專利名稱：：固態(tài)成像設備及制造所述固態(tài)成像設備的方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及固態(tài)成像設備及制造所述固態(tài)成像設備的方法。本發(fā)明尤其涉及芯片尺寸封裝(CSP)型固態(tài)成像設備，其中微型透鏡被整體設置在芯片上。
背景技術：
：由于存在應用到移動電話或數(shù)碼相機的必然性，要求減小例如CCD(電荷耦合器件)等固態(tài)影像拾取裝置(imagepickupdevice)的尺寸。例如，已提出一種固態(tài)成像設備，其中微型透鏡設置在半導體芯片的光接收區(qū)中。具體地，例如，已提出一種固態(tài)成像設備，其在光接收區(qū)中設置有微型透鏡，且被整體裝配以具有在光接收區(qū)和微型透鏡之間的氣密的密封部分，從而減小了固態(tài)成像設備的尺寸(JP-A-7-202152公報)根據(jù)這樣的結構，裝配區(qū)可被減小，而且，諸如濾色器、透鏡、或棱鏡等光學部件可粘附到氣密的密封部分表面，從而可在微型透鏡的聚光能力不會變差的情況下減小裝配尺寸。然而，在固態(tài)成像設備的裝配中，有必要將固態(tài)成像設備裝配在用于裝配的支撐基板上，用于讀取信號到外部，從而通過例如結合和進行密封等方法進行電連接。因此，存在這樣一問題，即，由于大量的人工小時，裝配需要很多時間。然而，在固態(tài)成像設備的裝配中，有必要將固態(tài)成像設備設置在用于裝配的支持基板上，用于讀取信號到外部，從而通過例如結合和進行密封等方法進行電連接。此外，有必要裝配諸如濾色器、透鏡或棱鏡和信號處理電路等的光學部件。因此，存在這樣一問題，即，由于大量器件被設置，裝配需要很多時間。此外，還存在一個重要的問題，即，具有提高分辨率要求的各種外圍電路是必要的，造成整個設備的尺寸增加。
發(fā)明內容考慮到實際環(huán)境，本發(fā)明的一個目的是提供一種制造固態(tài)成像設備的方法，其中該固態(tài)成像設備易于制造且具有高可靠性。而且，另一目的是提供能易于連接至主體的固態(tài)成像設備?？紤]到實際環(huán)境，本發(fā)明的一個目的是提供一種制造固態(tài)成像設備的方法，其中該固態(tài)成像設備易于制造且具有高可靠性。而且，另一目的是提供具有小尺寸和高驅動速度的固態(tài)成像設備。因此，本發(fā)明提供了一種制造固態(tài)成像裝置的方法，包括以下步驟在半導體基板表面上形成多個IT-CCD、將半透明組件結合至半導體基板表面以便具有與IT-CCD的每個光接收區(qū)相對的間隙、形成與IT-CCD相應的外部連接端子、以及使在結合步驟獲得并設置有用于每個IT-CCD的外部連接端子的結合組件分離。根據(jù)這樣的結構，在圓片級上進行定位，且順序執(zhí)行集合裝配和集成以分離每個IT-CCD。因此，可能形成易于制造且具有高可靠性的固態(tài)成像設備。此外，理想的是，結合半透明組件的步驟應包括制備半透明基板以及將半透明基板結合到半導體基板表面的步驟，其中該半透明基板具有相應于待形成IT-CCD的區(qū)域的凹形部分。根據(jù)這種結構，凹形部分僅形成在半透明基板上。因此，可形成該凹形部分以使其易于具有與每個光接收區(qū)相對的間隙。因此，可減少部件的數(shù)目且易于執(zhí)行制造。理想的是，該方法還應包括，在結合步驟前，有選擇地除去半導體基板表面以環(huán)繞光接收區(qū)，從而形成凸出部分、由凸出部分在光接收部分和半透明組件之間形成間隙的步驟。根據(jù)這種結構，僅通過插入先前在半導體基板表面上形成的凸出部分(襯墊)執(zhí)行裝配。因此，可能易于提供一種具有優(yōu)良的工作能力(workability)和高可靠性的固態(tài)成像設備。而且，該方法的特征在于，在結合步驟，通過被設置以環(huán)繞光接收區(qū)的襯墊，在半導體基板和半透明組件之間形成間隙。根據(jù)這種結構，僅通過插入襯墊可能易于提供具有高可靠性的固態(tài)成像設備。而且，該方法的特征在于，分割步驟包括以這樣的方式，即IT-CCD的周緣部分的表面暴露在半透明組件外的方式，分離半透明組件以將半透明組件的周緣部分放置到IT-CCD的周緣部分內部。根據(jù)這種結構，可能從暴露的半導體基板表面容易地讀取電極。優(yōu)選地，該方法的特征在于，以低于8(TC的溫度下執(zhí)行結合步驟。根據(jù)這種結構，如果每個組件具有不同的線性熱膨脹系數(shù)，則可能減少結合后失真的產生。優(yōu)選地，該方法的特征在于，在結合步驟，室溫固化粘合劑被用于仝士A5口口o根據(jù)該方法，可以結合半透明組件和半導體基板而不提高溫度，并防止失真產生。除了室溫固化粘合劑，該方法的特征還在于，在結合步驟，光固化粘合劑被用于結合半透明組件和半導體基板。根據(jù)該方法，還可以結合半透明組件和半導體基板而不提高溫度，并防止失真產生。而且，在結合步驟，可使用半固化粘合劑結合半透明組件和半導體基板，從而，可能實現(xiàn)復雜的定位。優(yōu)選地，該方法的特征在于，在分割步驟之前，該方法包括進行樹脂屏蔽(resinshielding)的步驟，用樹脂將與半導體基板結合連接附近的半透明組件進行屏蔽。根據(jù)該方法，可能防止水滲入和形成可靠的IT-CCD。同樣，優(yōu)選的是以低于8(TC的溫度下執(zhí)行樹脂屏蔽步驟。根據(jù)該方法，可能結合半透明組件和半導體基板而不提高溫度，且減少失真的產生。此外，本發(fā)明提供了一種固態(tài)成像設備，包括設置有IT-CCD的半導體基板、以及為了具有與IT-CCD的光接收區(qū)相對的間隙而連接至半導體基板的半透明組件，其中連接端子設置在與半導體基板的連接表面相對的半透明組件表面上，且該連接端子經由設置在半透明組件中的通孔連接至半導體基板。根據(jù)這種結構，可通過半透明組件執(zhí)行信號讀取或傳導(conduction)。因此，可以容易地進行連接，容易地裝配成設備，且可減小整個設備的尺寸。此外，為了具有與IT-CCD的光接收區(qū)相對的間隙，半透明組件連接至半導體基板。因此，可能提供具有小尺寸和優(yōu)良的聚光特性的固態(tài)成像設備。理想的是，半透明組件應采用襯墊連接至半導體基板。因此，可提高間隙的幾何尺寸精度，且可能以低成本獲得具有優(yōu)良光學特征的固態(tài)成像設備。理想的是，襯墊應由與半透明組件相同的材料構成。因此，可防止由于和半透明組件一起進行的溫度變化而造成熱膨脹系數(shù)不同所引起的張力，且可延長壽命。理想的是，襯墊應由與半導體基板相同的材料構成。因此，可防止由于和半透明組件一起進行的溫度變化而造成熱膨脹系數(shù)的不同所引起的張力，且可延長壽命。理想的是，襯墊應由樹脂材料構成。該樹脂材料可填充在IT-CCD基板和半透明基板之間，或可由片狀樹脂材料構成。如果襯墊通過在半透明組件和半導體基板之間填充樹脂材料形成，應力被彈力吸收，且可防止由于溫度變化造成的熱膨脹系數(shù)的不同所引起的張力，且可延長壽命。理想的是，襯墊應由42-合金或硅構成。因此，可降低成本，而且，可防止由于與半導體基板一起進行的溫度變化而造成的熱膨脹系數(shù)的不同所引起的張力，且可延長壽命。不限于42-合金，也可使用另一金屬、陶瓷或無機材料。本發(fā)明提供了一種制造IT-CCD的方法，包括如下步驟在半導體基板表面上形成多個IT-CCD、為了具有與IT-CCD的每個光接收區(qū)相對的間隙而將半透明組件(其具有用導電材料填充的通孔)結合在半導體基板的表面上、以及使在每個IT-CCD的結合步驟獲得的結合組件分離的步驟。根據(jù)這種結構，在圓片級上執(zhí)行定位，且通過使用具有通孔的半透明組件順序執(zhí)行集合裝配和集成以分隔每個IT-CCD。因此，可能形成易于制造且具有高可靠性的固態(tài)成像設備。理想的是，結合半透明組件的步驟應包括制備半透明基板、以及將該半透明基板結合到半導體基板表面的步驟，所述半透明基板具有位于相應于待形成IT-CCD的區(qū)域的位置中的多個凹形部分和位于凹形部分附近的通孔。因此，制造的人工小時可減少更多，且裝配可以容易地被執(zhí)行。根據(jù)這種結構，凹形部分和通孔僅在半透明基板中形成。因此，可以容易地形成凹形部分以具有與每個光接收區(qū)相對的間隙，且電極讀取也容易地被執(zhí)行。理想的是，該方法還應包括在結合步驟之前，在半導體基板表面上形成凸出部分以環(huán)繞光接收區(qū)、由凸出部分在光接收區(qū)和半透明組件之間形成間隙的步驟。因此，僅通過半導體基板加工就可以容易地提供具有高可靠性的固態(tài)成像設備。如果形成凸出部分的蝕刻步驟是在形成IT-CCD之前執(zhí)行的，則在某些情況下IT-CCD損壞較少，且將在具有凹凸部分的基板表面上執(zhí)行的光刻法造成圖案移位。另一方面，如果形成凸出部分的蝕刻步驟是在形成IT-CCD之后執(zhí)行的，則IT-CCD有輕微損壞，且可用高精度形成元件區(qū)，而不阻礙IT-CCD的制造方法。理想的是，在結合步驟，應通過被設置以環(huán)繞光接收區(qū)的襯墊在半導體基板和半透明組件之間形成間隙。根據(jù)這種結構，僅通過插入襯墊可能容易地提供具有高可靠性的固態(tài)成像設備。此外，本發(fā)明提供了一種固態(tài)成像設備，包括設置有IT-CCD的半導體基板、以及為了具有與IT-CCD的光接收區(qū)相對的間隙而連接至半導體基板的半透明組件，其中該半透明組件構成具有聚光功能的光學組件。根據(jù)這種結構，具有聚光功能和/或圖像形成功能的光學組件(例如透鏡)被集成(integrate)。因此，不需要安裝該光學組件，且可減小尺寸和提高可靠性。而且，可以容易地執(zhí)行連接(attachment)并可以容易地裝配成設備。因此，可減小整個設備的尺寸。此外，為了具有與IT-CCD的光接收區(qū)相對的間隙，半透明組件連接至半導體基板。因此，可能提供具有小尺寸和優(yōu)良的聚光特性的固態(tài)成像設備。理想的是，半透明組件應采用襯墊連接至半導體基板。因此，可提高間隙的幾何尺寸精度，且可能以低成本獲得具有優(yōu)良的光學特征的固態(tài)成像設備。理想的是，襯墊應由與半透明組件相同的材料構成。因此，可防止由于和半透明組件一起進行的溫度變化而造成的熱膨脹系數(shù)不同所引起的張力，且可延長壽命。理想的是，襯墊應由與半導體基板相同的材料構成。因此，可防止由于和半透明組件一起進行的溫度變化而造成熱膨脹系數(shù)不同所引起的張力，且可延長壽命。理想的是，襯墊應由樹脂材料構成。該樹脂材料可填充在IT-CCD基板和半透明基板之間，或可由片狀樹脂材料構成。如果襯墊通過在半透明組件和半導體基板之間填充樹脂材料形成，則應力被彈力吸收，且可防止由于溫度變化而造成的熱膨脹系數(shù)不同所引起的張力，且可延長壽命。理想的是，襯墊應由42-合金或硅構成。因此，可降低成本，而且，可防止由于與半導體基板一起進行的溫度變化而造成的熱膨脹系數(shù)不同所引起的張力，且可延長壽命。不限于42-合金，也可使用另一金屬、陶瓷或無機材料。本發(fā)明提供了一種制造固態(tài)成像設備的方法，包括以下步驟在半導體基板表面上形成多個IT-CCD、為了具有與IT-CCD的每個光接收區(qū)相對的間隙而將具有聚光功能的光學組件結合在半導體基板表面上、以及使在每個IT-CCD的結合步驟獲得的結合組件分離。根據(jù)這種結構，IT-CCD基板和具有聚光功能的光學組件被放置在圓片級上，且順序執(zhí)行集合裝配和集成以分離每個IT-CCD。因此，可能形成易于制造且具有高可靠性的固態(tài)成像設備。此外，理想的是，在結合光學組件的步驟，半透明基板應被制備，該半透明基板包括與待形成IT-CCD的區(qū)域相應的透鏡并具有凹形部分，且半透明基板應結合到半導體基板表面。根據(jù)這種結構，諸如透鏡和凹形部分等的光學組件僅在半透明基板中形成。因此，凹形部分可以容易地被形成以具有與每個光接收區(qū)相對的間隙。因此，可減少元件數(shù)目，且可以容易地執(zhí)行制造。理想的是，該方法還應包括，在結合步驟前有選擇地去除半導體基板的表面以環(huán)繞光接收區(qū)、由凸出部分在光接收區(qū)和光學組件之間形成間隙的步驟。根據(jù)這種結構，僅通過插入預先在半導體基板表面上形成的凸出部分(襯墊)執(zhí)行裝配。因此，可以容易地提供具有高可靠性和高工作能力的固態(tài)成像設備。此外，結合步驟的特征在于，間隙通過被設置以環(huán)繞光接收區(qū)的襯墊形成在半導體基板和光學組件之間。根據(jù)這種結構，僅通過插入襯墊可能容易地提供具有高可靠性的固態(tài)成像設備。此外，分割步驟的特征在于，以這樣的方式，即IT-CCD的周緣部分的表面暴露在光學組件外的方式，切割光學組件以將光學組件的周緣部分放置到IT-CCD的周緣部分的內部上的步驟。根據(jù)這種結構，可能通過如此暴露的半導體基板表面容易地讀取電極。然后，本發(fā)明提供了一種固態(tài)成像設備，包括設置有IT-CCD的第一半導體基板、以及具有聚光功能的半透明組件，該半透明組件為了具有與IT-CCD的光接收區(qū)相對的間隙而連接至第一半導體基板，其中構成外圍電路的第二半導體基板設置在第一半導體基板上。根據(jù)這種結構，具有聚光功能的光學組件(例如透鏡)被集成。因此，不需要安裝光學組件，且可減小尺寸、提高可靠性。而且，由于外圍電路板也被設置，可以容易地執(zhí)行連接和容易地裝配成設備。因此，可減少整個設備的尺寸。此外，為了具有與IT-CCD的光接收區(qū)相對的間隙，半透明組件連接到第一半導體基板。因此，可能提供具有小尺寸和優(yōu)良的聚光特性的固態(tài)成像設備。理想的是，半透明組件應采用襯墊連接至第一半導體基板。因此，可提高間隙的幾何尺寸精度，且可能獲得具有優(yōu)良的光學特征的固態(tài)成像設備。理想的是，襯墊應由與半透明組件相同的材料構成。因此，可防止由于與半透明組件一起進行的溫度變化而造成的熱膨脹系數(shù)不同所引起的張力，且可延長壽命。理想的是，襯墊應由與第一半導體基板相同的材料構成。因此，可防止由于和第一半導體基板一起進行的溫度變化而造成熱膨脹系數(shù)不同所引起的張力，且可延長壽命。理想的是，襯墊應通過在半透明組件和第一半導體基板之間填充樹脂材料而構成。因此，應力被彈力吸收，且可防止由于溫度變化而造成的熱膨脹系數(shù)不同所引起的張力，且可延長壽命。本發(fā)明提供了一種制造固態(tài)成像設備的方法，包括以下步驟在第一半導體基板表面上形成多個IT-CCD、在第二半導體基板表面上形成外圍電路、為了具有與IT-CCD的每個光接收區(qū)相對的間隙而將具有聚光功能的光學組件結合在第一半導體基板和第二半導體基板上、以及使在每個IT-CCD的結合步驟獲得的結合組件分離。根據(jù)這種結構，IT-CCD基板和具有聚光功能的光學組件被放置在圓片級上，且順序執(zhí)行集合裝配和集成以分割每個IT-CCD。因此，可能形成易于制造且具有高可靠性的固態(tài)成像設備。此外，理想的是，在結合光學組件的步驟，半透明基板應被制備，該半透明基板包括與待形成IT-CCD的區(qū)域相應的透鏡并具有凹形部分，且半透明基板應結合到第一半導體基板表面。根據(jù)這種結構，諸如透鏡和凹形部分等的光學組件僅在半透明基板中形成。因此，凹形部分可以容易地被形成以具有與每個光接收區(qū)相對的間隙。因此，可減少元件數(shù)目，且可以容易地執(zhí)行制造理想的是，該方法還應包括，在結合步驟前通過有選擇地去除第一半導體基板表面而形成凸出部分以環(huán)繞光接收區(qū)、由凸出部分在光接收區(qū)和光學組件之間形成間隙的步驟。根據(jù)這種結構，僅通過插入預先在第一半導體基板表面上形成的凸出部分(襯墊)執(zhí)行裝配。因此，可能容易地提供具有高可靠性和高工作能力的固態(tài)成像設備。此外，結合歩驟的特征在于，間隙通過被設置以環(huán)繞光接收區(qū)的襯墊形成在第一半導體基板和光學組件之間。根據(jù)這種結構，僅通過插入襯墊可能容易地提供具有高可靠性的固態(tài)成像設備。此外，分割步驟的特征在于，以這樣的方式，即每個IT-CCD的周緣部分的表面暴露在光學組件外的方式，切割光學組件以將光學組件的周緣部分放置到第一半導體基板的每個IT-CCD的周緣部分的表面上。根據(jù)這種結構，可能容易地讀取在按照此方式暴露的第一半導體基板表面上的電極。因此，本發(fā)明提供了一種固態(tài)成像設備，其包括設置有IT-CCD的第一半導體基板、以及為了具有與IT-CCD的光接收區(qū)相對的間隙而連接至第一半導體基板的半透明組件，其中在其上形成有外圍電路的第二半導體基板設置在與待形成IT-CCD的第一半導體基板表面相對的表面上，且外圍電路經由設置在第一半導體基板上的通孔連接至IT-CCD。根據(jù)這種結構，外圍電路被設置，且第二半導體基板經由設置在第一半導體基板上的通孔彼此電連接。因此可減小整個設備的尺寸，而且，可減小第一半導體基板和第二半導體基板之間的距離。因此，可減少導線電阻和提高驅動速度。而且，第一和第二半導體基板通過諸如冷直接結合(colddirectbonding)等方法彼此直接結合。因此，可能獲得更牢固的結合。并且，可很好地實現(xiàn)電連接。此外，在第一和第二半導體基板之間使用粘合劑層使其彼此結合。因此，可以容易地實現(xiàn)理想結合。理想的是，粘合劑層應具有與第一和第二半導體基板的每個的熱膨脹系數(shù)盡可能接近的熱膨脹系數(shù)。而且，可在第一和第二半導體基板之間使用絕熱材料使其彼此結合。從而，構成外圍電路的第二半導體基板的熱傳遞至IT-CCD基板。因此，可能防止IT-CCD的特征受到不利的影響。而且，在第一和第二半導體基板之間使用磁屏蔽材料使其彼此結合。從而，可能阻擋由不必要的輻射而造成的相互噪音。而且，本發(fā)明提供了一種制造固態(tài)成像設備的方法，包括以下步驟在第一半導體基板表面上形成多個IT-CCD、在第二半導體基板表面上形成外圍電路、為了具有與IT-CCD的每個光接收區(qū)相對的間隙而將半透明組件結合到第一半導體基板的表面上、將第二半導體基板結合至第一半導體基板的背面、在結合步驟和半導體基板結合步驟之前或之后在第一半導體基板上形成通孔、將IT-CCD電連接至第一半導體基板的背面、以及使在每個IT-CCD的結合步驟獲得的結合組件分離。根據(jù)這種結構，對于每個固態(tài)成像設備，在其上裝配IT-CCD的第一半導體基板和在其上裝配外圍電路的第二半導體基板相對于半透明組件放置在圓片級上，且被集合裝配和集成，從而分離為每個固態(tài)成像設備。從而，可能形成易于制造且具有高可靠性的固態(tài)成像設備。理想的是，在半導體基板結合步驟，第一和第二半導體基板應通過直接結合彼此結合。因此，可能容易地執(zhí)行形成，而不使基板由于粘合劑擠出而變臟。此外，在半導體基板結合步驟，可在第一和第二半導體基板之間使用粘合劑層使其相互結合，從而可用光固化粘合劑層、熱固粘合劑層或它們的組合使它們容易地相互結合而不移動。圖1A和1B示出用根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的方法形成的固態(tài)成像設備的截面和示出主部的放大截面圖2A至2D示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖3A至3C示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖4A至4D示出根據(jù)本發(fā)明的第二實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖5A至5E示出根據(jù)本發(fā)明的第三實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖6A至6D示出根據(jù)本發(fā)明的第四實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖7A至7D示出根據(jù)本發(fā)明的第五實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖8A至8E示出根據(jù)本發(fā)明的第六實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖9A至9E示出根據(jù)本發(fā)明的第七實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖10A至10D示出根據(jù)本發(fā)明的第八實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖11A至11D示出根據(jù)本發(fā)明的第九實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖12A和12B示出根據(jù)本發(fā)明的第十實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖13示出根據(jù)本發(fā)明的第十實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖14A和14B示出根據(jù)本發(fā)明的第十一實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖15A至15C示出根據(jù)本發(fā)明的第十二實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖16A至16D示出根據(jù)本發(fā)明的第十三實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖17A至17C示出根據(jù)本發(fā)明的第十四實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖18示出根據(jù)本發(fā)明的第十五實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖19A至19D示出根據(jù)本發(fā)明的第十六實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖20A至20C示出根據(jù)本發(fā)明的第十七實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖21A至21F示出根據(jù)本發(fā)明的第十八實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖22A至22C示出根據(jù)本發(fā)明的第十九實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖23A至23D示出根據(jù)本發(fā)明的第二十實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖24示出根據(jù)本發(fā)明的第二十一實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖25A至25E示出根據(jù)本發(fā)明的第二十一實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖26示出根據(jù)本發(fā)明的第二十二實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖27A至27C示出根據(jù)本發(fā)明的第二十三實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖28A至28D示出根據(jù)本發(fā)明的第二十三實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖29A至29E示出根據(jù)本發(fā)明的第二十四實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖30A和30B示出根據(jù)本發(fā)明的第二十五實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖31示出根據(jù)本發(fā)明的第二十六實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖32示出根據(jù)本發(fā)明的第二十七實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖33示出根據(jù)本發(fā)明的第二十八實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖34A、34A、以及34B至34E示出根據(jù)本發(fā)明的第二十八實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖35A至35E示出根據(jù)本發(fā)明的第二十八實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖36A至36C示出根據(jù)本發(fā)明的第二十九實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖37A至37C示出根據(jù)本發(fā)明的第三十實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖38A、38A、以及38B至38E示出根據(jù)本發(fā)明的第三H-—實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖39A、39A、、39B、39B、、以及39C至39F示出根據(jù)本發(fā)明的第三十二實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖40A至40D示出根據(jù)本發(fā)明的第三十三實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖41示出根據(jù)本發(fā)明的第三十四實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖4.2A、42A、、以及42B至42D示出根據(jù)本發(fā)明的第三十四實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖43A至43C示出根據(jù)本發(fā)明的第三十四實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖44A和44B示出根據(jù)本發(fā)明的第三十五實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖；'圖45A和45B示出根據(jù)本發(fā)明的第三十六實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖46A、46A、、以及46B至46D示出根據(jù)本發(fā)明的第三十七實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖47A至47D示出根據(jù)本發(fā)明的第三十八實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖48A至48D示出根據(jù)本發(fā)明的第三十九實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖49示出根據(jù)本發(fā)明的第四十實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖；，.圖50示出根據(jù)本發(fā)明的第四十一實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖51A至51F示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的貯液器形狀的視圖；圖52示出根據(jù)本發(fā)明的第四十一實施例的樹脂屏蔽的結構的視圖；圖53A和53B示出根據(jù)本發(fā)明的第四十二實施例的固態(tài)成像設備的截面圖以及示出主部的放大截面圖54A、54A\以及54B至54E示出根據(jù)本發(fā)明的第四十二實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖；'圖55A至55E示出根據(jù)本發(fā)明的第四十二實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖56A至56C示出根據(jù)本發(fā)明的第四十三實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖57AM57C示出根據(jù)本發(fā)明的第四十四實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖58A、58A\以及58B至58E示出根據(jù)本發(fā)明的第四十五實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖59A和59A、、59B和59B'、以及59C至59F示出根據(jù)本發(fā)明的第四十六實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖60A至60D示出根據(jù)本發(fā)明的第四十七實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖61A和61B示出根據(jù)本發(fā)明的第四十八實施例的固態(tài)成像設備的截面圖以及示出主部的放大截面圖62A、62A、、以及62B至62D示出根據(jù)本發(fā)明的第四十八實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖63A至63C示出根據(jù)本發(fā)明的第四十八實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖64A和64B示出根據(jù)本發(fā)明的第四十九實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖65A和65B示出根據(jù)本發(fā)明的第五十實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖66A、66A、、以及66B至66D示出根據(jù)本發(fā)明的第五H"^—實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖67A至67D示出根據(jù)本發(fā)明的第五十二實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖68A至68D示出根據(jù)本發(fā)明的第五十三實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖69示出根據(jù)本發(fā)明的第五十四實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖70示出根據(jù)本發(fā)明的第五十五實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖71A和71B示出根據(jù)本發(fā)明的第五十六實施例的固態(tài)成像設備的截面圖以及示出主部的放大截面圖72A、72A\以及72B至72D示出根據(jù)本發(fā)明的第五十六實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖73A至73C示出根據(jù)本發(fā)明的第五十六實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖74A和74B示出根據(jù)本發(fā)明的第五十七實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖75A和75B示出根據(jù)本發(fā)明的第五十八實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖76A、76A、、以及76B至76D示出根據(jù)本發(fā)明的第五十九實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖77A至77C示出根據(jù)本發(fā)明的第六十實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖；，圖78A至78D示出根據(jù)本發(fā)明的第六H~—實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖79示出根據(jù)本發(fā)明的第六十二實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖80示出根據(jù)本發(fā)明的第六十三實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖81A和81B示出根據(jù)本發(fā)明的第六十四實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖以及示出主部的放大截面圖；'圖82A至82D示出根據(jù)本發(fā)明的第六十四實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖83A至83C示出根據(jù)本發(fā)明的第六十四實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖84A至84D至示出根據(jù)本發(fā)明的第六十四實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖85A至85E示出根據(jù)本發(fā)明的第六十五實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖S6A和86B示出根據(jù)本發(fā)明的第六十六實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖87示出根據(jù)本發(fā)明的第六十七實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視圖88示出根據(jù)本發(fā)明的第六十八實施例制造固態(tài)成像設備的方法的視在圖中，參考數(shù)字100是指IT-CCD基板；101是指硅基板；102是指IT-CCD;200是指密封蓋玻璃；201是指玻璃基板；203S是指襯墊。具體實施例方式下面將參看圖描述本發(fā)明的實施例。(第一實施例)如圖1A的截面圖和圖1B中示出主部的放大截面圖所示，固態(tài)成像設備具有這樣一結構，為半透明基板的玻璃基板201結合至IT-CCD基板100的表面，該IT-CCD基板100包括為半導體基板的硅基板101，硅基板101設置有通過襯墊203S的IT-CCD102，以具有與硅基板101的光接收區(qū)相應的間隙C，而且，硅基板101的周緣通過切割(dicing)被單獨分離，且通過在硅基板101表面上形成的焊盤(bondingpad)BP可獲得至外部電路(未示出)的電連接，該焊盤BP位于暴露在玻璃基板201之外的周緣部分中。襯墊203S具有10至500Pm的高度，且優(yōu)選為80至120um。而且，襯墊寬度設定為約100至500um。如圖IB中示出主部的放大截面圖所示，IT-CCD基板具有安排在其表面上的IT-CCD，而且，由設置有RGB濾色器46和微型透鏡50的硅基板101構成。在IT-CCD中，溝道截斷環(huán)(channelstopper)28設置在在n-型硅基板101a表面上形成的p阱(pwell)101b中，且光電二極管14和電荷轉移元件33被形成，同時溝道截斷環(huán)28插在它們之間。下文中，n-型雜質區(qū)14b設置在p+溝道區(qū)14a中，以形成光電二極管14。此外，包括深度為約0.3tim的n-型雜質區(qū)的垂直電荷轉移通道20在p+溝道區(qū)14a中形成，且包括多晶硅層的垂直電荷轉移電極32通過包括二氧化硅薄膜的門絕緣薄膜30形成在垂直電荷轉移溝道20中，以便構成電荷轉移元件33。此外，用于讀邏輯門的溝道26由電荷轉移元件33和光電二極管14之間的p-型雜質區(qū)形成，該光電二極管14位于讀取信號電荷到垂直電荷轉移溝道20上的側上。n-型雜質區(qū)14b沿用于讀邏輯門的溝道26暴露在硅基板101的表面之外，且在光電二極管14中產生的信號電荷儲存在n-型雜質區(qū)14b中，然后通過用于讀邏輯門的溝道26被讀取。另一方面，包括p+型雜質區(qū)的溝道截斷環(huán)28位于垂直電荷轉移溝道20和另一光電二極管14之間。因此，光電二極管14和垂直電荷轉移溝道20彼此電絕緣，且垂直電荷轉移溝道20被隔開，以便彼此不接觸。此外，垂直電荷轉移電級32遮蓋了用于讀邏輯門的溝道26，且n-型雜質區(qū)14b被暴露，溝道截斷環(huán)28的一部分被暴露。信號電荷從用于讀邏輯門的溝道26傳輸，該溝道26設置在施加讀信號的任一垂直電荷轉移電極32之下。垂直電荷轉移電級32與垂直電荷轉移溝道20—起構成垂直電荷轉移設備(VCCD)33，用于傳遞由垂直方向中的光電二極管14的pn結產生的信號電荷。設置有垂直電荷轉移電級32的基板表面用表面保護薄膜36覆蓋，由鎢制成的屏蔽薄膜38設置在其上，且僅有光電二極管的光接收區(qū)40被打開，其它區(qū)域被屏蔽。此外，垂直電荷轉移電級32的上層用平展的(flattened)絕緣薄膜43(用于使表面平展)和在其上層上形成的半透明樹脂薄膜44覆蓋，而且，濾色器層46形成在其上。濾色器層46具有順序安排的紅濾色器層46R、綠濾色器層46G和藍濾色器層46B，以產生相應于每個光電二極管14的預定圖案。而且，上層由包括由微型透鏡50的微型透鏡陣列覆蓋，該微型透鏡50通過使用光刻法的蝕刻方法通過平展的絕緣膜48在半透明樹脂上形成圖案而形成，該半透明樹脂包含折射率為1.3至2.0的光敏樹脂，接著熔化相同的半透明薄膜，通過表面張力使熔化的半透明薄膜變圓，此后冷卻變圓的半透明薄膜。接著，將描述用于制造固態(tài)成像設備的方法。所述方法基于所謂的圓片級CSP方法，其中放置在圓片級上執(zhí)行，集合裝配和集成被執(zhí)行，接著用于每個IT-CCD的分割被執(zhí)行，如在圖2A至2C和圖3A至3C中示出的制造過程的視圖所示。所述方法的特征在于，具有預先設置有襯墊203S的襯墊的密封蓋玻璃200被使用。首先，將描述具有襯墊的玻璃基板的形成。如圖2A所示，將成為襯墊的硅基板203通過包括紫外線固化型粘合劑(陽離子聚合能量線固化粘合劑)的粘合劑層202粘附至玻璃基板201的表面。下文中，所謂的具有較少a射線引起圖像噪音的低a射線玻璃(CG1:注冊商標)用作玻璃基板201。理想的是，具有較少部分為a射線輻射核的材料應被用作待使用的玻璃基板。理想的是，a射線極限值應為0.002(DPH/cm2)。接著，如圖2B所示，硅基板203通過使用光刻法的蝕刻方法被蝕刻，同時抗蝕圖案留在將成為襯墊的部分中，從而形成襯墊203S。此后，如圖2C所示，抗蝕劑以使用于形成襯墊203S的抗蝕圖案留下的狀態(tài)被填充在除了元件區(qū)外的襯墊區(qū)中，且玻璃基板被蝕刻以具有預定深度。因此，如圖2D所示形成元件槽部分(trenchsection)。理想的是，襯墊寬度應被設定為約100至500um。如果襯墊寬度小于100um，則存在密封不足的可能性，而且，可產生損壞力。并且，如果襯墊寬度大于500um，則存在減少分割(可從一個圓片取出的單元數(shù)目)和不能減小尺寸的問題。此外，考慮到粘合劑的滲出，理想的是，光接收表面和襯墊之間的距離應被設定為50ym或更大。襯墊由硅基板形成。從而，如果在為玻璃基板的主要成分的二氧化硅的蝕刻速度比硅的蝕刻速度高得多的蝕刻條件下執(zhí)行蝕刻，則還可能在襯墊側壁保持暴露在元件區(qū)中的情形下執(zhí)行蝕刻。在元件槽部分204的形成中，還可以使用切割刀片(磨石)。在襯墊的蝕刻中，可以粘在上面的雜質具有5um或更小的尺寸的方式選擇蝕刻條件。當粘在上面的雜質具有5um或更小的尺寸時，如果光接收表面和玻璃基板的下表面之間的距離被設定為0.08t:m或更大，則可能防止圖像噪音產生，如下所述。隨后，粘合劑層207也形成在襯墊表面上。在氣泡混入粘合劑層的某些情況下，會產生圖像噪音。理想的是，粘合劑層207應具有5nm或更小的厚度。如果厚度等于或小于5um，則厚度為5ym或更大的氣泡不會出現(xiàn)。如上所述，如果光接收表面和將在下面描述的玻璃基板的下表面之間的距離設定為0.08mm或更大，則可能防止圖像噪音產生。此外，可再次執(zhí)行光刻法，以形成這樣的抗蝕圖案，以使其包括襯墊的整個側壁，且可通過抗蝕圖案執(zhí)行蝕刻，從而形成槽部分204。因此，獲得設置有槽部分204的密封蓋玻璃200和襯墊203S。理想的是，為了防止圖像噪音的產生，襯墊應具有0.088mm或更大的高度，為了提高形成襯墊的生產率，應為0.12mm或更小。在襯墊203S將通過蝕刻形成的情況下，還可能通過使用QFs等離子體執(zhí)行蝕刻，同時保護襯墊的側壁。此外，優(yōu)選的是，通過使用SF6+02等離子體的各向異性刻蝕蝕刻底面。接著，形成IT-CCD基板。在元件基板的形成中，如圖3A所示，硅基板101(使用了6英寸的圓片)被預先制備，且通過例如在與分隔線相應的區(qū)域中蝕刻等方法形成切割槽104，該分隔線用于在硅基板101表面上分隔成每個IT-CCD。接著，通過使用普通硅加工，溝道截斷環(huán)層被形成，溝道區(qū)被形成，例如電荷轉移電極…等元件區(qū)被形成。此外，還形成焊盤BP，其表面上設置有布線層，且包括用于外部連接的金層。接著，如圖3B所示，用在每個基板的周緣部分中形成的對準標記執(zhí)行對準，且密封蓋玻璃200裝配在設置有如上所述的元件區(qū)的IT-CCD基板100上，并如此進行加熱，以使它們兩個與粘合劑層207結合在一起。理想的是，所述方法應在真空或諸如氮氣等的惰性氣體大氣中執(zhí)行。在結合中，還可能使用熱固和紫外線固化粘合劑以及熱固粘合劑。此外，在IT-CCD基板的表面由Si或金屬制成的情況下，還可能通過表面激活冷結合來執(zhí)行結合，而不使用粘合劑。此后，從玻璃基板201的背面執(zhí)行CMP(化學機械拋光)，且玻璃基板201的背面被去除以觸及槽部分204。通過所述步驟，可能執(zhí)行各個分隔，同時減小玻璃基板的厚度。此外，如圖3C所示，以與執(zhí)行拋光切割槽104部分相同的方式從硅基板101的背面執(zhí)行CMP。因此，可通過分割獲得單獨的固態(tài)成像設備。這樣，集合裝配被執(zhí)行，接著單獨分割被執(zhí)行，而不執(zhí)行單獨對準和諸如引線接合等電連接。因此，制造可以容易地被執(zhí)行，且處理可以容易地被執(zhí)行。此外，槽部分204預先形成在玻璃基板201上，且在裝配后用諸如CMP等方法去除表面，以使其具有觸及槽部分204的深度。因此，可非常容易地執(zhí)行分割。而且，在非常簡單的方法中，其中凹形部分預先形成在玻璃基板的內部上，在結合后通過諸如深腐蝕或CMP等方法執(zhí)行去除以具有相同深度，用高精度形成這樣一結構，其中玻璃基板201的邊緣放置在設置有IT-CCD的硅基板101的邊緣內部上且硅基板101的表面被暴露。而且，該結構可以高工作能力容易地形成。此外，在元件形成表面通過結合封入間隙C中的狀態(tài)下可僅通過分割或拋光形成單獨的IT-CCD。因此，可能提供很少損壞元件并具有高可靠性的IT-CCD。此外，硅基板通過CMP變薄以具有約為1/2的深度。因此，可減小尺寸和厚度。此外，在結合到玻璃基板后厚度減小。因此，可能防止機械力的損耗。此外，參看至外部的連接，設置在構成IT-CCD基板100的硅基板上的焊盤BP暴露在由襯墊203S和玻璃基板201形成的密封部分之外。因此，所述形成可以容易地進行。因此，根據(jù)本發(fā)明的結構，在圓片級上執(zhí)行放置，且順序執(zhí)行集合裝配和集成以分割每個IT-CCD。因此，可能形成易于制造并具有高可靠性的固態(tài)成像設備。雖然在第一實施例中包括焊盤的布線層由金層構成，顯然的是，不限于金層，可使用諸如鋁等的另一金屬或諸如硅等的另一導電層。而且，通過在基板表面上形成透明樹脂薄膜和通過從相同表面的離子注入到預定深度形成具有折射率梯度的透鏡層，也可設置微型透鏡陣列。而且，對于襯墊，除硅基板以外，可能適當?shù)剡x擇42-合金、金屬、玻璃、光敏聚酰亞胺和聚碳酸脂樹脂。此外，因為每個IT-CCD基板、襯墊、以及玻璃基板具有不同的線性熱膨脹系數(shù)，這常常造成失真產生。為了防止失真產生或如果失真產生則保持失真在可允許的范圍內，用于結合的溫度被設定為室溫或從20'C至8(TC的溫度。當粘合劑用于結合時，優(yōu)選的是使用例如環(huán)氧粘合劑、乙氧基(oxetanyl)粘合劑、硅粘合劑、丙烯酸粘合劑、UV固化粘合劑、可見固化粘合劑等，以便粘合劑線較細，從而獲得預定的粘合力、防止水滲入、以及實現(xiàn)非?？煽康慕Y合。在第一實施例中，當用于結合的溫度改變時測量失真頻率。在實驗中，用于結合的溫度改變到20°C、25°C、50°C、80°C、和100°C。接著，在每個溫度，在使用室溫凝固粘合劑和熱固粘合劑的每種情況下檢查失真頻率。在實驗中，上述的粘合劑被應用于玻璃基板和襯墊的結合以及襯墊和IT-CCD基板的結合。根據(jù)該實驗，在每個溫度應用室溫凝固粘合劑的情況下，獲得與應用熱固粘合劑幾乎相同的結果。在這些情況下，在2(TC和25。C，幾乎不產生失真。在5(TC，在可允許范圍內的失真的產生有時出現(xiàn)。在8CTC，在可允許范圍內的失真的產生經常出現(xiàn)。在IO(TC，超出可允許范圍的失真的產生有時出現(xiàn)。從所述實驗的上述結果，很顯然，用于結合的溫度優(yōu)選設定在80°C以下。此外，如果光固化粘合劑(UV固化粘合劑、可見固化粘合劑、等等)被應用，則用于結合的溫度被設定為等于/低于5CTC。因此，根本不會出現(xiàn)失真的產生，且可能獲得極好的結果。而且，對傳感器和玻璃之間的距離的最優(yōu)值進行模擬。模擬條件設定為具有3.5mm的出射光瞳、3.5的F值、以及1.5的玻璃基板折射率。首先，在玻璃基板的下表面具有尺寸為5pm的瑕疵的情況下，固態(tài)成像元件的光電二極管部分的光接收表面和玻璃基板的下表面之間的距離被改變，且該距離和瑕疵投射到固態(tài)成像元件上的陰影的密度之間的關系被測量。模擬的結果在下表l中示出。47從表1中顯見，如果光接收表面和玻璃基板之間的距離為0.07mm，則陰影密度為比4%大的4.7%。因此，理想的是，光接收表面和玻璃基板之間的距離應等于或大于0.08mm。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>而且，表2示出在尺寸為20pm的瑕疵出現(xiàn)在玻璃基板表面上的情況下，通過測量光接收表面和玻璃基板的上表面之間的距離和瑕疵投射到固態(tài)成像元件上的陰影的密度而獲得的結果。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>從表中顯而易見的是，在光接收表面和玻璃基板上表面之間的距離等于或小于0.4mm的情況下，陰影密度等于或大于0.4%。在背景均勻的情況下，例如天空，投射到固態(tài)成像元件的光接收表面上的陰影密度為4%，且陰影開始在打印的圖像上可見。因此，當陰影密度被設定為小于4%時，不存在這種瑕疵的影響。從上述的實驗結果可知，玻璃基板表面和CCD之間的間距將為0.08mm。顯然的是，間距應理想地設定為0.12mm。此外，光接收表面和玻璃基板上表面之間的距離等于或大于0.5mm是足夠的，即使尺寸為20pm的塵埃被放在玻璃基板的表面上。而且，在相同的模擬中，獲得了這樣一結果，即光接收表面和玻璃基板上表面之間的距離等于或大于1.5mm且F值為11是足夠的。從上述結果中，當光接收表面和玻璃基板上表面之間的距離被設定為0.5至1.5mm時，可防止看不見的塵埃造成圖像噪音(如果有的話)。此外，考慮到設備尺寸、由于較大的玻璃厚度而造成的切割生產力的強度和弱化的問題，理想的是，光接收表面和玻璃基板上表面之間的距離應被設定為1.5讓或更小。(第二實施例)接著將描述本發(fā)明的第二實施例。在第一實施例中，切割槽104預先形成在構成IT-CCD基板100的硅基板101上，通過使用由與固態(tài)圖像拾取(pickup)元件基板100相同的硅制成的襯墊203S，IT-CCD基板100和密封蓋玻璃200相互結合，且接著從后部執(zhí)行CMP以觸及切割槽104，以使硅基板101的厚度減小，且同時執(zhí)行分割。所述示例的特征在于，執(zhí)行分割而不在硅基板101上形成切割槽，并保持準確的厚度。其它部分以與第一實施例中的部分相同的方式形成。更具體地，圖4A至4D示出結合和分割步驟。如圖4A所示，硅基板101被設定為起始材料，且通過使用普通結合方法，溝道截斷環(huán)層被形成，溝道區(qū)被形成，諸如電荷轉移電極等的元件區(qū)被形成。此外，形成焊盤BP，其表面上設置有布線層的且其包括用于外部連接的金層。接著，如圖4B所示，用在每個基板的周緣部分中形成的對準標記執(zhí)行對準，且密封蓋玻璃200裝配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此進行加熱，以使它們兩個都與粘合劑層207結合在一起。在這種情況下，由于切割槽未在硅基板101上形成，故機械力很大。此后，如圖4C所示，從玻璃基板201的背面執(zhí)行CMP(化學機械拋光)，且以與第一實施例相同的方式去除玻璃基板201的背面以觸及切割部分204。通過這個步驟，可能執(zhí)行單獨的分割，同時玻璃基板的厚度減小。此外，如圖4D中所示，從玻璃基板201側用金剛石刀片(磨石)執(zhí)行切割，以便執(zhí)行分為單獨的固態(tài)成像設備的分割。根據(jù)這種方法，可能形成比第一實施例中獲得的固態(tài)成像設備更厚且具有高可靠性的設備。(第三實施例)接著，將描述本發(fā)明的第三實施例。在第一實施例中，切割槽104預先形成在構成IT-CCD基板100的硅基板101上，接著在結合后從背面執(zhí)行CMP以觸及切割槽104，以使硅基板101的厚度減小并同時執(zhí)行分割。在這個示例中，由厚度為50至700|im的硅基板形成的隔板301通過粘合劑層302粘附至硅基板101的背面，且在粘附后形成具有觸及隔板301的深度的切割槽304。因此，在分割步驟，粘合劑層302可被軟化以消除粘性，從而去除其它部分可以與第一實施例中相同的方式形成。更具體地，圖5A至5E示出結合和分割步驟。硅基板101被設定為起始材料，且通過使用普通硅加工，形成溝道截斷環(huán)層，形成溝道區(qū)，形成諸如電荷轉移電極...等的元件區(qū)。此外，形成焊盤BP，其表面上設置有布線層，且其包括用于外部連接的金層。接著，如圖5A所示，由硅基板形成的隔板301通過粘合劑層302粘附至硅基板101的背面。此后，如圖5B所示，通過從硅基板101的元件形成表面?zhèn)仁褂媒饎偸镀?磨石)形成切割槽304。隨后，如圖5C所示，用在IT-CCD基板100和密封蓋玻璃200的周緣部分中形成的對準標記(未示出)執(zhí)行對準，且密封蓋玻璃200裝配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此進行加熱，以使它們兩個都與粘合劑層207結合在一起。在這種情況下，盡管所形成的切割槽304穿透硅基板101，但由于隔板301的固定，故機械力很大。此后，如圖5D所示，從玻璃基板201的背面執(zhí)行CMP(化學機械拋光)，且以與第一實施例中相同的方式去除玻璃基板201的背面以觸及切割部分204。通過這個步驟，可能執(zhí)行單獨的分割，同時玻璃基板的厚度減少。此外，如圖5E中所示，設置在硅基板101背面上的粘合劑層302被軟化以去除隔板301，從而執(zhí)行成為單獨的固態(tài)成像設備的分割。理想的是，應為粘合劑層302選擇具有比用于將襯墊203S結合至玻璃基板201的粘合劑層202更低的軟化點的材料。根據(jù)這種方法，在結合之前IT-CCD基板100在隔板301之上經受切割。因此，與在第一實施例中獲得的固態(tài)成像設備相比，在結合之后將施加的應力變小且可更快地提高制造產量。此外，可能提高IT-CCD的可靠性。雖然可通過使用實施例中的粘合劑層執(zhí)行玻璃基板至襯墊的結合，但是還可能應用陽極結合或表面激活冷結合。根據(jù)陽極結合，可能容易地獲得牢固的結合。此外，雖然在第一至第三實施例中使用CMP減小玻璃厚度，還可能使用研磨法、拋光法和蝕刻法。(第四實施例)接著，將描述本發(fā)明的第四實施例。在第一實施例中，槽部分204預先形成在與構成密封蓋玻璃200的玻璃基板201的元件區(qū)相應的區(qū)域中，IT-CCD基板結合至玻璃基板，接著從玻璃基板201的背面執(zhí)行CMP，從而執(zhí)行分為單獨元件的分割。在本實施例中，不具有凹形部分的玻璃基板被結合，在分割期間通過切割或激光使切割線的周緣蒸發(fā)，每個IT-CCD的玻璃基板201的邊緣被調整以被放置在構成IT-CCD基板100的硅基板101的邊緣內部上。其它部分以與第一實施例相同的方式形成。更具體地，在所述方法中，當如圖2B所示形成襯墊時完成玻璃基板的加工。通過將襯墊203S結合至板狀玻璃基板201而獲得的玻璃基板被用作起始材料。如圖6A所示，硅基板101(使用了6英寸的圓片)被預先制備，且切割槽104通過諸如在與用于分成每個IT-CCD的分割的分割線相應的區(qū)域中進行蝕刻等方法形成。接著，通過使用普通硅加工，形成溝道截斷環(huán)層，形成溝道區(qū)和形成諸如電荷轉移電極…等的元件區(qū)。此外，形成表面上設置有布線層的焊盤BP，且其包括用于外部連接的金層。接著，如圖6B所示，用在每個基板的周緣部分中形成的對準標記執(zhí)行對準，且密封蓋玻璃200裝配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此進行加熱，以使它們兩個都與粘合劑層207結合在一起。此后，如圖6C所示，通過切割或激光使切割線的周邊從玻璃基板的背面蒸發(fā)，且每個IT-CCD的玻璃基板201的邊緣被調整以放置在構成IT-CCD基板100的硅基板101的邊緣內部上。而且，如圖6D所示，以與執(zhí)行拋光直到切割槽104部分相同的方式從硅基板IOI的背面執(zhí)行CMP，從而執(zhí)行分成單獨的固態(tài)成像設備的分割。此外，這個步驟不限于CMP，也可使用研磨、拋光和蝕刻。這樣，集合裝配被執(zhí)行，接著單獨的分割被執(zhí)行。因此，制造可別容易地執(zhí)行，且處理可被容易地執(zhí)行。此外，槽部分204不是預先形成在玻璃基板201上，而是通過切割或激光引起的蒸發(fā)去除邊緣。因此，可非常容易地執(zhí)行分割。這樣，通過用于執(zhí)行切割或激光引起的蒸發(fā)的簡單方法，可以高精度形成如下結構，其中玻璃基板201的邊緣被放置在裝配CCD的硅基板101的邊緣內部上，且硅基板101的表面被暴露。此外，玻璃基板保持相同厚度直到分割步驟。因此，可能減少翹曲和張力。(第五實施例)接著，將描述本發(fā)明的第五實施例。在第四實施例中，切割槽104預先形成在構成IT-CCD基板100的硅基板101上，接著在結合后從背面執(zhí)行CMP以觸及切割槽104，以便減小硅基板101的厚度并同時執(zhí)行分割。所述示例的特征在于，切割槽未形成在硅基板101上，但是執(zhí)行了分割且保持了準確的厚度。此外，以與第四實施例相同的方式執(zhí)行結合，而不在玻璃基板201上形成槽部分204，且在分割期間邊緣部分蒸發(fā)。其它部分以與第一實施例中相同的方式形成。更具體地，圖7A至7D示出結合和分割步驟。如圖7A所示，硅基板101被設定為起始材料，且通過使用普通硅加工，形成溝道截斷環(huán)層，形成溝道區(qū)，以及形成諸如電荷轉移電極等元件區(qū)。此外，形成焊盤BP，其表面上設置有布線層，且包括用于外部連接的金層。接著，如圖7B所示，用在每個基板的周緣部分中形成的對準標記執(zhí)行對準，且密封蓋玻璃200裝配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此進行加熱，以使它們兩個都與粘合劑層207結合在一起。在這種情況下，由于既無切割槽又無凹形部分形成在硅基板101和玻璃基板201上，故機械力很大。接著，如圖7C所示，通過切割或激光使切割線的周邊從玻璃基板201的背面蒸發(fā)，且每個IT-CCD的玻璃基板201的邊緣被調整以放置在構成IT-CCD基板100的硅基板101的邊緣內部上，從而以與第四實施例相同的方式執(zhí)行分割。最后，如圖7D所示，從玻璃基板201側用金剛石刀片(磨石)執(zhí)行切割，從而執(zhí)行分為單獨的固態(tài)成像設備的分割。根據(jù)該方法，可能形成比在第一實施例中獲得的固態(tài)成像設備更厚并具有高可靠性的設備。(第六實施例)接著，將描述本發(fā)明的第六實施例。在第四實施例中，切割槽104預先形成在構成IT-CCD基板100的硅基板101上，接著從背面執(zhí)行CMP，從而執(zhí)行分割。而且，在第五實施例中，切割槽104預先形成在構成IT-CCD基板100的硅基板101上，且在結合后用金剛石刀片(磨石)執(zhí)行切割，從而分割硅基板101。在所述示例中，由厚度為50至700,的硅基板形成的隔板301通過粘合劑層302粘到硅基板101的背面，且以這樣的方式，即在將密封蓋玻璃200粘附至IT-CCD基板100后不需要分割硅基板101的方式，在粘附后形成具有觸及隔板301的厚度的切割槽304。從而，在分割步驟，粘合劑層302可被軟化以去除隔板301。其它部分以與第四和第五實施例中相同的方式形成。更具體地，圖8A至8E示出結合和分割步驟。如圖8A所示，硅基板101被設定為起始材料，且通過使用普通硅加工，形成溝道截斷環(huán)層，形成溝道區(qū)，以及形成諸如電荷轉移電極等元件區(qū)。此外，形成焊盤BP，其表面上設置有布線層，且其包括用于外部連接的金層。此后，如圖8B所示，切割槽304通過從硅基板101的元件形成表面?zhèn)仁褂媒饎偸镀?磨石)形成。隨后，如圖8C所示，用在IT-CCD基板100和密封蓋玻璃200的周緣部分中形成的對準標記(未示出)執(zhí)行對準，且密封蓋玻璃200裝配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此進行加熱，以使它們兩個都與粘合劑層207結合在一起。包括襯墊203S的玻璃基板和在圖8A至8C中的步驟形成的粘合劑層207被使用。盡管切割槽304穿透硅基板101形成，但由于隔板301的安置，機械力很大。接著，如圖8D所示，通過切割或激光切割線的周邊從玻璃基板201的背面蒸發(fā)，且每個IT-CCD的玻璃基板201的邊緣被調整以放置在構成IT-CCD基板100的硅基板101的邊緣內部上，且以與第四實施例中相同的方式執(zhí)行分割。此外，如圖8E所示，設置在硅基板101的背面上的粘合劑層302被軟化以去除隔板301，從而執(zhí)行分為單獨的固態(tài)成像設備的分割。理想的是，應為粘合劑層302選擇具有比用于結合襯墊203S至玻璃基板201的粘合劑層202低的軟化點的材料。根據(jù)所述方法，在結合之間IT-CCD基板100在隔板301上經受切割。因此，與在第一實施例中獲得的固態(tài)成像設備相比，在結合后將施加的應力變小且制造產量可得到更大的提高。此外，可能提高IT-CCD的可靠性。在第四至第六實施例中，玻璃基板可通過劃割或蝕刻被切割。(第七實施例)接著，將描述本發(fā)明的第七實施例。在第六實施例中，由厚度為50至700pm的硅板形成的隔板301通過粘合劑層302粘附至硅基板101的背面，且在粘附后形成具有觸及隔板301的深度的切割槽304，且粘合劑層302被軟化以去除隔板301，從而在結合至玻璃基板201后在執(zhí)行分成單獨的IT-CCD的步驟執(zhí)行分割。在本實施例中，由厚度為50至700pm的玻璃板形成的隔板401通過粘合劑層402粘附至玻璃基板201的背面，且在粘附后形成具有觸及隔板401的深度的凹形部分404。在結和至玻璃基板201后執(zhí)行分為單獨的IT-CCD的步驟中，粘合劑層402被軟化以去除隔板401，從而執(zhí)行分割。其它部分以與第六實施例中相同的方式形成。參看構成IT-CCD基板100的硅基板101，以與第二和第四實施例中相同的方式，在其上既無切割槽又無隔板預先形成的硅基板被使用，且最終用金剛石刀片(磨石)切割和分割。更具體地，結合和分割步驟在圖9A至9E中示出。首先，如圖9A所示，由厚度為50至70(Him的玻璃板形成的隔板401通過粘合劑層402粘附至玻璃基板201的背面，而且，在粘附后硅基板203通過粘合劑層202粘合，且以在圖2A至2C中示出的第一實施例相同的方式，硅基板203通過使用光刻法的蝕刻方法形成為襯墊203S。接著，如圖9B所示，與IT-CCD相應的區(qū)域再次被有選擇地蝕刻，且以與第一實施例中相同的方式形成具有觸及隔板401的深度的凹形部分404。此外，可通過半切割執(zhí)行形成。而且，硅基板101被設定為起始材料，且通過使用普通硅加工形成溝道截斷環(huán)層、形成溝道區(qū)、形成諸如電荷傳輸電極...等元件區(qū)。此外，形成焊盤BP，其表面上設置有布線層，且其包括用于外部連接的金層。接著，如圖9C所示，用在如此形成的IT-CCD基板100和密封蓋玻璃200的周緣部分中形成的對準標記(未示出)執(zhí)行對準，且具有隔板401的密封蓋玻璃200裝配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此進行加熱，以使它們兩個與粘合劑層207結合在一起。此后，如圖9D所示，執(zhí)行加熱以軟化粘合劑層402，從而去除隔板401。這樣，玻璃基板201被分割。隨后，如圖9E所示，由硅基板101形成的IT-CCD基板通過使用金剛石刀片(磨石)被切割，以執(zhí)行分為固態(tài)成像設備的分割。根據(jù)所述方法，在結合前，通過預先在隔板401上進行切割或蝕刻分割構成密封蓋玻璃200的玻璃基板201。因此，與在第一實施例中獲得的玻璃基板相比，將在結合后施加的應力變小且制造產量可得到很大的提高。此外，可能提高IT-CCD的可靠性。(第八實施例)接著，將描述本發(fā)明的第八實施例。在第七實施例中，結合被準確執(zhí)行，而不預先在構成IT-CCD基板100的硅基板101上形成切割槽104，最后通過使用金剛石刀片(磨石)執(zhí)行切割。所述示例的特征在于，切割槽104預先在構成IT-CCD基板100的硅基板101上形成，且在結合后從背面執(zhí)行CMP以觸及切割槽104，從而執(zhí)行分割，同時減小硅基板101的厚度。其它部分以與第七實施例中相同的方式形成。更具體地，圖IOA至IOD示出結合和分割步驟。如圖10A所示，設置有切割槽104的硅基板101被設定為起始材料，且通過使用普通硅加工，形成溝道截斷環(huán)層、形成溝道區(qū)、以及形成諸如電荷轉移電極...等元件區(qū)。此外，形成焊盤BP，其表面上設置有布線層，且其包括用于外部連接的金層。接著，如圖10B所示，用在每個基板的周緣部分中形成的對準標記執(zhí)行對準，且具有如在第七實施例中形成的隔板401的密封蓋玻璃200裝配在IT-CCD基板100上，且它們兩個通過冷直接結合被集成。雖然形成是通過不使用粘合劑層的直接結合執(zhí)行的，可用粘合劑層207執(zhí)行妙A》口no此后，如圖10C所示，從IT-CCD基板100的背面執(zhí)行CMP(化學機械拋光)，且硅基板101的背面被去除以觸及切割槽104。通過所述步驟，可能單獨分割IT-CCD基板，同時其厚度減少。下文中，研磨、拋光或蝕刻可用于代替CMP。隨后，如圖10D所示，執(zhí)行加熱以軟化粘合劑層402，從而去除隔板401。通過所述步驟，可以容易地執(zhí)行分割，從而形成固態(tài)成像設備。(第九實施例)接著，將描述本發(fā)明的第九實施例。在第七實施例中，結合被準確執(zhí)行，而不預先在構成IT-CCD基板100的硅基板101上形成切割槽104，且最后通過使用金剛石刀片(磨石)執(zhí)行切割。在所述示例中，隔板預先在構成IT-CCD基板100的硅基板101和構成密封蓋玻璃200的玻璃基板201上形成，切割槽104和槽部分204在結合之前預先形成，且粘合劑層402和302被軟化以去除隔板301和401，從而在結合后執(zhí)行分割。其它部分以與第七實施例中相同的方式形成。更具體地，圖IIA至IID示出結合和分割步驟。如圖11A所示，具有隔板301粘到其上的硅基板101被設定為起始材料，且通過使用普通硅加工，形成溝道截斷環(huán)層，形成溝道區(qū)，以及形成諸如電荷轉移電極...等元件區(qū)。此外，形成焊盤BP，其表面上設置有布線層，且其包括用于外部連接的金層。接著，如圖11B所示，切割槽304被形成以觸及隔板301。隔板401以與第七和第八實施例中相同的方式粘附至密封蓋玻璃200，而且，凹形部分404通過蝕刻或切割形成。此后，如圖11C所示，用在每個基板的周緣部分中形成的對準標記執(zhí)行對準，且具有如在第七實施例中形成的隔板401的密封蓋玻璃200被裝配在具有隔板301的IT-CCD基板100上，且執(zhí)行加熱以將它們兩個與粘合劑層207結合在一起。隨后，如圖11D所示，粘合劑層402和302被軟化以去除隔板301和401，從而可執(zhí)行分為單獨的IT-CCD的分割。這些待使用的粘合劑層302和402可具有幾乎相等的軟化溫度，從而可同時被軟化。此外，粘合劑層302和402中其中之一可被去除以通過用膠帶粘合進行固定，且另一粘合劑層302或402可被軟化以被去除。根據(jù)這種結構，在結合后不施加額外應力。因此，可能減少對IT-CCD的損壞。(第十實施例)接著，將描述本發(fā)明的第十實施例。在第一至第九實施例中，在設置有如圖2A和2B所示的襯墊203S的密封蓋基板200的形成中，將成為襯墊的硅基板203通過粘合劑粘附至玻璃基板201，硅基板203通過使用光刻法的蝕刻方法經受圖案化以形成切割槽204。在本實施例中，如圖12A和12B所示，通過使用隔板501，襯墊203S在隔板上被蝕刻，接著用粘合劑層202執(zhí)行至玻璃基板201的粘附。其它部分以與實施例中相同的方式形成。更具體地，如圖12A所示，將成為襯墊的硅基板203通過具有約50至15(TC的軟化溫度的粘合劑層502粘附至由硅基板形成的隔板501。接著，硅基板203通過使用光刻法的蝕刻方法經受圖案化，從而形成襯墊203S。接著，如圖12B所示，玻璃基板201通過軟化溫度為約100至200°C的粘合劑層粘附至襯墊203S側。這樣，玻璃基板201被粘附，接著執(zhí)行加熱直到約50至15(TC以軟化粘合劑層502，從而去除隔板501。因此，形成具有襯墊的密封蓋玻璃200。根據(jù)這種方法，不必在玻璃基板上加工襯墊。從而，可能防止在玻璃基板201上形成劃痕、從而造成模糊。在光刻法方法中，用于粘附隔板的粘合劑層502可充分耐受烘焙溫度。此外，由于需要去除隔板501，用于將襯墊203S粘附至玻璃基板201的粘合劑層202需要具有比粘合劑層502高得多的軟化溫度。此外，在凹形部分將在玻璃基板上形成的情況下，優(yōu)選的是，槽部分204應在粘附之前通過切割或蝕刻形成，如圖13所示。而且，優(yōu)選的是，在去除隔板501后凹凸部分應通過切割或蝕刻形成。結合步驟和切割步驟與第一至第三實施例中所描述的圖3至5中的結合步驟和切割步驟相同。(第十一實施例)接著，將描述本發(fā)明的第十一實施例。雖然在第一至第十實施例中襯墊203S被分離地形成且通過粘合劑層被粘附，但在本示例中通過使用光刻法的蝕刻方法形成凹形部分205，且襯墊206因此設置在玻璃基板201上。其它部分以與實施例中相同的方式形成。更具體地，如圖14A所示，玻璃基板201被制備。接著，如圖14B所示，凹形部分205通過使用光刻法的蝕刻方法形成。從而，形成包括襯墊206的玻璃基板。根據(jù)這種結構，襯墊206被整體形成。因此，可以容易地執(zhí)行制造且不發(fā)生移位，而且，在結合部分中不存在產生張力的可能性。(第十二實施例)接著，將描述本發(fā)明的第十二實施例。雖然在第十一實施例中已描述了形成具有與其整體形成的襯墊206的密封蓋玻璃200的方法，還可能通過蝕刻形成槽部分204，如圖15A至15C所示。在所述示例中，凹形部分205通過使用光刻法的蝕刻方法形成在玻璃基板201上，從而襯墊206整體形成。接著，槽部分204被形成。從而，通過蝕刻形成用于將密封蓋玻璃200的邊緣放置在IT-CCD基板100的邊緣內部上的玻璃基板的槽部分204。因此，減少了張力的產生，從而可以容易地執(zhí)行分隔步驟。更具體地，如圖15A所示，玻璃基板201被制備。接著，如圖15B所示，凹形部分205通過使用光刻法的蝕刻方法形成在玻璃基板201上。此后，如圖15C所示，通過使用光刻法的蝕刻方法進一步更深地執(zhí)行蝕刻，以形成槽部分204。因此，襯墊206被整體形成。盡管由于不同的蝕刻深度這些加工步驟要求蝕刻兩次，還可能形成為呈兩層結構的掩模的抗蝕圖案，以蝕刻用于形成襯墊的槽部分204，接著僅有選擇地去除上層抗蝕圖案，從而僅使用下層側上的抗蝕圖案作為掩模執(zhí)行蝕刻。此外，結合步驟和切割步驟與第一至第三實施例中所描述的圖3至5中的結合步驟和切割步驟相同。(第十三實施例)接著，將描述本發(fā)明的第十三實施例。雖然在第十一和十二實施例中己描述了形成具有與其整體形成的襯墊206的密封蓋玻璃200的方法，還可能將用于襯墊的硅基板203粘附至設置有槽部分204的玻璃基板201，以通過使用光刻法的蝕刻方法有選擇地去除硅基板203，從而形成襯墊203S，如圖16A至16D所示。其它部分以與第十一和第十二實施例中相同的方式形成。在所述示例中，槽部分204通過使用光刻法的蝕刻方法形成在玻璃基板201上，且襯墊206整體形成，而且，通過蝕刻形成用于將密封蓋玻璃200的邊緣放置在IT-CCD基板100的邊緣內部上的玻璃基板201的槽部分204。因此，減少了張力的產生，從而可以容易地執(zhí)行分割步驟。更具體地，如圖16A所示，玻璃基板201被制備。接著，如圖16B所示，槽部分204通過使用光刻法的蝕刻方法形成在玻璃基板201上。此后，如圖16C所示，為用于襯墊的基板的硅基板203通過粘合劑層202被粘附。而且，如圖16D所示，襯墊203S通過使用光刻法的蝕刻方法整體形成。通過所述方法，類似地，可能以高精度和高可靠性形成具有襯墊的密封蓋玻璃200。結合步驟和分隔步驟與第一至第三實施例中所描述的圖3至5中的結合步驟和分隔步驟相同。(第十四實施例)接著，將描述本發(fā)明的第十四實施例。在第十三實施例中，將成為襯墊的硅基板203通過粘合劑粘附至玻璃基板201，且硅基板203通過使用光刻法的蝕刻方法經受圖案化以形成密封蓋玻璃200，從而形成密封蓋玻璃200，如圖16A至16D所示。在本實施例中，如圖HA和17B所示，襯墊203S通過使用隔板501在隔板上經受圖案化，接著用粘合劑層202執(zhí)行至設置有槽部分204的玻璃基板201的粘附。其它部分以與第十三實施例中相同的方式形成。更具體地，將成為襯墊的硅基板203通過軟化溫度為約50至150°C的粘合劑層502粘附至由硅基板制成的隔板501。接著，如圖17A所示，硅基板203通過使用光刻法的蝕刻方法經受圖案化，從而形成襯墊203S。此后，如圖17B所示，具有槽部分204的玻璃基板201通過軟化溫度為約100至20(TC的粘合劑層202粘附至襯墊203S側。這樣，玻璃基板201被粘附，接著執(zhí)行加熱直到約50至15(TC以軟化粘合劑層502，從而去除隔板501。因此，形成具有襯墊的密封蓋玻璃200，如圖17C所示。根據(jù)這種方法，不必在玻璃基板上加工襯墊。從而，可能防止在玻璃基板201上形成劃痕、因而造成模糊。結合步驟和分隔步驟與在第一至第三實施例中所描述的圖3至5中的結合步驟和分隔步驟相同。(第十五實施例)接著，將描述本發(fā)明的第十五實施例。在第十二至第十四實施例中，對于制造具有襯墊的密封蓋玻璃200的方法已進行了描述，其中該密封蓋玻璃包括用于容易地執(zhí)行分隔步驟的槽部分204。第十五至第十七實施例的特征在于，至隔板401的粘附被執(zhí)行，且槽部分204被形成，以使玻璃基板自身在結合之前預先被分割，且粘合劑層402在結合后被軟化，從而去除隔板，執(zhí)行分為單獨的IT-CCD的分割。其它部分以與第十四實施例中相同的方式形成。雖然在圖15A至15C中示出的實施例中槽部分204形成在襯墊組件型密封蓋玻璃的玻璃基板上，且玻璃基板可以容易地被分割，由玻璃基板形成的隔板401通過粘合劑402被使用，且隔板被去除，從而可以容易地執(zhí)行分隔，如圖18所示。玻璃基板被用作起始材料，且在隔板被粘附后通過使用光刻法的蝕刻方法形成槽部分204和襯墊26。根據(jù)這種結構，在分割期間粘合劑層402僅通過加熱被軟化是充分的，從而可非常容易地執(zhí)行該分割。結合步驟和分隔步驟與在第七至第九實施例中所描述的結合步驟和分隔步驟相同。(第十六實施例)接著，將描述本發(fā)明的第十六實施例。所述示例的特征在于，這種類型的玻璃基板201，即能將襯墊203S粘附至具有第十三實施例中所述的凹形部分的類型的玻璃板(plate)，粘附至隔板401,且槽部分204被形成，以使玻璃基板自身在結合前預先被分隔，且粘合劑層402在結合后被軟化，從而去除隔板并執(zhí)行分為單獨的IT-CCD的分隔。其它部分以與第十三實施例中相同的方式形成。在本實施例中，隔板401通過粘合劑層402粘附至根據(jù)圖16A和16B中所示的實施例的襯墊組件型玻璃板，從而如圖19A和19B所示形成槽部分204。玻璃板被用作起始材料，且在隔板被粘附后，具有觸及隔板的深度的槽部分204和襯墊203S以與第十三實施例中相同的方式形成。更具體地，如圖19A所示，隔板401通過粘合劑層402粘附至玻璃基板201。接著，如圖19B所示，通過使用光刻法玻璃基板201被蝕刻，且從玻璃基板201表面觸及隔板401的槽部分被形成。此后，如圖19C所示，用于襯墊的硅基板203通過粘合劑層202被粘附。隨后，如圖19D所示，通過使用光刻法的蝕刻方法硅基板203被有選擇地去除以形成襯墊203S。根據(jù)這種結構，至IT-CCD基板100的結合被執(zhí)行，接著，在切割中粘合劑層402僅通過加熱被軟化。這樣，分割被非常容易地執(zhí)行。結合和分隔步驟與在第七至第九實施例中描述的相同。(第十七實施例)接著，將描述本發(fā)明的第十七實施例。所述示例的特征在于，這種類型的玻璃基板201，即能將在隔板501上形成圖案的襯墊203S粘附至具有第十四實施例(圖17)中所述的凹形部分的類型的玻璃板，粘附至隔板401，且槽部分204被形成，以使玻璃基板自身在結合前預先分隔，且粘合劑層402在結合后軟化，從而去除隔板并執(zhí)行分為單獨的IT-CCD的分隔。其它部分以與第十四實施例中相同的方式形成。在實施例中，隔板401通過粘合劑層402粘附至根據(jù)圖17A和17B中所示的實施例的襯墊粘附型玻璃板，如圖20A至20C所示。玻璃板被用作起始材料，且在隔板被粘附后，具有足以觸及隔板的深度的槽部分204和襯墊203S以與第十五實施例中相同的方式形成。更具體地，將成為襯墊的硅基板203通過粘合劑層202粘附至由硅基板形成的隔板501，接著，通過使用光刻法的蝕刻方法硅基板203經受蝕刻，從而形成如圖20A所示的襯墊203S。此后，如圖20B所示，具有被形成以觸及隔板401的槽部分204的玻璃基板201通過粘合劑層202粘附至襯墊203S。這樣，玻璃基板201被粘附，接著粘合劑層502被軟化以去除隔板501，從而形成具有襯墊的密封蓋玻璃200，如圖20C所示。根據(jù)這種結構，在分割期間粘合劑層402僅通過加熱被軟化，從而可以容易地去除隔板401和非常容易地執(zhí)行分割。結合和分隔步驟與在第七至第九實施例中描述的相同。(第十八實施例)接著，將描述本發(fā)明的第十八實施例。雖然在第一至第十七實施例中已描述了襯墊形成在半透明基板上的示例，但在下面的第十八至第二十二實施例中將描述襯墊形成在IT-CCD基板側上的示例。在所述示例中，襯墊106S與構成IT-CCD基板的硅基板101整體形成。其它部分以與實施例中相同的方式形成。首先，抗蝕圖案通過光刻法形成在硅基板101的表面上，如圖21A所示，且通過有選擇的蝕刻使用抗蝕圖案作為掩模，形成凹形部分105，從而形成襯墊106S，如圖21B所示。接著，如圖21C所示，通過使用普通硅加工，溝道截斷環(huán)層被形成，溝道區(qū)被形成，諸如電荷轉移電極...等的元件區(qū)被形成在由襯墊106S包圍的元件形成區(qū)中。此外，形成焊盤BP，其表面上設置有布線層，且包括用于外部連接的金層。此后，如圖21D所示，設置有槽部分204的玻璃基板201被制備，且如圖21E所示，與IT-CCD基板100的元件形成表面相對執(zhí)行對準，且玻璃基板201被結合。通過加熱涂覆到襯墊106S表面的粘合劑層107進行牢固的結合。最后，如圖21F所示，玻璃基板側和IT-CCD基板側通過CMP變薄，從而能執(zhí)行分為IT-CCD的分隔。該變薄步驟不限于CMP，也可通過研磨、拋光或蝕刻執(zhí)行。而且，在槽部分204未在玻璃基板上形成的情況下，切割通過切割或激光執(zhí)行，以便可用高工作能力進行分隔。此外，在切割槽104未在硅基板101上形成的情況下，通過使用金剛石刀片進行切割，以便可用高工作能力進行分隔。根據(jù)所述方法，襯墊與IT-CCD基板整體形成。因此，可能形成具有高可靠性的固態(tài)成像設備，而不在結合部分中產生張力。(第十九實施例)接著，將描述本發(fā)明的第十九實施例。雖然在第十八實施例中已描述了襯墊與IT-CCD基板整體形成的示例，在所述示例中，硅基板108可通過粘合劑層107粘附到IT-CCD基板上，以便在IT-CCD基板上經受圖案化。其它部分以與第十八實施例中相同的方式形成。更具體地，首先，在這個示例中，通過使用普通硅加工，溝道截斷環(huán)層被形成，溝道區(qū)被形成，諸如電荷轉移電極...等的元件區(qū)被形成在硅基板101中，如圖22A至22C所示。此外，形成焊盤BP，其表面上設置有布線層，且包括用于外部連接的金層。接著，如圖22A所示，硅基板103通過粘合劑層107粘附到IT-CCD基板上。此后，如圖22B所示，通過使用光刻法的蝕刻方法，硅基板103被從IT-CCD基板有選擇地去除，以形成襯墊103S。隨后，如圖22C所示，粘合劑層109被涂覆到襯墊103S上，且切割槽104被形成。根據(jù)所述方法，在硅基板上形成元件區(qū)后襯墊被設置。因此，襯墊在元件區(qū)的形成中不是障礙，可以容易地執(zhí)行制造。由于未執(zhí)行整體形成，還存在不能避免微小張力的問題。結合和分隔步驟與實施例中所描述的相同。(第二十實施例)接著，將描述本發(fā)明的第二十實施例。雖然在第十九實施例中已描述了硅基板108通過粘合劑層107粘附到IT-CCD基板上并在IT-CCD基板上蝕刻以形成襯墊103S的示例，隔板601可被用于在其上形成襯墊103S，且可粘附至設置有IT-CCD的硅基板IOI，即，用于形成IT-CCD的基板。其它部分以與第十九實施例中相同的方式形成。更具體地，如圖23A所示，將成為襯墊的硅基板103通過軟化溫度為約50至15(TC的粘合劑層602粘附至由硅基板形成的隔板601。接著，通過使用光刻法的蝕刻方法硅基板103被有選擇地去除，從而形成襯墊103S。接著，如圖23B所示，設置有IT-CCD的硅基板101通過軟化溫度為約100至20(TC的粘合劑層202粘附至襯墊103S側。這樣，設置有IT-CCD的硅基板201被粘附，接著執(zhí)行加熱直到約50至15(TC以軟化粘合劑層602，從而去除隔板601，如圖23C所示。隨后，形成切割槽104，從而以與圖22B中相同的方式形成具有襯墊的IT-CCD基板100，如圖23D所示。用于玻璃基板和IT-CCD基板的結合和分隔步驟與第十八實施例中描述的相同。根據(jù)這種方法，不必在IT-CCD基板上加工襯墊。從而，可能防止在IT-CCD基板上形成劃痕、從而使產量減少。雖然在本實施例中切割槽104在形成襯墊之后被設置，顯然的是，切割槽104可在形成襯墊之前被設置。在實施例中，通過使用粘合劑層執(zhí)行玻璃基板和襯墊之間的結合以及構成IT-CCD的硅基板和襯墊之間的結合?？赡芡ㄟ^執(zhí)行表面激活和通過冷直接結合執(zhí)行結合而獲得牢固的結合。雖然在第一至第二十實施例(除了第十一、第十二、第十五實施例)中硅基板被用作襯墊，但不受此限，也可應用具有幾乎等于IT-CCD基板的熱膨脹系數(shù)的42-合金。而且，也可能使用具有幾乎等于半透明基板的熱膨脹系數(shù)的材料。此外，可使用聚酰亞胺樹脂。在這種情況下，可獲得柔韌性，且對于由于溫度變化而產生的張力，還可產生吸收張力的效果。而且，襯墊可通過使用粘合帶而形成。在這種情況下，在粘附至整個表面后，可能通過使用激光處理的切割用高精度執(zhí)行加工。此外，雖然在第一至第二十實施例中硅基板或玻璃基板被用作隔板，但不限于此，也可使用金屬板。而且，可使用柔性薄膜。而且，還可能將半固化樹脂、uv固化樹脂、uv/熱固結合型樹脂和熱固樹脂用作粘合劑層。此外，可能適當?shù)剡x擇轉移方法、絲網印刷術、或分配方法用作形成粘合劑層的方法。雖然在第十八至第二十實施例中切割槽在形成襯墊之前被設置，顯然的是，切割槽可在形成襯墊之后被設置。(第二十一實施例)接著，將描述根據(jù)本發(fā)明的第二十一實施例的包括加強板的固態(tài)成像設備。如圖24所示，固態(tài)成像設備的特征在于，由通過二氧化硅薄膜(未示出)結合的硅基板形成的加強板701粘附至構成根據(jù)第一實施例的固態(tài)成像設備的IT-CCD基板100的硅基板101的背面。下文中，由表面上形成有二氧化硅薄膜的硅基板形成的加強板701通過使用表面激活冷結合的直接結合結合到IT-CCD基板上。元件結構與第一實施例中描述的固態(tài)成像設備的元件結構相同，且通過CMP方法使硅基板從背面變薄以具有差不多一半厚度，且加強板701如圖24所示結合至背面以補償由于變薄而引起的力的減少。根據(jù)這種結構，可使IT-CCD基板100變薄以提高驅動速度，且由于變薄引起的力的減少可用加強板補償。此外，還可提高防潮性。接著，將描述用于制造固態(tài)成像設備的方法。在玻璃基板粘附到IT-CCD基板的步驟之前將進行的處理基本上與第一實施例相同。更具體地，如圖25A所示，通過在預先設置有切割槽104的硅基板101上使用普通硅加工，形成構成IT-CCD的元件區(qū)，而且，形成表面上設置有布線層的焊盤BP，其包括用于外部連接的金層。接著，如圖25B所示，用在每個基板的周緣部分中形成的對準標記執(zhí)行對準，密封蓋玻璃200裝配在設置有如上所述的元件區(qū)的IT-CCD基板100上，進行加熱，以使它們兩個與粘合劑層202結合在一起。所述方法可采用表面激活冷結合。此后，如圖25C所示，玻璃基板保持原樣，以與拋光切割槽104相同的方式從硅基板101的背面執(zhí)行CMP方法。這樣，可執(zhí)行分為單獨的固態(tài)成像設備的分隔。而且，如圖25D所示，通過使用表面激活冷結合的直接結合，由表面上設置有二氧化硅薄膜(未示出)的硅基板形成的加強板701結合至變薄的硅基板101的背面。.最后，玻璃基板201的背面被去除以觸及槽部分204，且玻璃基板變薄，同時被單獨分隔。最終，通過使用金剛石刀片(磨石)使加強板701經受切割，從而形成具有加強板的固態(tài)成像設備，如圖25E所示。這樣，可非常容易地形成固態(tài)成像設備。從而，根據(jù)本發(fā)明的方法，集合裝配被執(zhí)行，接著單獨分隔被執(zhí)行，而不執(zhí)行單獨對準和例如引線接合等電連接。因此，可以容易地執(zhí)行制造，還可以容易地執(zhí)行處理。此外，硅基板首先變薄和被分隔，且加強板被粘附，接著經受切割。隨后，可獲得高可靠性。雖然在本實施例中襯墊形成在玻璃基板上，但還可能應用設置在IT-CCD基板上或被分離地設置的襯墊。而且，雖然在本實施例中加強板由與IT-CCD基板分離的硅基板構成，且具有絕熱特性，但還可能使用對輻射板具有優(yōu)良的導熱性的基板。并且，根據(jù)本實施例，可提高防潮性。此外，同樣在未設置切割槽104的情況下，可應用本實施例。(第二十二實施例)而且，作為本發(fā)明的二十二實施例，還可能通過粘附例如鉤或鉻等金屬基板代替加強板獲得屏蔽板801，如圖26所示。其它部分以完全相同的方式構成。根據(jù)這種結構，電磁波可被屏蔽，從而可減少不必要的輻射噪音。(第二十三實施例)接著，將描述本發(fā)明的第二十三實施例。在第一至第二十二實施例中，在IT-CCD基板表面上形成的焊盤被形成，以使其被暴露，且以電連接可在IT-CCD基板表面上執(zhí)行的方式，半透明基板(玻璃基板)201的邊緣被形成以使其被放置在IT-CCD基板邊緣的內部上。所述示例的特征在于，IT-CCD基板和玻璃基板的邊緣被同等構成，且經由穿透IT-CCD基板100和粘附至其背面的加強板701的通孔H達到(fetch)背面，如圖27C所示。108表示導體層，109表示將成為絕緣層的二氧化硅層。更具體地，為半透明組件的玻璃基板201結合至IT-CCD基板100的表面，該IT-CCD基板100包括將成為半導體基板的硅基板101，其通過襯墊S203設置有IT-CCD102，以具有與硅基板101的光接收區(qū)相應的間隙C，而且，墊113和凸起114被形成為外部讀取端子，該外部讀取端子經由在硅基板101上形成的通孔H形成在IT-CCD基板100的背面上，且邊緣通過切割單獨分隔，通過凸起114執(zhí)行外部連接。如圖28D所示，通過各向異性導電薄膜115執(zhí)行至外圍電路板901的連接。此外，使用超聲波的擴散結合、焊接接合、和使用熱壓的共晶結合是有效的。而且，間隙可用樹脂底層填充。襯墊203S具有30至150pm的高度，優(yōu)選為80至120nm。其它部分以與第一實施例中相同的方式形成。用于制造固態(tài)成像設備的方法在圖27A至27C和圖28A至28D中示出。更具體地，在所述方法中，通過表面激活冷結合，由設置有二氧化硅薄膜(未示出)的硅基板形成的加強板701結合至IT-CCD基板100的背面，該IT-CCD基板100設置有元件區(qū)，該元件區(qū)用于以與第四實施例中圖6A和6B中所示的步驟相同的方式通過使用普通硅加工形成IT-CCD和用于外部連接的焊盤BP(圖27A)。接著，如圖27B所示，用在每個基板的周緣部分中形成的對準標記執(zhí)行對準，且具有結合至板狀玻璃基板201的襯墊203S的蓋玻璃200裝配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此進行加熱，以使它們兩個與粘合劑層207結合在一起。通過使用光刻法的蝕刻方法，在加強板701的背面上形成通孔。接著，二氧化硅薄膜109通過CVD方法形成在通孔中。此后，執(zhí)行例如RIE，以使二氧化硅薄膜109僅保留在通孔側壁上且焊盤BP被暴露，如圖27C所示。隨后，如圖28A所示，通過使用\\^6的CVD方法，鎢薄膜形成為導體層108，以與通孔中的焊盤接觸。接著，如圖28B所示，焊盤113和凸起114形成在加強板701的表面上。這樣，可能在加強板701側上形成信號讀取電極端子和導電電極端子。此后，如圖28C所示，各向異性薄膜115(ACP)被涂覆到加強板701表面上。最后，如圖28D所示，設置有驅動電路的電路板901通過各向異性導電薄膜115被連接。電路板901設置有由填充在穿透電路板和焊盤118的通孔中的導體層形成的接觸層117。因此，可能通過焊盤118容易地獲得至諸如印刷板等的電路板的連接。而且，接觸層117被如此形成以使其與形成在IT-CCD基板上的導體層108成一直線。接著，整個設備沿切割線DC經受切割，且分為單獨的固態(tài)成像設備的分割被執(zhí)行(在圖中僅示出一個單元，且在一個圓片上連續(xù)形成多個IT-CCD)。這樣，可用高工作能力非常容易地形成固態(tài)成像設備。加強板701由設置有二氧化硅薄膜的硅基板構成。因此，可能執(zhí)行與IT-CCD基板100的熱絕緣和電絕緣。此外，雖然在本實施例中導體層通過CVD方法形成在通孔中，但可能通過使用噴鍍法、真空絲網印刷法、或真空抽吸法用高精度容易地將傳導層填充在具有高長寬比的接觸孔中。而且，雖然在實施例中IT-CCD基板的表面和后面和裝配外圍電路的電路板的電連接使用通過通孔執(zhí)行，但不限于此，還可使用通過表面和背面的雜質擴散形成接觸以電連接表面和后面的方法。這樣，可能在加強板701側上形成信號讀取電極端子和導電電極端子。(第二十四實施例)接著，將描述本發(fā)明的第二十四實施例。雖然在第二十三實施例中通孔被如此形成以穿透加強板701，且導體層111被形成，但在本實施例中IT-CCD基板通過使用預先設置有孔(垂直孔)的硅基板形成。由于垂直孔的小的形成深度是足夠的，所以可提高生產率和可提高制造產量。其他部分以與第二十三實施例中相同的方式形成。更具體地，如圖29A所示，在形成IT-CCD之前抗蝕圖案首先通過光刻法形成在硅基板的后面，且通過將抗蝕圖案用作掩模，垂直孔118通過RIE(活性離子蝕刻)形成。在所述步驟，由鋁制成的墊110被設置在表面上，且垂直孔118被如此形成以觸及墊110。接著，如圖29B所示，二氧化硅薄膜119通過CVD方法形成在垂直孔118的內壁上。如圖29C所示，通過使用與每個實施例中相同的普通硅加工，用于形成IT-CCD的元件區(qū)被設置。接著，如圖29D所示，用在每個基板的周緣部分上形成的對準標記執(zhí)行對準，且具有結合至板狀玻璃基板201的襯墊203S的蓋玻璃200被裝配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，且如此進行加熱，以使它們兩個與粘合劑層207結合在一起。類似地，可在結合步驟使用表面激活冷結合。此后，如圖29E所示，加強板701通過表面激活冷結合結合到IT-CCD基板100的背面上，且通孔108通過使用光刻法的蝕刻方法形成以從背面觸及垂直孔118。類似地，理想的是，應使通孔的內壁絕緣。此外，還可能使用預先設置有通孔的加強板。隨后，執(zhí)行在第二十三實施例中描述的圖28A至28D中示出的步驟。從而，可能容易地形成具有如此結構即設置有外圍電路的電路板被層壓的結構的固態(tài)成像設備。在本實施例中，如上所述，由于垂直孔的小的形成深度，可提高生產率，且可提高制造產量。(第二十五實施例)接著，將描述本發(fā)明的第二十五實施例。在第二十四實施例中，觸點穿透加強板701形成，從電路板側引出(fetch)IT-CCD基板和電路板和電極。本實施例的特征在于，將成為布線層的導體層120形成在側壁上，且電極從固態(tài)成像設備的側壁引出，如圖30A和30B所示。其它部分以與第二十四實施例中相同的方式形成。制造方法幾乎與第二十四實施例相同。使通孔的位置與固態(tài)成像設備的每個末端相應，且通過使用包括通孔的切割線DC執(zhí)行切割。從而，可能容易地形成布線層在側壁上形成的固態(tài)成像設備。此外，待填充在通孔中的導體層120由例如鎢等屏蔽材料構成。因此，盡管固態(tài)成像設備不被完全屏蔽，但可減少出錯。如果必要，當加強板由聚酰亞胺薄膜、陶瓷、結晶玻璃或表面和背面氧化的硅基板構成時，其可起絕熱基板的作用。此外，加強板可由屏蔽材料形成。(第二十六實施例)接著，將描述本發(fā)明的第二十六實施例。雖然在第二十三和二十四實施例中IT-CCD基板100的背面通過加強板設置在外圍電路板上，如圖28所示，但在所述示例中IT-CCD基板100被設置在外圍電路板901上，加強板701繼而設置在外圍電路板901的背面上，如圖31所示。其它部分以與第二十四或二十五實施例相同的方式形成。加強板還起輻射板的作用。雖然制造方法幾乎與第二十三和二十四實施例中的每個相同，IT-CCD基板100和外圍電路板901彼此靠近設置。因此，可減小連接阻抗，并可執(zhí)行高速驅動。(第二十七實施例)接著，將描述本發(fā)明的第二十七實施例。雖然在第二十六實施例中通孔形成在基板中，且電極從外圍電路板的背面引出，本示例的特征在于，將成為布線層的導體層120通過絕緣模121形成在側壁上，如圖32所示。其它部分以與第二十六實施例相同的方式形成。200910137836制造幾乎與第二十五實施例中相同。僅通過在包括形成在通孔上的觸點的位置中設置切割線，可能容易地形成具有側壁布線的固態(tài)成像設備。在固態(tài)成像設備中，布線形成在側壁上。因此，可能在側壁上形成信號讀取端子和電源端子。顯然的是，位于外圍電路板901背面上的墊和凸起可被形成以執(zhí)行連接。701表示加強板。在第二十一至二十七實施例中，密封蓋玻璃200可以與第一至第二十實施例中的每個實施例相同的制造方法形成。(第二十八實施例)接著，將描述本發(fā)明的第二十八實施例。在第二十三實施例中，通孔形成在基板中，電極在外圍電路板的背面上引出。本示例的特征在于，導體層209形成在穿過玻璃基板201和襯墊203S設置的通孔208中，且墊210形成在玻璃基板201的上表面上，信號讀取端子和電源端子形成在其上。其它部分以與圖27和28中所示的第二十三實施例中相同的方式形成。接著，用于制造固態(tài)成像設備的方法在圖34A、34A'、34B至34F、以及圖35A至35E中示出。更具體地，在第二十三實施例中，在圖27C中所示的步驟，通孔形成在IT-CCD基板100上，信號讀取端子和電源端子形成在IT-CCD基板100的背面上。另一方面，所述方法的特征在于，襯墊203S粘附至構成密封蓋玻璃200的玻璃基板201上，通孔208被形成以穿透襯墊203S和處于此狀態(tài)的玻璃基板201，導體層形成在其中，信號讀取端子和電源端子形成在密封蓋玻璃200的表面?zhèn)壬稀Ｊ紫?，如圖34A所示，用于形成襯墊的具有30至120pm的厚度的硅基板203被制備。接著，如圖34A'所示，用于構成密封蓋玻璃200的玻璃基板201被制備。接著，如圖34B所示，粘合劑層202被涂覆到基板203的表面上。此后，如圖34C所示，具有粘合劑層202涂覆到其上的硅基板203粘附至玻璃基板201的表面。隨后，如圖34D所示，通過光刻法形成抗蝕圖案，通過將抗蝕圖案用作掩模執(zhí)行RIE(活性離子蝕刻)，粘合劑預先被涂覆以去除凹形部分205，該凹形部分205包括與光電二極管相應的區(qū)域，即與光接收區(qū)(圖1B中的40)相應的區(qū)域，或在RIE后通過氧等離子體執(zhí)行去除處理。接著，如圖34E所示，通過光刻法形成抗蝕圖案，通過將抗蝕圖案用作掩模執(zhí)行RIE(活性離子蝕刻)。從而，通孔208被形成以穿透襯墊203S和玻璃基板201。此后，如果必要，二氧化硅薄膜(未示出)由CVD至少設置在由硅制成的襯墊的內壁上。在襯墊由例如玻璃或樹脂等絕緣體形成的情況下，不要求有此步驟。此外，屏蔽薄膜可形成在襯墊的內壁或外壁上。此后，如圖35A所示，導體層209形成在通孔的側壁上，該通孔通過真空絲網印刷或使用例如銀膏或銅膏等導電膏的金屬鍍絕緣，且穿透襯墊203S和玻璃基板201的貫穿的(through)接觸區(qū)被形成。隨后，如圖35B所示，金焊盤210和211或凸起212形成在玻璃基板的表面和背面上，該玻璃基板具有襯墊，以連接至貫穿的接觸區(qū)。在薄膜形成中，薄薄的金膜形成在表面和背面上，且通過使用光刻法的蝕刻方法執(zhí)行圖案化，或可應用絲網印刷或有選擇的噴鍍。而且，各向異性導電樹脂薄膜213被涂覆，如圖35C所示。.另一方面，如圖35D所示，設置有加強板701的IT-CCD基板100以與第二十三實施例中相同的方式被制備。接著，如圖35E所示，用形成在每個基板的周緣部分中的對準標記執(zhí)行對準，且具有結合至板狀玻璃基板201的襯墊203S的蓋玻璃200裝配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此進行加熱，以使它們兩個與各向異性導電薄膜213整體形成。接著，整個設備沿切割線DC經受切割，且分為單獨的固態(tài)成像設備的分割被執(zhí)行。這樣，可用高工作能力非常容易地形成設置有例如密封蓋玻璃上的焊盤等接觸區(qū)的固態(tài)成像設備。(第二十九實施例)接著，將描述本發(fā)明的第二十九實施例。雖然在第二十八實施例中已對其中穿透玻璃基板和襯墊的通孔被形成和例如焊盤等接觸區(qū)形成在密封蓋玻璃上的固態(tài)成像設備進行了描述，在以下的第三十至三十三實施例中將描述一種改變。首先，本實施例的特征在于，在襯墊上形成的通孔和玻璃基板201被制備，如圖36A所示。如圖36B所示，照相排版樹脂通過光屏蔽方法形成在玻璃基板201的表面上，從而形成襯墊213。接著，如圖36C所示，通孔208通過使用光刻法的蝕刻方法形成。這樣，可能容易地獲得具有襯墊且設置有通孔的密封蓋玻璃。隨后，圖35A至35E中所示的裝配步驟以與第二十八實施例中所述相同的方式被執(zhí)行，且至IT-CCD基板的粘附被執(zhí)行以執(zhí)行切割。從而，可獲得圖35E中所示的固態(tài)成像設備。根據(jù)這種方法，可以容易地形成襯墊。雖然在本實施例中使用了照相排版樹脂，但也可使用粘合劑自身。玻璃基板和襯墊被整體形成，且翹曲和張力可減少，而且，還可以容易地執(zhí)行制造。(第三十實施例)接著，將描述本發(fā)明的第三十實施例。雖然在第二十八實施例中用于形成襯墊的硅基板粘附至玻璃基板且經受圖案化，但在本實施例中玻璃基板可在一次蝕刻步驟被蝕刻以同時形成凹形部分和通孔。其他部分按照與第二十八實施例相同的方式形成。在本實施例中，首先，玻璃基板201被制備，如圖37A所示。接著，如圖37B所示，抗蝕圖案R在玻璃基板201的表面和背面上形成，開口被設置在待形成通孔的區(qū)域中的表面和背面，且開口僅設置在待形成凹形部分205(和切割槽204，如果必要)的區(qū)域中的背面。此后，如圖37C所示，通過使用位于表面和背面上的抗蝕圖案作為掩模，從兩個表面蝕刻玻璃基板，從而同時形成凹形部分205、切割槽(未示出)割通孔208。這樣，可能容易地獲得具有與其整體形成的襯墊和在其中形成的通孔的密封蓋玻璃。隨后，圖35A至35E中所示的裝配步驟以與第二十八實施例中所述相同的方式執(zhí)行，且至IT-CCD基板的粘附被執(zhí)行以執(zhí)行切割。從而，可獲得圖35E中所示的固態(tài)成像設備。玻璃基板和襯墊整體形成，且可減少翹曲和張力，而且，還可以容易地執(zhí)行制造。(第三十一實施例)接著，將描述本發(fā)明的第三十一實施例。雖然在第二十八實施例中用于形成襯墊的硅基板粘附至玻璃基板且經受圖案化，但在本實施例中具有形成于其上的圖案的襯墊203S粘附至玻璃基板201，且最終在蝕刻步驟形成通孔。其它部分以與第二十八實施例相同的方式形成。首先，在本實施例中，玻璃基板201被制備，如圖38A所示。另一方面，用于形成襯墊的硅基板203被制備，如圖38A、所示。接著，如圖38B所示，硅基板203通過使用光刻法的蝕刻方法被處理，從而獲得襯墊203S。此后，如圖38C所示，粘合劑202被涂覆到經受圖案化的襯墊203S的表面上。隨后，如圖38D所示，襯墊203S被粘附，使其與玻璃基板201成一直線。接著，如圖38E所示，通孔208通過使用光刻法的蝕刻方法形成。這樣，可能容易地獲得具有粘附到其上的襯墊和形成在其中的通孔的密封蓋玻璃。此后，如果必要，二氧化硅薄膜(未示出)通過CVD至少設置在由硅制成的襯墊內壁上。在襯墊由例如玻璃或樹脂等絕緣體制成的情況下，不需要此步驟。此外，屏蔽薄膜可形成在襯墊的內壁或外壁上。隨后，圖35A至35E中所示的裝配步驟以與第二十八實施例中所述相同的方式被執(zhí)行，且至IT-CCD基板的粘附被執(zhí)行以執(zhí)行切割。從而，可獲得圖35E中所示的固態(tài)成像設備。還可能通過使用紫外線固化樹脂、熱固樹脂或這二者或涂覆半固化粘合劑將玻璃基板粘附至襯墊。而且，在粘合劑的形成中，可能使用分配器(dispenser)、絲網印刷或模壓傳遞(stamptransfer)適當選擇供給。而且，如圖38C所示，還可能通過將鎢膜濺射到襯墊的凹形部分內壁內的方法形成屏蔽膜215。從而，可能不用單獨提供屏蔽膜而獲得優(yōu)良的圖像傳感特征。(第三十二實施例)接著，將描述本發(fā)明的第三十二實施例。在第二十八實施例中，已描述了用于形成襯墊的硅基板粘附至玻璃基板且經受圖案化、待穿透玻璃基板和襯墊的通孔最終通過蝕刻形成的示例。在本實施例中，如圖39A至39F所示，通過蝕刻硅基板執(zhí)行形狀加工，且通過使用圓片級上的對準標記，形成為圖39E中所示的通孔208a的襯墊203S和設置有圖39B、中所示的通孔208b的玻璃基板201被對準，且它們兩個與粘合劑層202粘合在一起。其它部分以與第二十八實施例中相同的方式形成。同樣在這種情況下，還可能在面向襯墊的凹形部分的內壁上形成屏蔽膜(215)。根據(jù)這種方法，由于通孔被單獨形成以執(zhí)行粘附，要求進行對準，且差不多一半長寬比是足夠的。從而，可以容易地形成通孔。隨后，圖35A至35E中所示的裝配步驟以與第二十八實施例中相同的方式執(zhí)行，且至IT-CCD的粘附被執(zhí)行以執(zhí)行切割。從而，可獲得在圖35E中所示的固態(tài)成像設備。(第三十三實施例)接著，將描述本發(fā)明的第三十三實施例。在第二十八實施例中，用于形成襯墊的硅基板粘附至玻璃基板，導體層209在蝕刻步驟形成在穿透玻璃基板和襯墊的通孔中，接著IT-CCD基板100粘附到其上。本實施例的特征在于，具有設置有第二十八至三十二實施例中的通孔208的襯墊的玻璃基板200與具有粘附至圓片級上的背面的加強板701的IT-CCD基板100對準，接著導體層209在通孔208中形成，如圖40A至40D所示。此外，焊盤210被形成以連接至導體層209。其它部分以與第二十八實施例中相同的方式形成。類似地，當導體層209將被填充時，通過使用例如銅膏等導電膏的真空絲網印刷或金屬鍍，可能容易地執(zhí)行形成。(第三十四實施例)接著，將描述本發(fā)明的第三十皿實施例。當在第一至三十三實施例中由板狀組件制成的密封蓋玻璃被用作半透明組件時，使密封蓋玻璃自身具有圖像形成功能，以構成光學組件，從而可極大地減小尺寸。如圖41所示，固態(tài)成像設備的特征在于，代替根據(jù)第二十八至第三十三實施例的密封蓋玻璃200，具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220被使用。密封蓋玻璃220通過屏蔽方法或蝕刻方法形成。此外，其它部分以與第二十八實施例中幾乎相同的方式形成。在第二十八實施例中，如圖33所示，導體層209形成在設置在玻璃基板201和襯墊203S中的通孔208中，而且，墊210形成在玻璃基板201的上表面上，且信號讀取端子和電源端子形成在其上。本示例的特征在于，焊盤BP連接至位于未示出的部分區(qū)域中的外部連接端子，且信號讀取端子和電源端子被構成。其它部分以與圖33和34中所示的第二十八實施例中相同的方式形成。接著，用于制造固態(tài)成像設備的方法在圖42A至42D和圖43A至43C中示出。更具體地，由于具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220被用于代替根據(jù)第二十八至第三十三實施例的密封蓋玻璃200，制造方法變化很大。而且，雖然在第三十三實施例中，襯墊203S粘附至構成密封蓋玻璃200的玻璃基板201，通孔208被形成以穿透襯墊203S和處于此狀態(tài)的玻璃基板201，導體層在其中形成，且信號讀取端子和電源端子形成在密封蓋玻璃的表面?zhèn)壬?，在本示例中可以相同的方式?zhí)行形成。粘合劑層207形成在密封蓋玻璃220的襯墊203S的表面上，該密封蓋玻璃220具有在圖42A至42D中所示的步驟設置的透鏡陣列(其在圖43A中示出)。另一方面，以與第二十八實施例中使用的相同的方式，設置有加強板701的IT-CCD基板100被制備，如圖43B所示。接著，如圖43C所示，用在每個基板的周緣部分中形成的對準標記執(zhí)行對準，且具有粘附襯墊203S的透鏡陣列的蓋玻璃220裝配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，且如此進行加熱，以使它們兩個與粘合劑層207結合在一起。此外，用于制造具有襯墊的密封蓋玻璃220的方法的變化將在第三十五至三十八實施例中進行描述。(第三十五實施例)接著，將描述本發(fā)明的第三十五實施例。如圖44A和44B所示，本實施例的特征在于，具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220被制備，凹形部分225通過蝕刻形成在其背面上，且襯墊223S被整體形成。其它部分以與實施例中相同的方式形成。根據(jù)這種結構，可用高精度容易地執(zhí)行形成，而且，可能獲得具有透鏡陣列的密封該玻璃220，由于提高了整體形成和可靠性，在透鏡陣列中不產生張力。(第三十六實施例)接著，將描述本發(fā)明的第三十六實施例。在本實施例中，首先，具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220被制備，如圖45A所示。.接著，如圖45B所示，光固化樹脂通過光屏蔽方法形成在具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220上，且襯墊223S被形成。這樣，可能容易地獲得具有襯墊且設置有通孔的密封蓋玻璃。隨后，以與第三十四實施例中所述相同的方式執(zhí)行圖43A至43C中所示的裝配步驟，并執(zhí)行至IT-CCD基板的粘附以執(zhí)行切割。因此，可獲得圖43C中所示的固態(tài)成像設備。(第三十七實施例)接著，將描述本發(fā)明的第三十七實施例。在第三十四實施例中，如圖46A至46D所示，由蝕刻方法形成的襯墊可粘附至具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220。在裝配步驟，以與第三十六實施例中相同的方式執(zhí)行至IT-CCD基板的粘附，以執(zhí)行切割。因此，可獲得固態(tài)成像設備。(第三十八實施例)接著，將描述本發(fā)明的第三十八實施例。而且，如圖47所示，具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220、襯墊203S、和具有加強板701的IT-CCD基板100可被同時安裝。(第三十九實施例)接著，將描述本發(fā)明的第三十九實施例。而且，如圖48A至48D所示，具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220還可應用到固態(tài)成像設備上，其中外圍電路板901通過在第二十三實施例中圖28A至28D中所示的各向異性導電薄膜115被設置。其它部分以與實施例中相同的方式形成。而且，同樣在外圍電路板901的連接中，使用超聲波的擴散結合、悍接接合、和使用熱壓的共晶結合也是有效的。此外，使用樹脂的底層填料可被執(zhí)行。具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220可用于代替由板狀組件形成的Wt寸蓋玻璃200。(第四十實施例)接著，將描述本發(fā)明的第四十實施例。而且，如圖49所示，IT-CCD基板100、外圍電路板901、以及加強板701可以第二十六實施例中圖31中所示的順序被設置。其它部分以與實施例中相同的方式形成。(第四十一實施例)接著，將描述本發(fā)明的第四十一實施例。而且，如圖50所示，布線221在襯墊的側壁上形成也是有效的。制造以與第二十七實施例中相同的方式執(zhí)行，且可通過在襯墊中設置通孔、在通孔中形成導體層、將IT-CCD基板粘附至具有透鏡的密封蓋玻璃220、接著沿包括通孔的切割線執(zhí)行切割，可能在側壁上容易地形成布線。其它部分以與實施例中相同的方式形成。雖然在實施例中對用粘合劑層或用陽極結合執(zhí)行構成密封蓋玻璃的玻璃基板至襯墊的結合和IT-CCD基板至密封蓋玻璃的結合的方法、或利用陽極結合或表面激活冷結合的方法進行了描述，在所有實施例中，在襯墊和IT-CCD基板的表面由Si或金屬制成的情況下，還可能通過表面激活冷結合而不使用粘合劑執(zhí)行結合。在粘合劑被使用的情況下，除了uv固化粘合劑外，還可能將熱固粘合劑和熱固結合uv固化粘合劑用作粘合劑層。在半固化粘合劑被用于結合的情況下，以液態(tài)執(zhí)行粘合劑的涂覆。接著，用半固化粘合劑執(zhí)行對準。因此，當執(zhí)行對準時可能調整位置。從而，可能獲得具有精密復雜的定位的固態(tài)成像設備。而且，在所有實施例中，除了已在第一實施例中描述的硅基板外，可能適當選擇42-合金、金屬、玻璃、光敏聚酰亞胺和聚碳酸脂作為襯墊。而且，當IT-CCD基板將通過使用粘合劑層結合至密封蓋玻璃時，優(yōu)選的是，應防止熔化的粘合劑層流出，例如，應形成貯液器。參看襯墊和IT-CCD基板或密封蓋玻璃的結合部分，類似地，優(yōu)選的是，應防止熔化的粘合劑層流出，例如，凹形或凸形部分應設置在結合部分中，以形成貯液器，如圖51A至51F中襯墊的結合端的形狀的示例中所示。而且，如圖52所示，為了加強IT-CCD基板和用于屏蔽的蓋玻璃之間的結合并防止IT-CCD基板劣化(deterioration),用于屏蔽的樹脂可適用于屏蔽包括用于屏蔽的蓋玻璃201的玻璃基板202和襯墊203S之間的結合構件，且用于屏蔽的樹脂M可適用于屏蔽襯墊和IT-CCD基板100之間的結合構件。因此，可能防止水滲入結合構件并獲得可靠的IT-CCD。作為用于屏蔽的樹脂，環(huán)氧樹脂、乙氧基(oxetany)、硅酮樹脂(silicony)、丙烯酸樹脂等材料是適當?shù)??？赡苡脴渲帘文苄纬捎糜谄帘蔚念A定區(qū)域的任何樹脂，防止水滲入結合構件，從而獲得可靠的IT-CCD。為了形成上述的IT-CCD，通過使用用于掩模的分配器和JIG，用于屏蔽的樹脂被供給要求焊盤BP(電極盤)的區(qū)域。接著，在固化樹脂后，掩蓋焊盤的JIG被去除。從而，可能進行樹脂屏蔽而不用涂覆焊盤。在此方法期間，優(yōu)選將在8(TC以下能固化的樹脂以及上述的粘合劑用作屏蔽樹脂。作為樹脂，優(yōu)選使用光固化樹脂或熱固化樹脂。如果光固化樹脂被用于屏蔽，優(yōu)選將可傳輸光的組件作為JIG。雖然在實施例中為了將設置有切割槽的基板分割成單獨的元件而執(zhí)行CMP直到切割槽的位置，還可能利用研磨、拋光或全部蝕刻。而且，在加強板(701)被用于實施例中的情況下，如果聚酰亞胺樹脂、陶瓷、結晶玻璃、或表面和背面被氧化的硅基板被用作材料，如果必要，加強板可作為絕熱基板。此外，屏蔽材料可被使用。而且，在實施例中，在有必要將玻璃基板粘附至襯墊的情況下，可通過使用紫外線固化樹脂、熱固樹脂或它們二者或通過涂覆半固化粘合劑執(zhí)行粘附。而且，在粘合劑的形成中，可能使用分配器、絲網印刷、或模壓傳遞適當?shù)剡x擇供給。此外，在實施例中所述的示例可在整個構造的可適用范圍內相互修改。(第四十二實施例)如圖53A的截面圖和在圖53B中示出主部的放大截面圖所示，固態(tài)成像設備的特征在于，將成為半透明組件的玻璃基板201結合至IT-CCD基板100的表面，該IT-CCD基板100包括將成為半導體基板的硅基板101，該硅基板101設置有穿過襯墊203S的IT-CCD102，以具有與硅基板101的光接收區(qū)相應的間隙C，而且，導體層209在設置在玻璃基板201和襯墊203S中的通孔208中形成，且墊210在玻璃基板201的上表面上形成，以便執(zhí)行至硅基板101的焊盤BP的連接，且信號讀取端子和電源端子在其上形成。襯墊203S具有為10至50(Him的高度，且優(yōu)選為80至120jim。IT-CCD基板的結構幾乎與第一實施例中的結構相同。在本實施例中，過濾層46的上層用包括微型透鏡50的微型透鏡陣列覆蓋，通過使用平展的絕緣膜48，該微型透鏡50通過用光刻法在含有光敏樹脂的半透明樹脂上形成圖案而形成，該光敏樹脂具有為1.3至2.0的折射率，接著，熔化相同的半透明樹脂，用表面張力使熔化的半透明樹脂成圓形，此后冷卻變圓的半透明樹脂。接著，將對制造固態(tài)成像設備的方法進行描述。這種方法基于所謂的圓片級CSP方法，其中在圓片級上執(zhí)行定位(positioning),執(zhí)行集合裝配和集成，接著執(zhí)行用于每個IT-CCD的分隔，如圖54A至54E和圖55A至55E中示出制造方法的視圖所示(在圖中僅示出一個部件，而在一個圓片上連續(xù)形成多個IT-CCD)。所述方法以具有預先設置有襯墊203S的襯墊和穿透玻璃基板和襯墊的通孔的密封蓋玻璃200的使用為特征。更具體地，所述方法的特征在于，襯墊203S粘附至構成密封蓋玻璃200的玻璃基板201，且通孔208被形成以穿透襯墊203S和處于此狀態(tài)的玻璃基板201，且導體層209在其中形成，信號讀取端子和電源端子在密封蓋玻璃200的表面?zhèn)壬闲纬伞Ｊ紫?，如圖54A所示，用于形成襯墊的具有10至500(am的厚度的硅基板203被制備。接著，如圖54A、所示，用于構成密封蓋玻璃200的玻璃基板201被制備。接著，如圖54B所示，粘合劑層202被涂覆到基板203表面上。此后，如圖54C所示，具有粘合劑層202涂覆于其上的硅基板203粘附至玻璃基板201的表面。隨后，如圖54D所示，通過光刻法形成抗蝕圖案，通過使用抗蝕圖案作為掩模執(zhí)行RIE(活性離子蝕刻)，且粘合劑被預先涂覆以去除凹形部分205，該凹形部分205包括與光電二極管相應的區(qū)域，即與光接收區(qū)(圖53B中的40)相應的區(qū)域，或在RIE后通過氧等離子體執(zhí)行去除處理。接著，如圖54E所示，通過光刻法形成抗蝕圖案，通過使用抗蝕圖案作為掩模執(zhí)行RIE(活性離子蝕刻)。從而，通孔208被形成以穿透襯墊203S和玻璃基板201。此后，如果必要，二氧化硅薄膜(未示出)通過CVD至少形成在由硅制成的襯墊的內壁上。在襯墊由例如玻璃或樹脂等絕緣體形成的情況下，不要求此步驟。此外，屏蔽薄膜可形成在襯墊的內壁或外壁上。此后，如圖55A所示，導體層209形成在通孔的內壁上，該通孔通過使用例如銀膏或銅膏等導電膏的真空絲網印刷或金屬鍍絕緣，且穿透襯墊203S和玻璃基板201的貫穿的接觸區(qū)被形成。隨后，如圖55B所示，金焊盤210和211或凸起212形成在玻璃基板的表面和背面上，該玻璃基板具有連接至貫穿的接觸區(qū)的襯墊。在薄膜形成中，薄薄的金膜形成在表面和背面上，且通過使用光刻法的蝕刻方法執(zhí)行圖案化，或絲網印刷或選擇性噴鍍可被應用。此外，各向異性導電樹脂薄膜213被涂覆，如圖55C所示。另一方面，如圖55D所示，設置有加強板701的IT-CCD基板100被制備。接著，如圖55E所示，用在每個基板的周緣部分中形成的對準標記執(zhí)行對準，且具有結合至板狀玻璃基板201的襯墊203S的蓋玻璃200裝配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此進行加熱，以使它們兩個與各向異性導電薄膜213結合在一起。在結合中，也可使用使用超聲波的擴散結合、焊接結合、和共晶結合。接著，整個設備沿切割線DC經受切割，且分為單獨的固態(tài)成像設備的分隔被執(zhí)行。這樣，可用高工作能力非常容易地形成在密封蓋玻璃上設置有例如焊盤等結合區(qū)的固態(tài)成像設備。這樣，集合裝配被執(zhí)行，接著單獨分隔被執(zhí)行，而不執(zhí)行單獨對準和例如布線結合等電連接。因此，制造可以容易地被執(zhí)行，且處理可以容易地被執(zhí)行。而且，槽部分(未示出)預先形成在玻璃基板201上，且在裝配后通過例如CMP等方法去除表面以使其具有觸及槽部分的深度。從而，可非常容易地執(zhí)行分隔。而且，可用高工作能力容易地執(zhí)行形成。此外，在元件形成表面通過結合密封在間隙C中的狀態(tài)下可能僅通過切割或拋光形成單獨的IT-CCD。因此，可以容易地提供其中元件較少損壞、灰塵沒有混入且具有高可靠性的IT-CCD。此外，硅基板通過CMP變薄以具有約1/2的深度。因此，尺寸和厚度可被減小。而且，在結合至玻璃基板后厚度可減小。因此，可能防止機械力的變弱。這樣，根據(jù)本發(fā)明的結構，在圓片級上執(zhí)行定位，且順序執(zhí)行集合裝配和集成以分隔每個IT-CCD。因此，可能形成易于制造且具有高可靠性的固態(tài)成像設備。雖然在第一實施例中包括焊盤的布線層由金層構成，顯然不限于金層，也可使用例如鋁等另一金屬或例如硅化物等另一導體層。此外，也可通過在基板表面上形成透明樹脂薄膜和通過從相同表面進行離子注入到預定深度形成具有折射率梯度的透鏡層設置微型透鏡陣列。此外，除了硅基板外，可能適當選擇玻璃或聚碳酸脂作為襯墊。(第四十三實施例)接著，將描述本發(fā)明的第四十三實施例。雖然在第四十二實施例中對其中形成穿透玻璃基板和襯墊的通孔和例如焊盤等結合區(qū)形成在密封蓋玻璃上的固態(tài)成像設備進行了描述，在下面的實施例中將描述變化。首先，本實施例的特征是在襯墊上形成通孔和玻璃基板被制備，如圖56A所示。如圖56B所示，照相排版樹脂通過照相模壓方法形成在玻璃基板201的表面上，從而形成襯墊213。接著，如圖56C所示，通過通過使用光刻法的蝕刻方法形成。這樣，可能容易地獲得具有襯墊且設置有通孔的密封蓋玻璃。隨后，圖55A至55E中所示的裝配步驟以與第四十二實施例中所述相同的方式被執(zhí)行，且至IT-CCD基板的粘附被執(zhí)行以執(zhí)行切割。從而，可獲得圖55E中所示的固態(tài)成像設備。根據(jù)這種結構，襯墊可被容易地形成。雖然在本實施例種使用了照相排版樹脂，也可使用粘合劑本身。玻璃基板和襯墊被整體形成，且翹曲和張力可被減少，而且，制造還可被容易地執(zhí)行。(第四十四實施例)接著，將描述本發(fā)明的第四十四實施例。雖然在第四十二實施例中用于形成襯墊的硅基板粘附至玻璃基板并經受圖案化，但在本實施例中玻璃基板可在一次蝕刻步驟被蝕刻以同時形成凹形部分和通孔。其它部分以與在第四十二實施例中相同的方式形成。在本實施例中，首先，玻璃基板201被制備，如圖57A所示。接著，如圖57B所示，抗蝕圖案R形成在玻璃基板201的表面和背面上，開口設置在位于待形成通孔的區(qū)域中的表面和背面上，且開口僅'設置在待形成凹形部分205(和切割槽204，如果必要)的區(qū)域中的背面上。此后，如圖57C所示，通過將表面和背面上的抗蝕圖案用作掩模，從兩個表面蝕刻玻璃基板201，從而同時形成凹形部分205、切割槽(未示出)和通孔208。這樣，可能容易地獲得具有與其整體形成的襯墊和在其中形成的通孔的密封蓋玻璃。隨后，以與第四十二實施例中所述相同的方式執(zhí)行圖55A至55E中所示的裝配步驟，且執(zhí)行至IT-CCD基板的粘附以執(zhí)行切割。從而，可獲得在圖55E中示出的固態(tài)成像設備。玻璃基板和襯墊被整體形成，且翹曲和張力可被減少，而且，制造還可被容易地執(zhí)行。(第四十五實施例)接著，將描述本發(fā)明的第四十五實施例。雖然在第四十二實施例中用于形成襯墊的硅基板粘附至玻璃基板并經受圖案化，具有在其上形成的圖案的襯墊203S粘附至玻璃基板201，且通孔最終在蝕刻步驟形成。其它部分以與在第四十二實施例中相同的方式形成。首先，在本實施例中，玻璃基板201被制備，如圖58A所示。另一方面，用于形成襯墊的硅基板203被制備，如圖58A、所示。接著，如圖58B所示，硅基板203通過使用光刻法的蝕刻方法進行處理，從而獲得襯墊203S。此后，如圖58C所示，粘合劑202被涂覆到經受圖案化的襯墊203S的表面上。隨后，如圖58D所示，襯墊203S被粘附，使其與玻璃基板201成一直線。接著，如圖58E所示，通孔208通過使用光刻法的蝕刻方法形成。這樣，可能容易地獲得具有粘附到其上的襯墊和在其上形成的通孔的密封蓋玻璃。此后，如果必要，二氧化硅薄膜(未示出)通過CVD至少形成在由硅制成的襯墊的內部上。在襯墊由例如玻璃或樹脂等絕緣體形成的情況下，不要求此步驟。而且，屏蔽膜可在襯墊的內壁或外壁上形成。隨后，以與第四十二實施例中相同的方式執(zhí)行圖55A至55E中所示的裝配步驟，且執(zhí)行至IT-CCD基板的粘附以執(zhí)行切割。從而，可獲得在圖55E中示出的固態(tài)成像設備。還可能通過使用紫外線固化樹脂、熱固樹脂或它們二者或利用半固化粘合劑將玻璃基板粘附至襯墊。而且，在粘合劑的形成中，可能使用分配器、絲網印刷或模壓傳遞適當選擇供給。此外，如圖58C所示，還可能通過將鎢膜濺射到襯墊的凹形部分內壁內的方法形成屏蔽膜215。從而，可能不單獨提供屏蔽膜而獲得優(yōu)良的圖像傳感特征。(第四十六實施例)接著，將描述本發(fā)明的第四十六實施例。在第四十二實施例中，已對其中用于形成襯墊的硅基板粘附至玻璃基板并被圖案化、且穿透玻璃基板和襯墊的通孔最終通過蝕刻形成的示例進行了描述。在本實施例中，如圖59A至59F所示，通過蝕刻硅基板進行形狀加工，且通過使用圓片級上的對準標記，形成為圖59E中所示的通孔208a的襯墊203S和設置有圖59B、中所示的通孔208b的玻璃基板201被對準，且它們兩個與粘合劑層202粘在一起。其它部分以與第四十二實施例中相同的方式形成。同樣在這種情況下，還可能在面向襯墊的凹形部分的內壁上形成屏蔽膜(215)。根據(jù)這種結構，由于通孔被單獨形成以執(zhí)行粘附，故要求對準，且?guī)缀跻话氲拈L寬比是足夠的。從而，可以容易地形成通孔。隨后，以與第四十二實施例中所述相同的方式執(zhí)行圖55A至55E中所示的裝配步驟，且執(zhí)行至IT-CCD基板的粘附以執(zhí)行切割。從而，可獲得圖55E中所示的固態(tài)成像設備。還可能在襯墊203S和玻璃基板201的每個通孔中形成導體層，接著使它們兩個對準以執(zhí)行粘附。(第四十七實施例)接著，將描述本發(fā)明的第四十七實施例。在第四十二實施例中，用于形成襯墊的硅基板粘附至玻璃基板，且在蝕刻步驟導體層209形成在穿透玻璃基板和襯墊的通孔上，接著IT-CCD基板被粘附到其上。本實施例的特征在于，具有設置有第一至四十五實施例中的通孔208的襯墊的玻璃基板200與具有加強板701粘附至圓片級上的背面的IT-CCD基板100對準，且它們粘附在一起，接著導體層209形成在通孔208中，如圖60A至60D所示。而且，焊盤210被形成以連接至導體層209。其它部分以與第二十八實施例中相同的方式形成。當導體層209將被填充時，可能通過使用例如銅膏等導電膏的真空絲網印刷或金屬鍍容易地執(zhí)行形成。雖然在實施例中已描述了用粘合劑層執(zhí)行構成密封蓋玻璃的玻璃基板至襯墊的結合、IT-CCD基板100至密封蓋玻璃的結合的方法，在所有實施例中，在襯墊和IT-CCD基板的表面由Si、金屬或無機化合物制成的情況下，還可能通過表面激活冷處理而不使用粘合劑適當執(zhí)行結合。如果蓋玻璃是硼硅酸耐熱玻璃，則當襯墊由Si制成時也可使用陽極結合。在粘合劑層被使用的情況下，除了UV粘合劑外，還可能使用熱固粘合劑、半固化型粘合劑、和熱固結合uv固化粘合劑作為粘合劑層。而且，在所有實施例中，除了硅基板外，可能適當選擇42-合金、金屬、玻璃、光敏聚酰亞胺和聚碳酸脂樹脂作為襯墊，這已在第四十二實施例中作了描述。而且，當IT-CCD基板100將通過使用粘合劑層結合至密封蓋玻璃時，優(yōu)選的是，應防止熔化的粘合劑層流出，例如應形成r:液器。參看襯墊和IT-CCD基板100或密封蓋玻璃的結合部分，類似地，優(yōu)選的是，應防止熔化的粘合劑層流出，例如，凹形或凸形部分應被形成以在結合部分中設置貯液器。雖然在實施例中為了將設置有切割槽的基板分隔成單獨的元件執(zhí)行CMP直到切割槽的位置，還可能使用研磨、拋光或全部蝕刻。而且，在加強板(701)被用于實施例的情況下，如果聚酰亞胺樹脂、陶瓷、結晶玻璃、或表面和背面氧化的硅基板被用作材料，如果必要，該加強板可用作絕熱基板。而且，可使用屏蔽材料。此外，可通過使用防潮密封材料或屏蔽材料執(zhí)行形成。而且，在有必要將玻璃基板粘附至如上所述的襯墊的情況下，可通過紫外線固化樹脂、熱固樹脂或它們二者或通過使用半固化粘合劑執(zhí)行粘附。而且，在粘合劑的形成中，可能使用分配器、絲網印刷或模壓傳遞適當選擇供給。此外，在實施例中描述的示例在整個構造的可適用范圍內可被相互修改。(第四十八實施例)如圖61A的截面圖和在圖61B中示出主部的放大截面圖所示，固態(tài)成像設備具有如此結構，即所形成的密封蓋玻璃自身具有聚光和圖像形成功能以構成光學組件。因此，尺寸可得到極大的減小。通過使用模壓或蝕刻或離子注入到半透明聚碳酸脂樹脂形成具有不同折射率的透鏡區(qū)域的方法設置密封蓋玻璃220。具有將成為光學組件的透鏡的玻璃基板220被結合至IT-CCD基板100表面，該IT-CCD基板100包括為半導體基板的硅基板101，該硅基板101設置有穿過襯墊203S的IT-CCD102，以具有與硅基板101的光接收區(qū)相應的間隙C，且硅基板101的周緣通過切割單獨分隔，至外部電路(未示出)的電連接可通過在硅基板101的表面上形成的焊盤BP獲得。在所述示例中，焊盤BP被形成以暴露在未示出的部分區(qū)域中的襯墊203S之外，從而構成信號讀取端子和電源端子。襯墊203S具有為10至500(im的高度，且優(yōu)選為80至120(jm。本實施例中IT-CCD的其它部分幾乎與在第一實施例或第四十二實施例中設置的IT-CCD相同。接著，用于制造固態(tài)成像設備的方法在圖62A、62A、、62B至62D、以及圖63A至63C中示出。如圖62A所示，透鏡陣列通過離子注入法形成，從而具有該透鏡陣列的密封蓋玻璃220被形成。具有該透鏡陣列的密封蓋玻璃220還可通過模壓或蝕刻形成。粘合劑層202在如圖62A、所示的用于襯墊的硅基板203上形成，且它們如圖62C所示被結合。通過使用由使用光刻法的蝕刻方法形成的抗蝕圖案作為掩模，執(zhí)行蝕刻以形成襯墊203S，如圖62D所示。接著，粘合劑層207在密封蓋玻璃220的襯墊203S的表面上形成，該密封蓋玻璃220具有在圖62D所示的步驟形成的透鏡陣列。另一方面，設置有加強板701的IT-CCD基板100被制備，如圖63〔b)所示。在元件基板的形成中，如圖63(b)所示，硅基板101(使用了4至8英寸的圓片)被預先制備(在圖中僅示出一個單元，且在一個圓片上連續(xù)形成多個IT-CCD)。在裝配后還可能通過蝕刻在與分割線相應的區(qū)域中形成切割槽的方法容易地執(zhí)行分割，以在硅基板101表面上分成每個IT-CCD。接著，通過使用普通硅加工，溝道截斷環(huán)層被形成，溝道區(qū)被形成，且例如電荷轉移電極…等元件區(qū)102被形成。而且，形成焊盤BP，其表面上設置有布線層，且其包括用于外部連接的金層。此后，如圖63(c)所示，用在每個基板的周緣部分中形成的對準標記執(zhí)行對準，且具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220裝配在設置有如上所述的元件區(qū)的IT-CCD基板100上，其中襯墊203S結合至該透鏡陣列，且執(zhí)行加熱，以將它們兩個與粘合劑層207結合在一起。理想的是，所述步驟在真空或例如氮氣等惰性氣體環(huán)境中執(zhí)行。此外，在以下的實施例中將描述用于制造襯墊和具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220的方法的變化。(第四十九實施例)接著，將描述本發(fā)明的第四十九實施例。如圖64A和64B所示，本實施例的特征在于，具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220被制備，凹形部分225通過蝕刻形成在其背面上，且襯墊223S整體形成。其它部分以與實施例中相同的方式形成。根據(jù)這種結構，可用高精度并容易地執(zhí)行形成，而且可能獲得具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220，其中由于整體形成沒有形成張力，且可靠性提高。(第五十實施例)接著，將描述本發(fā)明的第五十實施例。在本實施例中，首先，具有透鏡陣列的玻璃基板220被制備，如圖65A所示。接著，如圖65B所示，光固化樹脂通過照相模壓方法在具有透鏡陣列的玻璃基板220的表面上形成，且襯墊223S被制備。這樣，可能容易地獲得具有襯墊且設置有通孔的密封蓋玻璃。隨后，圖63A至63C所示的裝配步驟以與實施例中所述相同的方式執(zhí)行，且至IT-CCD基板的粘附被執(zhí)行以執(zhí)行切割。從而，可獲得在圖63C中示出的固態(tài)成像設備。(第五十一實施例)接著，將描述本發(fā)明的第五十一實施例。雖然在第四十八實施例中硅基板粘附至具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220并經受圖案化，在本示例中通過蝕刻方法形成的襯墊203S可粘附至具有透鏡陣列的蓋玻璃220，如圖66A至66D所示。在裝配步驟，類似地，至IT-CCD基板的粘附被執(zhí)行，且切割以與第五十實施例中相同的方式執(zhí)行，從而可獲得固態(tài)成像設備。(第五十二實施例)接著，將描述本發(fā)明的第五十二實施例。此外，如圖67A至67D所示，具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220、襯墊203S、以及具有加強板701的IT-CCD基板100可被同時安裝。(第五十三實施例)接著，將描述本發(fā)明的第五十三實施例。此外，如圖68A至68D所示，具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220也可應用到其中外圍電路板901通過各向異性導電薄膜115被設置的固態(tài)成像設備上。其它部分以與實施例中相同的方式形成。而且，同樣在外圍電路的連接中，使用超聲波的擴散結合、焊接結合、和通過熱壓的共晶結合也是有效的。此外，使用樹脂的底層填料可被執(zhí)行。具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220可被用于代替由板狀組件形成的密封蓋玻璃200。(第五十四實施例)接著，將描述本發(fā)明的第五十四實施例。此外，如圖69所示，IT-CCD基板100、外圍電路板901和加強板701可以此順序設置。其它部分以與實施例中相同的方式形成。(第五十五實施例)接著，將描述本發(fā)明的第五十五實施例。此外，如圖70所示，布線221在襯墊的側壁上形成也是有效的。在制造中，通過在襯墊中設置通孔、在通孔中形成導體層、將IT-CCD基板粘附至具有透鏡的密封蓋玻璃220、接著沿包括通孔的切割線執(zhí)行切割，可能容易地在側壁上形成布線。其它部分以與實施例中相同的方式形成。雖然在實施例中對用粘合劑層執(zhí)行構成密封蓋玻璃的玻璃基板至襯墊的結合、以及IT-CCD基板至密封蓋玻璃的結合的方法進行了描述，在所有實施例中，在襯墊和IT-CCD基板的表面由Si、金屬、或無機化合物制成的情況下，還可能通過表面激活冷結合而不使用粘合劑執(zhí)行結合。如果蓋玻璃是硼硅酸耐熱玻璃，則當襯墊由Si制成時也可使用陽極結合。在使用粘合劑層的情況下，除了UV粘合劑外，還可能使用熱固粘合劑、半固化型粘合劑、以及熱固結合UV固化粘合劑。而且，在所有實施例中，除了硅基板外，可能適當選擇42-合金、金屬、玻璃、光敏聚酰亞胺和聚碳酸脂樹脂作為襯墊，這已在第四十二實施例中作了描述。而且，當IT-CCD基板100將通過使用粘合劑結合至密封蓋玻璃時，優(yōu)選的是，應防止熔化的粘合劑層流出，例如應形成貯液器。參看襯墊和IT-CCD基板100或密封蓋玻璃的結合部分，類似地，優(yōu)選的是，應防止熔化的粘合劑層流出，例如，凹形或凸形部分應被形成以在結合部分中設置貯液器。雖然在實施例中為了將設置有切割槽的基板分隔成單獨的元件執(zhí)行CMP直到切割槽的位置，還可能使用研磨、拋光或全部蝕刻。而且，在加強板(701)被用于實施例中的情況下，如果聚酰亞胺樹脂、陶瓷、結晶玻璃、或表面和背面氧化的硅基板被用作材料，如果必要，該加強板可用作絕熱基板。而且，可使用屏蔽材利-。此外，可通過使用防潮密封材料或屏蔽材料執(zhí)行形成。而且，在實施例中，在有必要將玻璃基板粘附至襯墊的情況下，可通過紫外線固化樹脂、熱固樹脂或它們二者或通過使用半固化粘合劑執(zhí)行粘附。此外，可能使用分配器、絲網印刷或模壓傳遞適當選擇供給。此外，在整個構造的可適用范圍內對實施例中描述的示例可進行相互修改。.雖然包括焊盤的布線層由第四十八實施例中的金層構成，顯然的是，不限于金層，也可使用例如鋁等另一金屬或例如硅化物等另一導體層。此外，也可通過在基板表面上形成透明樹脂薄膜、通過從表面通過離子注入預定深度形成具有折射率的透鏡層設置微型透鏡陣列。(第五十六實施例)如圖71A'的截面圖和在圖71B中示出主部的放大截面圖所示，固態(tài)成像設備具有如此結構，即所形成的密封蓋玻璃自身具有聚光和圖像形成功能，以構成光學組件。因此，尺寸可得到極大的減小。通過將離子注入半透明聚碳酸脂樹脂的表面形成具有不同折射率的透鏡區(qū)域設置密封蓋玻璃220。具有為光學組件的透鏡的玻璃基板220結合至IT-CCD基板IOO'的表面，該IT-CCD基板100包括將成為第一半導體基板的硅基板101，該硅基板101設置有穿過襯墊203S的IT-CCD102，以具有與硅基板101的光接收區(qū)相應的間隙C，并且，包括硅基板(其為第二半導體基板)的外圍電路板901結合至IT-CCD基板100的背面，且接觸墊118在背面上形成，而且，硅基板101的周緣通過切割單獨分隔。本實施例中的IT-CCD結構幾乎與第一實施例相同，且本實施例的IT-CCD的制造方法的步驟幾乎與第四十八實施例相同。在本實施例中，導體層117在IT-CCD基板100的背面上形成，以經由通孔H連接至IT-CCD基板:100，而且，墊118被形成，從而形成圖71A中所示的固態(tài)成像設備。二氧化硅玻璃119在通孔H的內壁上形成。這樣，可能獲得易于裝配且具有小尺寸和高可靠性的固態(tài)成像設備。此外，用于制造襯墊和具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220的方法的變化將在下面的實施例中描述。(第五十七實施例)接著，將描述本發(fā)明的第五十七實施例。如圖74A和74B所示，本實施例的特征在于，具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220被制備，且凹形部分225通過蝕刻形成在其背面上，且襯墊223S整體形成。根據(jù)這種結構，可用高精度容易地執(zhí)行形成，而且可能獲得具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220，其中由于整體形成沒有形成張力，且可靠性提咼o(第五十八實施例)接著，將描述本發(fā)明的第五十八實施例。在本實施例中，.首先，具有透鏡陣列的玻璃基板220被制備，如圖75A所示。接著，如圖75B所示，光固化樹脂通過分配器、或絲網印刷形成在具有透鏡陣列的玻璃基板220的表面上，且襯墊223S被制備。這樣，可能容易地獲得具有襯墊且設置有通孔的密封蓋玻璃。隨后.，圖73A至73C中所示的裝配步驟以與實施例中所述相同的方式執(zhí)行，且至IT-CCD基板的粘附被執(zhí)行，而且外圍電路板901被結合。最后，通孔被形成以將IT-CCD基板IOO電連接至外圍電路板901，然后切割被執(zhí)行。從而，可獲得在圖73C中示出的固態(tài)成像設備。(第五十九實施例)接著，將描述本發(fā)明的第五十九實施例。在第五十九實施例中，如圖76A、76A、、以及76B至76D所示，經受圖案化的襯墊203S可粘附至具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220。(第六十實施例)接著，將描述本發(fā)明的第六十實施例。此外，如圖77A至77D所示，具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220、襯墊203S和具有加強板701的IT-CCD基板100可被同時安裝。(第六十一實施例)接著，將描述本發(fā)明的第六十一實施例。此外，如圖78A至78D所示，具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220也可應用到其中外圍電路板901通過各向異性導電薄膜115被設置的固態(tài)成像設備上。具有透鏡陣列的密封蓋玻璃220可被用于代替由板狀組件形成的密封蓋玻璃200。而且，同樣在外圍電路901的連接中，使用超聲波的擴散結合、焊接結合、和通過熱壓的共晶結合也是有效的。此外，使用樹脂的底層填料可被執(zhí)行。(第六十二實施例)接著，將描述本發(fā)明的第六十二實施例。此外，如圖79所示，將穿透外圍電路板的通孔和IT-CCD基板可被單獨形成二次，且導體層117可形成在其中以被向下拿出。221表示布線層。(第六十三實施例)接著，將描述本發(fā)明的第六十三實施例。此外，如圖80所示，布線221在襯墊的側壁上形成也是有效的。在制造中，通過在襯墊中設置通孔、在通孔中形成導體層、將IT-CCD基板粘附至具有透鏡的密封蓋玻璃220、接著沿包括通孔的切割線執(zhí)行切割，可能容易地在側壁上形成布線。雖然在實施例中對用粘合劑層將IT-CCD基板結合至密封蓋玻璃的方法進行了描述，但不限于此，也可采用灌注鑄模樹脂(moldresin)的方法、使用直接結合和冷激活直接結合的方法。此外，當IT-CCD基板將通過使用粘合劑層結合至密封蓋玻璃時，優(yōu)選的是，應防止熔化的粘合劑層流出，例如應在結合部分中形成凹形部分(貯液器)。這樣，在本發(fā)明的方法中，集合裝配被執(zhí)行，接著單獨分隔被執(zhí)行，而不執(zhí)行單獨對準和例如引線結合等電連接。因此，可以容易地執(zhí)行制造且還可以容易地執(zhí)行處理。這樣，根據(jù)這種結構，在圓片級上執(zhí)行定位，且集合裝配和集成被順序執(zhí)行以分隔每個IT-CCD。從而，可能形成易于制造并具有高可靠性的固態(tài)成像設備。雖然在實施例中已描述了用粘合劑層執(zhí)行構成密封蓋玻璃的玻璃基板至襯墊的結合、IT-CCD基板100至密封蓋玻璃的結合的方法，在所有實施例中，在襯墊和IT-CCD.基板的表面由Si、金屬、或無機化合物制成的情況下，還可能通過表面激活冷處理而不使用粘合劑適當執(zhí)行結合。如果蓋玻璃是硼硅酸耐熱玻璃，則當襯墊由Si制成時也可使用陽極結合。在使用粘合劑層的情況下，除了UV粘合劑外，還可能使用熱固粘合劑、半固化型粘合劑、和熱固結合UV固化粘合劑作為粘合劑層。-而且，在所有實施例中，除了硅基板外，還可能適當選擇42-合金、金屬、玻璃、光敏聚酰亞胺和聚碳酸脂樹脂作為襯墊，這已在第四十二實施例中作了描述。而且，當IT-CCD基板100將通過使用粘合劑層結合至密封蓋玻璃時，優(yōu)選的是，應防止熔化的粘合劑層流出，例如應形成貯液器。參看襯墊和IT-CCD基板100或密封蓋玻璃的結合部分，類似地，優(yōu)選的是，應防止熔化的粘合劑層流出，例如，凹形或凸形部分應被形成以在結合部分中設置貯液器。雖然在實施例中為了將設置有切割槽的基板分隔成單獨的元件，執(zhí)行CMP直到切割槽的位置，還可能使用研磨、拋光或全部蝕刻。而且，在加強板(701)被用于實施例中的情況下，如果聚酰亞胺樹脂、陶瓷、結晶玻璃、或表面和背面氧化的硅基板被用作材料，如果必要，該加強板可用作絕熱基板。而且，可使用屏蔽材料。而且，在有必要將玻璃基板粘附至實施例的襯墊的情況下，可通過紫外線固化樹脂、熱固樹脂或它們二者或通過使用半固化粘合劑執(zhí)行粘附。而且，在粘合劑的形成中，可能使用分配器、絲網印刷或模壓傳遞適當選擇供給。此外，實施例中所描述的示例在整個構造的可適用范圍內可被相互修改。'雖然包括焊盤的布線層由第五十六實施例中的金層構成，顯然的是，不限于金層，也可使用例如鋁等另一金屬或例如硅化物等另一導體層。此外，微型透鏡還可通過在基板表面上形成透明樹脂薄膜和通過從表面進行離子注入到預定深度形成具有折射率的透鏡層而被設置。(第六十四實施例)如圖81A的截面圖和在圖81B中示出主部的放大截面圖所示，固態(tài)成像設備具有如此結構，即為半透明組件的玻璃基板201結^:至IT-CCD基板100的表面，該IT-CCD基板100包括為半導體基板的硅基板101，該硅基板101設置有穿過襯墊203S的IT-CCD102，以具有與硅基板101的光接收區(qū)相應的間隙C，而且，外圍電路板901連接至背面。墊113和凸起114被形成為外部讀取端子，其經由設置在硅基板101中的通孔H形成在IT-CCD基板100的背面上。接著，通過各向異性薄膜115執(zhí)行至外部電路板901的連接，且周緣通過切割單獨分隔，從而通過焊盤118執(zhí)行外部連接。襯墊203S具有為10至500pm的高度，優(yōu)選為80至120pm。數(shù)字701是指加強板。在本實施例中，IT-CCD基板100具有幾乎與第一實施例中的IT-CCD基板相同的結構。差別是通孔不是出現(xiàn)在部分上，而是被形成以連接至本實施例中的電荷轉移電極32。接著，將對用于制造固態(tài)成像設備的方法進行描述。所述方法基于所謂的圓片級CSP方法，其中在圓片級上執(zhí)行定位，執(zhí)行集合裝配和集成，接著每個IT-CCD的分割被執(zhí)行，如在圖82A至82D和圖83A至83C中示出的制造方法的視圖所示。(在下圖中僅顯示了兩個單元，且許多IT-CCD連續(xù)形成在圓片上)。所述方法的特征在于，IT-CCD基板和玻璃基板的邊緣被同等構成，且在背面上的讀取經由穿透IT-CCD基板100和粘附至其背面的加強板701的通孔被執(zhí)行。此外，使用了密封蓋玻璃200，其具有預先設置有襯墊203S的襯墊。首先，將描述具有襯墊的玻璃基板的形成。如圖82A所示，為襯墊的硅基板203通過包括紫外線固化型粘合劑(陽離子聚合能量線固化粘合劑)的粘合劑層202粘附至玻璃基板201表面，抗蝕圖案Rl通過使用光刻法的蝕刻方法被形成，以保留在將成為襯墊的部分中。接著，如圖82B所示，硅基板203通過將抗蝕圖案Rl用作掩模被蝕刻，從而形成襯墊203S。此后，如圖82C所示，抗蝕劑被填充在除了元件區(qū)外的襯墊區(qū)中，該元件區(qū)處于留下用于形成襯墊203S的抗蝕圖案R1的狀態(tài)中，且玻璃基板201被蝕刻以具有預定深度。因此，元件槽部分204被形成，如圖82D所示。隨后，粘合劑層207形成在襯墊203S的表面上。襯墊203S由硅基板203形成。為此原因，如果在為玻璃基板201的主要成分的二氧化硅的蝕刻速度比硅的蝕刻速度高得多的蝕刻條件下執(zhí)行蝕刻，則蝕刻可被執(zhí)行，同時襯墊203S的側壁暴露在元件區(qū)外。在元件槽部分204的形成中，切割刀片(磨石)可被使用。此外，可再次執(zhí)行光刻法，以形成這樣的抗蝕圖案R，以使其包括襯墊203S的整個側壁，且可穿過抗蝕圖案R執(zhí)行蝕刻，從而形成槽部分204。因此，獲得設置有槽部分204的密封蓋玻璃200和襯墊203S。接著，IT-CCD基板被形成。在元件基板的形成中，如圖83A所示，硅基板101(使用了6英寸的圓片)被預先制備(在下圖中僅顯示了一個單元，而很多IT-CCD連續(xù)形成在圓片上)。接著，通過使用普通硅加工，形成溝道截斷環(huán)層，形成溝道區(qū)，且形成例如電荷轉移電極…等元件區(qū)。此后，由設置有二氧化硅的硅基板形成的加強板701通過表面激活冷結合結合至IT-CCD基板100的背面(圖83A)。接著，如圖83B所示，用在每個基板的周緣部分中形成的對準標記執(zhí)行對準，且具有粘附至板狀玻璃基板201的襯墊203S的密封蓋玻璃200裝配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，如此進行加熱，以使它們兩個與粘合劑層207結合在一起。理想的是，所述方法應在真空或諸如氮氣等惰性氣體環(huán)境中執(zhí)行。隨后，通孔H通過光刻法形成在加強板701的背面上。接著，二氧化硅薄膜109通過CMP方法形成在通孔H中。此后，各向異性蝕刻被執(zhí)行，以使二氧化硅薄膜109僅保留在通孔H的側壁上，如圖83C所示。隨后，如圖84A所示，通過使用W^的CVD方法，鎢膜形成為導體層108，以與通孔H中的焊盤接觸。接著，如圖84B所示，焊盤113和凸起114形成在加強板701的表面上。這樣，可能在加強板701側上形成信號讀取電極端子和導電電極端子。此后，如圖84C所示，各向異性薄膜115(ACP)被涂覆到加強板701表面上。最后，如圖84D所示，設置有驅動電路的電路板901通過各向異性'導電薄膜115被連接。電路板901設置有由填充在穿透電路板和焊盤118的通孔H中的導體層形成的接觸層117。至電路板901的連接也可通過使用超聲波的結合、焊接結合、或共晶結合執(zhí)行。因此，可能通過焊盤118容易地獲得至諸如印刷板等的電路板的連接。接著，整個設備沿包括接觸層117和導體層108的切割線DC經受切割，從而分為單獨的固態(tài)成像設備的分割被執(zhí)行(在圖中僅示出一個單元，而在一個圓片上連續(xù)形成多個IT-CCD)。這樣，可以高工作能力非常容易地形成固態(tài)成像設備。加強板701由設置有二氧化硅薄膜的硅基板構成。因此，可能執(zhí)行與IT-CCD基板100的熱絕緣和電工絕緣。雖然在本實施例中導體層通過CVD方法形成在通孔中，但可能通過使用噴鍍法、真空絲網印刷法或真空抽吸法用高精度容易地將導體層填充在具有高的長寬比的接觸孔中。而且，雖然在本實施例中，通過使用通孔執(zhí)行IT-CCD基板的表面和后面和裝配外圍電路的電路板的電連接，但不限于此，還可使用通過表面和背面的雜質擴散形成接觸以電連接表面和后面的方法。這樣，可能在加強板701側上形成信號讀取電極端子和導電電極端子。而且，集合裝配被執(zhí)行，接著單獨的分割被執(zhí)行，而不執(zhí)行單獨對準和諸如引線接合等電連接。因此，制造可以容易地被執(zhí)行，且處理也可以容易地被執(zhí)行。此外，槽部分204預先形成在玻璃基板201上，且在裝配后用諸如CMP等方法去除表面，以使其具有觸及槽部分204的深度。因此，可非常容易地執(zhí)行分割。而且，可僅通過在元件形成表面通過結合圍在間隙C中的狀態(tài)下進行切割和拋光而形成單獨的IT-CCD。因此，可能提供其中元件很少損壞、灰塵不會混入且獲得高可靠性的IT-CCD。此外，硅基板通過CMP變薄以具有約為1/2的深度。因此，尺寸和厚度可被減小。此外，在結合到玻璃基板后厚度可被減小。因此，可能防止機械力的損耗。因此，根據(jù)本發(fā)明的結構，在圓片級上執(zhí)行定位，且順序執(zhí)行用于分割每個IT-CCD的集合裝配和集成。因此，可能形成易于制造并具有高可靠性的固態(tài)成像設備。雖然在本實施例中通過在圓片級CSP上執(zhí)行共同連接和切割的方法執(zhí)行形成，還可能形成通孔H，以分別在設置有凸起114的IT-CCD基板100上執(zhí)行切割和裝配密封蓋玻璃200。此外，通過在基板表面上形成透明薄膜和通過從相同表面進行離子注入到預定深度形成具有折射率的透鏡層，也可設置微型透鏡陣列。而且，在所有實施例中，除了硅基板外，還可能適當選擇42-合金、金屬、玻璃、光敏聚酰亞胺和聚碳酸脂樹脂，這也已在第一實施例中描述過。(第六十五實施例)接著，將描述本發(fā)明的第六十五實施例。雖然在第六十四實施例中通孔被如此形成以穿透加強板701，且導體層111被形成，但在本實施例中IT-CCD基板通過使用預先設置有孔(垂直孔)的硅基板形成。由于垂直孔的小的形成深度是足夠的，所以可提高生產率和可提高制造產量。更具體地，如圖85A所示，在形成IT-CCD之前抗蝕圖案首先通過光刻法在硅基板的背面上形成，且通過將抗蝕圖案用作掩模，垂直孔118通過RIE(活性離子蝕刻)形成。在此步驟，由鋁制成的墊110被設置在表面上，且垂直孔118被如此形成以觸及墊110。接著，如圖85B所示，二氧化硅薄膜119通過CVD方法形成在垂直孔118的內壁上。此后，如圖85C所示，通過使用與每個實施例中相同的普通硅加工，用于形成IT-CCD的元件區(qū)被設置。隨后，如圖85D所示，用在每個基板的周緣部分上形成的對準標記執(zhí)行對準，且具有結合至板狀玻璃基板201的襯墊203S的蓋玻璃200被裝配在如上所述形成的IT-CCD基板100上，且如此進行加熱，以使它們兩個與粘合劑層207結合在一起。類似地，可在結合步驟使用表面激活冷結合。接著，如圖85E所示，加強板701通過表面激活冷結合結合到IT-CCD基板100的背面上，且通孔108通過使用光刻法的蝕刻方法形成以從背面觸及垂直孔118。類似地，理想的是，應使通孔的內壁絕緣。此外，還可能使用預先設置有通孔的加強板。隨后，執(zhí)行在第六十四實施例中描述的圖84A至84D中示出的步驟。從而，可能容易地形成具有設置有外圍電路的電路板被層壓的結構的固態(tài)成像設備。在本實施例中，如上所述，垂直孔的小的形成深度是足夠的，從而可提高生產率，且可提高制造產量。(第六十六實施例)接著，將描述本發(fā)明的第六十六實施例。在第六十五實施例中，觸點被形成以穿透加強板701，IT-CCD基板和電路板和電路板和電極被從電路板側引出。本實施例的特征在于，為布線層的導體層120形成在側壁上，且電極從固態(tài)成像設備的側壁引出，如圖86A和86B所示。制造方法幾乎與第六十五實施例相同。通孔的位置被設定為與固態(tài)成像設備的每個末端相應，且通過使用包括通孔的切割線DC執(zhí)行切割。從而，可能容易地形成具有在側壁上形成的布線層的固態(tài)成像設備。此外，待填充在通孔中的導體層120由例如鎢等屏蔽材料構成。因此，由于固態(tài)成像設備被屏蔽，故可減少出錯。,當加強板由聚酰亞胺薄膜、陶瓷、結晶玻璃或表面和背面氧化的硅基板構成時，其可起絕熱基板的作用。此外，加強板可由屏蔽材料形成。(第六十七實施例)166接著，將描述本發(fā)明的第六十七實施例。雖然在第二和第六十六實施例中IT-CCD基板100的背面通過加強板設置在外圍電路板上，在本實施例中IT-CCD基板100設置在外圍電路板901上，且加強板701順序設置在外圍電路板901的背面上，如圖87所示。加強板也起輻射板的作用。雖然制造方法幾乎與第二和第六十六實施例的每個相同，IT-CCD基板100和外圍電路板901可相互靠近設置。因此，可減少連接阻抗，且可執(zhí)行高速驅動。(第六十八實施例)接著，將描述本發(fā)明的第六十八實施例。雖然在第六十八實施例中通孔在基板上形成且電極在外圍電路板的背面上讀取，本示例的特征在于，為布線層的導體層121形成在側壁上，如圖88所示。在制造中，以與第六十六實施例中相同的方式，僅通過將切割線設置在包括在通孔中形成的觸點位置中，可能容易地形成具有側壁布線的固態(tài)成像設備。在固態(tài)成像設備中，布線形成在側壁上。因此，可能在側壁上形成信號讀取端子和電源端子。顯然的是，外圍電路板901的背面上的墊和凸起可被形成己執(zhí)行連接。701表示加強板。雖然在實施例中已描述了用粘合劑層執(zhí)行構成密封蓋玻璃的玻璃基板至襯墊的結合、IT-CCD基板100至密封蓋玻璃的結合的方法，在所有實施例中，在襯墊和IT-CCD基板的表面由Si、金屬或無機化合物制成的情況下，還可能通過表面激活冷處理而不使用粘合劑適當執(zhí)行結合。如果蓋玻璃是硼硅酸耐熱玻璃，則當襯墊由Si制成時也可使用陽極結合。在使用粘合劑層的情況下，除了UV粘合劑外，還可能使用熱固粘合劑、半固化型粘合劑、和熱固結合UV固化粘合劑作為粘合劑層。而且，在所有實施例中，除了硅基板外，可能適當選擇42-合金、金屬、玻璃、光敏聚酰亞胺和聚碳酸脂樹脂作為襯墊，這也已在第六十四實施例中作了描述。而且，當IT-CCD基板100通過使用粘合劑層結合至密封蓋玻璃時，優(yōu)選的是，應防止熔化的粘合劑層流出，例如應形成貯液器。參看襯墊和IT-CCD基板100或密封蓋玻璃的結合部分，類似地，優(yōu)選的是，應防止烙化的粘合劑層流出，例如，凹形或凸形部分應被形成以在結合部分中設置貯液器。雖然在實施例中為了將設置有切割槽的基板分隔成單獨的元件執(zhí)行CMP直到切割槽的位置，還可能使用研磨、拋光或全部蝕刻。而且，在加強板(701)使用在實施例中的情況下，如果聚酰亞胺樹脂、陶瓷、結晶玻璃、或表面和背面氧化的硅基板被用作材料，如果必要，該加強板可用作絕熱基板。而且，可使用屏蔽材料。而且，在有必要將玻璃基板粘附至實施例中的襯墊的情況下，可通過使用紫外線固化樹脂、熱固樹脂或它們二者或通過使用半固化粘合劑執(zhí)行粘附。而且，在粘合劑的形成中，可能使用分配器、絲網印刷或模壓傳遞適當選擇供給。此外，在整個構造的可適用范圍內在上述實施例中描述的示例可被相互修改。如上所述，根據(jù)依照本發(fā)明制造固態(tài)成像設備的方法，定位在圓片級上執(zhí)行，且集合裝配被執(zhí)行以獲得結合，包括用于外部讀取的電極端子的形成，接著用于每個IT-CCD基板的分隔被執(zhí)行。從而，可能形成易于制造且具有高可靠性的固態(tài)成像設備。如上所述，根據(jù)依照本發(fā)明的固態(tài)成像設備，通孔被形成以穿透襯墊和密封蓋玻璃，且電極讀取端子被設置在密封蓋玻璃上。從而，至外部的連接可被容易地執(zhí)行且尺寸可減小。根據(jù)依照本發(fā)明制造固態(tài)成像設備的方法，定位在圓片級上執(zhí)行，且通孔被形成以穿透襯墊和密封蓋玻璃，且集合裝配被執(zhí)行以獲得結合，包括用于外部讀取的電極端子的形成，該電極端子設置在密封蓋玻璃上，接著用于每個IT-CCD基板的分隔被執(zhí)行。從而，可能形成易于制造且具有高可靠性的固態(tài)成像設備。此外，如上所述，根據(jù)依照本發(fā)明的固態(tài)成像設備，具有例如透鏡等光學組件的半透明基板被使用。因此，不需要安裝光學組件，且尺寸可減小，可靠性可提高。而且，根據(jù)依照本發(fā)明制造固態(tài)成像設備的方法，相對于具有例如透鏡等光學組件的半透明基板，IT-CCD基板被放置在圓片級上，且集合裝配被執(zhí)行以獲得結合，包括用于外部讀取的電極端子的形成，接著執(zhí)行用于每個IT-CCD的分割。因此，可能形成以與制造且具有高可靠性的固態(tài)成像設備。此外，根據(jù)依照本發(fā)明的固態(tài)成像設備，具有光學組件(例如透鏡和外圍電路板)的半透明基板和IT-CCD基板被整體結合。因此，可能提供具有小尺寸和高可靠性的固態(tài)成像設備。而且，根據(jù)依照本發(fā)明制造固態(tài)成像設備的方法，相對于具有例如透鏡和外圍電路板等光學組件的半透明基板，IT-CCD基板被放置在圓片級上，且集合裝配被執(zhí)行以獲得包括用于外部讀取的電極端子的形成的結合，接著用于每個IT-CCD基板的分隔被執(zhí)行。從而，可能形成易于制造且具有高可靠性的固態(tài)成像設備。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可能形成具有小尺寸和高驅動速度的固態(tài)成像設備。此外，根據(jù)本發(fā)明，定位在圓片級和IT-CCD基板上執(zhí)行，且外圍電路板和半透明組件被集體裝配從而被集成，且接著分隔為每個IT-CCD。因此，制造可以容易地被執(zhí)行，且定位可用高精度執(zhí)行。權利要求1、一種固態(tài)成像設備，包括設置有IT-CCD的半導體基板；以及為了具有與所述IT-CCD的光接收區(qū)相應的間隙，連接至所述半導體基板的半透明組件，其中連接端子設置在所述半透明組件的表面上，所述半透明組件的表面與所述半導體基板的連接表面相對，以及所述連接端子經由設置在所述半透明組件中的通孔電連接至所述半導體基板。2、根據(jù)權利要求1所述的固態(tài)成像設備，其中所述半透明組件通過襯墊連接至所述半導體基板。3、根據(jù)權利要求2所述的固態(tài)成像設備，其中所述襯墊由與所述半透明組件相同的材料構成。4、根據(jù)權利要求2所述的固態(tài)成像設備，其中所述襯墊由與所述半導體基板相同的材料構成。5、根據(jù)權利要求2所述的固態(tài)成像設備，其中所述襯墊由樹脂材料構成。6、根據(jù)權利要求1至4中任一所述的固態(tài)成像設備，其中所述襯墊由42-合金或硅構成。7、一種制造固態(tài)成像設備的方法，包括如下步驟在半導體基板的表面上形成多個IT-CCD;為了具有與所述IT-CCD的每個光接收區(qū)相應的間隙，將具有用導電材料填充的通孔的半透明組件結合到所述半導體基板的表面上；以及對于每個IT-CCD，分離在所述結合步驟獲得的結合組件。8、根據(jù)權利要求7所述制造固態(tài)成像設備的方法，其中所述結合半透明組件的步驟包括以下步驟制備半透明基板，其中所述半透明基板在與待形成所述IT-CCD的區(qū)域相應的位置中具有凹形部分，且在所述凹形部分附近具有通孔；以及將所述半透明基板結合至所述半導體基板的表面。9、根據(jù)權利要求8所述制造固態(tài)成像設備的方法，還包括在所述結合步驟之前，在所述半導體基板表面上形成凸出部分以環(huán)繞所述光接收區(qū)、由所述凸出部分在所述光接收區(qū)和所述半透明組件之間形成間隙的步驟。10、根據(jù)權利要求8所述制造固態(tài)成像設備的方法，其中在所述結合步驟，間隙通過被設置以環(huán)繞所述光接收區(qū)的襯墊形成在所述半導體基板和所述半透明組件之間。11、一種固態(tài)成像設備，包括設置有IT-CCD的半導體基板；以及為了具有與所述IT-CCD的光接收區(qū)相對的間隙，連接至所述半導體基板的半透明組件，其中所述半透明組件構成具有聚光功能的光學組件。12、根據(jù)權利要求11所述的固態(tài)成像設備，其中所述半透明組件通過襯墊連接至所述半導體基板。13、根據(jù)權利要求12所述的固態(tài)成像設備，其中由所述襯墊與所述半透明組件相同的材料構成。14、根據(jù)權利要求12所述的固態(tài)成像設備，其中所述襯墊由與所述半導體基板相同的材料構成。15、根據(jù)權利要求12所述的固態(tài)成像設備，其中所述襯墊由樹脂材料構成。16、根據(jù)權利要求11至14中任一所述的固態(tài)成像設備，其中所述襯墊由42-合金或硅構成。17、根據(jù)權利要求12所述的固態(tài)成像設備，其中所述IT-CCD的周緣部分的表面暴露在所述半透明組件之外。18、根據(jù)權利要求17所述的固態(tài)成像設備，其中所述暴露的部分包括連接端子。19、一種制造固態(tài)成像設備的方法，包括如下步驟在半導體基板的表面上形成多個IT-CCD;為了具有與所述IT-CCD的每個光接收區(qū)相應的間隙，將具有聚光功能的光學組件結合到所述半導體基板的表面上；以及對于每個IT-CCD，分離在所述結合步驟獲得的結合組件。20、根據(jù)權利要求19所述制造固態(tài)成像設備的方法，其中所述結合半透明組件的步驟包括以下步驟制備半透明基板，其中所述半透明基板包括在與待形成所述IT-CCD的區(qū)域相應的位置中的多個凹形部分并具有聚光功能；以及將所述半透明基板結合至所述半導體基板的表面。21、根據(jù)權利要求19所述制造固態(tài)成像設備的方法，還包括以下步驟在所述結合步驟之前在所述半導體基板表面上形成凸出部分以環(huán)繞所述光接收區(qū)、由所述凸出部分在所述光接收區(qū)和所述半透明組件之間形成間隙。22、根據(jù)權利要求19所述制造固態(tài)成像設備的方法，其中在所述結合步驟，間隙通過被設置以環(huán)繞所述光接收區(qū)的襯墊形成在所述半導體基板和所述半透明組件之間。23、根據(jù)權利要求19至22中任一所述制造固態(tài)成像設備的方法，其中所述分離步驟包括，以所述IT-CCD的周緣部分的表面暴露在所述所述半透明組件之外的方式，切割所述半透明組件，以將所述半透明組件的周緣部分放置到所述IT-CCD的周緣部分的內部。24、一種固態(tài)成像設備，包括設置有IT-CCD的第一半導體基板；以及具有聚光功能的半透明組件，為了具有與所述IT-CCD的光接收區(qū)相對的間隙，所述半透明組件連接至所述第一半導體基板，其中構成外圍電路的第二半導體基板設置在所述第一半導體基板上。25、根據(jù)權利要求24所述的固態(tài)成像設備，其中所述半透明組件通過襯墊連接至所述半導體基板。26、根據(jù)權利要求25所述的固態(tài)成像設備，其中所述襯墊由與所述半透明組件相同的材料構成。27、根據(jù)權利要求25所述的固態(tài)成像設備，其中所述襯墊由與所述第一半導體基板相同的材料構成。28、根據(jù)權利要求25所述的固態(tài)成像設備，其中所述襯墊由樹脂材料構成，所述樹脂材料填充在所述半透明組件和所述第一半導體基板之間。29、根據(jù)權利要求25所述的固態(tài)成像設備，其中所述第一半導體基板的每個IT-CCD的周緣部分的表面暴露在所述半透明組件之外。30、根據(jù)權利要求29所述的固態(tài)成像設備，其中所述暴露的部分包括連接端子。31、一種制造固態(tài)成像設備的方法，包括以下步驟在第一半導體基板的表面上形成多個IT-CCD;在第二半導體基板的表面上形成外圍電路；為了具有與所述IT-CCD的每個光接收區(qū)相應的間隙，將具有聚光功能的光學組件結合到所述第一半導體基板和所述第二半導體基板的表面上；以及對于每個IT-CCD，分離在所述結合步驟獲得的結合組件。32、一種固態(tài)成像設備，包括設置有IT-CCD的第一半導體基板；以及為了具有與所述IT-CCD的每個光接收區(qū)相應的間隙，連接至所述第一半導體基板的半透明組件，其中，其上具有外圍電路的第二半導體基板設置在與所述第一半導體基板的表面相對的表面上，在所述第一半導體基板上待形成所述IT-CCD，以及所述外圍電路通過設置在所述第一半導體基板上的通孔連接至所述IT-CCD。33、根據(jù)權利要求32所述的固態(tài)成像設備，其中所述第一和第二半導體基板彼此直接結合。34、根據(jù)權利要求32所述的固態(tài)成像設備，其中在所述第一和第二半導體基板之間使用粘合劑層使其彼此結合。35、根據(jù)權利要求32所述的固態(tài)成像設備，其中在所述第一和第二半導體基板之間使用熱絕緣材料使其彼此結36、根據(jù)權利要求32所述的固態(tài)成像設備，其中在所述第一和第二半導體基板之間使用磁屏蔽材料使其彼此結合。37、一種制造固態(tài)成像設備的方法，包括以下步驟在第一半導體基板的表面上形成多個IT-CCD;在第二半導體基板的表面上形成外圍電路；為了具有與所述IT-CCD的每個光接收區(qū)相應的間隙，將半透明組件結合到所述第一半導體基板的表面上；將所述第二半導體基板結合到所述第一半導體基板的背面；在所述結合步驟和所述半導體基板結合步驟之前或之后在所述第一半導體基板上形成通孔，并將所述IT-CCD電連接至所述第一半導體基板的背面；以及對于每個IT-CCD，分離在所述結合步驟獲得的結合組件。38、根據(jù)權利要求37所述制造固態(tài)成像設備的方法，其中在所述半導體基板結合步驟，所述第一和第二半導體基板通過直接結合彼此結合。39、根據(jù)權利要求37所述制造固態(tài)成像設備的方法，其中在所述半導體基板結合步驟，在所述第一和第二半導體基板之間使用粘合劑層使其彼此結合。全文摘要本發(fā)明的一個目的是提供易于制造并具有高可靠性的固態(tài)成像設備、以及制造所述固態(tài)成像設備的方法。在本發(fā)明中，所述制造方法包括在半導體基板的表面上形成多個IT-CCD、將半透明組件結合至所述半導體基板以具有與所述IT-CCD的每個光接收區(qū)相對的間隙、以及對于每個IT-CCD分離在所述結合步驟獲得的結合組件的步驟。文檔編號H04N5/335GK101552281SQ20091013783公開日2009年10月7日申請日期2003年7月29日優(yōu)先權日2002年7月29日發(fā)明者保坂俊一,前田弘,根岸能久,西田和弘申請人:富士膠片株式會社