蓋多個頻率帶。天線雙工器用來分離具有不同頻率的發(fā)射信號和接收信號，并且具有發(fā)射濾波器和接收濾波器。近來，使得能夠減小尺寸的聲波濾波器被用作發(fā)射濾波器或者接收濾波器。通常，天線雙工器具有設置在不同芯片中的發(fā)射濾波器和接收濾波器被安裝在基板上的結構。近來，考慮安裝的簡化，正在制造發(fā)射濾波器和接收濾波器被設置在單個芯片中的天線雙工器。日本專利申請公開No. 2000-349586和No. 2007-134795公開了一種結構，在該結構中，兩個或更多個天線雙工器被容納在單個封裝中，天線雙工器中的發(fā)射濾波器被設置在單個芯片中，并且天線雙工器中的接收濾波器被設置在單個芯片中。日本專利申請公開No. 2011-9882(下文稱為文件3)、No. 2001-267868和No. H10-190390公開了包括具有不同厚度并且由不同材料構成的IDT (叉指型換能器)電極的多個聲波濾波器被設置在單個芯片中。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種包括多個雙工器的通信模塊，其中，至少所述多個雙工器中的具有不同發(fā)射頻帶的至少兩個雙工器的發(fā)射濾波器的IDT電極或者所述多個雙工器中的具有不同接收頻帶的至少兩個雙工器的接收濾波器的IDT電極由相同的材料構成，具有相同的厚度，并且被設置在單個壓電基板上。


圖I例示根據(jù)第一比較示例的通信模塊的示意性截面圖；圖2A和圖2B例示根據(jù)第一比較示例的通信模塊的第一雙工器的發(fā)射濾波器和接收濾波器的示意性截面圖；圖3例示根據(jù)第二比較示例的通信模塊的示意性截面圖；圖4例示根據(jù)第二比較示例的通信模塊的第一雙工器的發(fā)射-接收芯片的示意性截面圖；圖5例示根據(jù)第三比較示例的通信模塊的第一雙工器的發(fā)射-接收芯片的示意性截面圖；圖6A至圖6C例示示出第一發(fā)射-接收芯片的制造方法的示意性截面圖；圖7A至圖7C例示示出第一發(fā)射-接收芯片的制造方法的示意性截面圖8例示具有根據(jù)第一實施方式的通信模塊的無線通信單元的框圖；圖9例示根據(jù)第一實施方式的通信模塊的示意性截面圖；圖IOA例示發(fā)射芯片的示意性截面圖；圖IOB例示接收芯片的示意性截面圖；圖IlA至圖IlC例示發(fā)射芯片的第一制造方法的示意性截面圖；圖12A至圖12C例示發(fā)射芯片的第二制造方法的示意性截面圖；圖13例示根據(jù)第一實施方式的修改實施方式的通信模塊的示意性截面圖； 圖14例示具有根據(jù)第二實施方式的通信模塊的無線通信部的框圖；圖15例示根據(jù)第二實施方式的通信模塊的框圖；圖16例示設置了第三雙工器和第四雙工器的接收芯片和用于GSM的接收芯片的單個接收芯片的示意性截面圖；以及圖17A至圖17C例示具有多個雙工器的通信模塊的框圖。
具體實施例方式考慮到安裝的簡化，優(yōu)選的是，天線雙工器的發(fā)射濾波器和接收濾波器被設置在單個芯片中。當發(fā)射濾波器和接收濾波器被設置在單個芯片中時，發(fā)射濾波器和接收濾波器彼此一起形成。因此，各個IDT電極由相同的材料構成并具有相同的厚度。發(fā)射濾波器要求高電力耐受性。因此，發(fā)射濾波器的IDT電極由實現(xiàn)高電力耐受性的材料構成。在這種情況下，接收濾波器的IDT電極也由實現(xiàn)高電力耐受性的材料構成。然而，相比于發(fā)射濾波器，接收濾波器不要求高電力耐受性。當接收濾波器的IDT電極由實現(xiàn)高電力耐受性的材料構成時，IDT電極的電阻可能增加，并且傳輸損耗可能劣化。當利用文件3公開的方法將發(fā)射濾波器和接收濾波器設置在單個芯片中時，實現(xiàn)了發(fā)射濾波器的高持續(xù)性和接收濾波器的低傳輸損耗。然而，制造工序可能很復雜。因此，成本可能增加。首先，將給出根據(jù)第一比較示例的通信模塊的描述。圖I例示該通信模塊的示意性截面圖。圖2A例示該通信模塊的第一雙工器的發(fā)射濾波器的示意性截面圖。圖2B例示該通信模塊的第一雙工器的接收濾波器的示意性截面圖。如圖I所例示，該通信模塊具有安裝在印刷基板200上的兩個雙工器(第一雙工器220和第二雙工器230)。第一雙工器220的發(fā)射-接收頻帶與第二雙工器230的發(fā)射-接收頻帶不同。第一雙工器220具有安裝在基板202上的第一發(fā)射濾波器222和第一接收濾波器224。第一發(fā)射濾波器222的芯片與第一接收濾波器224的芯片不同。第一發(fā)射濾波器222和第一接收濾波器224被密封部分204密封。第一發(fā)射濾波器222和第一接收濾波器224是表面聲波濾波器等。如圖2A所例示，第一發(fā)射濾波器222具有以下結構IDT電極208被設置在壓電基板206上，并且反射電極210在IDT電極208的兩側被設置壓電基板206上。第一發(fā)射濾波器222的IDT電極208和反射電極210具有兩層結構，在該兩層結構中，Ti和Al-l%Cu按照此順序從壓電基板206側層壓。如圖2B所例示，第一接收濾波器224具有位于壓電基板206上的IDT電極208和反射電極210,第一發(fā)射濾波器222也一樣。第一接收濾波器224的IDT電極208和反射電極210具有Al_l%Cu等的單層結構。“Al_l%Cu”是Cu按照1%的重量百分比混合到Al中的合金。
第二雙工器230具有安裝在基板202上的第二發(fā)射濾波器232和第二接收濾波器234。第二發(fā)射濾波器232的芯片與第二接收濾波器234的芯片不同。第二發(fā)射濾波器232和第二接收濾波器234被密封部分204密封。第二發(fā)射濾波器232和第二接收濾波器234是表面聲波濾波器等。第二發(fā)射濾波器232和第二接收濾波器234的示意性截面圖與圖2A和圖2B所例示的第一發(fā)射濾波器222和第一接收濾波器224的示意性截面圖相同。因此，省略其解釋。發(fā)射濾波器要求高電力耐受性。為此，第一發(fā)射濾波器222和第二發(fā)射濾波器232的IDT電極208具有Ti和Al-l%Cu的兩層結構，以實現(xiàn)高電力耐受性。另一方面，相比于發(fā)射濾波器，接收濾波器不要求高電力耐受 性。為此，第一接收濾波器224和第二接收濾波器234的IDT電極具有Al-l%Cu的單層結構，以實現(xiàn)低損耗和低電阻。根據(jù)第一比較示例，第一雙工器220和第二雙工器230的發(fā)射濾波器能夠?qū)崿F(xiàn)高電力耐受性，第一雙工器220和第二雙工器230的接收濾波器能夠?qū)崿F(xiàn)由低電阻允許的低傳輸損耗。表面聲波濾波器的IDT電極的最優(yōu)厚度根據(jù)頻率帶波動。然而，IDT電極的厚度可以優(yōu)化，因為關于第一雙工器220和第二雙工器230，發(fā)射濾波器的芯片不同于接收濾波器的芯片。然而，第一雙工器220和第二雙工器230的發(fā)射濾波器和接收濾波器可以被單獨地制造和單獨地安裝。因此，制造和安裝的工序的數(shù)量可能增加，并且成本可能增加。接著，將給出根據(jù)第二比較示例的通信模塊的描述。圖3例示該通信模塊的示意性截面圖。圖4例示該通信模塊的第一雙工器的發(fā)射-接收芯片的示意性截面圖。如圖3所例示，第二比較示例的通信模塊與第一比較示例的通信模塊的不同之處在于發(fā)射濾波器和接收濾波器被設置在第一雙工器220和第二雙工器230的單個芯片中。下文中，包括發(fā)射濾波器和接收濾波器的單個芯片被稱作發(fā)射-接收芯片。第一雙工器220的發(fā)射-接收芯片被稱作第一發(fā)射-接收芯片226。第二雙工器230的發(fā)射-接收芯片被稱作第二發(fā)射-接收芯片236。如圖4所例示，第一發(fā)射-接收芯片226具有以下結構發(fā)射濾波器的IDT電極208A和反射電極210A以及接收濾波器的IDT電極208B和反射電極210B被設置在單個壓電基板206上。通常，在這種情況下，發(fā)射濾波器的IDT電極208A和接收濾波器的IDT電極208B彼此一起形成。因此，發(fā)射濾波器的IDT電極208A和接收濾波器的IDT電極208B由相同的材料構成并具有相同的厚度。第二發(fā)射-接收芯片236具有與第一發(fā)射-接收芯片226相同的截面。圖4例示該截面圖。因此，省略其解釋。高電力耐受性對于發(fā)射濾波器是必需的，并且對于天線雙工器是必要的。因此，發(fā)射濾波器的IDT電極208A具有Ti和Al-l%Cu的兩層結構，以在第一發(fā)射-接收芯片226和第二發(fā)射-接收芯片236中實現(xiàn)高電力耐受性。接收濾波器的IDT電極208B具有Ti和Al-l%Cu的兩層結構，因為接收濾波器的IDT電極208B與發(fā)射濾波器的IDT電極208A—起形成。根據(jù)第二比較示例，發(fā)射濾波器和接收濾波器被設置在單個芯片中，并且發(fā)射濾波器和接收濾波器的IDT電極彼此一起形成。因此，可以簡化制造和安裝的工序。第一雙工器220和第二雙工器230的發(fā)射濾波器能夠?qū)崿F(xiàn)高電力耐受性。然而，接收濾波器的IDT電極208B也具有Ti和Al-l%Cu的兩層結構。因此,相比于如第一比較示例的情況中的接收濾波器的IDT電極具有Al-l%Cu的單層結構的情況，電阻變得更大并且傳輸損耗劣化。
接著，將給出對根據(jù)第三比較實施方式的通信模塊的描述。第三比較示例的通信模塊具有與第二比較示例的通信模塊相同的截面。圖3例示該截面。因此，省略其解釋。圖5例示第三比較示例的通信模塊的第一雙工器的發(fā)射-接收芯片的截面圖。第二雙工器的發(fā)射-接收芯片具有與第一雙工器的發(fā)射-接收芯片相同的截面。因此，省略其解釋。如圖5所例示，第一發(fā)射-接收芯片226與第二比較示例的通信模塊的不同之處在于發(fā)射濾波器的IDT電極208A和反射電極210A具有Ti和Al_l%Cu的兩層結構，接收濾波器的IDT電極208B和反射電極210B具有Al_l%Cu的單層結構。圖6A至圖7C例示示出第一發(fā)射-接收芯片226的制造方法的示意性截面圖。如圖6A所例示，將Ti膜212和Al-l%Cu膜214通過濺射法等按照此順序形成在壓電基板206上。如圖6B所例示，將抗蝕劑216形成在Al-l%Cu膜214上。并且，抗蝕劑216被形成為圖案。在該工序中，抗蝕劑216被形成為圖案，以使得要作為發(fā)射濾波器的IDT電極208A和反射電極2IOA的區(qū)域被保護。如圖6C所例示，Ti膜212和Al_l%Cu膜214經(jīng)過利用抗蝕劑216作為掩模的蝕刻工序。因而，形成發(fā)射濾波器的IDT電極208A和反射電極210A。在接收濾波器的區(qū)域中，去除全部Ti膜212和Al-l%Cu膜214。并且，壓電基板206的上表面被露出。如圖7A所例示，抗蝕劑216形成在壓電基板206、IDT電極208A和反射電極210A上。并且抗蝕劑216被形成為圖案。在該工序中，抗蝕劑216被形成為圖案，以使得壓電基板206上的要形成IDT電極208B和反射電極210B的區(qū)域被露出。如圖7B所例示，Al_l%Cu膜214通過化學氣相沉積法等形成在壓電基板206和抗蝕劑216上。如圖7C所例示，通過剝離法等去除抗蝕劑216和抗蝕劑216上的Al_l%Cu膜214。因而，形成接收濾波器的IDT電極208B和反射電極210B。通過該工序，形成了第一發(fā)射-接收芯片226?？梢酝ㄟ^蝕刻法等來形成接收濾波器的IDT電極208B和反射電極210B?？梢酝ㄟ^剝離法等來形成發(fā)射濾波器的IDT電極208A和反射電極210A。 根據(jù)第三比較示例，發(fā)射濾波器和接收濾波器被設置在單個芯片中。因此，可以簡化安裝工序。在第一雙工器220和第二雙工器230中，發(fā)射濾波器能夠?qū)崿F(xiàn)高電力耐受性，接收濾波器能夠?qū)崿F(xiàn)由低電阻允許的低傳輸損耗。然而，工序的數(shù)量變得更多并且成本增力口，因為需要圖6A至圖7C的制造工序。下面描述在不增加成本的情況下具有實現(xiàn)發(fā)射濾波器的高電力耐受性和接收濾波器的低傳輸損耗的天線雙工器的通信模塊。[第一實施方式]圖8例示具有根據(jù)第一實施方式的通信模塊的無線通信單元的框圖。如圖8所例示，該無線通信單元具有天線10、天線開關12、第一實施方式的通信模塊14、功率放大器16、低噪放大器18、濾波器20和濾波器21以及RFIC 22。通信模塊14具有第一雙工器40和第二雙工器50。第一雙工器40具有第一發(fā)射濾波器42和第一接收濾波器44。第二雙工器50具有第二發(fā)射濾波器52和第二接收濾波器54。第一發(fā)射濾波器42和第二發(fā)射濾波器52是階梯型表面聲波濾波器。第一接收濾波器44和第二接收濾波器54是雙模耦合型表面聲波濾波器。第一雙工器40的發(fā)射-接收頻帶不同于第二雙工器50的發(fā)射-接收頻帶，并且不與第二雙工器50的發(fā)射-接收頻帶交疊。也就是說，第一發(fā)射濾波器42的發(fā)射頻帶不同于第二發(fā)射濾波器52的發(fā)射頻帶，并且不與第二發(fā)射濾波器52的發(fā)射頻帶交疊。第一接收濾波器44的接收頻帶不同于第二接收濾波器54的接收頻帶，并且不與第二接收濾波器54的接收頻帶交疊。例如，第一雙工器40是WCDMA (寬頻帶碼分多址)系統(tǒng)的頻帶5的雙工器。第二雙工器50是WCDMA系統(tǒng)的頻帶8的雙工器。也就是說，第一發(fā)射濾波器42的發(fā)射頻帶是824MHz至849MHz。第一接收濾波器44的接收頻帶是869MHz至894MHz。第二發(fā)射濾波器52的發(fā)射頻帶是880MHz至915MHz。第二接收濾波器54的接收頻帶是925MHz至 960MHz。第一雙工器40和第二雙工器50經(jīng)過天線端子(頻帶5和頻帶8)連接到天線開關12。天線開關12連接到天線10。因而，天線開關12能夠從第一雙工器40和第二雙工器50中選擇電連接到天線10的雙工器。第一發(fā)射濾波器42和第二發(fā)射濾波器52經(jīng)過功率放大器16和濾波器20連接到RFIC 22。連接到第一發(fā)射濾波器42的濾波器20是選擇性地允許與第一發(fā)射濾波器42相同的通帶通過的帶通濾波器。連接到第二發(fā)射濾波器52的濾波器20是選擇性地允許與第·二發(fā)射濾波器52相同的通帶通過的帶通濾波器。第一接收濾波器44和第二接收濾波器54經(jīng)過低噪放大器18和濾波器21連接到RFIC 22。連接到第一接收濾波器44的濾波器21是選擇性地允許與第一接收濾波器44相同的通帶通過的帶通濾波器。連接到第二接收濾波器54的濾波器21是選擇性地允許與第二接收濾波器54相同的通帶通過的帶通濾波器。將給出對WCDMA的發(fā)射信號和接收信號的發(fā)射和接收的描述。RFIC 22向濾波器20輸出高頻率波的發(fā)射信號。濾波器20對發(fā)射信號進行濾波，并向功率放大器16輸出經(jīng)濾波的發(fā)射信號。功率放大器16對發(fā)射信號進行放大，并向第一雙工器40(或者第二雙工器50)輸出經(jīng)放大的發(fā)射信號。第一雙工器40 (或者第二雙工器50)對發(fā)射信號進行濾波，并向天線開關12的天線端子輸出經(jīng)濾波的發(fā)射信號。天線開關12向天線端子輸出接收信號。第一雙工器40 (或者第二雙工器50)對接收信號進行濾波,并向低噪放大器18輸出經(jīng)濾波的接收信號。低噪放大器18對接收信號進行放大，并向濾波器21輸出經(jīng)放大的接收信號。濾波器21對接收信號進行濾波并向RFIC 22輸出經(jīng)濾波的接收信號。濾波器21可以輸出平衡信號。按照這種方式，第一雙工器40和第二雙工器50的各個發(fā)射濾波器允許從RFIC 22輸出的發(fā)射信號通過，但是不允許輸入到天線端子的接收信號通過。第一雙工器40和第二雙工器50的各個接收濾波器允許輸入到天線端子的接收信號通過，但是不允許從RFIC 22輸出的發(fā)射信號通過。圖9例示通信模塊14的示意性截面圖。如圖9所例示,在通信模塊14中，發(fā)射封裝46和接收封裝56被安裝在印刷基板24上。發(fā)射封裝46具有以下結構發(fā)射芯片48通過由Au等構成的凸塊26以芯片倒裝方式安裝在由HTCC (高溫共燒陶瓷)等構成的基板28上。類似地，接收封裝56具有以下結構接收芯片58通過凸塊26以芯片倒裝方式安裝在基板28上。發(fā)射芯片48和接收芯片58被由成型樹脂等構成的密封部分30密封?；?8可以是除HTCC以外的基板。例如，由LTCC (低溫共燒陶瓷)構成的基板或印刷基板可以被用作基板28。發(fā)射芯片48和接收芯片58可以被由樹脂等而不是由成型樹脂構成的頂部板密封。接著，將給出對發(fā)射芯片48和接收芯片58的描述。圖IOA例示發(fā)射芯片48的示意性截面圖。圖IOB例示接收芯片58的示意性截面圖。如圖IOA所例示，發(fā)射芯片48具有以下結構第一發(fā)射濾波器42的IDT電極34和反射電極36以及第二發(fā)射濾波器52的IDT電極34和反射電極36被設置在由LT (鉭酸鋰)、LN (鈮酸鋰)等構成的單個壓電基板32上。反射電極36沿聲波的傳播方向設置在IDT電極34的兩側。IDT電極34和反射電極36具有Ti和Al-l%Cu按照此順序從壓電基板32側層壓的兩層結構。在IDT電極34和反射電極36中，Ti具有160nm的厚度，Al_l%Cu具有210nm的厚度。因此，IDT電極34和反射電極36的總厚度是370nm。因而，第一發(fā)射濾波器42和第二發(fā)射濾波器52的IDT電極34被設置在單個壓電基板32上，由相同的材料構成，具有相同層數(shù)，并且具有相同的厚度。關于表面聲波濾波器，IDT電極的最優(yōu)厚度根據(jù)頻率波動。第一發(fā)射濾波器42的發(fā)射頻帶是824MHz至849MHz。第二發(fā)射濾波器52的發(fā)射頻帶是880MHz至915MHz。在精 確意義上，第一發(fā)射濾波器42的IDT電極34的最優(yōu)厚度可以不同于第二發(fā)射濾波器52的IDT電極34的最優(yōu)厚度。然而，第一發(fā)射濾波器42的發(fā)射頻帶接近第二發(fā)射濾波器52的發(fā)射頻帶。第一發(fā)射濾波器42的IDT電極的最優(yōu)厚度接近第二發(fā)射濾波器52的IDT電極的最優(yōu)厚度。因此，第一發(fā)射濾波器42的IDT電極34的厚度可以與第二發(fā)射濾波器52的IDT電極34的厚度相同。在這種情況下，優(yōu)選的是，第一發(fā)射濾波器42和第二發(fā)射濾波器52的IDT電極34的共同厚度是IDT電極關于第一發(fā)射濾波器42的發(fā)射頻帶的最優(yōu)厚度與IDT電極關于第二發(fā)射濾波器52的發(fā)射頻帶的最優(yōu)厚度之間的平均值。如圖IOB所例示，接收芯片58具有以下結構第一接收濾波器44的IDT電極34和反射電極36以及第二接收濾波器54的IDT電極34和反射電極36被設置在由LT、LN等構成的單個壓電基板32上。反射電極36沿聲波的傳播方向設置在IDT電極34的兩側。IDT電極34和反射電極36具有Al-l%Cu等的單層結構。在IDT電極34和反射電極36中，Al-l%Cu具有372. 5nm的厚度。因此，第一接收濾波器44和第二接收濾波器54的IDT電極34被設置在單個壓電基板32上，由相同的材料構成，具有相同層數(shù)，并且具有相同的厚度。第一接收濾波器44的接收頻帶(869MHz至894MHz)接近第二接收濾波器54的接收頻帶(925MHz至960MHz)。第一接收濾波器44的IDT電極34的最優(yōu)厚度接近第二接收濾波器54的IDT電極34的最優(yōu)厚度。因此，第一接收濾波器44的IDT電極34的厚度可以與第二接收濾波器54的IDT電極34的厚度相同。在這種情況下，優(yōu)選的是，第一接收濾波器44和第二接收濾波器54的IDT電極34的共同厚度是IDT電極關于第一接收濾波器44的接收頻帶的最優(yōu)厚度與IDT電極關于第二接收濾波器54的接收頻帶的最優(yōu)厚度之間的平均值。接著，將給出對制造發(fā)射芯片48的方法的描述。可以通過與發(fā)射芯片48相同的方法來制造接收芯片58。因此，省略制造接收芯片58的方法。圖IlA至圖IlC例示制造發(fā)射芯片48的第一方法的示意性截面圖。如圖IlA所例示，Ti膜60和Al-l%Cu膜62通過濺射法等按照此順序形成在壓電基板32上。如圖IlB所例示，抗蝕劑64形成在Al_l%Cu膜62上并且被形成為圖案。在這種情況下，抗蝕劑64被形成為圖案，以使得要作為第一發(fā)射濾波器42的IDT電極34和反射電極36以及第二發(fā)射濾波器52的IDT電極34和反射電極36的區(qū)域被保護。如圖IlC所例示，Ti膜60和Al_l%Cu膜62經(jīng)過利用抗蝕劑64作為掩模的蝕刻工序。因而，由相同的材料構成、具有相同層數(shù)并且具有相同的厚度的第一發(fā)射濾波器42的IDT電極34和反射電極36和第二發(fā)射濾波器52的IDT電極34和反射電極36彼此一起形成在單個壓電基板32上。圖12A至圖12C例示制造發(fā)射芯片48的第二方法的示意性截面圖。如圖12A所例示，將抗蝕劑64形成在壓電基板32上并且形成為圖案。在這種情況下，抗蝕劑64被形成為圖案，以使得壓電基板32的要形成第一發(fā)射濾波器42的IDT電極34和反射電極36和第二發(fā)射濾波器52的IDT電極34和反射電極36的區(qū)域被暴露。如圖12B所例示，Ti膜60和Al_l%Cu膜62按照此順序通過化學氣相沉積法等形成在壓電基板32和抗蝕劑64上。如圖12C所例示，通過剝離法去除抗蝕劑64和抗蝕劑64上的Ti膜60和Al-l%Cu膜62。因而，由相同的材料構成、具有相同層數(shù)并且具有相同的厚度的第一發(fā)射濾波器42的IDT電極34和反射電極36以及第二發(fā)射濾波器52的IDT電極34和反射電極36彼此一起形成在單個壓電基板32上。如圖9所例不，印刷基板24和基板28具有內(nèi)部互連線38。從而，發(fā)射芯片48和接收芯片58經(jīng)過凸塊26電連接到內(nèi)部互連線38。電連接到內(nèi)部互連線38并且要連接到外部電路的連接端子39被設置在印刷基板24的背面。當發(fā)射信號從外部電路輸入到連接端子39時，該發(fā)射信號經(jīng)過內(nèi)部互連線38傳送到發(fā)射芯片48。當接收信號從接收芯片58輸出時，該接收信號經(jīng)過內(nèi)部互連線38傳送到連接端子39。如上所述，如圖8所例示，根據(jù)第一實施方式的通信模塊14具有發(fā)射頻帶彼此不同并且彼此不交疊、接收頻帶彼此不同并且彼此不交疊的兩個雙工器(第一雙工器40和第二雙工器50)。如圖IOA所例示，第一雙工器40的第一發(fā)射濾波器42和第二雙工器50的第二發(fā)射濾波器52的IDT電極34由相同的材料構成并且在單個壓電基板32上具有相同的厚度。如圖IOB所例示，第一雙工器40的第一接收濾波器44和第二雙工器50的第二接收濾波器54的IDT電極34由相同的材料構成并且在單個壓電基板32上具有相同的厚度。在第一實施方式中，第一發(fā)射濾波器42和第二發(fā)射濾波器52被設置在單個芯片中并且用作發(fā)射芯片48，第一接收濾波器44和第二接收濾波器54被設置在單個芯片中并且充當接收芯片58。在這種情況下，相比第一比較示例，可以簡化安裝工藝。如參照圖IlA至圖IlC以及圖12A至圖12C所述，發(fā)射芯片48和接收芯片58的制造工序的數(shù)量比參照圖6A至圖7C所述的第一發(fā)射-接收芯片226的制造工序的數(shù)量更少。這就導致減少了安裝成本和制造成本。發(fā)射濾波器的IDT電極的材料、層數(shù)和厚度等可以與接收濾波器的IDT電極的材料、層數(shù)和厚度等不同，因為第一發(fā)射濾波器42和第二發(fā)射濾波器52被設置在單個芯片中，并且第一接收濾波器44和第二接收濾波器54被設置在單個芯片中。也就是說，發(fā)射濾波器的IDT電極可以具有Ti和Al-l%Cu的兩層結構，以實現(xiàn)高電力耐受性；接收濾波器的IDT電極可以具有Al-l%Cu的單層結構，以實現(xiàn)低電阻。因此，可以實現(xiàn)發(fā)射濾波器的高電力耐受性和接收濾波器的低傳輸損耗。如上所述，根據(jù)第一實施方式，可以在不增加成本的情況下提供包括具有高電力耐受性和低傳輸損耗的天線雙工器的通信模塊。當?shù)谝话l(fā)射濾波器42和第二發(fā)射濾波器52用作發(fā)射芯片48，并且第一接收濾波器44和第二接收濾波器54用作接收芯片58時，可以彼此獨立地定位發(fā)射濾波器和接收濾波器。因而，可以改進發(fā)射濾波器與接收濾波器之間的隔離特性。在第一實施方式中，第一發(fā)射濾波器42和第二發(fā)射濾波器52的IDT電極34是具有Ti和Al-l%Cu的兩層結構的電極，第一接收濾波器44和第二接收濾波器54的IDT電極34是具有Al-l%Cu的單層結構的電極。然而，結構不限于此。優(yōu)選的是，第一發(fā)射濾波器42和第二發(fā)射濾波器52的IDT電極34是材料、層數(shù)和厚度滿足發(fā)射濾波器要求的特性的電極。優(yōu)選的是，第一接收濾波器44和第二接收濾波器54的IDT電極34是材料、層數(shù)和厚度滿足接收濾波器要求的特性的電極。具體地說，要求發(fā)射濾波器具有高電力耐受性。相比于發(fā)射濾波器，接收濾波器不要求高電力耐受性。然而，要求接收濾波器具有低電阻，以實現(xiàn)低傳輸損耗。因此，優(yōu)選的是，第一發(fā)射濾波器42和第二發(fā)射濾波器52的IDT電極34具有比第一接收濾波器44和第二接收濾波器54的IDT電極34更高的電力耐受性。優(yōu)選的是，第一接收濾波器44和第二接收濾波器54的IDT電極34的電阻比第一發(fā)射濾波器42和第二發(fā)射濾波器52的IDT電極34的電阻更低。除了 Ti和Al_l%Cu的兩層結構以外，第一發(fā)射濾波器42和第二發(fā)射濾波器52的IDT電極34可以具有包括由Ti構成的下層和主要由Al構成的上層的其它兩層結構。除了 Al-l%Cu的單層結構以外，第一接收濾波器44和第二接收濾波器54的IDT電極34可以具有主要由Al構成的單層結構。在第一實施方式中，第一雙工器40是WCDMA系統(tǒng)的頻帶5的雙工器，第二雙工器50是WCDMA系統(tǒng)的頻帶8的雙工器。然而，結構不限于此。當發(fā)射濾波器的各個發(fā)射頻帶彼此接近時，發(fā)射濾波器的IDT電極可以由相同的材料構成并在單個壓電基板上具有相同的厚度。當接收濾波器的各個接收頻帶彼此接近時，接收濾波器的IDT電極可以由相同的材料構成并在單個壓電基板上具有相同的厚度。因此優(yōu)選的是，第一雙工器40的發(fā)射頻帶接近第二雙工器50的發(fā)射頻帶，第一雙工器40的接收頻帶接近第二雙工器50的接收頻帶。參照WCDMA系統(tǒng)的頻率帶，在頻帶I至頻帶4和頻帶9中以及在頻帶5、頻帶6和頻帶8中，各個發(fā)射頻帶彼此接近，各個接收頻帶彼此接近。因此，第一雙工器40可以是頻帶I至頻帶4和頻帶9的雙工器中的一種,第二雙工器50可以是頻帶I至頻帶4和頻帶9的另一種。另選地，第一雙工器40可以是頻帶5、頻帶6和頻帶8的雙工器中的一種，第二雙工器50可以是頻帶5、頻帶6和頻帶8的雙工器的另一種。[表I]
權利要求
1.一種通信模塊，該通信模塊包括 多個雙工器， 其中，至少所述多個雙工器中的具有不同發(fā)射頻帶的至少兩個雙工器的發(fā)射濾波器的IDT電極或者所述多個雙工器中的具有不同接收頻帶的至少兩個雙工器的接收濾波器的IDT電極由相同的材料構成，具有相同的厚度，并且被設置在單個壓電基板上。
2.根據(jù)權利要求I所述的通信模塊,其中 所述發(fā)射濾波器的所述IDT電極由相同的材料構成，具有相同的厚度，并且被設置在單個壓電基板上；并且 所述接收濾波器的所述IDT電極由相同的材料構成，具有相同的厚度，并且被設置在單個壓電基板上。
3.根據(jù)權利要求I或2所述的通信模塊，其中，所述發(fā)射濾波器的所述IDT電極的電力耐受性高于所述接收濾波器的所述IDT電極的電力耐受性。
4.根據(jù)權利要求I或2所述的通信模塊，其中，所述接收濾波器的所述IDT電極的電阻小于所述發(fā)射濾波器的所述IDT電極的電阻。
5.根據(jù)權利要求I或2所述的通信模塊，該通信模塊還包括具有與所述多個雙工器中的所述接收濾波器的接收頻帶不同的接收頻帶的另一接收濾波器， 其中，所述另一接收濾波器的IDT電極與所述多個雙工器中的所述至少兩個雙工器的所述接收濾波器的所述IDT電極由相同的材料構成，具有相同的厚度，并且被設置在單個壓電基板上。
6.根據(jù)權利要求I或2所述的通信模塊，其中，所述多個雙工器中的所述至少兩個雙工器的所述發(fā)射濾波器包括WCDMA系統(tǒng)的頻帶I和頻帶2、頻帶2和頻帶3、頻帶2和頻帶4或者頻帶5和頻帶8的發(fā)射濾波器。
7.根據(jù)權利要求I或2所述的通信模塊，其中，所述多個雙工器中的所述至少兩個雙工器的所述接收濾波器包括WCDMA系統(tǒng)的頻帶I和頻帶2、頻帶2和頻帶3、頻帶I和頻帶4或者頻帶5和頻帶8的接收濾波器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種通信模塊，該通信模塊包括多個雙工器，其中，至少所述多個雙工器中的具有不同發(fā)射頻帶的至少兩個雙工器的發(fā)射濾波器的IDT電極或者所述多個雙工器中的具有不同接收頻帶的至少兩個雙工器的接收濾波器的IDT電極由相同的材料構成，具有相同的厚度，并且被設置在單個壓電基板上。
文檔編號H04B1/40GK102957447SQ20121029890
公開日2013年3月6日 申請日期2012年8月21日 優(yōu)先權日2011年8月22日
發(fā)明者山下高志 申請人:太陽誘電株式會社