專利名稱：：天線裝置、顯示裝置基板、液晶顯示單元、顯示系統(tǒng)、天線裝置的制造方法、和顯示裝置基...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于進行信號、電力的傳輸?shù)奶炀€裝置、使用該天線裝置的顯示裝置基板、液晶顯示單元和顯示系統(tǒng)。此外，涉及上述天線裝置的制造方法和上述顯示裝置基板的制造方法。
背景技術(shù)：
：歷來，提案有在用于具有由LCD(LiquidCrystalDisplay:液晶顯示器)構(gòu)成的顯示部的小型便攜式設(shè)備的天線中，通過利用LCD的反射板，或者利用夾著液晶材料的電極構(gòu)成天線而實現(xiàn)小型化的方法(參照專利文獻1)。此外，還提案有通過利用LCD的數(shù)據(jù)信號線和掃描信號線構(gòu)成天線而實現(xiàn)小型化的方法(參照專利文獻2)。S卩，歷來，在如下的觀念下研究天線的小型化通過利用在設(shè)備中擔(dān)負某種功能的已有的結(jié)構(gòu)作為天線而實現(xiàn)小型化。歷來，在將天線和電配線通過薄膜工藝形成為單片化的情況下，使用相同的材料在一次的工藝中形成兩者。在這樣的情況下，因為構(gòu)成天線的材料沒有自由度，所以為了實現(xiàn)天線所必需的性能，必須在天線的尺寸設(shè)計方面進行研究。由此，存在根據(jù)天線所必需的性能的不同而需要較大尺寸的天線，不能實現(xiàn)裝置整體的小型化的問題。此外，在歷來的方式中，天線以信息輸入為目的，為了維持LCD等的顯示和顯示功能所需要最低限度的輔助設(shè)備，例如在為透過型LCD的情況下，需要全部供給用于一并驅(qū)動LCD自身和它之外的背光源LED的電源，難以實現(xiàn)完全沒有與主機的連接線的顯示裝置。專利文獻1:日本國公開專利公報"特開昭64—7391S號公報(公開日1989年3月20日)"專利文獻2:日本國公開專利公報"特開平7—46515號公報(公開日1995年2月14日)"
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種高功能的天線裝置，該天線裝置在天線和電配線通過薄膜工藝形成為單片化的情況下，能夠?qū)崿F(xiàn)裝置整體的小型化，并能夠用于電源的傳輸。此外，提供使用上述天線裝置的顯示裝置基板、液晶顯示單元、顯示系統(tǒng)和上述天線裝置的制造方法、上述顯示裝置基板的制造方法。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的天線裝置構(gòu)成為，包括基板、進行電磁波能量的輸入輸出的天線、和連接與上述天線電連接的電路和上述天線的電配線，上述天線和上述電配線通過薄膜工藝在上述基板上形成為單片化，并且，構(gòu)成上述天線的材料的電導(dǎo)率比構(gòu)成上述電配線的材料的電導(dǎo)率高。此外，為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種天線裝置的制造方法，該天線裝置包括基板、進行電磁波能量的輸入輸出的天線、和連接與上述天線電連接的電路和上述天線的電配線，該天線裝置的制造方法是，通過薄膜工藝將上述天線和上述電配線在上述基板上形成為單片化，并且，通過比構(gòu)成上述電配線的材料的電導(dǎo)率高的材料形成上述天線。采用上述的結(jié)構(gòu)和方法，本發(fā)明的天線裝置是，通過薄膜工藝將天線和電配線在基板上形成為單片化，并且，通過比構(gòu)成上述電配線的材料的電導(dǎo)率高的材料構(gòu)成上述天線。通常，在通過薄膜工藝將天線和電配線形成為單片化的情況下，通過相同的材料在一次工藝中形成兩者。與此相對，在本發(fā)明中，特意使兩者的材料不同，并且令上述天線的電導(dǎo)率比上述電配線的電導(dǎo)率高，由此能夠減小上述天線的尺寸。此外，通過使兩者的材料不同，能夠分別選擇適于兩者的材料，不會損害各自的優(yōu)點。例如，上述電配線一般由具有容易加工、成本低等優(yōu)點的鋁合金形成。但是，該鋁合金不適合作為構(gòu)成上述天線的材料。因此，在本發(fā)明中，對上述天線使用與上述鋁合金不同的材料，對上述電配線與歷來一樣使用上述鋁合金。由此，能夠適當(dāng)?shù)貥?gòu)成上述天線并能夠享受上述優(yōu)點。通過以上方法，在通過薄膜工藝將天線和電配線形成為單片化的7情況下，起到能夠提供實現(xiàn)裝置整體的小型化的天線裝置的效果。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的顯示裝置基板是在上述天線裝置所具備的上述基板上，形成有驅(qū)動多個像素的顯示電路作為上述電路的顯示裝置基板，上述天線設(shè)置在由上述多個像素構(gòu)成的顯示區(qū)域的外側(cè)區(qū)域。此外，為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的顯示裝置基板的制造方法是在利用上述天線裝置的制造方法制造的天線裝置所具備的上述基板上，形成驅(qū)動多個像素的顯示電路作為上述電路的顯示裝置基板的制造方法，是將上述天線設(shè)置在由上述多個像素構(gòu)成的顯示區(qū)域的外側(cè)區(qū)域的方法。采用上述的結(jié)構(gòu)和方法，能夠減小上述天線的尺寸，因此能夠減小在上述顯示裝置基板中設(shè)置上述天線的顯示區(qū)域的外側(cè)區(qū)域。由此獲得能夠減小顯示裝置整體的尺寸的效果。此外，還能夠提供一種液晶顯示單元，其包括本發(fā)明的上述顯示裝置基板，通過對液晶施加電壓而進行顯示。此外，還能夠提供一種顯示系統(tǒng)，其包括發(fā)送側(cè)裝置和具備本發(fā)明的上述顯示裝置基板的接收側(cè)裝置，其中，該發(fā)送側(cè)裝置通過無線通信發(fā)送用于利用接收側(cè)裝置的顯示電路進行所希望的顯示的信號、電力或者這兩者。圖l表示本發(fā)明的實施方式，是表示無線顯示裝置的結(jié)構(gòu)的圖。圖2表示本發(fā)明的實施方式，是表示顯示系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的圖。圖3是表示上述顯示系統(tǒng)的實施例的圖。圖4表示本發(fā)明的實施方式，是表示天線的結(jié)構(gòu)例的圖。圖5表示本發(fā)明的實施方式，是表示有源矩陣基板的構(gòu)造的截面圖。圖6表示本發(fā)明的實施方式，是表示天線和下部路徑層(underpathlayer)的交叉部分的平面圖。圖7(a)表示本發(fā)明的實施方式，是表示上述有源矩陣基板的制造過程的圖。圖7(b)表示本發(fā)明的實施方式，是表示上述有源矩陣基板的制造過程的圖。圖7(c)表示本發(fā)明的實施方式，是表示上述有源矩陣基板的制造過程的圖。圖7(d)表示本發(fā)明的實施方式，是表示上述有源矩陣基板的制造過程的圖。圖7(e)表示本發(fā)明的實施方式，是表示上述有源矩陣基板的制造過程的圖。圖7(f)表示本發(fā)明的實施方式，是表示上述有源矩陣基板的制造過程的圖。圖7(g)表示本發(fā)明的實施方式，是表示上述有源矩陣基板的制造過程的圖。圖7(h)表示本發(fā)明的實施方式，是表示上述有源矩陣基板的制造過程的圖。符號的說明10、81天線6下部路徑層(電配線)8層間絕緣膜9透明導(dǎo)電膜(ITO膜)85顯示部(電路、顯示電路)50驅(qū)動裝置(發(fā)送側(cè)裝置)90無線顯示裝置(接收側(cè)裝置、液晶顯示單元)100顯示系統(tǒng)B邊框具體實施例方式關(guān)于本發(fā)明的實施方式，根據(jù)圖1圖7進行以下的說明。(顯示系統(tǒng)的結(jié)構(gòu))圖2表示本實施方式的顯示系統(tǒng)100的結(jié)構(gòu)。如該圖所示，顯示系統(tǒng)100構(gòu)成為，包括驅(qū)動裝置(發(fā)送側(cè)裝置)50和無線顯示裝置(接收側(cè)裝置、液晶顯示單元)90。在該結(jié)構(gòu)中，視頻信號和控制/定時信號等信號從驅(qū)動裝置50通過無線向無線顯示裝置90傳送。此外，驅(qū)動裝置50通過利用電磁感應(yīng)的無線供電或共鳴(共振)型的無線供電對無線顯示裝置90進行電力供給。共鳴型的無線供電是將發(fā)送側(cè)和接收側(cè)的天線的共振頻率設(shè)定為相同的值，利用在這兩個天線之間發(fā)生的共振現(xiàn)象傳送電力的技術(shù)。即，只有具有與發(fā)送天線相同的共振頻率的接收天線能夠與發(fā)送天線發(fā)送的電磁波調(diào)諧地進行電力的接收。無線顯示裝置90根據(jù)從驅(qū)動裝置50傳送的信號，利用通過無線供電輸送的電力進行顯示動作。驅(qū)動裝置50至少具有控制部41、發(fā)送部45和發(fā)送天線46?？刂撇?1輸出用于在無線顯示裝置90中進行顯示的視頻信號42和控制/定時信號43。發(fā)送部45進行從控制部41輸出的視頻信號42和控制/定時信號43的編碼和調(diào)制，利用發(fā)送天線46向空間60發(fā)送電磁波。此外，控制部41對發(fā)送部45供給電力44，并發(fā)送用于通過無線供電從發(fā)送天線46進行電力供給的電磁波。由此，視頻信號42和控制/定時信號43以及電力44被發(fā)送至無線顯示裝置90。另外，對信號的編碼方式、輸送通路的結(jié)構(gòu)、l對l、多重化、串行、并行等傳送方式本身不設(shè)置特別的限制。無線顯示裝置90至少具有接收天線81、接收部82和顯示部(電路、顯示電路)85。接收部82從利用接收天線81接收到的從驅(qū)動裝置50輸送出的電磁波接收視頻信號42、控制/定時信號43以及電力44，并將這些信號等供給至顯示部85。其中，電力44通過無線供電被接收。顯示部85利用從接收部82供給的上述信號等進行期望的顯示。本發(fā)明涉及上述那樣的無線顯示裝置90中的接收天線(以下簡單地稱為"天線")81。以下，對本發(fā)明的天線進行說明，但是，為了便于說明，令顯示部85由液晶顯示器(以下稱為"LCD")構(gòu)成。但是，并不僅限于此，也可以是任意的顯示裝置。作為這樣的顯示裝置，例如能夠列舉有機EL(electroluminescence:電致發(fā)光)顯示裝置等。(無線顯示裝置的結(jié)構(gòu))圖1表示無線顯示裝置90的更詳細的結(jié)構(gòu)。接收部82將通過接收天線81接收到的電磁波解調(diào)并解碼以接收視頻信號42和控制/定時信號43，并通過接收天線81的電磁感應(yīng)或共振接收電力44。電力44作為無線顯示裝置90的電源被利用。顯示部85至少包括分配電路72、像素部73、源極驅(qū)動器74、和柵極驅(qū)動器75。該顯示部85具有LCD的一般的面板結(jié)構(gòu)。簡單而言，像素部73構(gòu)成為包括有源矩陣基板(基板、顯示裝置基板、TFT陣列基板)、形成有對置電極的彩色濾光片基板、夾在上述有源矩陣基板與上述彩色濾光片基板之間的液晶層、偏光板和背光源等。在上述有源矩陣基板上形成有多根數(shù)據(jù)信號線S(在圖中僅表示數(shù)據(jù)信號線S1、S2)和與各數(shù)據(jù)信號線S分別交叉的多根掃描信號線G(在圖中僅表示掃描信號線Gl、G2)，在由相鄰的兩根數(shù)據(jù)信號線S和相鄰的兩根掃描信號線G包圍的部分配置有像素(在圖中僅表示在由數(shù)據(jù)信號線Sl、S2和掃描信號線Gl、G2包圍的部分配置的像素73A)。上述像素由未圖示的與數(shù)據(jù)信號線S和掃描信號線G連接的作為開關(guān)元件的TFT(ThinFilmTransistor:薄膜晶體管)以及像素電極等構(gòu)成。上述TFT的柵極與掃描信號線G連接，源極與數(shù)據(jù)信號線S連接，漏極與上述像素電極連接。像素部(顯示區(qū)域)73是矩陣狀配置有多個上述像素的區(qū)域，實際上是對液晶層施加電壓以進行顯示的區(qū)域。分配電路72將從接收部82輸出的視頻信號42和控制/定時信號43之中的用于控制視頻信號42和源極驅(qū)動器74的控制/定時信號43A輸向源極驅(qū)動器74，將其中的用于控制柵極驅(qū)動器75的控制/定時信號43B輸向柵極驅(qū)動器75。源極驅(qū)動器74根據(jù)從分配電路72輸出的視頻信號42、控制/定時信號43A向數(shù)據(jù)信號線S輸出數(shù)據(jù)信號。柵極驅(qū)動器75根據(jù)從分配電路72輸出的控制/定時信號43B向掃描信號線G施加?xùn)艠O電壓驅(qū)動上述TFT。由此，通過像素電極向上述液晶層適當(dāng)?shù)厥┘訑?shù)據(jù)信號的電壓以進行期望的顯示。另夕卜，在控制/定時信號43中包括例如表示顯示的開始位置的開始脈沖信號、在源極驅(qū)動器73中用于使數(shù)據(jù)信號一起鎖存的鎖存選通信號(控制/定時信號43A)等。此外，在視頻信號42為數(shù)字的情況下，控制/定時信號43為數(shù)據(jù)時鐘等。此處，天線81、連接天線81和接收部82的電配線、構(gòu)成接收部82的電路、分配電路72以及在有源矩陣基板上形成的各結(jié)構(gòu)均通過薄膜工藝形成為單片化。其中，所謂薄膜工藝是指，通過濺射等在基板上形成薄膜，有時利用光刻法將形成的薄膜加工為期望的圖案的一系列的工序。此外，形成為單片化的結(jié)構(gòu)不必要是上述全部的結(jié)構(gòu)，至少天線81和連接天線81與接收部82的電配線形成為單片化即可。如圖所示，天線81在上述有源矩陣基板的最外側(cè)區(qū)域，以包圍像素部73、接收部82、分配電路72和連接它們的配線的方式以環(huán)繞的形狀設(shè)置。其中，天線81只要設(shè)置在至少由像素部73形成的顯示區(qū)域的外側(cè)區(qū)域即可，接收部82、分配電路72等結(jié)構(gòu)也可以配置在天線81的環(huán)繞區(qū)域的外側(cè)。(天線的條件)如上所述，在連接天線81和接收部82的電配線形成為單片化的情況下，通常，天線81利用與上述電配線相同的材料在同一工序中形成。此處，作為上述電配線的材料，歷來廣泛使用以高耐熱性的金屬夾著以鋁為主要成分的鋁合金而成的鋁合金配線。采用這樣的層構(gòu)造等的鋁合金配線的電導(dǎo)率為1.00X1072.50X107(S/m)。另一方面，因為如上所述，通過天線81傳送的電力44被用作無線顯示裝置90的電源，所以需要比較大的電力。與此相對，因為上述鋁合金配線是上述那樣的電導(dǎo)率，所以在由上述鋁合金配線形成的天線81中，為了確保必要的電力，有必要在一定程度上增加天線81的巻數(shù)，并加大天線81的粗細度以降低電阻值等的設(shè)計。但是，在增加天線81的巻數(shù)或加大天線81的粗細度的情況下，天線81會大型化，特別是不能在小型便攜式設(shè)備中使用顯示系統(tǒng)100。圖3是表示在作為上述小型便攜式設(shè)備的便攜式電話機200中使用顯示系統(tǒng)100的情況的一個例子。驅(qū)動裝置50配置在便攜式電話機200中。無線顯示裝置90應(yīng)用于能夠從便攜式電話機200裝卸的面板尺寸為2型級別的LCD模塊150。在這種情況下，天線81配置在圖中標注有符號B的設(shè)置在LCD模塊150的顯示區(qū)域的外側(cè)的邊框(覆蓋部分)。該邊框部分因為只有大約12(mm)左右的寬度，所以天線81的小型化不可避免。即，在這樣的LCD模塊150中，不能使用上述鋁合金配線作為構(gòu)成天線81的材料。此外，因為天線81處理如上述那樣的大電力(大電流)，所以，如果使用具有上述那樣的電導(dǎo)率的上述鋁合金配線作為天線81，則發(fā)熱的問題不能避免。因此，在本發(fā)明中，使天線81和上述電配線的材料不同，使構(gòu)成天線81的材料為電導(dǎo)率比構(gòu)成上述電配線的材料的電導(dǎo)率高的材料(詳細的值在后面說明)。由此，能夠?qū)⑸鲜龅碾娏Υ_保的問題、小型化的問題、和發(fā)熱的問題全部解決。此外，作為上述電配線，雖然會增加制造工序，但是與歷來一樣使用鋁合金配線。由此，能夠獲得鋁的優(yōu)越的密合性、易加工性、低成本性和環(huán)境負擔(dān)的擔(dān)心少等有益的效果。另外，在后面會進行詳細說明，在本發(fā)明中，對上述制造工藝的工序也下功夫，能夠克服上述制造工藝的工序數(shù)增加的缺點。(天線的實施例)接著，說明天線81的實施例。在本實施方式中，作為構(gòu)成天線81的材料，使用電導(dǎo)率為3.80X107以上的材料，具體而言，使用銀(包括以銀為主要成分的銀合金)、銅(包括以銅為主要成分的銅合金)和金(包括以金為主要成分的金合金)中的任一種。以下，對其根據(jù)進行說明。表1表示上述各種金屬的電導(dǎo)率。另外，表中的LCD實際配線材料是上述鋁合金配線。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>為了驅(qū)動一般的TN(TwistedNematic:扭轉(zhuǎn)向列)型液晶，需要十幾伏特的驅(qū)動電壓。即，考慮向接收部82的后級的電路供給必要的電壓的調(diào)整器的電壓降、以及向背光源的供電，優(yōu)選在無線顯示裝置90中通過天線81供給的電源電壓為20V以上。以下將能夠達到該驅(qū)動能力的天線作為"實驗天線"舉例進行說明。實驗天線的電導(dǎo)率和通過該電導(dǎo)率的實驗天線得到的電壓(20V以上)的關(guān)系為表2的關(guān)系。(以下將該實驗天線稱為"實驗天線l")。表2表示實驗天線1的電導(dǎo)率(S/m)和產(chǎn)生的電壓(V)的關(guān)系。其中，實驗天線1使用圖4所示的天線。圖4表示實驗天線1的結(jié)構(gòu)。實驗天線l如圖所示，天線線在環(huán)狀環(huán)繞的狀態(tài)下，巻數(shù)為2，天線線的線寬(圖中的符號a)為0.35mm，環(huán)繞的天線線彼此的線的間隔(線間距)(圖中的符號b)為0.20mm，從最內(nèi)周的天線線的內(nèi)側(cè)端部至最外周的天線線的外側(cè)端部為止的距離(天線一邊的橫寬)(圖中的符號c)為不足1.00mm，由最外周的天線線形成的四邊形的縱寬(圖中的符號d)為48.5mm，上述四邊形的橫寬(圖中的符號e)為39.9mm，膜厚為900nm,負載阻抗為約lkQ，負載電容為約40pF，消耗電流為50mA。此外，關(guān)于信號/電力載波，考慮到能夠傳送QQVGA、6位RGB、10f^s(每秒10幀)的無壓縮信號約相當(dāng)于3.4Mbps的信息量的能力，從關(guān)于載波的分離濾波器的截止的常識性的知識出發(fā)，采用相當(dāng)于信號的基帶的約8倍的27MHz，其中，該QQVGA被認為具有能夠顯示最低限的文字、視頻信息的分辨率。天線的阻抗由于是電感而存在與頻率一起上升的傾向，在使用該設(shè)定條件以上的載波頻率的情況下，從必須將電源供給側(cè)的阻抗抑制在負載阻抗以下的常識性的知識出發(fā)，為了減低L+R的天線的合成阻抗還要求進一步提高天線的電導(dǎo)率。因此，可以說此處記載的實驗天線條件大致表示最低限的臨界設(shè)計條件。<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>如表2所示，可知，為了得到20V以上的電壓，優(yōu)選令構(gòu)成天線81的材料的電導(dǎo)率為4.00X107(S/m)以上。此處可知，因為鋁合金配線的電導(dǎo)率較高，為2.50X107(S/m)左右，所以優(yōu)選令構(gòu)成天線81的材料的電導(dǎo)率為鋁合金配線的電導(dǎo)率的160%以上。另外，考慮到多少能夠使天線的設(shè)計變化，只要構(gòu)成天線81的材料的電導(dǎo)率為構(gòu)成電配線的材料的電導(dǎo)率的150%以上，便能夠設(shè)計實用且具有足夠尺寸的天線。同樣，考慮到多少能夠使天線的設(shè)計變化，只要構(gòu)成天線81的材料的電導(dǎo)率為3.80X107(S/m)以上，便能夠設(shè)計實用且具有足夠尺寸的天線。另外，關(guān)于雙方的臨界值的余地設(shè)定，令基于設(shè)計自由度的變動為目標值的上下5%左右。另外，表1所示的電導(dǎo)率是室溫下的電導(dǎo)率。當(dāng)然，電導(dǎo)率在低溫下增加，在高溫下減少。此外，表1所示的電導(dǎo)率是理想的鑄塊的情況，實際上與硅薄膜一樣，在成膜工藝中由于沉積或濺射等的不同而原子的結(jié)晶狀況不同，引起電導(dǎo)率的下降。此外，因為能夠與硅薄膜的處理工序一樣地考慮利用熱處理等使結(jié)晶接近理想值的工序，所以也存在由結(jié)晶狀況的引起的電導(dǎo)率的下降不成為問題的情況。此外，在上述的例子中，令膜厚為900nm，其理由如下。即使是高電阻材料，如果增大截面積(加大膜厚)則實際電阻值下降，由于薄膜的剝離強度等，超過1000nm的厚膜疊層存在技術(shù)性的問題。因為剝離的危險性格外增加，并且在沉積工序等中需要非常長的處理時間，所以還會降低制造生產(chǎn)量。由此，在本實施例中，考慮到穩(wěn)定性和技術(shù)上的可達到性，例舉設(shè)想900nm的情況下的電源電壓的傳輸例。因為這是表示最低的電導(dǎo)率的條件，所以只要使用高電導(dǎo)率的材料便能夠進行薄膜化，會進一步提高工業(yè)上的便利性。此外，天線的電動勢依賴于天線線從發(fā)送側(cè)線圈橫切磁通的"長度"。由此，在上述的例子中，在面向便攜式電話機的現(xiàn)狀的制品中設(shè)想為成為最低附近的畫面尺寸的2型級別的液晶。這也能夠認為，因為加大尺寸的方向不是提高技術(shù)性難易度的方向，所以如果在該級別獲得效果，則在以上的級別中也能夠使用。此外，該級別的邊框由于商品裝載而多需要抑制在lmm2mm左右。接著，表示使用尺寸比實驗天線1大的實驗天線(實驗天線2)的情況。關(guān)于實驗天線2，相對于實驗天線l，使天線線的線寬變化為約0.70mm，使環(huán)繞的天線線彼此的線的間隔(線間距)變化為0.50mm，并且令天線一邊的橫寬為2.00mm。該模擬的結(jié)果是，利用實驗天線2，在電導(dǎo)率為4.00X107(S/m)的情況下，得到約25V的電壓。這相對于實驗天線1的20V，并不是大的能力提高。在為其它電導(dǎo)率時，也并不能從由表2所示的實驗天線l產(chǎn)生的電壓看到大幅的電壓上升。與此相對，如表2所示，如果提高構(gòu)成天線81的材料的電導(dǎo)率(例如在令電導(dǎo)率為6.00X107(S/m)的情況下)，獲得的電壓也大幅上升(3035(V))。g卩，可知，與天線的尺寸相比，構(gòu)成天線的材料的電導(dǎo)率更有助于電壓生成。因此可知，由電導(dǎo)率大的材料構(gòu)成天線，對于電力確保的問題、小型化的問題和發(fā)熱的問題極有益處。以上說明的實驗天線1、2在實際作為天線81使用的情況下并不僅限于上述那樣的結(jié)構(gòu)，在不會大幅損害LCD模塊150的產(chǎn)品價值的范圍內(nèi)，能夠進行天線的巻數(shù)(也可以超過2周)、線寬、線間距、膜厚等的變更。此外，作為構(gòu)成天線的材料，因為銀或銀合金的電導(dǎo)率高，所以最優(yōu)選(參照表1)，但是也可以使用電導(dǎo)率比較高的銅或銅合金。但是，在使用銅或銅合金的情況下存在環(huán)境污染對策的問題，從而存在由于生產(chǎn)或廢物回收而招致總的成本上升的可能性。此外，雖然材料成本增加，但是如果使用金或金合金，則具有化學(xué)上的穩(wěn)定性、加工的容易度提高等優(yōu)點。此外，金屬材料一般能夠通過進行退火而令電導(dǎo)率進一步提高，接近理想值。另外可知，在希望使用同樣為900nm的膜厚的1.50X107(S/m)左右的鋁合金配線，以實現(xiàn)與使用表2中獲得35V電壓的7.00X107(S/m)的電導(dǎo)率材料的實驗天線1相同的性能的情況下，必須將2mm以上的寬度的天線線配置4重。(基板結(jié)構(gòu))接著，說明基板結(jié)構(gòu)。圖5是上述有源矩陣基板的截面圖，表示設(shè)置有天線81(天線10)的部分的截面的一例。如圖所示，在上述有源矩陣基板的最下層，設(shè)置有絕緣性基板l，在該絕緣性基板l上，依次形成有底涂膜2、柵極絕緣膜3、下部中間層4、上部中間層5、下部路徑層6(上述電配線的一例)、保護膜7、16層間絕緣膜8和透明導(dǎo)電膜(IndiumTinOxide:ITO膜)9。在透明導(dǎo)電膜9上的一部分(上述有源矩陣基板的最外周部)形成有天線10。天線10通過接觸孔11經(jīng)透明導(dǎo)電膜9與下部路徑層6連接。此外，沒有形成天線10的部分的透明導(dǎo)電膜9通過接觸孔12與下部路徑層6連接，設(shè)置有與外部電路連接的連接端子，提供與天線以外的元件、器件或電路連接的機構(gòu)。下部路徑層6是將環(huán)狀環(huán)繞形成的天線10的外周端引入形成有接收部82和顯示部85的內(nèi)周側(cè)的圖案(圖1的符號A的部分)。下部路徑層6因為具有這樣的作用，所以有與天線IO交叉的部分。在本實施方式中，使用與顯示部85中的TFT的源極電極相同的材料，在相同的層形成有下部路徑層6。此處應(yīng)注意的是，令天線10在透明導(dǎo)電膜9上形成。由此，能夠在有源矩陣基板的形成工藝結(jié)束后進行形成天線10的工藝，因此沒有必要改變現(xiàn)有的工藝的順序。此外，通過將天線10形成在透明導(dǎo)電膜9上，相互交叉的下部路徑層6和天線10隔著層間絕緣膜8和透明導(dǎo)電膜9配置。此處，一般的有源矩陣基板中的層間絕緣膜8以大約2500nm左右的厚度形成，因此能夠確保下部路徑層6-天線IO之間的距離，能夠減小在兩者間產(chǎn)生的寄生電容。即，因為能夠使天線IO遠離電路安裝層而降低其影響，所以能夠保全天線10的高頻設(shè)計性能值。此外，在本實施方式中，如圖6所示，在下部路徑層6和天線10交叉的部分，與其以外的部分相比，使電阻值比下部路徑層6低的天線10的寬度較窄(參照圖中以虛線包圍的部分)。由此，能夠避免成為嚴重的瓶頸電阻部，并且能夠減小在兩者間產(chǎn)生的寄生電容。此外，在使用銀合金形成天線10的情況下，如果在使用丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺等構(gòu)成的層間絕緣膜8上形成天線10，則發(fā)生剝離等問題的可能性高。這是因為構(gòu)成層間絕緣膜8的上述那樣的樹脂與銀的粘接性極差。因此，在本實施方式中，在層間絕緣膜8上的透明導(dǎo)電膜9上形成天線10。由此，不需要任何特別的措施便能夠避免上述那樣的粘接性的問題。(有源矩陣基板的制造方法)7表示該制造方法的制造過程。(工序1)首先，如圖7(a)所示，作為絕緣性基板1，準備已進行清洗工序的厚度為300，000700,000nm左右的玻璃基板。(工序2)接著，如圖7(b)所示，利用等離子體CVD(chemicalvapordeposition:化學(xué)氣相沉積)法，依次連續(xù)形成分別為100nm左右的底涂膜(tetraethylorthosilicate:TEOS)2和柵極絕緣膜(TEOS)3、以及分別為幾百nm左右的下部中間層(氮化硅，SiNx)4和上部中間層(TEOS)5這4層。另夕卜，在該工序中另外設(shè)置柵極配線等，此外進行成為溝道的硅膜的成膜、結(jié)晶化、熱活性化、基于光刻的圖案形成、雜質(zhì)注入等的工序處理，在層內(nèi)形成晶體管等，但是因為與天線的工序沒有直接關(guān)系而在此處省略。(工序3)接著，利用濺射法形成幾百nm左右的下部路徑層(Ti-Al-Ti)6。成膜后，如圖7(c)所示，利用光刻法形成為規(guī)定的圖案。另外，該工序3與TFT的源極電極制造時一同進行。(工序4)接著，如圖7(d)所示，利用等離子體CVD法形成幾百nm左右的保護膜(SiNx)7。(工序5)接著，為了形成接觸孔ll、12，如圖7(e)所示，利用光刻法將保護膜7蝕刻成規(guī)定的圖案。(工序6)接著，形成2500nm左右的層間絕緣膜8。在成膜時如圖7(f)所示，以保持接觸孔ll、12的形狀的方式層疊為圖案狀。(工序7)接著，利用濺射法形成100nm左右的透明導(dǎo)電膜(ITO)9。成膜后，如圖7(g)所示，利用光刻法形成為規(guī)定的圖案。(工序8)接著，利用CVD法，形成幾百nm左右的天線(銀合金)10。關(guān)于其膜厚，如前所述。成膜后，如圖7(h)所示，利用光刻法形成為規(guī)定的圖案。由此，在與下部路徑層6交叉的部分，與其它的部分相比，寬度變窄。通過以上的工序，能夠制造上述有源矩陣基板。以上，在本實施方式中例舉的結(jié)構(gòu)只不過是一個例子，還能夠進行各種變更。例如，在顯示系統(tǒng)100中，視頻信號42和控制/定時信號43不僅能夠如上述那樣利用電波傳送，還能夠利用例如光傳送。在這種情況下，驅(qū)動裝置50的發(fā)送功能能夠通過一般的LED(LightEmittingDiode:發(fā)光二極管)及其驅(qū)動電路實現(xiàn)，無線顯示裝置90的接收功能能夠利用一般的光電二極管實現(xiàn)。此外，在顯示系統(tǒng)100中，還可以采用如下結(jié)構(gòu)，即，不將視頻信號42、控制/定時信號43和電力44全部傳送，而僅傳送其中的任一個的結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明的天線還能夠應(yīng)用于發(fā)送天線46。此外，本發(fā)明的天線，如果是至少在裝置之間完全以非接觸的方式進行電力的傳輸?shù)挠猛?，則能夠應(yīng)用于任何的裝置。此外，圖3所示的LCD模塊150能夠減輕手持機設(shè)計者對FPC(FlexiblePrintedCircuit:柔性印制基板)的配置的顧慮，因此能夠提高設(shè)計自由度。此外，關(guān)于LCD模塊150，能夠提供一種新的利用方式/形態(tài)，即，使用者能夠買入塑料包裝的繪有喜歡的圖案的LCD模塊并適當(dāng)?shù)靥鎿Q。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)全新的LCD模塊的流通/銷售方式。此外，本實施方式的天線裝置還可以構(gòu)成為，構(gòu)成上述電配線的材料是鋁或是以鋁為主要成分的鋁合金。以鋁合金形成薄膜的技術(shù)已廣泛普及，能夠利用現(xiàn)有的工藝簡單地實現(xiàn)電配線的形成。此外，本實施方式中的天線裝置還可以構(gòu)成為，構(gòu)成上述天線的材料的電導(dǎo)率為3.80X107S/m以上。采用上述的結(jié)構(gòu)，如上所述，能夠設(shè)計足夠?qū)嵱玫某叽绲奶炀€。此外，本實施方式的天線裝置還可以構(gòu)成為，構(gòu)成上述天線的材料的電導(dǎo)率為構(gòu)成上述電配線的材料的電導(dǎo)率的150%以上。采用上述的結(jié)構(gòu)，如上所述，能夠設(shè)計足夠?qū)嵱玫某叽绲奶炀€。此外，本實施方式的天線裝置還可以構(gòu)成為，構(gòu)成上述天線的材料為銀、以銀為主要成分的銀合金、銅、以銅為主要成分的銅合金、金和以金為主要成分的金合金中的任一種。采用上述結(jié)構(gòu)，因為上述的金屬的電導(dǎo)率比較大，所以能夠充分地減小上述天線的尺寸。此外，本實施方式中的顯示裝置基板也可以構(gòu)成為，上述天線以環(huán)狀環(huán)繞的狀態(tài)形成。采用上述的結(jié)構(gòu)，能夠構(gòu)成所謂的環(huán)狀天線。本實施方式的顯示裝置基板也可以構(gòu)成為，上述天線的巻數(shù)為2以上。采用上述的結(jié)構(gòu)，能夠利用上述天線容易地生成大的電壓。此外，本實施方式的顯示裝置基板還可以構(gòu)成為，上述顯示區(qū)域的外側(cè)區(qū)域是該顯示裝置基板的邊框部分。釆用上述的結(jié)構(gòu)，能夠減小上述天線的尺寸，因此例如在小型便攜式設(shè)備中能夠容易地收容在僅有約12(mm)左右的寬度的邊框部分。此外，本實施方式的顯示裝置基板還可以構(gòu)成為，在上述基板上形成有薄膜晶體管、像素電極、掃描信號線和數(shù)據(jù)信號線。采用上述的結(jié)構(gòu)，因為能夠利用薄膜形成工藝形成有源矩陣基板，所以能夠令全部的工藝為薄膜工藝。此外，本實施方式的顯示裝置基板還可以構(gòu)成為，還具備層間絕緣膜，該層間絕緣膜設(shè)置在上述基板上比上述薄膜晶體管更靠上層的位置，并且設(shè)置在上述基板與上述像素電極之間的層，上述天線設(shè)置在上述基板上比上述層間絕緣膜更靠上層的位置。此外，本實施方式的顯示裝置基板的制造方法還可以是，在上述基板上形成薄膜晶體管、像素電極、掃描信號線和數(shù)據(jù)信號線，并且包括層間絕緣膜形成工序和天線形成工序的方法，其中，在該層間絕緣膜形成工序中在上述基板上比上述薄膜晶體管更靠上層，并且上述基板與上述像素電極之間的層上設(shè)置層間絕緣膜，在該天線形成工序中在上述基板上比上述層間絕緣膜更靠上層的位置設(shè)置上述天線。采用上述的結(jié)構(gòu)和方法，因為能夠在上述有源矩陣基板形成工藝結(jié)束后進行形成上述天線的工藝，所以不需要改變現(xiàn)有的工藝的順序。此外，能夠降低天線與像素驅(qū)動的驅(qū)動電路及其配線等的浮動電容。此外，本實施方式的顯示裝置基板還可以構(gòu)成為，上述層間絕緣膜由介電常數(shù)小的樹脂構(gòu)成。采用上述的結(jié)構(gòu)，因為層間絕緣膜由介電常數(shù)小的樹脂構(gòu)成，所以能夠進一步降低天線與像素驅(qū)動的驅(qū)動電路及其配線等的浮動電容。此外，本實施方式的顯示裝置基板還可以構(gòu)成為，上述天線和上述電配線交叉配置，至少與上述天線交叉的部分的上述電配線設(shè)置在上述層間絕緣膜與上述基板之間的層。此外，本實施方式的顯示裝置基板的制造方法還可以是包括電配線形成工序的方法，上述天線和上述電配線交叉配置，至少將與上述天線交叉的部分的上述電配線設(shè)置在上述層間絕緣膜與上述基板之間的層。采用上述的結(jié)構(gòu)和方法，上述天線與上述電配線隔著具有比較厚的厚度的層間絕緣膜交叉，因此能夠減少交叉部分的寄生電容。此外，本實施方式的顯示裝置基板還可以構(gòu)成為，上述天線和上述電配線交叉配置，與上述電配線交叉的部分的上述天線的寬度比與上述電配線交叉的部分以外的上述天線的寬度窄。此外，本實施方式的顯示裝置基板的制造方法還可以是如下的方法，即，上述天線和上述電配線交叉配置，將與上述電配線交叉的部分的上述天線的寬度形成為比與上述電配線交叉的部分以外的上述天線的寬度窄。采用上述的結(jié)構(gòu)和方法，天線與電配線的交叉部分的電配線的寬度變窄，因此，能夠不降低交叉部分以外的電阻值而減小交叉部分的寄生電容。此外，本實施方式的顯示裝置基板還可以構(gòu)成為，構(gòu)成上述天線的材料是以銀為主要成分的銀合金，上述天線在設(shè)置在上述基板上比上述層間絕緣膜更靠上層的位置設(shè)置的ITO(IndiumTinOxide:氧化銦錫)膜的更上層設(shè)置。此外，本實施方式的顯示裝置基板的制造方法還可以是如下的方法，即，構(gòu)成上述天線的材料是以銀為主要成分的銀合金，在設(shè)置在21上述基板上比上述層間絕緣膜更靠上層的位置的ITO膜的更上層設(shè)置上述天線。采用上述的結(jié)構(gòu)和方法，銀合金膜隔著ITO膜疊層在層間絕緣膜上，因此與直接疊層在層間絕緣膜上相比，能夠提高粘接性。此外，本實施方式的顯示裝置基板還可以構(gòu)成為，上述顯示電路利用無線通信從外部的裝置接收信號、電力或者這兩者，并且上述電力經(jīng)上述天線通過電磁感應(yīng)或共振進行接收。采用上述的結(jié)構(gòu)，能夠通過無線實現(xiàn)顯示所需的信號的接收發(fā)送、以及電力供給這兩者。本發(fā)明并不僅限于上述的各實施方式，能夠在權(quán)利要求項所示的范圍內(nèi)進行各種變更，適當(dāng)組合在不同的實施方式中分別公開的技術(shù)方式而獲得的實施方式也包括在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的天線由電導(dǎo)率高的材料構(gòu)成，因此對電力確保、小型化和發(fā)熱問題具有卓越的效果，如果是至少在裝置之間完全以非接觸的方式進行電力的傳輸?shù)挠猛荆瑒t能夠適用于任何的裝置。權(quán)利要求1.一種天線裝置，其特征在于，包括基板；進行電磁波能量的輸入輸出的天線；和連接與所述天線電連接的電路和所述天線的電配線，所述天線和所述電配線通過薄膜工藝在所述基板上形成為單片化，并且，構(gòu)成所述天線的材料的電導(dǎo)率比構(gòu)成所述電配線的材料的電導(dǎo)率高。2.如權(quán)利要求1所述的天線裝置，其特征在于構(gòu)成所述電配線的材料是鋁或以鋁為主要成分的鋁合金。3.如權(quán)利要求1或2所述的天線裝置，其特征在于構(gòu)成所述天線的材料的電導(dǎo)率為3.80X107S/m以上。4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的天線裝置，其特征在于構(gòu)成所述天線的材料的電導(dǎo)率為構(gòu)成所述電配線的材料的電導(dǎo)率的150%以上。5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的天線裝置，其特征在于-構(gòu)成所述天線的材料是銀、以銀為主要成分的銀合金、銅、以銅為主要成分的銅合金、金和以金為主要成分的金合金中的任一種。6.—種顯示裝置基板，其在權(quán)利要求1至5中任一項所述的天線裝置所具備的所述基板上，形成有驅(qū)動多個像素的顯示電路作為所述電路，該顯示裝置基板的特征在于所述天線設(shè)置在由所述多個像素構(gòu)成的顯示區(qū)域的外側(cè)區(qū)域。7.如權(quán)利要求6所述的顯示裝置基板，其特征在于所述天線以環(huán)狀環(huán)繞的狀態(tài)形成。8.如權(quán)利要求7所述的顯示裝置基板，其特征在于-所述天線的巻數(shù)為2以上。9.如權(quán)利要求6至8中任一項所述的顯示裝置基板，其特征在于所述顯示區(qū)域的外側(cè)區(qū)域是該顯示裝置基板的邊框部分。10.如權(quán)利要求6至9中任一項所述的顯示裝置基板，其特征在于在所述基板上形成有薄膜晶體管、像素電極、掃描信號線和數(shù)據(jù)信號線。11.如權(quán)利要求10所述的顯示裝置基板，其特征在于其還包括層間絕緣膜，該層間絕緣膜設(shè)置在所述基板上比所述薄膜晶體管更靠上層的位置，并且設(shè)置在所述基板與所述像素電極之間的層，所述天線設(shè)置在所述基板上比所述層間絕緣膜更靠上層的位置。12.如權(quán)利要求ll所述的顯示裝置基板，其特征在于所述層間絕緣膜由介電常數(shù)小的樹脂構(gòu)成。13.如權(quán)利要求11或12所述的顯示裝置基板，其特征在于所述天線和所述電配線交叉配置，至少與所述天線交叉的部分的所述電配線設(shè)置在所述層間絕緣膜與所述基板之間的層。14.如權(quán)利要求11、12或13中任一項所述的顯示裝置基板，其特征在于所述天線和所述電配線交叉配置，與所述電配線交叉的部分的所述天線的寬度比與所述電配線交叉的部分以外的所述天線的寬度窄。15.如權(quán)利要求11至14中任一項所述的顯示裝置基板，其特征在于構(gòu)成所述天線的材料是以銀為主要成分的銀合金，所述天線在設(shè)置在所述基板上比所述層間絕緣膜更靠上層的位置的ITO(IndiumTinOxide:氧化銦錫)膜的更上層設(shè)置。16.如權(quán)利要求6至15中任一項所述的顯示裝置基板，其特征在于所述顯示電路通過無線通信從外部的裝置接收信號、電力或者這兩者，并且所述電力經(jīng)所述天線通過電磁感應(yīng)或共振進行接收。17.—種液晶顯示單元，其特征在于，其包括權(quán)利要求6至16中任一項所述的顯示裝置基板，通過對液晶施加電壓而進行顯示。18.—種顯示系統(tǒng)，其特征在于，包括發(fā)送側(cè)裝置，其通過無線通信發(fā)送用于利用接收側(cè)裝置的顯示電路進行所希望的顯示的信號、電力或者這兩者；和接收側(cè)裝置，其具備權(quán)利要求16所述的顯示裝置基板。19.一種天線裝置的制造方法，所述天線裝置包括基板、進行電磁波能量的輸入輸出的天線、和連接與所述天線電連接的電路和所述天線的電配線，所述天線裝置的制造方法的特征在于通過薄膜工藝將所述天線和所述電配線在所述基板上形成為單片化，并且，通過比構(gòu)成所述電配線的材料的電導(dǎo)率高的材料形成所述天線。20.—種顯示裝置基板的制造方法，其在利用權(quán)利要求19所述的制造方法制造的天線裝置所具備的所述基板上，形成驅(qū)動多個像素的顯示電路作為所述電路，所述顯示裝置基板的制造方法的特征在于將所述天線設(shè)置在由所述多個像素構(gòu)成的顯示區(qū)域的外側(cè)區(qū)域。21.如權(quán)利要求20所述的顯示裝置基板的制造方法，其在所述基板上形成薄膜晶體管、像素電極、掃描信號線和數(shù)據(jù)信號線，其特征在于，包括層間絕緣膜形成工序，在所述基板上比所述薄膜晶體管更靠上層，并且所述基板與所述像素電極之間的層上設(shè)置層間絕緣膜；和天線形成工序，在所述基板上比所述層間絕緣膜更靠上層的位置設(shè)置天線。22.如權(quán)利要求21所述的顯示裝置基板的制造方法，其特征在于還包括電配線形成工序，所述天線和所述電配線交叉配置，至少將與所述天線交叉的部分的所述電配線設(shè)置在所述層間絕緣膜與所述基板之間的層。23.如權(quán)利要求21或22所述的顯示裝置基板的制造方法，其特征在于所述天線和所述電配線交叉配置，將與所述電配線交叉的部分的所述天線的寬度形成為比與所述電配線交叉的部分以外的所述天線的寬度窄。24.如權(quán)利要求21至23中任一項所述的顯示裝置基板的制造方法，其特征在于-構(gòu)成所述天線的材料是以銀為主要成分的銀合金，在設(shè)置在所述基板上比所述層間絕緣膜更靠上層的位置的ITO膜的更上層設(shè)置所述天線。全文摘要本發(fā)明涉及天線裝置、顯示裝置基板、液晶顯示單元、顯示系統(tǒng)、天線裝置的制造方法、和顯示裝置基板的制造方法。本發(fā)明的天線裝置是通過薄膜工藝將天線(81)和連接天線(81)與接收部(82)的電配線在有源矩陣基板上形成為單片化而成的裝置。而且，構(gòu)成天線(81)的材料的電導(dǎo)率比構(gòu)成上述電配線的材料的電導(dǎo)率高。文檔編號H04M1/02GK101682111SQ20088001866公開日2010年3月24日申請日期2008年5月30日優(yōu)先權(quán)日2007年9月27日發(fā)明者E·茨姆伯,L·魯卡瑪,S·沙阿,宮田和彥申請人:夏普株式會社